CN103345942B - 解析存储器操作类型错误的方法及其装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种解析存储器操作类型错误的方法及其装置，属于半导体技术领域，其方法包括：通过建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；并在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；最后，根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。本发明通过上述方法实现了使用一套成体系的方案，从而分析出不同类型的存储器操作错误。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种解析存储器操作类型错误的方法及其装置。
背景技术
在逻辑先进制程的开发中，尤其是65纳米制程及以下技术开发中，存储器SRAM作为制程开发的主要载体(testvehicle)。其在低电压下的良率分析成为制程开发的难点和重点，如何有效地对低电压下良率流失的分析成为制程开发首先要解决的问题，也是制程开发的瓶颈之一。
而对存储器的良率分析主要内容是对存储器的操作错误进行分析，比如写操作错误write-fail、读操作错误read-fail、干扰操作错误disturb-fail。
虽然从原理上三种类型都已经被一些文献所阐述，但是实际上在现有技术中，暂时没有一套成体系的方案对三种类型的操作错误进行区分。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种解析存储器操作类型错误的方法，用以实现使用一套成体系的方案，从而分析出不同类型的存储器操作错误。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种解析存储器操作类型错误的方法，其包括：
建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误,具体包括：
清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型；
根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。
优选地，在本发明的一实施例中，所述操作错误的不同错误类型包括：写操作错误、读操作错误和干扰操作错误。
优选地，在本发明的一实施例中，清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录包括：
清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得第三操作记录。
优选地，在本发明的一实施例中，对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型，包括：
对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得操作错误。
优选地，在本发明的一实施例中，还包括：根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，获得不同操作错误的操作电压和发生操作错误的地址。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种解析存储器操作类型错误的装置，其包括：
错误类型定义单元，用于建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
操作错误收集单元，用于在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；其中，所述操作错误收集单元包括：
操作记录获取单元，用于清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
操作错误解析单元，用于对不同的操作记录进行解析，从而解析出对应的多个操作错误；
错误类型解析单元，用于根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，解析不同操作错误的错误类型。
优选地，在本发明的一实施例中，操作记录单元包括：
第一操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
第二操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
第三操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得三操作记录。
优选地，在本发明的一实施例中，操作错误解析单元包括：
第一操作错误解析单元，用于对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
第二操作错误解析单元，用于对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
第三操作错误解析单元，用于对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
第四操作错误解析单元，用于根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得操作错误。
本发明中，通过建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；并在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；最后，根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。从而实现了使用一套成体系的方案，从而分析出不同类型的存储器操作错误。
附图说明
图1为本发明实施例一中解析存储器操作类型错误的方法流程示意图；
图2为图1中步骤102的具体流程示意图；
图3为上述图2中步骤112的具体流程示意图；
图4为上述图1中步骤103的具体流程图；
图5为本发明实施例二中解析存储器操作类型错误的装置功能框图；
图6为上述图5中操作错误收集单元的功能框图；
图7为上述图6中操作记录单元的功能框图；
图8为上述图1中操作错误解析单元的功能框图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明的下述实施例中，通过建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；并在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。从而实现了使用一套成体系的方案，从而分析出不同类型的存储器操作错误。利用本发明的下述实施例，可以将错误的类型进行良好的区分。
如图1所示，为本发明实施例一中解析存储器操作类型错误的方法流程示意图，其可以包括：
步骤101、建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
本实施例中，由于通常对存储器的操作主要包括写入、读取，因此，所述操作错误的不同错误类型包括：写操作错误writefail、读操作错误readfail和干扰操作错误disturbfail。需要说明的是,干扰错误disturbfail可以认为是与写操作错误writefail、读操作错误readfail并列的第三种错误。
步骤102、在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；
如图2所示，为图1中步骤102的具体流程示意图，其可以包括：
步骤112、清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
步骤122、对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型。
具体地，如图3所示，为上述图2中步骤112的具体流程示意图，其可以包括：
步骤1121、清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
步骤1122、清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
步骤1123、清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得第三操作记录。
步骤103、根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。
本实施例中，如图4所示，为上述图1中步骤103的具体流程图，其可以包括：
步骤113、对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
步骤123、对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
步骤133、对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
步骤143、根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得操作错误。
需要说明的是，在上述实施例基础上，在步骤103之后或者在步骤103中，还可以根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，获得不同操作错误的操作电压和发生操作错误的地址。
下面列举一具体实例对上述实施例一做一简单说明：加入假设正常操作电压为VNOM，出现错误时的操作电压为Vf。依次进行如下操作：
清空存储器内所有存储数据，Vf下对存储器进行写操作，VNOM下对存储器进行读操作，此操作记录为read1，作为第一操作记录；
清空存储器内所有存储数据，VNOM下对存储器进行写操作，Vf对存储器进行读操作，此操作记录为read2，作为第二操作记录；
清空存储器内所有存储数据，VNOM下对存储器进行读操作，此操作记录为read3，作为第三操作记录。
对第一操作记录Read1进行解析，获得写操作错误writefail信息(如错误的数量，地址等)
对第二操作记录Read2进行解析，获得readfail和disturbfail的复合体，即复合操作错误；
对第三操作记录Read3进行解析，获得干扰操作错误disturbfail。
从第二操作记录Read2所得到的操作错误信息中去除掉与第三操作错误Read3相同的部分，剩下的错误信息即是属于读操作错误readfail。
如图5所示，为本发明实施例二中解析存储器操作类型错误的功能结构框图，其可以包括：错误类型定义单元501、操作错误收集单元502、错误类型解析单元503。其中：
错误类型定义单元501用于建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
操作错误收集单元502用于在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；
错误类型解析单元503，用于根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，解析不同操作错误的错误类型。
如图6所示，为上述图5中操作错误收集单元的功能框图，其可以包括：操作记录获取单元512和操作错误解析单元522。其中：
操作记录获取单元512用于清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
操作错误解析单元522用于对不同的操作记录进行解析，从而解析出对应的多个操作错误。
如图7所示，为上述图6中操作记录单元的功能框图，其可以包括：第一操作记录单元5121、第二操作记录单元5122、第三操作记录单元5123。其中：
第一操作记录单元5121用于清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
第二操作记录单元5122用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
第三操作记录单元5123用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得三操作记录。
如图8所示，为上述图1中操作错误解析单元的功能框图，其可以包括：第一操作错误解析单元513、第二操作错误解析单元523、第三操作错误解析单元533、第四操作错误解析单元543。其中：
第一操作错误解析单元513用于对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
第二操作错误解析单元523用于对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
第三操作错误解析单元533用于对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
第四操作错误解析单元543用于根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得读操作错误。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (8)
1.一种解析存储器操作类型错误的方法，其特征在于，包括：
建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，具体包括：
清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型；
根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述操作错误的不同错误类型包括：写操作错误、读操作错误和干扰操作错误。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录包括：
清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行读操作，从而获得第三操作记录。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型，包括：
对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得读操作错误。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，获得不同操作错误的操作电压和发生操作错误的地址。
6.一种解析存储器操作类型错误的装置，其特征在于，包括：
错误类型定义单元，用于建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；
操作错误收集单元，用于在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；其中，所述操作错误收集单元包括：
操作记录获取单元，用于清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；
操作错误解析单元，用于对不同的操作记录进行解析，从而解析出对应的多个操作错误；
错误类型解析单元，用于根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，解析不同操作错误的错误类型。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，操作记录单元包括：
第一操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；
第二操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；
第三操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行读操作，从而获得第三操作记录。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，操作错误解析单元包括：
第一操作错误解析单元，用于对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；
第二操作错误解析单元，用于对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；
第三操作错误解析单元，用于对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；
第四操作错误解析单元，用于根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得读操作错误。
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