CN103339865A

CN103339865A - 低噪音混频器

Info

Publication number: CN103339865A
Application number: CN2012800072649A
Authority: CN
Inventors: 劳伦斯·E·科内尔; 丹尼尔·P·麦卡锡
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd
Priority date: 2011-02-03
Filing date: 2012-02-03
Publication date: 2013-10-02
Anticipated expiration: 2032-02-03
Also published as: CN103339865B; WO2012103815A1; US8588726B2; US20120200334A1

Abstract

一种设备，其包括低噪音混频器，所述低噪音混频器包括用于接收差分电压并产生差分电流信号的跨导放大器、直接连接到所述跨导放大器的输出端的无源混频器以及耦合到所述无源混频器的跨阻抗放大器，其中所述跨阻抗放大器经配置以接收电流信号并且将所述电流信号转变成电压信号。

Description

低噪音混频器

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2012年1月30日由劳伦斯·E·科内尔（Lawrence E.Connell）等人递交的发明名称为“低噪音混频器（Low Noise Mixer）”的第13/360,926号美国非临时专利申请案，以及2011年2月3日由劳伦斯·E·科内尔（Lawrence E.Connell）等人递交的发明名称为“低噪音混频器（Low NoiseMixer）”的第61/439,226号美国临时专利申请案的在先申请优先权，这两个在先申请的内容以全文引用方式如再现一样并入本文中。

关于由联邦政府赞助的

研究或开发的声明

不适用。

参考缩微胶片附录

不适用。

技术领域

无

背景技术

模拟前端接收器可用于许多应用中，从蜂窝式无线电通信（例如，基站接收器）到电视（例如，有线电视调节器）。模拟前端接收器呈现许多设计挑战和/或限制。模拟前端接收器的所需特征中可能有高增益、高线性度、低噪音、低功率消散以及在中频处的杂波抑制。

发明内容

在一个方面，本发明包含一种设备，其包括低噪音混频器，所述低噪音混频器包括用于接收差分电压并产生差分电流信号的跨导放大器、直接连接到所述跨导放大器的输出端的无源混频器以及耦合到所述无源混频器的跨阻抗放大器，其中所述跨阻抗放大器经配置以接收电流信号并且将所述电流信号转变成电压信号。

在另一方面，本发明包含一种方法，所述方法包括：在低噪音混频器处接收差分电压信号，其中所述低噪音混频器包括跨导放大器、直接连接到所述跨导放大器的输出端的无源混频器，以及耦合到所述无源混频器的跨阻抗放大器；使用所述跨导放大器从所述差分电压信号产生差分电流信号；使用差分本地振荡器来改变所述差分电流信号的频率以使用所述无源混频器来产生第二差分电流信号；以及使用所述跨阻抗放大器来将所述第二差分电流信号转变成第二差分电压信号。

在又一方面，本发明包含一种设备，所述设备包括：差分本地振荡器，第一表面声波（SAW）滤波器，耦合到所述第一SAW滤波器的第二SAW滤波器，其中所述第二SAW滤波器经配置以产生第一差分电压信号，以及耦合到第二SAW滤波器的低噪音混频器，其中所述低噪音混频器包括经配置以接收所述第一差分电压信号并且产生第一差分电流信号的跨导放大器、耦合到所述跨导放大器并且经配置以接收第二差分电流信号并产生第二差分电压信号的跨导放大器，以及耦合在所述跨导放大器与所述跨阻抗放大器之间并且耦合到所述差分本地振荡器的无源混频器，其中所述无源混频器经配置以接收所述第一差分电流信号。

从结合附图和所附权利要求书进行的以下详细描述将更清楚地理解这些和其它特征。

附图说明

为了更完整地理解本发明，现在参考以下结合附图和详细描述进行的简要描述，其中相同参考标号表示相同部分。

图1是模拟前端接收器的一个实施例的示意图。

图2是模拟前端接收器的另一个实施例的示意图。

图3是低噪音混频器的一个实施例的示意图。

图4是低噪音混频器的另一个实施例的示意图。

图5是用于处理模拟信号的方法的一个实施例的流程图。

图6是低噪音混频器的一个实施例的电路图。

图7是低噪音混频器的另一个实施例的电路图。

具体实施方式

最初应理解，尽管下文提供一个或一个以上实施例的说明性实施方案，但可使用任何数目的技术，不管是当前已知还是现有的，来实施所揭示的系统和/或方法。本发明决不应限于下文所说明的说明性实施方案、图式和技术，包含本文所说明并描述的示范性设计和实施方案，而是可在所附权利要求书的范围以及其均等物的完整范围内修改。

模拟前端接收器可具有以下功能：接收高频数据承载信号并且将此信号转变成中频信号，同时调节此中频信号用于进一步处理。本文所揭示的是模拟前端接收器，它们实现了所需特征，例如高增益、超低噪音以及高线性度，同时与常规接收器相比，用更简单的设计实现了减少的功率消耗。本文还揭示了一个超低噪音和高线性度的混频器，所述混频器包括一个输入跨导体，它将输入电压转变成输出电流，一个无源切换混频器，它直接耦合到所述输入跨导体的输出端，以及一个跨阻抗放大器。本文还揭示了与常规方法相比，处理高频信号以实现所需信号性质的方法。

图1是模拟前端接收器100的一个实施例的示意图。模拟前端接收器100包括放大器110、第一表面声波（SAW）滤波器120、可变衰减器130、低噪音放大器140、第二SAW滤波器150以及混频器160，如图1所示配置。放大器110可经配置以从双工器接收高频模拟信号并且可经配置以放大所述模拟信号。所述高频模拟信号可以是例如在蜂窝式通信系统中的基站中接收到的信号，且放大器110可以是例如用于在基站中的长电缆上驱动信号的低噪音放大器。第一SAW滤波器120可以是带通滤波器并且可提供保护以防镜像频率。可变衰减器130可减小信号的振幅，并且此衰减是可调整的。低噪音放大器140可提供增益并且可减轻由接收器的随后级引起的噪音。第二SAW滤波器150可以是带通滤波器并且可提供保护以防镜像频率。混频器160可以是可将相对高频的信号转变成较低或中频（IF）信号以用于随后处理的常规单端-差分混频器。混频器160可在一个给定的频率处耦合到差分本地振荡器以帮助执行所描述的频率转变。

图1中的模拟前端接收器100表示常规配置并且可用于射频（RF）无线接收器中，例如蜂窝式通信系统中的基站接收器。例如，模拟前端接收器100可耦合到一个或多个天线，用于接收已经转变为电信号的RF信号。

可是，模拟前端接收器100可遭受若干缺点。首先，存在低噪音放大器140和它相关的耗用电流可产生过量的功率消耗。第二，在混频器160中遇到的杂波也可能是过量的，这至少部分是因为由低噪音放大器140产生的经放大信号电平。

图2是可克服例如模拟前端接收器100等常规接收器的一些缺点的模拟前端接收器200的另一实施例的示意图。模拟前端接收器200包括放大器210、第一SAW滤波器220、衰减器230、第二SAW滤波器240以及低噪音混频器250，如图2中所示而配置。放大器210可经配置以从双工器接收高频模拟信号并且可经配置以放大所述模拟信号。所述高频模拟信号可以是例如在蜂窝式通信系统中的基站中接收到的信号，且放大器210可以是例如用于在基站中的长电缆上驱动信号的低噪音放大器。第一SAW滤波器220可以是带通滤波器并且可提供保护以防镜像频率。衰减器230可在所述第一SAW滤波器220的输出端处衰减信号。第二SAW滤波器240可直接连接到衰减器230并且可对在镜像频率处的源噪音进行滤波。或者，在第一SAW滤波器220与第二SAW滤波器240之间可没有衰减器。例如，衰减器，例如衰减器230，可放在第二SAW滤波器240之后，或者可将足够的衰减引入另一个组件中，从而可不需要单独的衰减器。此外，第二SAW滤波器240可以是可将单端输入转变成差分输出的单端-差分SAW滤波器。SAW滤波器，例如SAW滤波器220和240，可串联地连接以提供足够的带外保护。低噪音混频器250可经配置以在输入端处接收处于一个频率的差分输入并且产生处于较低频率或IF的输出。低噪音混频器250可耦合到处于一个给定频率的本地振荡器以帮助执行所描述的频率转变。

注意，为处理接收到的信号，模拟前端接收器200在SAW滤波器220与240之间可能不需要低噪音放大器。因此，模拟前端接收器200内部的电压可能比常规的接收器内部的电压小，这可能产生相比于例如模拟前端接收器100等常规接收器而改善的线性度和较低的杂波。

图3是低噪音混频器300的一个实施例的示意图。低噪音混频器300可应用为例如图2中的接收器200等模拟前端接收器中的低噪音混频器。例如，图2中的低噪音混频器250可配置为图3中的低噪音混频器300。低噪音混频器300可应用于基站结构或有线电视调节器中。

低噪音混频器300包括跨导放大器310、无源混频器320（有时指无源切换混频器）以及跨阻抗放大器330，如图3中所示而配置。跨导放大器310可在输入端（在图3中标记为“差分输入”）接收差分电压信号并且在输出端产生差分电流信号。差分电流信号可包括直流（DC）分量和交流（AC）分量。

如图3中所示，无源混频器320可耦合到差分本地振荡器信号LO+和LO-。无源混频器可接收AC分量并且将AC分量的频率移动到较低或IF频率。无源混频器320可经配置以接收差分电流信号，并且允许DC分量的至少一部分经过而到达输出端并到跨阻抗放大器330上。DC分量的一部分可被再使用以偏置跨阻抗放大器330。跨阻抗放大器330可经配置以在输入端接收差分电流信号并且产生差分电压输出（在图3中标记为“差分输出”）。

低噪音混频器300可用大大减少的功率消耗来实现超低噪音指数和高线性度。低噪音混频器300内的杂波，所属领域的技术人员也称为mRF+/-nLO杂波，可能比例如图1中的混频器160等常规混频器中的杂波低约30分贝（dB），这是由于低噪音混频器300内的电压电平低约30dB，这是在接收器配置中缺少低噪音放大器与在电流模式下操作低噪音混频器相结合的结果。此外，具有使用例如低噪音混频器300等结构的低噪音混频器250的模拟前端接收器200结构可产生与例如模拟前端接收器100等常规的前端接收器结构相比不到三分之一的功率消耗。最后，例如模拟前端接收器200等模拟前端接收器的结构也可通过除去低噪音放大器而简化。

图4是低噪音混频器340的一个实施例的示意图。低噪音混频器340可应用为例如有线调节器等模拟前端接收器中的低噪音混频器。

低噪音混频器340包括跨导放大器350、无源混频器360和380以及跨阻抗放大器370和390，这些中的每一者都可类似于先前对低噪音混频器300所描述的相同名字的组件。在一些应用中，例如有线调节器应用，低噪音混频器340可接收处于一个频率的AC分量并且将AC分量的频率移动到IF频率。在一些应用中，可将接收到的AC分量转变到基带（即，差分基带），并且本地振荡器信号LO_I+和LO_I-可对应于本地振荡器信号的同相分量，且本地振荡器信号LO_Q+和LO_Q-可对应于本地振荡器信号的正交分量。本地振荡器信号LO_I+和LO_I-可分别从本地振荡器信号LO_Q+和LO_Q-偏移90度的相位。因此，所有的本地振荡器信号都可从单个本地振荡器导出。跨阻抗放大器370和390的输出可以是基带输出。

图5是用于处理模拟信号的方法400的一个实施例的流程图。在步骤410中，可对单端的电压信号进行滤波。单端的电压信号可以是已经在模拟前端接收器中的双工器处接收的高频信号。例如，高频信号可以是已经由基站接收器中的一个或多个天线接收的模拟信号。例如，所述滤波可由SAW滤波器，如图2中的SAW滤波器220来执行。在步骤420中，可对信号进行衰减。在步骤430中，可对信号进行滤波并且转变成差分电压信号。例如，SAW滤波器如SAW滤波器240可用于执行此滤波和转变。在步骤440中，可随后将信号放大并且转变成差分电流信号。例如，此处理可由跨导放大器如图3中的跨导放大器310来执行。在步骤450中，可将信号的中心频率转变到中频并且可维持DC电流分量的一部分。例如，此处理可由无源混频器如图3中的无源混频器320来执行。最后，在步骤460中，可将信号放大并且转变成差分电压信号。例如，此处理可由跨阻抗放大器如图3中的跨阻抗放大器330来执行。

图6是低噪音混频器500的一个实施例的电路图。低噪音混频器500包括跨导放大器510、无源混频器520、滤波器530以及跨阻抗放大器540，如图6中所示而配置。跨导放大器510可包括多个电容器（一个示例性的电容器标记为502）、电感器（一个示例性的电感器标记为504），以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）（一个示例性的MOSFET标记为506），如图6中所示而配置。图6中的各MOSFET是n沟道金属氧化物半导体（MOS）晶体管，但是电路可改为配置有p沟道MOS晶体管。跨导放大器510可表示图3中的跨导放大器310和/或图4中的跨导放大器350的一个实施例。跨导放大器510可经配置以接收如图6中所示的差分RF电压输入+RFin和–Rfin并且产生差分电流输出。差分电流输出可包括直流（DC）分量和交流（AC）分量。

如图6所示，无源混频器520可包括多个电容器和MOSFET。无源混频器520可经配置以接收如图6中所示的差分本地振荡器信号LO+和LO-和来自跨导放大器510的差分电流信号。此外，无源混频器520可经配置以将DC分量的一部分传递到输出端。无源混频器520可表示图3中的无源混频器320和/或图4中的无源混频器360和380的一个实施例。

如图6所示，滤波器530包括多个电容器和电感器。可以任选地包含滤波器530以减少mRF+/-nLO杂波。或者，可以不包含滤波器530并且无源混频器520可直接连接到跨阻抗放大器540。

如图6中所示，跨阻抗放大器540可包括第一分支542和第二分支544。第一分支542可包括如图6中所示串联连接的两个MOSFET，以及同样地第二分支544可包括如图6中所示串联连接的两个MOSFET。跨阻抗放大器540的每个分支中的一个MOSFET可由电压Vbias偏置，使得无源混频器520中的MOSFET在线性区域中运作。跨阻抗放大器540可经配置以接收差分电流信号并且将所述差分电流信号转变成差分输出电压信号，在图6中标记为+RFout和–RFout。跨阻抗放大器540可经配置以从滤波器530接收DC电流分量，并且所述DC电流分量可用作电流源，所述电流源偏置所述跨阻抗放大器540（即，可不需要外部的电流源来操作低噪音混频器500）。跨阻抗放大器540可表示图3中的跨阻抗放大器330和/或图4中的跨阻抗放大器370和390的一个实施例。

低噪音混频器500进一步包括负载电阻器550。低噪音混频器500可耦合到具有表示为VDD的电压电平的电压源。VDD可以约等于3.3伏特（V）。

低噪音混频器500可在无源混频器输出端处具有小于3欧姆的阻抗，所述阻抗由装置大小和用于跨阻抗放大器540分支542和544的DC偏置电流来确定。此外，在操作期间（如果VDD接近3.3V），低噪音混频器的增益可大于15dB，低噪音混频器的噪音指数可小于1.4dB，输出1dB压缩点可大于16dB，输出第三阶线性度测量（即，输出第三阶截距）可大于25dBm（相对于1毫瓦以dB测量的功率），mRF+/-nLO杂波可小于137dBc（相对于载波的dB数），且低噪音混频器的功率消散可小于约370毫瓦（mW）。

图7是低噪音混频器600的另一个实施例的电路图。低噪音混频器600包括跨导放大器610、无源混频器620、滤波器630以及跨阻抗放大器640，如图6中所示而配置。跨导放大器610可包括多个电容器（一个示例性的电容器标记为602）、电感器（一个示例性的电感器标记为604），以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）（一个示例性的MOSFET标记为606），如图7中所示而配置。图7中的各MOSFET是n沟道MOS晶体管，但是电路可改为配置有p沟道MOS晶体管。跨导放大器610可表示图3中的跨导放大器310和/或图4中的跨导放大器350的一个实施例。

跨导放大器610可经配置以接收如图7中所示的差分射频电压输入+RFin和–Rfin并且产生差分电流输出。差分电流输出可包括直流（DC）分量和交流（AC）分量。

如图7所示，无源混频器620可包括多个电容器和MOSFET。如图7中所示，无源混频器620可经配置以接收差分本地振荡器信号LO+和LO-。此外，无源混频器620可经配置以将DC分量的一部分传递到输出端。无源混频器620可表示图3中的无源混频器320和/或图4中的无源混频器360和380的一个实施例。

如图7所示，滤波器630包括多个电容器和电感器。可以任选地包含滤波器630以进一步减少由无源混频器620产生的mRF+/-nLO杂波。或者，可以不包含滤波器630并且无源混频器620可直接连接到跨阻抗放大器640。

如图7中所示，跨阻抗放大器640可包括第一分支642和第二分支644。第一分支642可包括如图7中所示的一个MOSFET，以及同样地第二分支644可包括如图7中所示的一个MOSFET。跨阻抗放大器640中的每个MOSFET可由一个电压（标记为“Vbias”）偏置，使得无源混频器620中的MOSFET在线性区域中运作。跨阻抗放大器640可经配置以接收差分电流信号并且将所述差分电流信号转变成差分输出电压信号，在图7中标记为+RFout和–Rfout。跨阻抗放大器640可经配置以从滤波器630接收DC电流分量，并且所述DC电流分量可用作电流源，所述电流源偏置所述跨阻抗放大器640（即，可不需要外部的电流源来操作低噪音混频器600）。跨阻抗放大器640可表示图3中的跨阻抗放大器330和/或图4的跨阻抗放大器370和390的一个实施例。

低噪音混频器600可耦合到具有大约VDD的电压电平的电压源。VDD可以约等于1.8V。低噪音混频器600可在无源混频器620输出端处具有小于3欧姆的阻抗。此外，在操作期间（如果VDD接近1.8V），低噪音混频器的增益可大于15dB，低噪音混频器的噪音指数可小于1.4dB，输出1dB压缩点可大于16dB，输出第三阶线性度测量（即，输出第三阶截距）可超过25dBm，所有的mRF+/-nLO杂波可小于137dBc，且低噪音混频器的功率消散可小于约210毫瓦（mW）。

揭示至少一个实施例，且所属领域的技术人员对所述实施例和/或所述实施例的特征的变化、组合和/或修改在本发明的范围内。因组合、整合和/或省略所述实施例的特征而产生的替代实施例也在本发明的范围内。在明确陈述数值范围或限制的情况下，应将此些表达范围或限制理解为包含属于明确陈述的范围或限制内的类似量值的重复范围或限制（例如，从约1到约10包含2、3、4等；大于0.10包含0.11、0.12、0.13等）。举例来说，每当揭示具有下限R_l和上限R_u的数值范围时，具体是揭示属于所述范围的任何数字。具体来说，所述范围之内的以下数字得到特别揭示：R=R_l+k*(R_u-R_l)，其中k是以1%的增量从1%变化至100%的变量，即，k是1%、2%、3%、4%、5%、…、50%、51%、52%、…、95%、96%、97%、98%、99%或100%。此外，还特定揭示由如上文所定义的两个R数字定义的任何数值范围。相对于权利要求的任一元素使用术语“任选地”意味着所述元素是需要的，或者所述元素是不需要的，两种替代方案均在所述权利要求的范围内。使用例如包括、包含和具有等较广术语应被理解为提供对例如由……组成、基本上由……组成以及大体上由……组成等较窄术语的支持。因此，保护范围不受上文所陈述的描述限制，而是由所附权利要求书界定，所述范围包含所附权利要求书的标的物的所有均等物。每一和每个权利要求作为进一步揭示内容并入说明书中，且所附权利要求书是本发明的实施例。所述揭示内容中的参考的论述并不是承认其为现有技术，尤其是具有在本申请案的在先申请优先权日期之后的公开日期的任何参考。本发明中所引用的所有专利、专利申请案和公开案的揭示内容特此以引用的方式并入本文中，其提供补充本发明的示范性、程序性或其它的细节。

虽然本发明中已提供若干实施例，但可理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，所揭示的系统和方法可以许多其它特定形式来体现。本发明的实例应被视为说明性的而非限制性的，且本发明不限于本文所给出的细节。举例来说，各种元件或组件可在另一系统中组合或集成，或可省略或不实施某些特征。

另外，在不脱离本发明的范围的情况下，各种实施例中描述和说明为离散或单独的技术、系统、子系统和方法可与其它系统、模块、技术或方法组合或整合。展示或论述为彼此耦合或直接耦合或通信的其它项目也可以电方式、机械方式或其它方式通过某一接口、装置或中间组件间接地耦合或通信。其它变化、替代和改变的实例可由所属领域的一般技术人员确定，且可在不脱离本文本所揭示的范围和精神的情况下做出。

Claims

1.一种设备，其包括：

低噪音混频器，其包括：

跨导放大器，经配置以接收差分电压并产生差分电流信号；

无源混频器，直接连接到所述跨导放大器的输出端；以及

跨阻抗放大器，耦合到所述无源混频器，其中所述跨阻抗放大器经配置以接收电流信号并且将所述电流信号转变成电压信号。

2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：

差分本地振荡器；

第一表面声波（SAW）滤波器；

耦合到所述第一SAW滤波器的第二SAW滤波器，其中所述第二SAW滤波器是单端-差分SAW滤波器，

其中所述第二SAW滤波器耦合到所述跨导放大器，并且其中所述差分本地振荡器耦合到所述无源混频器。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述设备不包含低噪音放大器。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述无源混频器进一步包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其中每个所述MOSFET经配置以在它的线性区域中运作，其中所述差分电流信号包括直流（DC）分量和交流（AC）分量，其中所述无源混频器经配置以将所述DC电流分量的一部分传递到所述跨阻抗放大器的输入端，且其中所述DC电流分量的所述部分偏置所述跨阻抗放大器。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述跨阻抗放大器包括对应于一个差分输入的第一分支和对应于第二差分输入的第二分支，其中所述第一分支包括第一MOSFET，且其中所述第二分支包括第二MOSFET。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一分支进一步包括与所述第一MOSFET串联连接的第三MOSFET，且其中所述第二分支包括与所述第二MOSFET串联连接的第四MOSFET。

7.根据权利要求6所述的设备，其中包括多个电感器和电容器的滤波器连接在所述无源混频器与所述跨阻抗放大器之间。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述低噪音混频器进一步包括：

第二无源混频器，直接连接到所述跨导放大器的所述输出端；以及

第二跨阻抗放大器，耦合到所述第二无源混频器，其中所述第二跨阻抗放大器经配置以接收第二电流信号并且将所述第二电流信号转变成电压信号。

9.根据权利要求5所述的设备，其中在操作期间，所述低噪音混频器耦合到约1.8伏特的电压源，所述低噪音混频器的增益大于15分贝（dB），所述低噪音混频器的噪音指数小于1.4分贝，输出第三阶截距大于25dBm，且所述低噪音混频器的功率消散小于约210毫瓦（mW）。

10.一种方法，其包括：

在低噪音混频器处接收差分电压信号，其中所述低噪音混频器包括跨导放大器、直接连接到所述跨导放大器的输出端的无源混频器，以及耦合到所述无源混频器的跨阻抗放大器；

使用所述跨导放大器来从所述差分电压信号产生差分电流信号；

使用差分本地振荡器来改变所述差分电流信号的频率以使用所述无源混频器来产生第二差分电流信号；以及

使用所述跨阻抗放大器来将所述第二差分电流信号转变成第二差分电压信号。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

从第一表面声波（SAW）滤波器接收电压信号，其中所述电压信号是单端电压信号；

将所述第一SAW滤波器耦合到第二SAW滤波器；以及

使用所述第二SAW滤波器来将所述电压信号转变成所述差分电压信号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述差分电流信号包括直流（DC）分量和交流（AC）分量，其中所述无源混频器接收所述DC电流分量并且将所述DC电流分量的一部分传递到所述跨阻抗放大器，其中所述DC电流分量的所述部分偏置所述跨阻抗放大器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述无源混频器进一步包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其中每个所述MOSFET在线性区域中运作。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述跨阻抗放大器包括对应于一个差分输入的第一分支和对应于第二差分输入的第二分支，其中所述第一分支包括第一MOSFET，且其中所述第二分支包括第二MOSFET。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在操作期间，所述低噪音混频器耦合到约1.8伏特的电压源，所述低噪音混频器的增益大于15分贝（dB），所述低噪音混频器的噪音指数小于1.4分贝，输出第三阶截距大于25dBm，且所述低噪音混频器的功率消散小于约210毫瓦（mW）。

16.一种设备，其包括：

差分本地振荡器；

第一表面声波（SAW）滤波器；

耦合到所述第一SAW滤波器的第二SAW滤波器，其中所述第二SAW滤波器经配置以产生第一差分电压信号；以及

耦合到所述第二SAW滤波器的低噪音混频器，其中所述低噪音混频器包括：

跨导放大器，经配置以接收所述第一差分电压信号并且产生第一差分电流信号；

跨阻抗放大器，耦合到所述跨导放大器并且经配置以接收第二差分电流信号并且产生第二差分电压信号；以及

无源混频器，耦合在所述跨导放大器与所述跨阻抗放大器之间并且耦合到所述差分本地振荡器，其中所述无源混频器经配置以接收所述第一差分电流信号。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一差分电流信号包括直流（DC）分量和交流（AC）分量，其中所述无源切换混频器经配置以将所述DC电流分量的一部分传递到所述跨阻抗放大器，且其中所述跨阻抗放大器经配置以使得所述DC电流分量的所述部分偏置所述跨阻抗放大器。

18.根据权利要求17所述的设备，其中所述设备不包含低噪音放大器。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述跨阻抗放大器包括对应于一个差分输入的第一分支和对应于第二差分输入的第二分支，其中所述第一分支包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），且其中所述第二分支包括第二MOSFET。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述无源切换混频器包括四个MOSFET，其中每个MOSFET经配置以在它的线性区域中运作。

21.根据权利要求20所述的设备，其中所述跨阻抗放大器的输入阻抗小于3欧姆，其中在操作期间，所述低噪音混频器耦合到约1.8伏特的电压源，且其中所述低噪音混频器的增益大于15分贝（dB），噪音指数小于1.4分贝，输出第三阶截距大于25dBm，且功率消散小于约210毫瓦（mW）。

22.根据权利要求17所述的设备，其中所述低噪音混频器进一步包括：

第二跨阻抗放大器，耦合到所述跨导放大器并且经配置以接收第三差分电流信号并且产生第三差分电压信号；以及

第二无源混频器，耦合在所述跨导放大器与所述第二跨阻抗放大器之间并且耦合到所述差分本地振荡器，其中所述第二无源混频器经配置以接收所述第一差分电流信号。