CN103324233A - 一种低通滤波器及低压差线性稳压器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低通滤波器，在RC滤波器的基础上进一步设置可控开关和反馈网络，可控开关中的第一场效应管的输入端连接至第一电阻的第一端、输出端连接至第一电阻的第二端，在第一电容第一端处的电压未达到第一电压阈值时，第一场效应管导通，从而短路第一电阻，对第一电容进行快速充电，在第一电容第一端处的电压达到第一电压阈值时，第二场效应管导通，开始对第二电容充电，当第二电容第一端处的电压达到第二电压阈值时，第一场效应管关断，还原为RC滤波状态。基于本发明公开的低通滤波器，既保证了LDO电路的快速启动，又保证LDO具有低噪声和高电源抑制比。本发明还公开了一种低压差线性稳压器。

Description

一种低通滤波器及低压差线性稳压器

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种低通滤波器及应用该低通滤波器的低压差线性稳压器。

背景技术

低压差线性稳压器（LDO）可以提供很低的压降电压。在LDO的电路设计中，LDO的噪声和电源抑制比特性对电路的应用非常重要，尤其是在一些高频电路供电中。

为了实现低噪声和高电源抑制比，除了对LDO中的主要器件进行优化之外，通常会在基准电路和误差放大器之间添加一个RC低通滤波器。这样既可以消除一定的低频噪声，也可以提高电路高频处的电源抑制比。目前的LDO主要包括基准电路、低通滤波器、误差放大器、功率管和分压采样电阻网络。

但是，一般低通滤波器的带宽都比较低。对于简单的一阶RC低通滤波器，其滤波带宽越低，滤波电容的充电时间越长。若在LDO中直接应用RC滤波器，虽然降低了噪声，提高了高频电源抑制比，但是牺牲了电路的启动时间。因此，如何在不降低LDO电路性能的前提下缩短电路的启动时间，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种低压差线性稳压器及其低通滤波器，用以在不降低电路性能的前提下缩短电路的启动时间。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明公开了一种低通滤波器，应用于低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括基准电路和误差放大器，所述低通滤波器包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端连接至所述基准电路的输出端，所述第一电阻的第二端连接至所述误差放大器的输入端；

第一电容，所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第二端，所述第一电容的第二端接地；

可控开关，所述可控开关至少包括第一场效应管，所述第一场效应管的输入端连接至第一电阻的第一端，所述第一场效应管的输出端连接至所述第一电阻的第二端；

反馈电路，所述反馈电路包括第二场效应管和第二电容，所述第二场效应管的输入端连接至所述第一电阻的第一端，所述第二场效应管的输出端连接至所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端接地，所述第二场效应管的控制端连接至所述第一电容的第一端，所述第二电容的第一端作为所述反馈电路的输出端连接至所述可控开关的控制端；

所述反馈电路中的第二场效应管在所述第一电容的第一端处的电压低于第一电压阈值时关断、在所述第一电容的第一端处的电压达到所述第一电压阈值时导通，所述可控开关中的第一场效应管在所述第二电容的第一端处的电压低于第二电压阈值时导通、在所述第二电容的第一端处的电压达到所述第二电压阈值时关断。

优选的，在上述低通滤波器中，所述反馈电路还包括阻性单元；

所述阻性单元的输入端连接至所述第一电阻的第一端，所述阻性单元的输出端连接至所述第二场效应管的输入端；

或者

所述阻性单元的输入端连接至所述第二场效应管的输出端，所述阻性单元的输出端连接至所述第二电容的第一端。

优选的，在上述低通滤波器中，所述阻性单元为电阻或电阻串。

优选的，在上述低通滤波器中，所述阻性单元包括N个场效应管，N为大于1的整数，所述N个场效应管的类型与所述第二场效应管的类型一致；

所述N个场效应管的控制端均连接至所述第二场效应管的控制端，第1个场效应管的输入端作为所述阻性单元的输入端，第n个场效应管的输入端连接至第n-1个场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个场效应管的输出端作为所述阻性单元的输出端。

优选的，在上述低通滤波器中，所述第二场效应管为N沟道场效应管。

优选的，在上述低通滤波器中，所述第二场效应管为P沟道场效应管，所述反馈电路还包括第一反相器，所述第一反相器的输入端连接至所述第一电容的第一端，所述第一反相器的输出端连接至所述第二场效应管的控制端。

优选的，在上述低通滤波器中，所述反馈电路还包括第三场效应管，所述第三场效应管为N沟道场效应管，所述第三场效应管的输入端连接至所述第二场效应管的输入端，所述第三场效应管的输出端连接至所述第二场效应管的输出端，所述第三场效应管的控制端连接至所述第一电容的第一端。

优选的，在上述低通滤波器中，所述第一反相器包括CMOS反相器和M个N沟道场效应管，所述M为大于1的整数；

所述CMOS反相器中的P沟道场效应管的源极连接至所述第一电阻的第一端，所述CMOS反相器的输入端连接至所述第一电容的第一端，所述CMOS反相器的输出端连接至所述第二场效应管的控制端；

所述M个N沟道场效应管的控制端与自身的输入端短接，第1个N沟道场效应管的输入端连接至所述CMOS反相器中的N沟道场效应管的源极，第m个N沟道场效应管的输入端连接至第m-1个N沟道场效应管的输出端，m∈(1，M]，第M个N沟道场效应管的输出端接地。

优选的，在上述低通滤波器中，所述第一场效应管为P沟道场效应管，所述第一场效应管的控制端作为所述可控开关的控制端连接至所述第二电容的第一端。

优选的，在上述低通滤波器中，所述第一场效应管为N沟道场效应管，所述可控开关还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端作为所述可控开关的控制端连接至所述第二电容的第一端，所述第二反相器的输出端连接至所述第一场效应管的控制端。

本发明还公开了一种低压差线性稳压器，包括基准电路、低通滤波器、误差放大器、功率管和分压采样电阻网络，其中，所述低通滤波器为上述公开的任意一种低通滤波器。

由此可见，本发明的有益效果为：本发明公开的应用于LDO的低通滤波器，在RC滤波器的基础上进一步设置可控开关和反馈网络，可控开关中的第一场效应管的输入端连接至第一电阻的第一端、输出端连接至第一电阻的第二端，在第一电容第一端处的电压未达到第一电压阈值时，反馈网络中的第二场效应管关断，不对反馈网络中的第二电容进行充电，此时第一场效应管导通，从而短路第一电阻，对第一电容进行快速充电，在第一电容第一端处的电压达到第一电压阈值时，第二场效应管导通，开始对第二电容充电，当第二电容第一端处的电压达到第二电压阈值时，第一场效应管关断，还原为RC滤波状态。基于本发明公开的低通滤波器，一方面保证了LDO电路的快速启动，另一方面由于在LDO启动后电路还原为RC滤波状态，因此保证LDO具有低噪声和高电源抑制比。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明公开的一种低通滤波器的结构示意图；

图2为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图；

图3为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图；

图4为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图；

图5为本发明公开的第一反相器的结构示意图；

图6为本发明公开的一种低压差线性稳压器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护范围。

本发明公开了一种应用于LDO的低通滤波器，可以在保证LDO电路性能的前提下缩短电路的启动时间。

参见图1，图1为本发明公开的一种低通滤波器的结构示意图。该低通滤波器包括第一电阻R1、第一电容C1、可控开关100和反馈电路200。

其中：

第一电阻R1的第一端连接至LDO中基准电路的输出端，第一电阻R1的第二端连接至LDO中误差放大器的输入端。

第一电容C1的第一端连接至第一电阻R1的第二端，第一电容C1的第二端接地。

可控开关100至少包括第一场效应管M1，第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第一场效应管M1的输出端连接至第一电阻R1的第二端。

反馈电路200包括第二场效应管M2和第二电容C2。其中，第二场效应管M2的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第二场效应管M2的输出端连接至第二电容C2的第一端，第二电容C2的第二端接地，第二场效应管M2的控制端连接至第一电容C1的第一端，第二电容C2的第一端作为反馈电路200的输出端连接至可控开关100的控制端。

反馈电路200中的第二场效应管M2在第一电容C1的第一端处的电压低于第一电压阈值时关断、在第一电容C1的第一端处的电压达到第一电压阈值时导通，可控开关100中的第一场效应管M1在第二电容C2的第一端处的电压低于第二电压阈值时导通、在第二电容C2的第一端处的电压达到第二电压阈值时关断。

下面对图1所示低通滤波器的工作过程进行说明。

在电路启动时，第一电容C1第一端的电压为0（也就是图1中节点B的电压为0），低于第一电压阈值。此时，反馈电路200中的第二场效应管M2关断，第二电容C2第一端的电压为0（也就是图1中节点A的电压为0），低于第二电压阈值，可控开关100中的第一场效应管M1导通，第一电阻R1被短路，LDO的基准电路输出的电压V_REF通过第一场效应管M1给第一电容C1快速充电。

在对第一电容C1的充电过程中，第一电容C1的第一端处的电压逐步升高，当第一电容C1第一端的电压达到第一电压阈值时，反馈电路200中的第二场效应管M2导通，LDO的基准电路输出的电压V_REF开始对第二电容C2进行充电。当第二电容C2的第一端处的电压达到第二电压阈值时，可控开关100中的第一场效应管M1关断，电路还原为RC滤波状态。

需要说明的是，第一电压阈值可以为第一电容C1的第一端在充电完成时刻的电压值V_REF。第一电压阈值也可以小于电压值V_REF，其原因在于：从对第二电容C2进行充电至第二电容C2的第一端处的电压达到第二电压阈值，仍有一定时间，在这段时间内LDO的基准电路输出的电压V_REF仍对第一电容C1进行充电，只要在第一场效应管M1关断之前完成对第一电容C1的充电即可。

实施中，可以通过调整第一电压阈值和第二电压阈值，使得在第一场效应管M1导通期间完成对第一电容C1的充电，并且在完成对第一电容C1的充电之后尽快将电路恢复为RC滤波状态。

本发明上述公开的应用于LDO的低通滤波器，在RC滤波器的基础上进一步设置可控开关100和反馈网络200，可控开关100中的第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端、输出端连接至第一电阻R1的第二端，在第一电容C1第一端处的电压未达到第一电压阈值时，反馈网络200中的第二场效应管M2关断，不对反馈网络200中的第二电容C2进行充电，此时第一场效应管M1导通，从而短路第一电阻R1，对第一电容C1进行快速充电，在第一电容C2第一端处的电压达到第一电压阈值时，第二场效应管M2导通，开始对第二电容C2充电，当第二电容C2第一端处的电压达到第二电压阈值时，第一场效应管M1关断，还原为RC滤波状态。基于本发明公开的低通滤波器，一方面保证了LDO电路的快速启动，另一方面由于在LDO启动后电路还原为RC滤波状态，因此保证LDO具有低噪声和高电源抑制比。

实施中，确保在第一场效应管M1关断之前完成对第一电容C1的充电的方式，除通过调整第一电压阈值和第二电压阈值实现之外，还可以通过增大第二电容C2的充电时间实现。具体的，可以增大第二电容C2的电容值，或者增大反馈电路200的导通总电阻。

作为优选方案，可以在图1所示低通滤波器的反馈电路200中进一步设置阻性单元。阻性单元可以设置于第二场效应管M2的输出端和第二电容C2的第一端之间，也就是阻性单元的输入端连接至第二场效应管M2的输出端，阻性单元的输出端连接至第二电容C2的第一端。阻性单元也可以设置于第一电阻R1的第一端和第二场效应管M2的输入端之间，也就是阻性单元的输入端连接至第一电阻R1的第一端，阻性单元的输出端连接至第二场效应管M2的输入端。通过在反馈电路200中增设阻性单元，可以增大反馈电路200的导通总电阻，从而增大第二电容C2的充电时间，进而保证在第一场效应管M1关断之前完成对第一电容C1的充电。

需要说明的是，阻性单元可以为电阻，也可以为由多个电阻串联形成的电阻串。

在本发明中，阻性单元还可以由N个场效应管构成，N为大于1的整数。N个场效应管的类型与第二场效应管M2的类型一致，N个场效应管的控制端均连接至第二场效应管M2的控制端，第1个场效应管的输入端作为阻性单元的输入端，第n个场效应管的输入端连接至第n-1个场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个场效应管的输出端作为阻性单元的输出端。在下文中结合图2和图3对其结构进行说明。

实施中，第二场效应管M2可以采用N沟道场效应管。此时，第二场效应管M2的控制端直接连接至第一电容C1的第一端。

第二场效应管M2也可以采用P沟道场效应管，此时反馈电路200还包括第一反相器，第二场效应管M2的控制端通过第一反相器连接至第一电容C1的第一端，也就是第一反相器的输入端连接至第一电容C1的第一端，第一反相器的输出端连接至第二场效应管M2的控制端。

参见图2，图2为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图。该低通滤波器包括第一电阻R1、第一电容C1、可控开关100和反馈电路200。

其中：

第一电阻R1的第一端连接至LDO中基准电路的输出端，第一电阻R1的第二端连接至LDO中误差放大器的输入端。

第一电容C1的第一端连接至第一电阻R1的第二端，第一电容C1的第二端接地。

可控开关100至少包括第一场效应管M1，第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第一场效应管M1的输出端连接至第一电阻R1的第二端。

反馈电路200包括第二场效应管NM2、第二电容C2和阻性单元201。其中，第二场效应管NM2为N沟道场效应管，第二场效应管NM2的控制端直接连接至第一电容C1的第一端，第二场效应管NM2的输入端连接至第一电阻R1的第一端。阻性单元201包括第1个至第N个N沟道场效应管，阻性单元201中的N个N沟道场效应管的控制端均连接至第二场效应管NM2的控制端，第1个N沟道场效应管的输入端作为阻性单元201的输入端、并连接至第二场效应管NM2的输出端，第n个N沟道场效应管的输入端连接至第n-1个N沟道场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个N沟道场效应管的输出端作为阻性单元201的输出端、并连接至第二电容C2的第一端。第二电容C2的第二端接地，第二电容C2的第一端作为反馈电路的输出端连接至可控开关100的控制端。

在电路启动时，第一电容C1第一端的电压为0。此时，反馈电路200中的第二场效应管NM2以及阻性单元201中的N个N沟道场效应管均关断，第二电容C2第一端的电压为0，低于第二电压阈值，可控开关100中的第一场效应管M1导通，第一电阻R1被短路，LDO的基准电路输出的电压V_REF通过第一场效应管M1给第一电容C1快速充电。

在对第一电容C1的充电过程中，第一电容C1的第一端处的电压逐步升高，当第一电容C1第一端的电压达到N沟道场效应管的导通电压时，反馈电路200中的第二场效应管NM2以及阻性单元201中的N个N沟道场效应管均导通，LDO的基准电路输出的电压V_REF开始对第二电容C2进行充电。当第二电容C2的第一端处的电压达到第二电压阈值时，可控开关100中的第一场效应管M1关断，电路还原为RC滤波状态。

在图2示出的低通滤波器，其阻性单元201也可以采用电阻或电阻串替代。并且主要由N个N沟道场效应管构成的阻性单元201也可以设置在第一电阻R1的第一端和第二场效应管M2的输入端之间，这里不再详述。

参见图3，图3为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图。该低通滤波器包括第一电阻R1、第一电容C1、可控开关100和反馈电路200。

其中：

第一电阻R1的第一端连接至LDO中基准电路的输出端，第一电阻R1的第二端连接至LDO中误差放大器的输入端。

第一电容C1的第一端连接至第一电阻R1的第二端，第一电容C1的第二端接地。

可控开关100至少包括第一场效应管M1，第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第一场效应管M1的输出端连接至第一电阻R1的第二端。

反馈电路200包括第二场效应管PM2、第二电容C2、第一反相器202和阻性单元203。其中，第二场效应管PM2为P沟道场效应管，第二场效应管PM2的控制端连接至第一反相器202的输出端，第一反相器202的输入端连接至第一电容C1的第一端，第二场效应管PM2的输入端连接至第一电阻R1的第一端。阻性单元203包括第1个至第N个P沟道场效应管，阻性单元203中的N个P沟道场效应管的控制端均连接至第二场效应管PM2的控制端，第1个P沟道场效应管的输入端作为阻性单元203的输入端、并连接至第二场效应管PM2的输出端，第n个P沟道场效应管的输入端连接至第n-1个P沟道场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个P沟道场效应管的输出端作为阻性单元203的输出端、并连接至第二电容C2的第一端。第二电容C2的第二端接地，第二电容C2的第一端作为反馈电路200的输出端连接至可控开关100的控制端。

在电路启动时，第一电容C1第一端的电压为0，经过第一反相器202的作用，节点C处的电压为高电平。此时，反馈电路200中的第二场效应管PM2以及阻性单元201中的N个P沟道场效应管均关断，第二电容C2第一端的电压为0，低于第二电压阈值，可控开关100中的第一场效应管M1导通，第一电阻R1被短路，LDO的基准电路输出的电压V_REF通过第一场效应管M1给第一电容C1快速充电。

在对第一电容C1的充电过程中，第一电容C1的第一端处的电压逐步升高，当第一电容C1第一端的电压达到第一反相器202的阈值电压时，经过第一反相器202的作用，节点C处的电压为低电平。此时，反馈电路200中的第二场效应管PM2以及阻性单元201中的N个P沟道场效应管均导通，LDO的基准电路输出的电压V_REF开始对第二电容C2进行充电。当第二电容C2的第一端处的电压达到第二电压阈值时，可控开关100中的第一场效应管M1关断，电路还原为RC滤波状态。

在图3示出的低通滤波器，其阻性单元203也可以采用电阻或电阻串替代。并且主要由N个P沟道场效应管构成的阻性单元203也可以设置在第一电阻R1的第一端和第二场效应管PM2的输入端之间，这里不再详述。

实施中，反馈电路200还可以采用其他结构。下面结合图4进行说明。

参见图4，图4为本发明公开的另一种低通滤波器的结构示意图。该低通滤波器包括第一电阻R1、第一电容C1、可控开关100和反馈电路200。仅就与图3所示低通滤波器的不同之处进行说明。

反馈电路200包括第二场效应管PM2、第三场效应管NM3、第二电容C2、第一反相器202和阻性单元203。

第二场效应管PM2为P沟道场效应管，第二场效应管PM2的控制端连接至第一反相器203的输出端，第一反相器202的输入端连接至第一电容C1的第一端，第二场效应管PM2的输入端连接至第一电阻R1的第一端。

第三场效应管NM3为N沟道场效应管，第三场效应管NM3的输入端连接至第二场效应管PM2的输入端，第三场效应管NM3的输出端连接至第二场效应管PM2的输出端，第三场效应管NM3的控制端连接至第一电容C1的第一端。

阻性单元203包括第1个至第N个P沟道场效应管，阻性单元203中的N个P沟道场效应管的控制端均连接至第二场效应管PM2的控制端，第1个P沟道场效应管的输入端作为阻性单元203的输入端、并连接至第二场效应管PM2的输出端，第n个P沟道场效应管的输入端连接至第n-1个P沟道场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个P沟道场效应管的输出端作为阻性单元203的输出端、并连接至第二电容C2的第一端。第二电容C2的第二端接地，第二电容C2的第一端作为反馈电路200的输出端连接至可控开关100的控制端。

实施中，第一反相器202可以采用CMOS反相器，具体的：CMOS反相器的输入端连接至第一电容C1的第一端，CMOS反相器的输出端连接至第二场效应管M2的控制端，CMOS反相器中的P沟道场效应管的源极连接至第一电阻R1的第一端，CMOS反相器中的N沟道场效应管的源极接地。

本发明还公开第一反相器202的另一种结构。

请参见图5，图5为本发明公开的第一反相器的结构示意图。该第一反相器包括CMOS反相器和M个N沟道场效应管，M为大于1的整数。

其中：

CMOS反相器中的P沟道场效应管的源极连接至第一电阻R1的第一端，CMOS反相器的输入端连接至第一电容C1的第一端，CMOS反相器的输出端连接至第二场效应管M2的控制端。

M个N沟道场效应管的控制端与自身的输入端短接，第1个N沟道场效应管的输入端连接至CMOS反相器中的N沟道场效应管的源极，第m个N沟道场效应管的输入端连接至第m-1个N沟道场效应管的输出端，m∈(1，M]，第M个N沟道场效应管的输出端接地。

在图5示出的第一反相器中，在CMOS反相器的基础上增设了多个N沟道场效应管，抬高了CMOS反相器的低电平，达到提高第一反相器的准换电压的目的，从而保证在第一场效应管M1关断之前完成对第一电容C1的充电。

实施中，M个N沟道场效应管也可以采用M个二极管替换。具体的：第1个二极管的阳极连接至CMOS反相器中的N沟道场效应管的源极，第m个二极管的阳极连接至第m-1个二极管的阴极，m∈(1，M]，第M个二极管的阴极接地。

在本发明上述公开的各个低通滤波器中，可控开关100中的第一场效应管M1可以为P沟道场效应管。此时，第一场效应管M1的控制端作为可控开关100的控制端连接至第二电容C2的第一端，第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第一场效应管M1的输出端连接至第一电阻R1的第二端。

另外，在本发明上述公开的各个低通滤波器中，可控开关100中的第一场效应管M1也可以为N沟道场效应管。此时，可控开关100还包括第二反相器，第二反相器的输入端作为可控开关100的控制端连接至第二电容C2的第一端，第二反相器的输出端连接至第一场效应管M1的控制端，第一场效应管M1的输入端连接至第一电阻R1的第一端，第一场效应管M1的输出端连接至第一电阻R1的第二端。

需要说明的是，当场效应管为N沟道场效应管时，场效应管的输入端为漏极、输出端为源极、控制端为栅极。当场效应管为P沟道场效应管时，场效应管的输入端为源极、输出端为漏极、控制端为栅极。

本发明还公开一种低压差线性稳压器，如图6所示，包括基准电路1、低通滤波器2、误差放大器3、功率管4和分压采样电阻网络5，其中，低通滤波器2为本发明前述公开的任意一种低通滤波器。

本发明公开的低压差线性稳压器可以快速启动，并且具有低噪声和高电源抑制比。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

本领域技术人员可以理解，可以使用许多不同的工艺和技术中的任意一种来表示信息、消息和信号。例如，上述说明中提到过的消息、信息都可以表示为电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或以上任意组合。

Claims (11)

1.一种低通滤波器，应用于低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括基准电路和误差放大器，其特征在于，所述低通滤波器包括：

第一电阻，所述第一电阻的第一端连接至所述基准电路的输出端，所述第一电阻的第二端连接至所述误差放大器的输入端；

第一电容，所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第二端，所述第一电容的第二端接地；

可控开关，所述可控开关至少包括第一场效应管，所述第一场效应管的输入端连接至第一电阻的第一端，所述第一场效应管的输出端连接至所述第一电阻的第二端；

反馈电路，所述反馈电路包括第二场效应管和第二电容，所述第二场效应管的输入端连接至所述第一电阻的第一端，所述第二场效应管的输出端连接至所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端接地，所述第二场效应管的控制端连接至所述第一电容的第一端，所述第二电容的第一端作为所述反馈电路的输出端连接至所述可控开关的控制端；

所述反馈电路中的第二场效应管在所述第一电容的第一端处的电压低于第一电压阈值时关断、在所述第一电容的第一端处的电压达到所述第一电压阈值时导通，所述可控开关中的第一场效应管在所述第二电容的第一端处的电压低于第二电压阈值时导通、在所述第二电容的第一端处的电压达到所述第二电压阈值时关断。

2.根据权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于，所述反馈电路还包括阻性单元；

所述阻性单元的输入端连接至所述第一电阻的第一端，所述阻性单元的输出端连接至所述第二场效应管的输入端；

或者

所述阻性单元的输入端连接至所述第二场效应管的输出端，所述阻性单元的输出端连接至所述第二电容的第一端。

3.根据权利要求2所述的低通滤波器，其特征在于，所述阻性单元为电阻或电阻串。

4.根据权利要求2所述的低通滤波器，其特征在于，所述阻性单元包括N个场效应管，N为大于1的整数，所述N个场效应管的类型与所述第二场效应管的类型一致；

所述N个场效应管的控制端均连接至所述第二场效应管的控制端，第1个场效应管的输入端作为所述阻性单元的输入端，第n个场效应管的输入端连接至第n-1个场效应管的输出端，n∈(1，N]，第N个场效应管的输出端作为所述阻性单元的输出端。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的低通滤波器，其特征在于，所述第二场效应管为N沟道场效应管。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的低通滤波器，其特征在于，所述第二场效应管为P沟道场效应管，所述反馈电路还包括第一反相器，所述第一反相器的输入端连接至所述第一电容的第一端，所述第一反相器的输出端连接至所述第二场效应管的控制端。

7.根据权利要求6所述的低通滤波器，其特征在于，所述反馈电路还包括第三场效应管，所述第三场效应管为N沟道场效应管，所述第三场效应管的输入端连接至所述第二场效应管的输入端，所述第三场效应管的输出端连接至所述第二场效应管的输出端，所述第三场效应管的控制端连接至所述第一电容的第一端。

8.根据权利要求6所述的低通滤波器，其特征在于，所述第一反相器包括CMOS反相器和M个N沟道场效应管，所述M为大于1的整数；

所述CMOS反相器中的P沟道场效应管的源极连接至所述第一电阻的第一端，所述CMOS反相器的输入端连接至所述第一电容的第一端，所述CMOS反相器的输出端连接至所述第二场效应管的控制端；

所述M个N沟道场效应管的控制端与自身的输入端短接，第1个N沟道场效应管的输入端连接至所述CMOS反相器中的N沟道场效应管的源极，第m个N沟道场效应管的输入端连接至第m-1个N沟道场效应管的输出端，m∈(1，M]，第M个N沟道场效应管的输出端接地。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的低通滤波器，其特征在于，所述第一场效应管为P沟道场效应管，所述第一场效应管的控制端作为所述可控开关的控制端连接至所述第二电容的第一端。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的低通滤波器，其特征在于，所述第一场效应管为N沟道场效应管，所述可控开关还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端作为所述可控开关的控制端连接至所述第二电容的第一端，所述第二反相器的输出端连接至所述第一场效应管的控制端。

11.一种低压差线性稳压器，包括基准电路、低通滤波器、误差放大器、功率管和分压采样电阻网络，其特征在于，所述低通滤波器为权利要求1至10中任一项所述的低通滤波器。

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