CN103311233A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管封装结构，其包括：一基板、一散热结构、及多个均匀设置在该散热结构上的发光二极管芯片。散热结构设置在基板上，其中散热结构具有一中间区域及至少一围绕该中间区域的围绕区域，且中间区域的散热能力大于围绕区域的散热能力。因此，本发明将可用于有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构，尤指一种可降低位于中央区域与外围区域上的发光二极管芯片之间的表面温度差异的发光二极管封装结构。
背景技术
一般来说，在多芯片封装结构中，位于承载基板的中央区上的发光芯片会比位于承载基板的外围区上的发光芯片所产生的温度还高，而此差异性的温差会造成位于中央区上的发光芯片的顺向偏压(forward bias，简称Vf)低于位于外围区上的发光芯片的顺向偏压，因此较多的电流将会流向中央区，造成抢电流现象，而使得位于中央区的发光芯片的信赖性下降。再者，位于中央区上的发光芯片所产生的较高温度也会造成中央区上的发光芯片的发光效率降低，而使得中央区上的发光芯片会比位于外围区上的发光芯片所产生的亮度还低。
因此，如何通过提升中央区的散热能力，以降低中央区与外围区之间的温差，已成为该项事业人士所欲解决的重要课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管封装结构，其可用于有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。
本发明其中一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括：一基板、一散热结构及多个发光二极管芯片。该散热结构设置在该基板上，其中该散热结构具有一内部区域及至少一外部区域，且该内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力。上述多个发光二极管芯片设置在该散热结构上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该内部区域和该外部区域的温度差异。
本发明另外一实施例所提供的一种发光二极管封装结构，其包括：一基板及多个发光二极管芯片。该基板包括一散热结构，其中该散热结构具有一中间区域及至少一围绕该中间区域的围绕区域，且该中间区域的散热能力大于上述至少一围绕区域的散热能力。上述多个发光二极管芯片设置在该基板上，例如均匀设置在该基板上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该中间区域和该围绕区域的温度差异。
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力，以使得本发明的发光二极管封装结构可用来有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。因此，上述承载于发光二极管封装结构上的多个发光二极管芯片的信赖性、发光效率、及发光亮度等皆可被有效提升。具体的，可通过“中间区域的导热系数大于围绕区域的导热系数”、“中间区域的厚度大于围绕区域的厚度”、及/或“设置在基板内的渐进式导热结构”的设计，使得内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力，从而有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1A为本发明发光二极管封装结构的第一实施例的侧视剖面示意图。
图1B为本发明发光二极管封装结构的第一实施例作为LED封装承载体的上视示意图。
图1C为本发明发光二极管封装结构的第一实施例作为LED封装承载体的侧视剖面示意图。
图1D为本发明发光二极管封装结构的第一实施例使用荧光层来覆盖多个发光二极管芯片的侧视剖面示意图。
图2为本发明发光二极管封装结构的第二实施例的侧视剖面示意图。
图3为本发明发光二极管封装结构的第三实施例的侧视剖面示意图。
图4A为本发明发光二极管封装结构的第四实施例的侧视剖面示意图。
图4B为本发明第四实施例所使用的另一种导热通道的侧视剖面示意图。
图4C为本发明第四实施例所使用的再一种导热通道的侧视剖面示意图。
图5为本发明发光二极管封装结构的第五实施例的侧视剖面示意图。
图6为本发明发光二极管封装结构的第六实施例的侧视剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
基板            1        金属基板    10
介电层          100
散热结构        11
中间区域        11A
围绕区域        11B
导热通道        110
穿孔            110A
导热材料        110B
散热结构        2        中间区域    20A
围绕区域        20B
反射层          200
厚度            H1、H2
电极单元        3        正极接脚    31
负极接脚        32
荧光层          4
发光二极管芯片  L1       厚度        h1
发光二极管芯片  L2       厚度        h2
导线            W
散热区域        X、Y、Z
间距           A、B、C
体积密度       D1、D2、D3
尺寸           S1、S2、S3
具体实施方式
〔第一实施例〕
请参阅图1A所示，其为本发明第一实施例的侧视剖面示意图。由上述图式可知，本发明第一实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1、一散热结构2及多个发光二极管芯片(L1、L2)。散热结构2可设置在基板1上，且散热结构2具有一内部区域及至少一外部区域，其中内部区域可为一中间区域20A，外部区域可为一围绕且连接中间区域20A的围绕区域20B。中间区域20A的散热能力可大于围绕区域20B的散热能力，且上述多个发光二极管芯片(L1、L2)可均匀设置且散布于散热结构2上。
举例来说，基板1可为一表面具有介电层100的金属基板10，且金属基板10可由铝或任何具有高散热效能的金属材料所制成，其中介电层100可由任何具有绝缘效果的绝缘材料所制成。再者，中间区域20A可大约位于散热结构2的中心位置上。中间区域20A与围绕区域20B两者可同时设置在介电层100上，且中间区域20A与围绕区域20B皆可由铜或任何具有高导热效能的金属材料所制成。另外，在中间区域20A与围绕区域20B上可更进一步设置一反射层200，其中每一个发光二极管芯片(L1或L2)可设置在反射层200上，且反射层200可由银或任何具有高反射效果的反光材料所制成。当然，反射层200亦可只环绕在每一个发光二极管芯片(L1或L2)的周围，所以每一个发光二极管芯片(L1或L2)不一定要直接设置在反射层200上。然而，上述本发明有关金属基板10、介电层100、中间区域20A、围绕区域20B、及反射层200所使用的材料不以上述所举的例子为限。比如说，基板1亦可替换成上表面不需使用介电层100的陶瓷基板(图未示)。
在第一实施例中，上述的散热能力可由“导热系数”来定义，如中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数，以表达中间区域20A的散热能力比围绕区域20B的散热能力好。因此，由于“中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数”的关系，所以不仅“位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1”所产生的热量可以比“位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2”所产生的热量还更容易且快速从散热结构2导引至基板1(如图1A中向下的箭头所示，此为多个发光二极管芯片L1的主要导热路径)，而且位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量也可以有效率地通过中间区域20A，以导引至围绕区域20B(如图1A中横向的箭头所示，此为多个发光二极管芯片L1的次要导热路径)。
换言之，虽然位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量会高于位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2所产生的热量，但是由于中间区域20A具有高于围绕区域20B的导热系数的关系，所以位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量，主要除了可以比位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2所产生的热量还更容易且快速从散热结构2导引至基板1外，而且也可以有效率地从中间区域20A导引至围绕区域20B。因此，位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1与位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2之间的温差(亦即位于散热结构2的中央区域上的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构2的外围区域上的多个发光二极管芯片L2之间的温差)可有效被缩小。
当然，本发明的散热结构2不局限只使用两种不同的导热材料所产生的不同导热系数(散热能力)来改善内外区域的温差，也可以是使用三种以上不同的导热材料来产生不同的导热系数(散热能力)。
请参阅图1B及图1C所示，图1B与图1C分别为本发明增设一电极单元于基板上的上视示意图与侧视剖面示意图。配合上述附图可知，本发明第一实施例的发光二极管封装结构可更进一步包括一电极单元3。电极单元3可设置在金属基板10的介电层100上且与散热结构2彼此分离一特定距离，其中电极单元3包括至少一正极接脚31与一对应于正极接脚31的负极接脚32，且每一个发光二极管芯片(L1或L2)可电性连接于正极接脚31与负极接脚32之间。
举例来说，散热结构2可设置在正极接脚31与负极接脚32之间。上述设置在反射层200上的多个发光二极管芯片(L1、L2)彼此间可通过导线(图未示)来进行串联、并联、或兼具串并联的电性连接，且最靠近正极接脚31或负极接脚32的发光二极管芯片L2可再通过导线W(如图1C的两条假想线所示)，以电性连接于正极接脚31或负极接脚32，以此上述多个发光二极管芯片(L1、L2)皆可电性连接于正极接脚31与负极接脚32之间。
再者，上述多个发光二极管芯片(L1、L2)可以均匀或非均匀的方式排列在散热结构2上。以均匀的排列方式而言，可包括：阵列式、交错式、或蜂巢式等排列方式。换言之，上述多个发光二极管芯片(L1、L2)的排列方式可依据不同的设计需求来进行改变，而不局限于本发明上述所例举的排列方式。
请参阅图1D所示，本发明发光二极管封装结构可更进一步包括一荧光层4，其可直接成形在散热结构2上以覆盖上述多个发光二极管芯片(L1、L2)，以进行混光。举例来说，当上述多个发光二极管芯片(L1、L2)为蓝色发光二极管芯片时，蓝色发光二极管芯片所产生的蓝色光束在荧光层4内进行混光后可投射出白色光束。
〔第二实施例〕
请参阅图2所示，其为本发明第二实施例的侧视剖面示意图。由上述图式可知，本发明第二实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1、一散热结构2及多个发光二极管芯片(L1、L2)。由图2与图1A的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，虽然中间区域20A的导热系数与围绕区域20B的导热系数可以是相同的，但是中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2，所以使得中间区域20A的散热能力也可大于围绕区域20B的散热能力。
举例来说，由于中间区域20A的导热系数与围绕区域20B的导热系数相同，所以中间区域20A与围绕区域20B可以使用相同的金属材料来进行一体成型的制作。再者，为了能够让中间区域20A的厚度H1可以大于围绕区域20B的厚度H2，本发明至少可进行下列两种方式之中的其中一种：(1)在围绕区域20B的厚度H2不变动的情况下，中间区域20A的厚度H1可通过后续涂布相同材料的方式来增加；(2)在中间区域20A的厚度H1不变动的情况下，围绕区域20B的厚度H2可通过后续移除材料的方式来减少。然而，第二实施例有关“让中间区域20A与围绕区域20B两者产生厚度差异”的方式不以上述所举的例子为限。
在第二实施例中，上述的散热能力可由“厚度”来定义，所以中间区域20A的厚度可大于围绕区域20B的厚度。因此，由于“中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2”的关系，以表达中间区域20A的散热能力比围绕区域20B的散热能力好。所以不仅位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量可以更有效率地从中间区域20A导引至围绕区域20B(如图2中横向的箭头所示，此为多个发光二极管芯片L1的主要导热路径)，而且位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量也可以比位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2所产生的热量更容易且快速从散热结构2导引至基板1(如图2中向下的箭头所示，此为多个发光二极管芯片L1的次要导热路径)。
换言之，虽然位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量会高于位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2所产生的热量，但是由于中间区域20A具有高于围绕区域20B的厚度的关系，所以位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1所产生的热量，主要除了可以更有效率地从中间区域20A导引至围绕区域20B外，也可以更容易且快速从散热结构2导引至基板1。因此，位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1与位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2之间的温差可有效被缩小。当然，本发明的散热结构2不局限只使用两种不同的厚度所产生的不同散热能力来改善内外区域的温差，也可以是使用三种以上不同的厚度来产生不同的散热能力。
再者，本发明第二实施例的中间区域20A与围绕区域20B亦可使用相异的导热系数，而使得“中间区域20A的导热系数大于围绕区域20B的导热系数(如第一实施例所示)”与“中间区域20A的厚度H1大于围绕区域20B的厚度H2(如第二实施例所示)”两项结构设计可同时应用于本发明中。
〔第三实施例〕
请参阅图3所示，其为本发明第三实施例的侧视剖面示意图。由上述图式可知，本发明第三实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1、一散热结构2及多个发光二极管芯片(L1、L2)。由图3与图2的比较可知，本发明第三实施例与第二实施例最大的差别在于：在第三实施例中，每一个位于中间区域20A上方的发光二极管芯片L1的厚度h1可小于每一个位于围绕区域20B上方的发光二极管芯片L2的厚度h2，而且位于中间区域20A上的发光二极管芯片L1的厚度h1加上散热结构2的中间区域20A的厚度H1(亦即图3中h1+H1的总厚度)大致等于位于围绕区域20B上的发光二极管芯片L2的厚度h2加上散热结构2的围绕区域20B的厚度H2(亦即图3中h2+H2的总厚度)。
另外，由于具有较薄厚度h1的发光二极管芯片L1比具有较厚厚度h2的发光二极管芯片L2的热阻低，所以使用具有较薄厚度h1的发光二极管芯片L1所提供的低热阻特性，再配合“中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2”(及/或“中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数”)的结构设计，以使得本实施例更能够有助于降低位于中间区域20A上方的多个发光二极管芯片L1与位于围绕区域20B上方的多个发光二极管芯片L2之间的温差。再者，每一个具有较薄厚度h1的发光二极管芯片L1的顶面与每一个且有较厚厚度h2的发光二极管芯片L2的顶面可以设计成大约齐平的状态，以使得上述多个发光二极管芯片(L1、L2)所混合出的光源能够展现出较佳的光型。
〔第四实施例〕
请参阅图4A所示，其为本发明第四实施例的侧视剖面示意图。由上述附图可知，本发明第四实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1及多个直接设置在基板1上的发光二极管芯片(L1、L2)。由图4A与图1A的比较可知，本发明第四实施例与第一实施例最大的差别在于：在第四实施例中，基板1更进一步包括一散热结构11，其中散热结构11具有一中间区域11A及至少一围绕中间区域11A的围绕区域11B，且中间区域11A的散热能力大于围绕区域11B的散热能力。
举例来说，散热结构11包括多个设置在基板1内的导热通道110，每一个导热通道110可为一由一穿孔110A与一完全填满于穿孔110A内的导热材料110B(例如金属)所构成的实心导热柱体，且上述多个导热通道110被区分成位于上述的中间区域11A内的导热通道110与位于上述的围绕区域11B内的导热通道110。另外，上述多个导热通道110可以彼此分离且完全贯穿金属基板10，当然上述多个导热通道110也可以不需要完全贯穿金属基板10(图未示)。上述多个导热通道110可从金属基板10的中心往圆周的方向或从金属基板10的圆周往中心的方向依序排列以形成一渐进式导热结构。
假设以温差五度为分界，从发光二极管封装结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从中心到圆周(亦即从散热区域X往散热区域Z的方向)渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比可为X∶Y∶Z＝5∶4∶3。当上述多个导热通道110的尺寸皆相同的情况下，每两个导热通道110之间的间距(A、B、C)可从金属基板10的中心往圆周的方向渐渐增加(例如A∶B∶C＝3∶4∶5)，所以位于中间区域11A上方的多个发光二极管芯片L1的散热效果当然会比位于围绕区域11B上方的多个发光二极管芯片L2的散热效果来的好，因此位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差可有效被缩小。
当然，本发明第四实施例亦可使用第一实施例所提供有关“中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数”的结构设计及/或第二实施例所提供有关“中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2”的结构设计，以使得位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差更能够有效被缩小。换言之，第四实施例所提供有关“每两个导热通道110之间的间距(A、B、C)可从金属基板10的中心往圆周的方向渐渐增加”的结构设计亦可应用于本发明的第一与第二实施例中。
再者，如图4B所示，每一个导热通道110亦可为一由一穿孔110A与一只涂布于穿孔110A内壁上的导热材料110B所构成的空心导热柱体。或者，如图4C所示，每一个导热通道110亦可省略导热材料110B的填充或涂布，而使得每一个导热通道100单纯为一穿孔110A。
〔第五实施例〕
请参阅图5所示，其为本发明第五实施例的侧视剖面示意图。由上述图式可知，本发明第五实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1及多个直接设置在基板1上的发光二极管芯片(L1、L2)。由图5与图4A的比较可知，本发明第五实施例与第四实施例最大的差别在于：在第五实施例中，金属基板10被导热通道110所占据的体积密度(D1、D2、D3)可从金属基板10的圆周往中心的方向渐渐增加。
举例来说，以温差五度为分界，从发光二极管封装结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从中心到圆周(亦即从散热区域X往散热区域Z的方向)渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比可为X∶Y∶Z＝5∶4∶3。当多个导热通道110的尺寸皆相同的情况下，金属基板10被导热通道110所占据的体积密度(D1、D2、D3)可从散热区域Z往散热区域X的方向渐渐增加(例如D1∶D2∶D3＝6.5∶2∶1)，所以位于中间区域11A上方的多个发光二极管芯片L1的散热效果当然会比位于围绕区域11B上方的多个发光二极管芯片L2的散热效果来的好，因此位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差可有效被缩小。换言之，如图5的导热通道110所显示的实际数量来看，在三个不同的散热区域(X、Y、Z)范围内，导热通道110所使用的数量比(个数比)可为X∶Y∶Z＝6.5∶2∶1(个)，因此位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1的散热效果当然会比位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2的散热效果来的好。
当然，本发明第五实施例亦可使用第一实施例所提供有关“中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数”的结构设计及/或第二实施例所提供有关“中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2”的结构设计，以使得位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差更能够有效被缩小。换言之，第五实施例所提供有关“金属基板10被导热通道110所占据的体积密度(D1、D2、D3)可从金属基板10的圆周往中心的方向渐渐增加”的结构设计亦可应用于本发明的第一与第二实施例中。
〔第六实施例〕
请参阅图6所示，其为本发明第六实施例的侧视剖面示意图。由上述图式可知，本发明第六实施例提供一种发光二极管封装结构，其包括一基板1及多个直接设置在基板1上的发光二极管芯片(L1、L2)。由图6与图5的比较可知，本发明第六实施例与第五实施例最大的差别在于：在第六实施例中，上述多个导热通道110的尺寸(S1、S2、S3)可从金属基板10的圆周往中心的方向渐渐增加。
举例来说，以温差五度为分界，从发光二极管封装结构所呈现的侧视剖面上定义出三个散热区域(X、Y、Z)，此三个散热区域(X、Y、Z)所涵盖的横向距离分别从中心到圆周(亦即从散热区域X往散热区域Z的方向)渐渐减少，例如三个散热区域(X、Y、Z)的距离比可为X∶Y∶Z＝5∶4∶3。第六实施例可使用多个不同尺寸的导热通道110，且上述多个导热通道110的尺寸(S1、S2、S3)可从散热区域Z往散热区域X的方向渐渐增加(例如S1∶S2∶S3＝5∶4∶3)，所以位于中间区域11A上方的多个发光二极管芯片L1的散热效果当然会比位于围绕区域11B上方的多个发光二极管芯片L2的散热效果来的好，因此位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差可有效被缩小。
当然，本发明第六实施例亦可使用第一实施例所提供有关“中间区域20A的导热系数可大于围绕区域20B的导热系数”的结构设计及/或第二实施例所提供有关“中间区域20A的厚度H1可大于围绕区域20B的厚度H2”的结构设计，以使得位于散热结构11的中央区域的多个发光二极管芯片L1与位于散热结构11的外围区域的多个发光二极管芯片L2之间的温差更能够有效被缩小。换言之，第六实施例所提供有关“上述多个导热通道110的尺寸(S 1、S2、S3)可从金属基板10的圆周往中心的方向渐渐增加”的结构设计亦可应用于本发明的第一与第二实施例中。
〔实施例的可能功效〕
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其可通过“中间区域的导热系数大于围绕区域的导热系数”、“中间区域的厚度大于围绕区域的厚度”、及/或“设置在基板内的渐进式导热结构”的设计，以使得本发明的发光二极管封装结构可用来有效降低位于发光二极管封装结构的中央区域上的多个发光二极管芯片与位于发光二极管封装结构的外围区域上的多个发光二极管芯片之间的温差。因此，上述承载于发光二极管封装结构上的多个发光二极管芯片的信赖性、发光效率、及发光亮度等皆可被有效提升。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，非因此局限本发明的专利范围，故凡运用本发明说明书及图式内容所为的等效技术变化，均包括于本发明的范围内。

Claims (17)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一基板；
一散热结构，其设置在该基板上，其中该散热结构具有一内部区域及至少一外部区域，且该内部区域的散热能力大于上述至少一外部区域的散热能力；以及
多个发光二极管芯片，其设置在该散热结构上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该内部区域和该外部区域的温度差异。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个尺寸相同且彼此分离的导热通道，且每两个导热通道之间的间距从该基板的中心往圆周的方向渐渐增加。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个尺寸相同且彼此分离的导热通道，且该基板被该导热通道所占据的体积密度从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该基板内包括多个彼此分离的导热通道，且上述多个导热通道的尺寸从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括：一电极单元，其设置在该基板上且与该散热结构彼此分离，其中该电极单元包括至少一正极接脚与一对应于上述至少一正极接脚的负极接脚，且每一个发光二极管芯片电性连接于上述至少一正极接脚与上述至少一负极接脚之间。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该内部区域为一中间区域，该外部区域为一围绕该中间区域的围绕区域。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一反射层，其设置在该中间区域或上述至少一围绕区域上。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该中间区域的导热系数大于上述至少一围绕区域的导热系数。
9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该中间区域的厚度大于上述至少一围绕区域的厚度。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每一个位于该中间区域上方的发光二极管芯片的厚度小于每一个位于上述至少一围绕区域上方的发光二极管芯片的厚度。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其特征在于，位于该中间区域上的发光二极管芯片的厚度加上该散热结构的该中间区域的厚度等于位于该围绕区域上的发光二极管芯片的厚度加上该散热结构的该围绕区域的厚度。
12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还包括一荧光层，该荧光层覆盖上述多个发光二极管芯片。
13.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一基板，其包括一散热结构，其中该散热结构具有一中间区域及至少一围绕该中间区域的围绕区域，且该中间区域的散热能力大于上述至少一围绕区域的散热能力；以及
多个发光二极管芯片，其设置在该基板上，该散热结构用以降低上述多个发光二极管芯片位于该中间区域和该围绕区域的温度差异。
14.如权利要求13所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该散热结构包括多个设置在该基板内的导热通道，且上述多个导热通道被区分成位于该中间区域的导热通道与位于上述至少一围绕区域的导热通道。
15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道彼此分离且尺寸皆相同，且每两个导热通道之间的间距从该基板的中心往圆周的方向渐渐增加。
16.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道彼此分离且尺寸皆相同，且该基板被该导热通道所占据的体积密度从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。
17.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于上述多个导热通道的尺寸从该基板的圆周往中心的方向渐渐增加。
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