CN103305813A - 提升氧化铝镀膜设备产能的装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提升氧化铝镀膜设备产能的装置，包括反应腔、多路进气管和一路排气管，所述多路进气管和一路排气管分别与反应腔相连，还包括气体储罐，所述气体储罐连接反应腔。本发明克服现有设备保养方式的不足，在现有设备的基础上增加一路供气装置，通过气体与氧化铝反应（且反应产物为气体）而将氧化铝排出反应腔，从而节约保养时间，达到提高设备利用率、降低生产成本的目的。
Description
技术领域
本发明属于电子、半导体产业及新能源领域，具体是一种提升氧化铝镀膜设备产能的装置。
背景技术
氧化铝镀膜技术广泛应用在电子、半导体领域，近年来也在晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池等新能源领域取得了一定进展，应用前景更加广阔。
现有的氧化铝镀膜技术主要有ALD（原子层沉积）法、CVD（化学气相沉积）法和溶胶凝胶等湿化学方法等，其中，中高端产品采用ALD法或CVD法。ALD法和CVD法有一个共同的特点即有一个反应腔，镀膜工件直接或通过工装夹具放置于腔体内镀膜，工艺结束后取出。
由于镀膜时整个腔体都会沉积氧化铝，腔体壁和工装夹具需要做定期清理保养，防止沉积的氧化铝太厚而脱落造成工艺问题。现在的保养方法需要把腔体或夹具卸下来机械打磨或者用酸碱等化学液浸泡，以去除氧化铝。这些方法费时费力，严重影响设备的利用率，造成生产效率低下和成本上升，需要找到一种更简便的保养方式。
发明内容
发明目的：针对上述现有技术存在的问题和不足，本发明的目的是提供一种保养简便的提升氧化铝镀膜设备产能的装置。
技术方案：为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为一种提升氧化铝镀膜设备产能的装置，包括反应腔、多路进气管和一路排气管，所述多路进气管和一路排气管分别与反应腔相连，还包括气体储罐，所述气体储罐连接反应腔。
进一步的，所述气体储罐中储存的气体与氧化铝反应的产物为气体。
进一步的，所述气体储罐为存储HCL的气体储罐，所述HCL通入反应腔。
进一步的，所述反应腔的形状为球形或方形。
进一步的，所述反应腔内的温度为100-1000℃。更优选的，所述反应腔内的温度为180-500℃。最优选的，所述反应腔内的温度为200℃。
有益效果：本发明克服现有设备保养方式的不足，在现有设备的基础上增加一路供气装置，通过气体与氧化铝反应（且反应产物为气体）而将氧化铝排出反应腔，从而节约保养时间，达到提高设备利用率、降低生产成本的目的。
附图说明
图1为改善前的反应腔结构示意图；
图2为改善后的反应腔结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
氧化铝是一种两性化合物，同时具备弱酸性和弱碱性，常温下是白色固体，可以和酸或碱反应。利用氧化铝的这种特点，可以设计一种装置，通入一种气体与氧化铝反应而反应产物为气体，通过抽风排出腔体，达到清洗腔体壁的目的。这样就可以节约时间和人力，提高设备利用率，从而降低成本，提升效益。
实施例：
一种提升氧化铝镀膜设备产能的装置，具体描述如下：
（1）图1为改善前的反应腔结构示意图，图中A，B，…，N为进气管。
（2）图2为改善后的反应腔结构示意图，图中A，B，…，N为进气管，新增进气管路X，连接气体存储钢瓶（未图示）。
（3）需要做保养清理腔体中的氧化铝时，打开进气管路X的阀门，通入气体（该气体可以但不限于HCl），与氧化铝反应，反应方程式如下：
Al2O3+6HCl==2AlCl3+3H2O
其中，只需把腔体温度设定为100-1000℃（优选的，180-500℃；最优选的，200℃），氯化铝和水均为气态，可以通过抽风排出腔体。而且该反应无需催化，也无需附加条件即可实现，反应彻底无副产物。根据氧化铝沉积层的厚度可以设定通反应气体的时间，具体实施方式简单快捷，可以缩短保养时间并节约人力，提升设备使用率，降低生产成本。本例中，氧化铝镀膜设备可以但不限于是ALD（原子层沉积）式和CVD（化学气相沉积）式的，有反应腔和抽风排气装置。实施前每周做一次保养，停机时间为7小时，设备利用率（uptime）为95%，本道工序单片成本0.14元；实施后每周保养只需停机2小时，设备利用率提升为99%，本道工序单片成本0.135元，比实施前降低了0.005元，相对降低4%。
Claims (7)
1.一种提升氧化铝镀膜设备产能的装置，包括反应腔、多路进气管和一路排气管，所述多路进气管和一路排气管分别与反应腔相连，其特征在于：还包括气体储罐，所述气体储罐连接反应腔。
2.根据权利要求1所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述气体储罐中储存的气体与氧化铝反应的产物为气体。
3.根据权利要求1所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述气体储罐为存储HCL的气体储罐，所述HCL通入反应腔。
4.根据权利要求1所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述反应腔的形状为球形或方形。
5.根据权利要求1所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述反应腔内的温度为100-1000℃。
6.根据权利要求5所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述反应腔内的温度为180-500℃。
7.根据权利要求5所述提升氧化铝镀膜设备产能的装置，其特征在于：所述反应腔内的温度为200℃。
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| CN2013102391518A CN103305813A (zh) | 2013-06-17 | 2013-06-17 | 提升氧化铝镀膜设备产能的装置 |
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| CN (1) | CN103305813A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109023302A (zh) * | 2017-06-12 | 2018-12-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种成膜设备及其原位清洗方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1937175A (zh) * | 2005-09-20 | 2007-03-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于半导体器件的使用大气压的材料原子层沉积的方法 |
| CN102994976A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 多元衬底、基于多元衬底的层数连续可调的石墨烯、及其制备方法 |
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2013
- 2013-06-17 CN CN2013102391518A patent/CN103305813A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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