CN103298323B - 屏蔽结构体以及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种屏蔽结构体以及电子设备，其无需在屏蔽板上设置开口部就可以高效地保护电路元件不受静电噪声影响。该屏蔽结构体是一种用于含有框体的电子设备的屏蔽结构体，其具有：电路基板；电路元件，其搭载于上述电路基板上；以及屏蔽板，其搭载于上述电路基板上，保护上述电路元件不受静电噪声影响。屏蔽板具有：第1导体层，其利用第1导体至少形成在上述屏蔽板中的与上述电路元件相反侧的主面上，用于与多个框架接地图案电气连接；以及第2导体层，其至少在上述屏蔽板中的上述电路元件侧的主面上形成，由与上述第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成。

Description

屏蔽结构体以及电子设备

技术领域

本发明涉及一种屏蔽结构体以及电子设备。

背景技术

在专利文献1中记载了下述技术，即，在将搭载有USB(UniversalSerialBus)连接器以及CPU(CentralProcessingUnit)的印刷电路基板经由该印刷电路板的框架接地图案固定在电子照片打印机上的基板保持金属板中，在俯视观察印刷电路基板的情况下，在与CPU位于大致相同的位置处设置金属板开口部。由此，根据专利文献1，在静电施加在USB连接器上并通过框架接地图案以及基板保持金属板向电子照片打印机放电时，利用金属板开口部而使CPU和基板保持金属板之间的静电耦合消失，CPU不会由于静电而产生错误动作。

专利文献1：日本特开2008－258371号公报

发明内容

在专利文献1所记载的技术中，由于基板保持金属板中的与可能受到噪声影响的电路元件相对的部分处设置金属板开口部，所以在安装多个上述电路元件的情况下，金属板开口部的尺寸会变得非常大。如果金属板开口部的尺寸变得非常大，则基板保持金属板中的流过静电噪声的放电路径的截面积减少，放电路径的电阻变大，因此，产生基板保持金属板(屏蔽板)的使噪声电流流过的功能受损的趋势。

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于得到一种屏蔽结构体以及电子设备，其无需在屏蔽板上设置开口部就可以高效地保护电路元件不受静电噪声影响。

为了解决上述课题并达到目的，本发明的一个方式所涉及的屏蔽结构体是用于电子设备的屏蔽结构体，其特征在于，具有：电路基板；电路元件，其搭载于所述电路基板上；以及屏蔽板，其搭载于所述电路基板上，保护所述电路元件不受静电噪声影响，所述电路基板具有：信号接地图案，其与屏蔽板电气绝缘，配置于所述电路基板中的所述电路元件侧的第1主面上；导电图案，其配置于所述电路基板中的与所述电路元件相反侧的第2主面上；以及多个框架接地图案，它们与所述屏蔽板电气连接，在所述电路基板中的所述信号接地图案以及所述导电图案的外侧，配置于所述第1主面以及所述第2主面的任一个主面上，所述屏蔽板具有：第1导体层，其利用第1导体至少形成在所述屏蔽板中的与所述电路元件相反侧的主面上，用于与所述多个框架接地图案电气连接；以及第2导体层，其至少在所述屏蔽板中的所述电路元件侧的主面上形成，由与所述第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成，所述第2导体层配置得比所述第1导体层更加靠近所述电路元件，并且，在将所述第1导体层的厚度设为t1，将所述第1导体的导电率设为σ₁，将所述第1导体的磁导率设为μ₁，将流过所述屏蔽板的静电噪声的频率设为f时，t1＞1/√(σ₁πμ₁f)成立。

发明的效果

根据本发明，由于可以一边确保屏蔽板中的与电路元件相反侧的主面上流过静电噪声电流，一边抑制静电噪声电流流过电路元件侧的主面，所以可以一边高效地将静电噪声电流向框架接地引导，一边抑制静电噪声电流的电荷与电路元件进行静电耦合，可以抑制电路元件的错误动作。即，无需在屏蔽板上设置开口部就可以高效地保护电路元件不受静电噪声影响。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的电子设备的结构的图。

图2是表示实施方式1中的屏蔽结构体的结构的图。

图3是表示实施方式1中的屏蔽结构体的结构的图。

图4是表示实施方式1中的屏蔽结构体的结构的图。

图5是表示实施方式1的变形例中的屏蔽结构体的结构的图。

图6是表示实施方式1的其它变形例所涉及的电子设备的结构的图。

图7是表示实施方式2中的屏蔽结构体的结构的图。

图8是表示实施方式3中的屏蔽结构体的结构的图。

图9是表示实施方式3的变形例中的屏蔽结构体的结构的图。

图10是表示实施方式4中的屏蔽结构体的结构的图。

图11是表示实施方式4的变形例中的屏蔽结构体的结构的图。

图12是表示实施方式5中的屏蔽结构体的结构的图。

图13是表示实施方式5中的屏蔽结构体的结构的图。

图14是表示实施方式5的变形例中的屏蔽结构体的结构的图。

具体实施方式

下面，基于附图，详细地说明本发明所涉及的电子设备的实施方式。此外，本发明并不由这些实施方式限定。

实施方式1

使用图1对实施方式1所涉及的电子设备1进行说明。图1是表示电子设备1的结构的图。

电子设备1例如是在FA(FactoryAutomation)等中使用的电子设备，为了防止电源噪声等混入信号线，将信号接地SG和框架接地FG彼此电气绝缘(参照图3)。即，电子设备1例如如图1所示，具有框体10以及屏蔽结构体100。框体10覆盖屏蔽结构体100。由此，框体10例如可以保护屏蔽结构体100避免受到外部的机械碰撞等。框体10例如由塑料等绝缘体形成。

屏蔽结构体100含有连接器端子CN1、CN2、电源端子PT以及接地端子GT。与其对应，框体10具有开口部13、14、15以及凹部11。开口部13露出连接器端子CN1的被连接部，以可以从外部针对连接器端子CN1连接连接器。开口部14露出连接器端子CN2的被连接部，以可以从外部针对连接器端子CN2连接连接器。开口部15露出电源端子PT的被连接部，以可以从外部针对电源端子PT连接电源供给连接器。

凹部11相对于框体10的主面10a以接近屏蔽结构体100的接地端子GT的方式凹陷。配置在凹部11上的连接部件21与屏蔽结构体100的接地端子GT电气连接。连接部件21例如是螺钉，例如由金属(例如不锈钢)等导体形成。即，屏蔽结构体100的接地端子GT经由连接部件21与框架接地FG电气连接(参照图3)。

在此，在电子设备1中，有时产生下述情况，即，例如在从外部向连接器端子CN1或连接器端子CN2连接连接器时，人体等产生的静电SE(参照图3)作为静电噪声混入屏蔽结构体100中，与静电噪声相应地产生的静电噪声电流SEC流过屏蔽结构体100内。因此，期望在屏蔽结构体100中，高效地将混入的静电噪声电流SEC向接地端子GT引导，从框架接地FG释放。

下面，使用图2以及图3，针对用于将屏蔽结构体100中的混入的静电噪声电流SEC高效地向接地端子GT引导的具体结构进行说明。图2是表示屏蔽结构体100的结构的分解斜视图。图3是表示屏蔽结构体100的结构的剖面图。

屏蔽结构体100具有电路基板110、多个电路元件120-1～120-3以及屏蔽板130。

在电路基板110上搭载有多个电路元件120-1～120-3和屏蔽板130。电路基板110例如具有基板部114、信号接地图案112、导电图案113-1、113-2以及多个框架接地图案111-1～111-5。

基板部114是形成需要搭载多个电路元件120-1～120-3和屏蔽板130的基板的部分，是例如大致平板状的部件。基板部114例如由绝缘体形成。基板部114具有第1主面114a以及第2主面114b。第1主面114a是基板部114中的电路元件120侧的主面。第2主面114b是基板部114中的与电路元件120相反侧的主面。另外，基板部114具有通孔114c、114d。

信号接地图案112配置于第1主面114a上。信号接地图案112与屏蔽板130电气绝缘，并与框架接地FG电气绝缘。信号接地图案112与信号接地SG电气连接。信号接地图案112例如由金属(例如铜)等导体形成。

信号接地SG和框架接地FG彼此电气绝缘。例如信号接地SG用于在电路基板110内向电路元件120-1～120-3供给作为基准的接地电位，例如是在电路基板110内闭合的。框架接地FG例如用于从电路基板110外供给接地电位。信号接地图案112例如与电路元件120-1的端子管脚121-2电气连接。

导电图案113配置于第2主面114b上。导电图案114配置于第1主面114a上。通路孔VP贯穿基板部114，且与导电图案113和导电图案114电气连接。导电图案113例如是用于电路元件120-1与外部之间接收/发送信号的图案，例如经由通路孔VP以及导电图案114与电路元件120-1的端子管脚121-1电气连接。导电图案113、导电图案114以及通路孔VP分别例如由金属(例如铜)等导体形成。

多个框架接地图案111-1～111-5在从与第1主面114a垂直的方向透视的情况下，配置于信号接地图案112以及导电图案113-1、113-2的外侧。多个框架接地图案111-1～111-5配置于第1主面114a上。多个框架接地图案111-1～111-5在第1主面114a内，位于电路元件120-1～120-3以及信号接地图案112的外侧。

框架接地图案111-1作为上述接地端子GT起作用，与屏蔽板130电气连接，并与框架接地FG电气连接。多个框架接地图案111-1～111-5中的其它框架接地图案111-2～111-5，经由屏蔽板130与框架接地图案111-1电气连接，经由屏蔽板130以及框架接地图案111-1与框架接地FG电气连接。另外，多个框架接地图案111-1～111-5中的部分框架接地图案111-2～111-4与连接器端子CN1、CN2的一部分电气连接。框架接地图案111-1～111-5例如由金属(例如铜)等导体形成。

多个电路元件120-1～120-3搭载于电路基板110上。即，各电路元件120-1～120-3主要配置于电路基板110的第1主面114a上。各电路元件120-1～120-3在第1主面114a内，位于多个框架接地图案111-1～111-5的内侧。

另外，各电路元件120-1～120-3在第1主面114a内，位于与信号接地图案112以及导电图案113-1、113-2对应的区域。由此，例如电路元件120-1的端子管脚121-2与信号接地图案112电气连接。或者，例如电路元件120-1的端子管脚121-1、121-2分别经由基板部114的通孔114c、114d与导电图案113-1、113-2连接。

各电路元件120-1～120-3例如也可以是IC(IntegratedCircuit)。另外，各电路元件120-1～120-3也可以例如含有用于记录规定信息的存储器，另外，也可以例如含有用于进行规定信号处理的逻辑电路。

在此，在电子设备1(参照图1)中，如上述所示，有时产生下述情况，即，例如在从外部向连接器端子CN1或连接器端子CN2连接连接器时，人体等产生的静电SE(参照图3)作为静电噪声混入屏蔽结构体100中，与静电噪声相应地产生的静电噪声电流SEC流过屏蔽结构体100内。

因此，在屏蔽结构体100中，屏蔽板130搭载于电路基板110上，以保护电路元件120-1～120-3不受静电噪声影响。即，屏蔽板130以使得静电噪声电流SEC不会流过电路元件120-1～120-3的方式，形成旁路绕过电路元件120-1～120-3的静电噪声电流SEC的电流路径，将静电噪声电流SEC向接地端子GT(框架接地图案111-1)引导。具体地说，屏蔽板130例如具有第1导体层131以及第2导体层132。

第1导体层131至少形成在屏蔽板130中的与电路元件120相反侧的主面130b上。即，第1导体层131在从屏蔽板130的厚度方向观察的情况下，从与电路元件120相反侧的主面130b至电路元件120侧的主面130a附近为止形成，在屏蔽板130中的电路元件120侧的主面130a附近与第2导体层132接触。第1导体层131由第1导体形成。第1导体例如是以金属(例如铁)作为主要成分的导体，例如是不锈钢。

第1导体层131例如利用第1导体的板材通过板金加工而形成。即，第1导体层131具有主体部131b、多个腿部131c-1～131c-5以及多个足部131a-1～131a-5。

主体部131b沿着第1主面114a(例如与第1主面114a大致平行地)延伸。主体部131b例如具有与基板部114对应的大小以及形状。在主体部131b上机械且电气地连接有多个腿部131c-1～131c-5。

多个腿部131c-1～131c-5以及多个足部131a-1～131a-5与多个框架接地图案111-1～111-5对应。各腿部131c-1～131c-5从主体部131b开始朝向对应的框架接地图案111-1～111-5延伸。即，各腿部131c-1～131c-5是从主体部131b向对应的框架接地图案111-1～111-5侧弯折而形成的部分。

足部131a-1～131a-5机械且电气地连接在对应的腿部131c-1～131c-5上，经由对应的连接部件21-1～21-5与对应的框架接地图案111-1～111-5电气连接。即，各足部131a-1～131a-5是从对应的腿部131c-1～131c-5以沿着第1主面114a的方式弯折而形成的部分。

由此，第1导体层131与多个框架接地图案111-1～111-5电气连接。

第2导体层132至少形成在屏蔽板130中的电路元件120侧的主面130a上。第2导体层132由第2导体形成。第2导体是与第1导体相比高频损耗较高的导体。第2导体例如是与第1导体相比电阻率以及磁导率两者都更高的导体。第2导体例如是以铁-镍合金作为主要成分的导体，例如是坡莫合金。或者，第2导体是以镍-钴合金作为主要成分的导体。

第2导体层132例如是在屏蔽板130中的电路元件120侧的主面130a上，利用第2导体通过镀敷处理或蒸镀而形成的。例如在上述进行板金加工前的第1导体的板材中的要成为电路元件120侧的主面131b1上，利用第2导体进行镀敷处理或蒸镀。然后，从第1导体的板材中切出与主体部131b、多个腿部131c-1～131c-5以及多个足部131a-1～131a-5对应的形状，进行上述的弯折加工。

由此，形成具有主体部132b以及多个腿部132c-1～132c-5、但不具有足部的第2导体层132。即，通过在第1导体的板材上实施第2导体的镀敷处理或蒸镀后进行板金加工，从而可以同时进行第1导体层131的多个腿部131c-1～131c-5以及多个足部131a-1～131a-5的形成和第2导体层132的多个腿部132c-1～132c-5的形成。

下面，使用图4，对第1导体层131以及第2导体层132的各自的厚度进行说明。

第1导体层131的厚度t1是根据与对流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC预先通过实验取得的频率对应的趋肤深度δ₁而设定的。具体地说，第1导体层131由第1导体形成。在将第1导体的导电率设为σ₁，将第1导体的磁导率设为μ₁，将流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC的频率设为f时，第1导体层131的厚度t1满足下述算式1。

t1＞δ₁＝1/√(σ₁πμ₁f)···算式1

如果使用第1导体的比磁导率μ_r1对算式1进行改写，则成为算式2。

t1＞δ₁＝1/√(4π²×10^-7×μ_r1×σ₁×f)···算式2

此外，优选第1导体层131的厚度t1为满足上述算式1、2的范围内的充分大的值。

另外，第2导体层132的厚度t2是根据与对流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC预先通过实验取得的频率对应的趋肤深度δ₂而设定的。具体地说，第2导体层132由第2导体形成。在将第2导体的导电率设为σ₂，将第2导体的磁导率设为μ₂，将流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC的频率设为f时，第2导体层132的厚度t2满足下述算式3。

t2≧δ₂＝1/√(σ₂πμ₂f)···算式3

如果使用第2导体的比磁导率μ_r2对算式3进行改写，则成为算式4。

t2≧δ₂＝1/√(4π²×10^-7×μ_r2×σ₂×f)···算式4

此外，优选第2导体层132的厚度t2为满足上述算式3、4的范围内的尽可能小的值。

在此，考虑假如屏蔽板130不具有第2导体层132的情况。在这种情况下，由于要流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC是高频电流，因此，根据趋肤效应，在第1导体层131中的电路元件120侧的主面131b1附近和与电路元件120相反侧的主面131b2附近这两处流过静电噪声电流SEC。由此，流过电路元件120侧的主面131b1附近的静电噪声电流SEC的电荷易于与电路元件120静电耦合，有可能导致电路元件120错误动作。

与此相对，在实施方式1中，屏蔽板130具有第1导体层131以及第2导体层132。即，第1导体层131利用第1导体而至少形成在屏蔽板130中的与电路元件120相反侧的主面130b上，与多个框架接地图案111-1～111-5电气连接。第2导体层132至少形成在屏蔽板130中的电路元件120侧的主面130a上，由与第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成。由此，由于可以一边确保屏蔽板130中的与电路元件120相反侧的主面130b上流过静电噪声电流SEC，一边抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面130a，所以，可以一边高效地将静电噪声电流SEC向接地端子GT引导，一边抑制静电噪声电流SEC的电荷与电路元件120进行静电耦合，可以抑制电路元件120的错误动作。即，高效地保护电路元件120不受静电噪声影响。

另外，考虑假如屏蔽板130不具有第2导体层132、且屏蔽板130在与电路元件120相对的部分处具有开口部的情况。在这种情况下，第1导体层131中的流过静电噪声电流SEC的放电路径的面积(或者表面积)减少，放电路径的电阻变得较大，因此，存在屏蔽板130的使静电噪声电流SEC流过的功能受损的趋势。该趋势随着所安装的电路元件120数量越多就越显著。

与此相对，在实施方式1中，屏蔽板130具有第2导体层132，且第1导体层131以及第2导体层132都不具有开口。由此，可以确保第1导体层131中的流过静电噪声电流SEC的放电路径的面积(或者表面积)较大，可以抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面130a，因此，无需在屏蔽板130中设置开口部就可以高效地保护电路元件120不受静电噪声影响。

另外，在实施方式1中，第2导体层132是通过在屏蔽板130的电路元件120侧的主面130a上进行镀敷处理或者蒸镀而形成的。即，第1导体层131在从屏蔽板130的厚度方向观察的情况下，从与电路元件120相反侧的主面130b至电路元件120侧的主面130a附近为止形成，在屏蔽板130中的电路元件120侧的主面130a附近与第2导体层132接触。第2导体层132通过在屏蔽板130的电路元件120侧的主面130a上进行镀敷处理或者蒸镀而覆盖在第1导体层131上。由此，与利用其它部件设置第2导体层132的情况相比较，可以抑制框体10大型化，可以降低屏蔽结构体100的制造成本。

另外，在实施方式1中，第1导体层131的厚度t1满足上述算式1，并且，第2导体层132的厚度t2满足上述算式3。通过第1导体层131的厚度t1满足上述算式1，可以抑制流过第1导体层131中的电路元件120侧的主面131b1附近的静电噪声电流SEC与第2导体层132产生干涉。另外，通过第2导体层132的厚度t2满足上述算式3，可以在使第2导体层132的厚度t2变薄的同时，抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面130a。即，通过使上述算式1以及3同时成立，从而可以在确保必要功能的同时，使利用镀敷处理或者蒸镀而形成的第2导体层132的厚度t2变薄，因此，可以降低镀敷处理或者蒸镀所产生的成本。

此外，也可以如图5所示，在电子设备1i的屏蔽结构体100i中，多个框架接地图案111i-1、111i-2并不配置在电路基板110i的基板部114i的第1主面114a上，而是配置于第2主面114b上。在这种情况下，由于屏蔽板130i与电气连接在电路元件120-1上的导电图案113分离地覆盖导电图案113，因此有可能静电噪声电流SEC的电荷与导电图案113静电耦合，导致电路元件120错误动作。在这种情况下，在屏蔽板130i中，第2导体层132i也形成于屏蔽板130i中的与导电图案113相对的主面130ai上。由此，由于可以一边确保在屏蔽板130i中的与电路元件120相反侧的主面130b上流过静电噪声电流SEC，一边抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面130ai，所以可以一边高效地将静电噪声电流SEC向接地端子GT引导，一边抑制静电噪声电流SEC的电荷与导电图案113静电耦合，从而可以抑制电路元件120的错误动作。

或者，也可以如图6所示，电子设备1j将屏蔽结构体100以及框体10j作为1个通信单元而含有多个通信单元，并且含有导体框架30j、系统连接背板40j以及控制单元50j。在这种情况下，多个通信单元的各自的屏蔽结构体100的接地端子GT也可以经由连接部件21j以及导体框架30j与框架接地FG电气连接。导体框架30j例如由金属(例如不锈钢)等导体形成。连接部件21j例如为弹簧金属件，例如由金属(例如不锈钢)等导体形成。这时，也可以在各通信单元的框体10j中还具有使连接部件21j露出的开口部16j，以使得连接部件21j可以与导体框架30j连接。另外，也可以在各通信单元的电源端子PT上连接设置于系统连接背板40j上的系统连接器41j。

实施方式2

下面，对实施方式2所涉及的电子设备1k进行说明。以下以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，使第2导体层132直接覆盖在第1导体层131上，但在实施方式2中，使第2导体层232隔着树脂层233覆盖在第1导体层231上。

具体地说，在电子设备1k的屏蔽结构体200中，屏蔽板230如图7所示，在第1导体层231和第2导体层232之间还具有树脂层233。

树脂层233例如通过注塑成型等的树脂成型而利用树脂一体成型。即，树脂层233具有主体部233b、多个腿部233c-1、233c-2以及多个足部233a-1、233a-2。

主体部233b沿着电路基板110(参照图3)的基板部114的第1主面114a(例如与第1主面114a大致平行地)延伸。主体部233b例如具有与基板部114对应的大小以及形状。在主体部233b上机械连接有多个腿部233c-1、233c-2。

多个腿部233c-1、233c-2以及多个足部233a-1、233a-2与多个框架接地图案111-1、111-2(参照图3)对应。各腿部233c-1、233c-2从主体部233b朝向对应的框架接地图案111-1、111-2延伸。

足部233a-1、233a-2与对应的腿部233c-1、233c-2机械连接，经由对应的连接部件21-1、21-2(参照图2)与对应的框架接地图案111-1、111-2机械连接。

第1导体层231在树脂层233中的与电路元件120相反侧的主面233b2上用第1导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成。即，第1导体层231具有主体部231b、多个腿部231c-1、231c-2以及多个足部231a-1、231a-2。

主体部231b覆盖树脂层233的主体部233b。各腿部231c-1、231c-2覆盖对应的树脂层233的腿部233c-1、233c-2。

足部231a-1、231a-2覆盖对应的树脂层233的足部233a-1、233a-2。具体地说，足部231a-1具有第1部分231a1-1、第2部分231a2-1以及第3部分231a3-1。第1部分231a1-1覆盖树脂层233的足部233a-1的上表面233a1。第2部分231a2-1覆盖树脂层233的足部233a-1的下表面233a2。第3部分231a3-1覆盖树脂层233的足部233a-1的侧面233a3。同样地，足部231a-2具有第1部分231a1-2、第2部分231a2-2以及第3部分231a3-2。

第3部分231a3-1、231a3-2经由对应的连接部件21-1、21-2(参照图2)与对应的框架接地图案111-1、111-2(参照图3)电气连接。第3部分231a3-1、231a3-2例如与对应的框架接地图案111-1、111-2面接触。由此，第1导体层231与多个框架接地图案111-1、111-2电气连接。

第2导体层232在树脂层233中的电路元件120侧的主面233b1上，利用第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成。即，第2导体层232具有主体部232b以及多个腿部232c-1、232c-2。

主体部232b覆盖树脂层233的主体部233b。各腿部232c-1、232c-2覆盖对应的树脂层233的腿部233c-1、233c-2。

如上述所示，在实施方式2中，第1导体层231也利用第1导体至少形成在屏蔽板230中的与电路元件120相反侧的主面230b上，与多个框架接地图案111-1、111-2电气连接。第2导体层232至少在屏蔽板230中的电路元件120侧的主面230a上，利用与第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成。因此，根据实施方式2，也可以一边确保在屏蔽板230中的与电路元件120相反侧的主面230b上流过静电噪声电流SEC，一边抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面230a，所以可以一边高效地将静电噪声电流SEC向接地端子GT引导，一边抑制静电噪声电流SEC的电荷与电路元件120静电耦合，从而可以抑制电路元件120的错误动作。即，可以高效地保护电路元件120不受静电噪声影响。

另外，在实施方式2中，即使在例如选择导电性树脂作为树脂层233的材料的情况下，也可以实现上述效果。即，由于作为树脂层233的材料，不仅可以选择绝缘性树脂，也可以选择导电性树脂，所以可以提高树脂层233的材料的设计自由度。

实施方式3

下面，对实施方式3所涉及的电子设备1p进行说明。以下以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，在第1导体层131的电路元件120侧的主面131b1中的整个表面上覆盖有第2导体层132，但在实施方式3中，在第1导体层131的电路元件120侧的主面131b1的部分区域覆盖有第2导体层332。

具体地说，在电子设备1p的屏蔽结构体300的屏蔽板330中，例如如图8所示，多个第2导体层332-1～332-3选择性地通过镀敷处理或蒸镀而在第1导体层131的电路元件120侧的主面131b1中的与多个电路元件120-1～120-3对应的区域中形成。

例如，第2导体层332-1选择性地通过镀敷处理或蒸镀而在第1导体层131的电路元件120侧的主面131b1中的与电路元件120-1相对的区域中形成。第2导体层332-1具有与电路元件120-1对应的形状以及大小。第2导体层332-1也可以配置为，例如在从第1主面114a透视的情况下涵盖电路元件120-1。此外，其它第2导体层332-2、332-3也与第2导体层332-1相同。

如上述所示，在实施方式3中，第2导体层332-1～332-3选择性地通过镀敷处理或蒸镀而在屏蔽板330中的电路元件120侧的主面330a中的与电路元件120-1～120-3对应的区域形成。由此，可以使在电路元件120侧的主面330a附近流过的静电噪声电流SEC，避开电路元件120侧的主面330a中的与电路元件120对应的区域而流动。即，由于可以更大地确保第1导体层131中的流过静电噪声电流SEC的放电路径的截面积，可以抑制静电噪声电流SEC流过电路元件120侧的主面330a中的与电路元件120对应的区域，所以无需在屏蔽板330上设置开口部，就可以更高效地保护电路元件120不受静电噪声影响。

此外，也可以组合实施方式2和实施方式3。例如，也可以如图9所示，电子设备1pi的屏蔽结构体300i的屏蔽板330i，是针对图7所示的屏蔽板200将第2导体层232替换为图9所示的第2导体层332i-1而形成的。第2导体层332i-1选择性地通过镀敷处理或蒸镀而在树脂层233的电路元件120侧的主面233b1中的与电路元件120-1对应的区域形成。在这种情况下，也可以使得在屏蔽板330i中的电路元件120侧的主面330ai附近流过的静电噪声电流SEC避开电路元件120侧的主面330ai中的与电路元件120对应的区域而流动。

实施方式4

下面，对实施方式4所涉及的电子设备1q进行说明。以下以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，第2导体层132没有覆盖第1导体层131的与电路元件120相反侧的主面131b2，但在实施方式4中，使第2导体层432延伸至第1导体层131的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部为止。

具体地说，如图10所示，在电子设备1q的屏蔽结构体400的屏蔽板430中，第2导体层432从屏蔽板430的电路元件120侧的主面(参照图3)延伸至与电路元件120相反侧的主面131b2中的多个端部131b22-1～131b22-5为止。例如，第2导体层432具有与多个端部131b22-1～131b22-5对应的多个构成部分432d-1～432d-5。

例如，构成部分432d-1覆盖屏蔽板430的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部131b22-1。端部131b22-1是与主面131b2的一端边缘131s-1对应的区域中的、足部131a-1、131a-2以及腿部131c-1、131c-2附近的区域131b21-1、131b21-2之间的区域。

例如，构成部分432d-2覆盖屏蔽板430的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部131b22-2。端部131b22-2是与主面131b2的一端边缘131s-2对应的区域中的、足部131a-2、131a-3以及腿部131c-2、131c-3附近的区域131b21-2、131b21-3之间的区域。

例如，构成部分432d-3覆盖屏蔽板430的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部131b22-3。端部131b22-3是与主面131b2的一端边缘131s-2对应的区域中的、足部131a-3、131a-4以及腿部131c-3、131c-4附近的区域131b21-3、131b21-4之间的区域。

例如，构成部分432d-4覆盖屏蔽板430的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部131b22-4。端部131b22-4是与主面131b2的一端边缘131s-3对应的区域中的、足部131a-4、131a-5以及腿部131c-4、131c-5附近的区域131b21-4、131b21-5之间的区域。

例如，构成部分432d-5覆盖屏蔽板430的与电路元件120相反侧的主面131b2中的端部131b22-5。端部131b22-5是与主面131b2的一端边缘131s-4对应的区域中的、足部131a-5、131a-1以及腿部131c-5、131c-1附近的区域131b21-5、131b21-1之间的区域。

如上述所示，在实施方式4中，可以一边确保屏蔽板430中的与电路元件120相反侧的主面131b2中的静电噪声电流SEC的放电路径，一边抑制由静电噪声电流SEC引起的电场在屏蔽板430的端部集中，可以抑制静电噪声从屏蔽板430的端部泄漏。

此外，也可以如图11所示，在电子设备1qi的屏蔽结构体400i的屏蔽板430i中，第2导体层432i选择性地覆盖屏蔽板430i的与电路元件120相反侧的主面131b2的端部中的与电路元件120-1～120-3对应的区域。

例如，构成部分432d-11覆盖端部131b22-1(参照图10)的与电路元件120-1、120-3对应的区域，构成部分432d-12覆盖端部131b22-1的与电路元件120-2对应的区域。

例如，构成部分432d-21覆盖端部131b22-2(参照图10)的与电路元件120-1对应的区域。

例如，构成部分432d-31覆盖端部131b22-3(参照图10)的与电路元件120-2、120-3对应的区域。

例如，构成部分432d-41覆盖端部131b22-4(参照图10)的与电路元件120-1、120-3对应的区域，构成部分432d-42覆盖端部131b22-4的与电路元件120-2对应的区域。

例如，构成部分432d-51覆盖端部131b22-5(参照图10)的与电路元件120-1对应的区域，构成部分432d-52覆盖端部131b22-5的与电路元件120-2、120-3对应的区域。

在这种情况下，也可以一边确保屏蔽板430i中的与电路元件120相反侧的主面131b2中的静电噪声电流SEC的放电路径，一边抑制由静电噪声电流SEC引起的电场在屏蔽板430i的端部集中，可以抑制静电噪声从屏蔽板430i的端部泄漏。

实施方式5

下面，对实施方式5所涉及的电子设备1t进行说明。以下以与实施方式1不同的部分为中心进行说明。

在实施方式1中，在屏蔽板130和电路元件120之间没有特别地设置任何部件，但有时在电路元件120的工作频率较高的情况下等，电路元件120产生的电磁波噪声向外部的辐射成为问题。因此，在实施方式5中，利用屏蔽罩540覆盖电路元件120。

具体地说，如图12所示，电子设备1t的屏蔽结构体500例如还具有多个屏蔽罩540。屏蔽罩540在屏蔽板130的内侧，以与电路元件120分离地覆盖电路元件120的方式搭载于电路基板110上。

电路基板110具有多个信号接地图案112-1～112-4。多个信号接地图案112-1～112-4分别与框体10电气绝缘，并与框架接地FG电气绝缘。多个信号接地图案112-1～112-4分别与信号接地SG电气连接。

屏蔽罩540如图13所示，具有第3导体层543及第4导体层544。

第3导体层543形成在屏蔽罩540中的电路元件120侧的主面540a上。即，第3导体层543在从屏蔽罩540的厚度方向观察的情况下，从电路元件120侧的主面540a至与电路元件120相反侧的主面540b附近为止形成，在屏蔽罩540中的与电路元件120相反侧的主面540b附近与第4导体层544接触。第3导体层543由第3导体形成。第3导体例如是以金属(例如铁)为主要成分的导体，例如是不锈钢。此外，第3导体也可以与上述第1导体相同。

第3导体层543例如由第3导体的板材通过板金加工而形成。即，第3导体层543具有主体部543b、多个弯折部543c-1～543c-4以及多个足部543a-1～543a-4。

主体部543b沿着电路基板110的第1主面114a(例如与第1主面114a大致平行地)延伸。在主体部543b上机械且电气地连接有多个弯折部543c-1～543c-4。

多个弯折部543c-1～543c-4以及多个足部543a-1～543a-4与多个信号接地图案112-1～112-4对应。各弯折部543c-1～543c-4从主体部543b朝向对应的信号接地图案112-1～112-4延伸。即，各弯折部543c-1～543c-4是从主体部543b向对应的信号接地图案112-1～112-4侧弯折而形成的部件。

足部543a-1～543a-4与对应的弯折部543c-1～543c-4机械且电气地连接，经由未图示的连接部件与对应的信号接地图案112-1～112-4电气连接。即，各足部543a-1～543a-4是从弯折部543c-1～543c-4以沿着第1主面114a的方式弯折而形成的部件。

由此，第3导体层543与多个信号接地图案112-1～112-4电气连接。

第4导体层544形成在屏蔽罩540中的与电路元件120相反侧的主面540b上。第4导体层544由第4导体形成。第4导体是与第3导体相比高频损耗较高的导体。第4导体例如是与第3导体相比电阻率以及磁导率两者都更高的导体。第4导体例如是以铁-镍合金作为主要成分的导体，例如是坡莫合金。或者，第4导体是以镍-钴合金作为主要成分的导体。此外，第4导体也可以与上述第2导体相同。

第4导体层544例如是在屏蔽罩540中的与电路元件120相反侧的主面540b上，利用第4导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成的。例如，在上述进行板金加工前的第3导体的板材中的要成为与电路元件120相反侧的主面543b2上，利用第4导体进行镀敷处理或者蒸镀。然后，从第3导体的板材中切出与主体部543b、多个弯折部543c-1～543c-4以及多个足部543a-1～543a-4对应的形状，进行上述的弯折加工。

由此，形成具有主体部544b、多个弯折部544c-1～544c-4以及多个足部544a-1～544a-4的第4导体层544。即，通过在第3导体的板材上实施第4导体的镀敷处理或者蒸镀后进行板金加工，从而可以同时进行第3导体层543的多个弯折部543c-1～543c-4以及多个足部543a-1～543a-4的形成和第4导体层544的多个弯折部544c-1～544c-4以及多个足部544a-1～544a-4的形成。

如上述所示，在实施方式5中，在电路元件120产生的电磁波噪声向外部的辐射成为问题的情况下，屏蔽罩540在屏蔽板130的内侧与电路元件120分离地覆盖电路元件120。由此，可以抑制电路元件120产生的电磁波噪声向外部泄漏。

另外，在实施方式5中，在屏蔽板130中的与屏蔽罩540相对的主面130a上，利用与第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成有第2导体层132。另外，在屏蔽罩540中的与屏蔽板130相对的主面540b上，利用与第3导体相比高频损耗较高的第4导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成有第4导体层544。由此，可以抑制流过屏蔽板130的静电噪声电流SEC和流过屏蔽罩540的与电磁波噪声对应而产生的电流之间的干涉。即，由于可以容易地在使屏蔽板130和屏蔽罩540之间的距离接近的同时，抑制屏蔽板130和屏蔽罩540之间的噪声的干涉，从而可以抑制产品的大型化。

另外，在实施方式5中，屏蔽罩540具有第3导体层543以及第4导体层544。即，第3导体层543是利用第3导体在屏蔽罩540中的电路元件120侧的主面540a上形成的，用于与多个信号接地图案112-1～112-4电气连接。第4导体层544是在屏蔽罩540中的与电路元件120相反侧的主面540b上，利用与第3导体相比高频损耗较高的第4导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成的。由此，由于可以一边确保在屏蔽罩540中的电路元件120侧的主面540a上流过与电磁波噪声对应而产生的电流，一边抑制与电磁波噪声对应而产生的电流流过与电路元件120相反侧的主面540b，从而可以高效地抑制电磁波向外部泄漏。

此外，在实施方式5中，为了简化说明，针对在电路基板110上搭载1个电路元件120的情况而例示地进行了说明，但对于搭载多个电路元件120的情况，也可以与各电路元件120对应地设置多个屏蔽罩540。

或者，也可以如图14所示，在电子设备1ti的屏蔽结构体500i中，多个框架接地图案111i-1、111i-2并不配置在电路基板110i的基板部114i的第1主面114a上，而是配置于第2主面114b上。在这种情况下，也可以如图14所示，针对图5所示的结构，追加与实施方式5相同的屏蔽罩540。

在这种情况下，屏蔽罩540也具有第3导体层543以及第4导体层544。即，第3导体层543是利用第3导体在屏蔽罩540中的电路元件120侧的主面540a上形成的，用于与多个信号接地图案112-1～112-4(参照图12)电气连接。第4导体层544是在屏蔽罩540中的与电路元件120相反侧的主面540b上，利用与第3导体相比高频损耗较高的第4导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成的。由此，由于可以一边确保在屏蔽罩540中的电路元件120侧的主面540a上流过与电磁波噪声对应而产生的电流，一边抑制与电磁波噪声对应而产生的电流流过与电路元件120相反侧的主面540b，从而可以高效地抑制电磁波向外部泄漏。

工业实用性

如上述所示，本发明所涉及的屏蔽结构体以及电子设备，在具有连接器的电子设备中是有用的。

Claims (13)

1.一种屏蔽结构体，其用于电子设备，其特征在于，

具有：电路基板；

电路元件，其搭载于所述电路基板上；以及

屏蔽板，其搭载于所述电路基板上，保护所述电路元件不受静电噪声影响，

所述电路基板具有：信号接地图案，其与屏蔽板电气绝缘，配置于所述电路基板中的所述电路元件侧的第1主面上；

导电图案，其配置于所述电路基板中的与所述电路元件相反侧的第2主面上；以及

多个框架接地图案，它们与所述屏蔽板电气连接，在所述电路基板中的所述信号接地图案以及所述导电图案的外侧，配置于所述第1主面以及所述第2主面的任一个主面上，

所述屏蔽板具有：第1导体层，其利用第1导体至少形成在所述屏蔽板中的与所述电路元件相反侧的主面上，用于与所述多个框架接地图案电气连接；以及

第2导体层，其至少在所述屏蔽板中的所述电路元件侧的主面上形成，由与所述第1导体相比高频损耗较高的第2导体通过镀敷处理或者蒸镀而形成，

所述第2导体层配置得比所述第1导体层更加靠近所述电路元件，

并且，在将所述第1导体层的厚度设为t1，将所述第1导体的导电率设为σ₁，将所述第1导体的磁导率设为μ₁，将流过所述屏蔽板的静电噪声的频率设为f时，t1＞1/√(σ₁πμ₁f)成立。

2.根据权利要求1所述的屏蔽结构体，其特征在于，

对于所述第1导体层，在从所述屏蔽板的厚度方向观察的情况下从与所述电路元件相反侧的主面至所述电路元件侧的主面附近为止而形成，在所述屏蔽板中的所述电路元件侧的主面附近与所述第2导体层接触。

3.根据权利要求2所述的屏蔽结构体，其特征在于，

在将所述第2导体层的厚度设为t2，将所述第2导体的导电率设为σ₂，将所述第2导体的磁导率设为μ₂时，t2≧1/√(σ₂πμ₂f)成立。

4.根据权利要求1所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述屏蔽板在所述第1导体层和所述第2导体层之间还具有树脂层，

所述第1导体层利用所述第1导体通过镀敷处理或蒸镀而形成在所述树脂层中的与所述电路元件相反侧的主面上，

所述第2导体层利用所述第2导体通过镀敷处理或蒸镀而形成在所述树脂层中的所述电路元件侧的主面上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述第2导体层在与所述电路元件对应的区域上有选择地形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述第2导体层从所述屏蔽板的所述电路元件侧的主面延伸至与所述电路元件相反侧的主面中的端部为止。

7.根据权利要求1所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述多个框架接地图案配置在所述第1主面上，

所述屏蔽板与所述电路元件分离地覆盖所述电路元件，

所述第2导体层形成在所述屏蔽板中的与所述电路元件相对的主面上。

8.根据权利要求7所述的屏蔽结构体，其特征在于，

还具有屏蔽罩，其搭载在所述电路基板上，以在所述屏蔽板的内侧与所述电路元件分离地覆盖所述电路元件。

9.根据权利要求8所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述电路基板具有多个所述信号接地图案，

所述屏蔽罩具有：第3导体层，其利用第3导体形成在所述屏蔽罩中的所述电路元件侧的主面上，用于与所述多个信号接地图案电气连接；以及

第4导体层，其在所述屏蔽罩中的与所述电路元件相反侧的主面上，利用与所述第3导体相比高频损耗较高的第4导体通过镀敷处理而形成。

10.根据权利要求1所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述多个框架接地图案配置在所述第2主面上，

所述电路元件在所述电路基板的所述第1主面上与所述信号接地图案连接，并且在所述电路基板的所述第2主面上与所述导电图案连接，

所述屏蔽板与所述导电图案分离地覆盖所述导电图案，

所述第2导体层形成在所述屏蔽板中的与所述导电图案相对的主面上。

11.根据权利要求10所述的屏蔽结构体，其特征在于，

还具有屏蔽罩，其搭载在所述电路基板上，在从与所述第1主面垂直的方向进行透视的情况下，包含在所述屏蔽板的内侧，并且与所述电路元件分离地覆盖所述电路元件。

12.根据权利要求11所述的屏蔽结构体，其特征在于，

所述电路基板具有多个所述信号接地图案，

所述屏蔽罩具有：第3导体层，其利用第3导体形成在所述屏蔽罩中的所述电路元件侧的主面上，用于与所述多个信号接地图案电气连接；以及

第4导体层，其在所述屏蔽罩中的与所述电路元件相反侧的主面上，利用与所述第3导体相比高频损耗较高的第4导体通过镀敷处理而形成。

13.一种电子设备，其特征在于，

具有权利要求1至4、7至12中任一项所述的屏蔽结构体。