CN103297883B - Mems结构中的可调节通风口 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及MEMS结构中的可调节通风口。公开了一种MEMS结构和一种用于操作MEMS结构的方法。根据本发明的一个实施例，一种MEMS结构包括基片，背板和包括第一区域和第二区域的薄膜，其中第一区域被配置为感测信号而第二区域被配置为将阈值频率从第一值调节到第二值，并且其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。

Description

MEMS结构中的可调节通风口
技术领域
本发明一般地涉及在MEMS结构中的可调节通风口和一种用于操作MEMS结构的方法。
背景技术
一般地，麦克风被以低成本大量地制造。因为这些需要，麦克风通常被以硅技术生产。对于它们不同领域的应用，麦克风以不同的配置被生产。在一个例子中，麦克风通过测量相对于反电极的薄膜的变形或偏转来测量电容中的改变。麦克风典型地被操作为设定偏压到合适的值。
麦克风可具有操作和其他参数，诸如信噪比(SNR)，薄膜的硬度或反电极，或薄膜的直径，这些参数通常由制造过程设定。此外，麦克风基于在制造过程中使用的不同材料而具有不同的特性。
发明内容
依照本发明的一个实施例，一种MEMS结构包括基片，背板和包括第一区域和第二区域的薄膜，其中第一区域被配置为感测一个信号而第二区域被配置为将阈值频率从第一值调节到第二值，并且其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。
依照本发明的另一个实施例，一种MEMS结构包括基片，背板和包括可调节通风口的薄膜。所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。
依照本发明的一个实施例，一种用于操作MEMS结构的方法包括：通过相对于背板移动薄膜的感测区域来感测声学信号；并且如果高能信号被检测到，则打开或关闭薄膜中的可调节通风口。
依照本发明的一个实施例，一种方法包括：通过相对于背板移动薄膜来感测声学信号；并且如果MEMS结构的应用设定被改变，则打开或关闭薄膜中的可调节通风口。
附图说明
为了更全面地理解本发明及其优点，现在参考下面结合附图进行的描述，其中：
图1a示出MEMS结构的顶视图；
图1b示出MEMS结构的连接区域的详细透视图；
图1c示出MEMS结构的连接区域的截面图；
图2a-2c示出可调节通风口的一个实施例的截面图；
图2d示出可调节通风口的一个实施例的顶视图；
图2e示出对于转角或阈值频率的图表；
图3a-3d示出可调节通风口的配置和实施例；
图4a示出MEMS结构的一个实施例的截面图，其中薄膜被拉向背板；
图4b示出MEMS结构的一个实施例的截面图，其中薄膜被拉向基片；
图5a示出MEMS结构的一个实施例的截面图；
图5b示出图5a的MEMS结构的一个实施例的顶视图；
图6a示出不受激励MEMS结构的一个实施例的截面图；
图6b示出受激励MEMS结构的一个实施例的截面图；
图7a示出不受激励MEMS结构的一个实施例的截面图；
图7b示出受激励MEMS结构的一个实施例的截面图；
图7c示出图7a的MEMS结构的一个实施例的顶视图；
图8a示出MEMS结构的操作的流程图，其中可调节通风口初始被关闭；
图8b示出MEMS结构的操作的流程图，其中可调节通风口初始打开；
图8c示出MEMS结构的操作的流程图，其中可调节通风口被打开以从第一应用设定切换到第二应用设定；以及
图8d示出MEMS结构的操作的流程图，其中可调节通风口被关闭以从第一应用设定切换到第二应用设定。
具体实施方式
当前优选的实施例的实现和使用在下面详细讨论。然而，应该被认识到的是，本发明提供多个可应用的发明性构思，其可在各种各样的特定上下文中加以体现。讨论的具体实施例仅仅说明了实现和使用本发明的具体方式，而并不限制本发明的范围。
本发明将参考特定上下文中的实施例加以描述，即传感器或麦克风。然而，本发明还可被应用到诸如压力传感器，RF MEMS，加速计和激励器的其他MEMS结构。
麦克风被实现为芯片上的平行板电容器。该芯片被封装以包围给定的后容积(back-volume)。可移动薄膜因为诸如声学信号的压力差而振动。薄膜位移使用电容感测而转换成电信号。
图1a示出MEMS器件100的顶视图。背板或反电极120和可移动电极或薄膜130通过连接区域115被连接到基片110。图1b和1c示出MEMS器件100的一个连接区域115的详细透视图。背板或反电极120被布置在薄膜或可移动电极130上。背板120被穿孔以避免或减弱阻尼。薄膜130包括用于低频压力均衡的通风孔140。
在图1a-1c的实施例中，薄膜130在连接区域115中被机械地连接到基片110。在这些区域115中，薄膜130不能移动。背板120也在连接区域115中被机械地连接到基片110。基片110形成边缘122以提供用于后容积的空间。薄膜130和背板120在边缘122处或接近于边缘122处被连接到基片。在这个实施例中，边缘122和薄膜130形成圆圈。可选地，边缘122和薄膜130可包括正方形或可包括任何其他合适的几何形式。
一般地，设计和制造传感器要求高的信噪比(SNR)。除了别的以外，当将被测量的电容中的改变尽可能大时和当寄生电容尽可能小时，这可被实现。电容的寄生部分相对于总电容越大，SNR越小。
后容积的顺应性和通过通风孔的通风路径的阻抗限定了传感器的RC常数。如果通风孔大，则转角频率是相对高频，而如果通风口小，则转角频率是相对低频。后容积和通风孔的直径都由构造给定并且因此转角频率由构造给定。相应地，转角频率不能在操作期间被改变。
固定大小通风孔的问题是，具有比通风口的转角频率高的频率的高能信号使传感器失真或驱动过度，即使应用了电滤波器。此外，如果传感器被用于超过一个应用，则两个传感器必须集成到一个传感器系统中，这使系统成本加倍。
本发明的一个实施例提供在MEMS结构中的可调谐通风口。可调谐通风口可在打开位置和关闭位置之间切换。可调谐通风孔也可被设定在中间位置中。本发明的另一实施例提供可变通风口截面。本发明的一个实施例提供接近于基片的边缘的感测区域中的可调谐通风口。进一步的实施例提供在薄膜的感测区域外面的调谐区域中的可调谐通风口。
图2a-2c示出在它们之间具有气隙240的背板或反电极250和薄膜或可移动电极230的截面图。背板250被穿孔252并且薄膜230包括可调节通风口238。图2d示出圆圈指示穿孔的背板250，252且黑平面为底层薄膜230的这种布置的顶视图。在这个实施例中，可调节通风孔238的可移动部分237形成为U形槽239。可调节通风口238可包括矩形，正方形或半圆形。可选地，可调节通风口238可包括任何几何形式，只要该形式能够提供通风路径。可调节通风口238的可移动部分237可以是悬臂，桥或弹性支撑结构。
图2a示出一种配置，其中激励电压(偏压)Vbias＝0。可调节通风口238被关闭，在薄膜230中形成小槽239。无激励电压提供最小的通风路径并且因此提供低阈值频率。可调节通风口238处于关闭或关(非激活)位置。这样的低阈值频率的一个例子可被看成图2e中的频率“A”。
图2b示出一种配置，其中激励电压Vbias被增加，即不同于0V但是低于吸合电压Vpull-in。可调节通风口238打开并提供比在图2a的配置中更大的通风路径。阈值频率可以被看成图2e中的频率“B”。指出的是，当可移动部分237的位移大于薄膜230的厚度时，可调节通风口238可提供相当大的通风路径。
图2c示出一种配置，其中激励电压Vbias大于吸合电压Vpull-in。可调节通风口238完全地打开并且大的通风路径被创建。阈值频率可以被看成图2e中的频率“C”。通过调节激励电压，RC常数可被减少或增加并且阈值频率可根据期望值被设定。指出的是，对于低于吸合电压的激励电压，可调节通风口可能已经完全打开。
现在参考图2e，在一个实施例中，阈值频率“A”可以是大约10-50Hz并且可被移动到大约200-500Hz作为阈值频率“C”。可选地，在“A”处的阈值频率是大约10-20Hz并且被移动到在“C”处的大约200-300Hz。
在位置“A”处的阈值频率还可依赖于可调节通风口的数量和槽在薄膜中形成的间隙距离。对于具有较多可调节通风口(例如，32个可调节通风口)的MEMS结构与对于具有较少可调节通风口(例如，2个，4个或8个可调节通风口)的MEMS结构，在位置“A”处的阈值频率更高。具有更大的定义可调节通风口的槽间隙(更大槽宽和/或更大槽长)的MEMS结构的阈值频率也高于具有更小槽间隙的MEMS结构的阈值频率。
图3a的实施例示出激励电压(调谐或切换电压)的配置，其中激励电压等于感测偏压。MEMS结构包括在背板350上的单个电极，气隙340和薄膜330。背板350的电极被设定为激励电势并且薄膜330被设定为接地。可调节通风口338以低激励电压(关位置)被关闭且以高激励电压(开位置)打开。低激励电压导致MEMS结构的低灵敏度以及低转角或阈值频率，而高激励电压导致高转角或阈值频率以及高灵敏度。
图3b的实施例示出一种配置，其中激励电压(调谐或切换电压)与感测偏压无关。MEMS结构包括结构化的背板350，例如具有至少两个电极的背板，气隙340和薄膜330。背板350的第二电极352被设定为激励电势且第一电极351设定为感测电势。薄膜320被设定为接地。两个电极是相互隔离的。例如，背板350可包括结构化的电极和隔离支撑355。隔离支撑355可面向薄膜330或可背对薄膜330。调谐或切换电压不影响MEMS结构的灵敏度。
可调节通风口338以低激励电压(关位置)被关闭且以高激励电压(开位置)打开。低激励电压导致低转角或阈值频率，而高激励电压导致高转角或阈值频率。感测偏压与激励电压无关并可被保持恒定或独立地减少或增加。
图3c的实施例示出激励电压(调谐或切换电压)的配置，其中激励电压等于感测偏压。MEMS结构包括在背板350中的单个电极，气隙340和薄膜330。可调节通风口338以高激励电压(开位置)被关闭，且以低激励电压(关位置)打开。可调节通风口338的可移动部分337在被激活时与背板350接触并且在未被激活时与薄膜的剩余部分共面。低激励电压导致MEMS结构的低灵敏度和高转角或阈值频率，而高激励电压导致MEMS结构的高灵敏度和低转角或阈值频率。背板350包括通风口357而可调节通风口338的可移动部分337包括通风口336。可调节通风口338的可移动部分337中的通风口336在开(或激活)位置被关闭。当可调节通风口处于在开(或激活)位置时，没有通风路径经过可调节通风口338。
图3d的实施例示出激励电压(调谐或切换电压)，其中激励电压与感测偏压无关。该MEMS结构包括结构化的背板350(例如背板可以包括第一电极351和第二电极352)，气隙340和薄膜330。可选地，结构化的背板350可包括超过两个电极。背板350的第二电极352被设定为激励电势而第一电极被设定为感测电势。薄膜330被设定为接地。第一电极351和第二电极352是相互隔离的。例如，背板350可包括结构化的电极和隔离支撑355。隔离支撑355可面向薄膜330或可背对薄膜330。调谐或切换电压不影响MEMS结构的灵敏度。
可调节通风口以高激励电压(开位置)被关闭且以低激励电压(关位置)打开。低激励电压(关位置)导致高转角或阈值频率，而低激励电压(开位置)导致高转角或阈值频率。感测偏压与激励电压无关并可被保持恒定或独立地减少或增加。
背板350包括通风口357而可调节通风口338的可移动部分337也包括通风口336。可调节通风口338中的通风口336在开位置中被关闭。当可调节通风口338打开时，没有通风路径经过背板338的通风口357和可调节通风口338的通风口336。当可调节通风口338被关闭或处于关位置时，没有通风路径经过背板338的通风口357和可调节通风口338的通风口336。
图4a的实施例示出MEMS结构400的截面视图。MEMS结构包括基片410。基片410包括硅或其他半导体材料。可选地，例如，基片410包括化合物半导体诸如GaAs，InP，Si/Ge，或SiC。基片410可包括单晶硅，非晶硅或多晶体硅(多晶硅)。基片410可包括有源部件，诸如晶体管，二极管，电容器，放大器，滤波器或其他电气器件，或集成电路。MEMS结构400可以是独立器件或可以与IC集成为单个芯片。
MEMS结构400进一步包括设置在基片410上的第一绝缘层或间隔物420。绝缘层420可包括绝缘材料诸如二氧化硅，氮化硅或其组合。
MEMS结构400进一步包括薄膜430。薄膜430可以是环形薄膜或正方形薄膜。可选地，薄膜可包括其他几何形式。薄膜430可包括导电材料诸如多晶硅，掺杂多晶硅或金属。薄膜430被设置在绝缘层420上面。薄膜430在接近于基片410的边缘的区域内物理地连接到基片410。
此外，MEMS结构400包括设置在薄膜430的一部分上的第二绝缘层或间隔物440。第二绝缘层440可包括绝缘材料诸如二氧化硅，氮化硅或其组合。
背板450被布置在第二绝缘层或间隔物440上。背板450可包括导电材料诸如多晶硅，掺杂多晶硅或金属例如铝。此外，背板450可包括绝缘支撑或绝缘层区域。绝缘支撑可被布置为朝向或远离薄膜430。绝缘层材料可以是二氧化硅，氮化硅或其组合。背板450可被穿孔。
薄膜430可包括至少一个如上所述的可调节通风口460。可调节通风口460可包括可移动部分465。在一个实施例中，可调节通风口460位于接近于基片410的边缘的区域中。例如，可调节通风口460可位于薄膜430的半径的外20％或从中心点到矩形或正方形的薄膜430边缘的距离的外20％。特别地，可调节通风口460可不被定位于薄膜430的中心区域中。例如，可调节通风口460可不被定位在该半径或距离的内80％。可调节通风口460可沿着薄膜430的外围被相互等距地定位。
图4a的实施例被配置为使得可调节通风口460朝向背板450打开。薄膜430和背板450可具有如图2a-2d和3a-3d所述的任何配置。背板450被设定为感测电压Vsense和激励电压Vp(感测电压和激励电压可以如上述的那样相同或不同)而薄膜430被设定为接地，或者反之亦然。
图4b的实施例的MEMS结构400示出与图4a中的实施例的结构相类似的结构。然而，配置是不同的，例如，可调节通风口460的可移动部分465被拉向基片410。背板被设定为感测电压Vsense，基片被设定为激励电压Vp，而薄膜被设定为接地。在MEMS结构400的这个配置中，激励电压(调谐或切换电压)与感测电压无关。
图5a的实施例示出截面图而图5b示出具有在基片510的一部分上延伸并且在感测区域533外面的薄膜530的MEMS结构500的顶视图。MEMS结构500包括基片510，连接区域520，薄膜530和背板540，其包括如关于图4a中的实施例描述的类似的材料。薄膜530包括感测区域533和调谐区域536。感测区域533定位于基片510的相对边缘之间或在相对连接区域520之间。调谐区域533在基片510的一部分上延伸并且定位于感测区域536外面。感测区域536可定位于连接区域520的第一侧而调谐区域533可定位于连接区域520的第二侧。在调谐区域536中在薄膜530和基片510之间形成凹口515(钻蚀)。背板540仅仅覆在感测区域533上而不覆在薄膜530的调谐区域536上。背板540可被穿孔。背板540被设定为偏压Vsense，基片510被设定为调谐电压Vp，而薄膜被设定为接地。在MEMS结构500的这个配置中，调谐电压与感测电压无关。
薄膜530的调谐区域536包括至少一个可调节通风口538，其在非激励位置(关位置)提供通风路径并且在激励位置(开位置)不提供通风路径。非激励或打开位置(关位置)是这样的位置，其中可调节通风口538在其静止位置中与感测区域533中的薄膜530处于相同平面。激励或关闭位置(开位置)是这样的位置，其中可调节通风口538压靠在基片510上并且通风路径被阻塞。中间位置可通过将可调节通风口538拉向基片510加以设定，但是其中可调节通风口538不被压靠在基片510上。注意的是，感测区域533可包括或可不包括可调节通风口538。
图6a和6b的实施例示出具有在感测区域633外面在基片610的一部分上延伸的薄膜630的MEMS结构600的截面图。MEMS结构600包括基片610，连接区域620，薄膜630和背板640，其包括如关于图4a中的实施例描述的类似的材料。薄膜630包括感测区域633和调谐区域636。感测区域633定位于基片610的相对边缘之间或在相对连接区域620之间。调谐区域636在基片610的一部分上延伸并且定位于感测区域633外面。感测区域633可定位于连接区域620的第一侧而调谐区域636可定位于连接区域620的第二侧。在调谐区域636中在薄膜630和基片610之间形成凹口615(钻蚀)。背板640覆在薄膜630的调谐区域636和感测区域633上。背板640可在感测区域633和调谐区域内被穿孔。可选地，背板640可在感测区域633内被穿孔而不在调谐区域636中被穿孔。背板640包括第一电极641和第二电极642。可选地，背板640包括超过两个电极。第一电极641与第二电极642隔离。第一电极641设置在感测区域633中而第二电极642设置在调谐区域636中。第一电极641被设定为偏压Vsense，而第二电极642被设定为调谐电压Vp。薄膜630被设定为接地。在MEMS结构600的这个配置中，调谐电压与感测电压无关。
薄膜630的调谐区域636包括一个或多个可调节通风口638，其在图6a中在非激励位置(关位置)提供通风路径并且在图6b中在激励位置(开位置)不提供通风路径。打开位置或非激励(关位置)是这样的位置，其中可调节通风口638在其静止位置中与感测区域633中的薄膜630处于相同平面。关闭位置或激励位置(开位置)是这样的位置，其中可调节通风口638压靠在背板640上并且通风路径被阻塞。当它不在激励位置(关位置)时，MEMS结构600提供通风路径和高的转角频率。当它处在激励位置(开位置)时，MEMS结构600提供关闭的通风路径和低的转角频率。中间位置可通过将可调节通风口638拉向背板640被设定，但是其中可调节通风口638不被压靠在背板640上。注意的是，感测区域633可包括或可不包括可调节通风口638。
背板640包括通风口639并且薄膜630在调谐区域636中包括可调节通风口638。在一个实施例中，通风口639和可调节通风口638关于彼此相反地对准。
图7a和7b的实施例示出了具有在基片710的一部分上延伸并且在感测区域733外面的薄膜730的MEMS结构700的截面图而图7c示出该MEMS结构700的顶视图。MEMS结构700包括基片710，连接区域720，薄膜730和背板740，其包括如关于图4a中的实施例描述的类似的材料。背板740可包括感测背板(例如，圆形或矩形)741和背板桥742。
薄膜730包括感测区域733和调谐区域736。感测区域733定位于基片710的相对边缘之间或在相对连接区域720之间。调谐区域733在基片710的一部分上延伸并且定位于感测区域733外面。感测区域736可定位于连接区域720的第一侧而调谐区域733可定位于连接区域720的第二侧。在调谐区域736中在薄膜730和基片710之间形成凹口715(钻蚀)。薄膜730包括由槽735形成的可调节通风口738。对于可调节通风口738，槽735形成如图2a-2c中所述的可移动部分。
背板740覆在薄膜730的感测区域733和调谐区域736上。例如，感测背板741(第一电极)覆在感测区域733上而背板桥742(第二电极)覆在调谐区域736上。可选地，背板740包括超过两个电极。第一电极741与第二电极742隔离。第一电极741被设定为偏压Vsense，而第二电极742被设定为调谐电压Vp。薄膜730被设定为接地。在MEMS结构700的这个配置中，调谐电压与感测电压无关。背板740可在感测区域733和调谐区域736内被穿孔。可选地，背板740可在感测区域733内被穿孔而不在调谐区域736中被穿孔。背板桥742包括通风口749。
薄膜730的调谐区域736包括一个或多个可调节通风口738，其在图7b中在激励位置(开位置)提供通风路径并且在图7a中在非激励位置(关位置)不提供通风路径。关闭或非激励(关位置)是这样的位置，其中可调节通风口738在其静止位置中与感测区域733中的薄膜730处于相同平面。打开或激励位置(开位置)是这样的位置，其中可调节通风口738压靠在背板740上并且通风路径打开。当它处在激励位置(开位置)时，MEMS结构700提供通风路径和高的转角频率。当它在非激励位置(关位置)时，MEMS结构700提供关闭的通风路径和低的转角频率。中间位置可通过将可调节通风口738拉向背板740加以设定，但是其中可调节通风口738不被压靠在背板740上。注意的是，感测区域733可包括或可不包括可调节通风口738。
图8a示出操作MEMS结构的一个实施例。在第一步骤810中，通过相对于背板移动薄膜，感测声学信号。可调节通风口处于关闭位置。在下一步骤812中，高能信号被检测到。可调节通风口从关闭位置移到打开位置，814。打开位置可以是完全打开的位置或部分地打开的位置。
图8b示出操作MEMS结构的一个实施例。在第一步骤820中，通过相对于背板移动薄膜，感测声学信号。可调节通风口处于打开位置。在下一步骤822中，高能信号被检测到。可调节通风口从打开位置移到关闭位置，824。关闭位置可以是完全关闭的位置或部分地关闭的位置。
图8c示出操作MEMS结构的一个实施例。在第一步骤830中，MEMS结构处于第一应用设定中，通过相对于背板移动薄膜来感测声学信号。可调节通风口处于关闭位置。在第二步骤832中，MEMS结构处于第二应用设定中，通过相对于背板移动薄膜来感测声学信号。可调节通风口从关闭位置移到打开位置。打开位置可以是完全打开的位置或部分地打开的位置。
图8d示出操作MEMS结构的一个实施例。在第一步骤840中，MEMS结构处于第一应用设定中，通过相对于背板移动薄膜来感测声学信号。可调节通风口处于打开位置。在第二步骤842中，MEMS结构处于第二应用设定中，通过相对于背板移动薄膜来感测声学信号。可调节通风口从打开位置移到关闭位置。关闭位置可以是完全关闭的位置或部分地关闭的位置。
尽管本发明及其优点已经被详细描述，应当理解的是可对其作出各种改变，替换和变更而不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。
此外，本申请的范围并非意在限制到在说明书中描述的过程，机器，制造，物质的组成，装置，方法和步骤的特定实施例。如本领域普通技术人员从本发明的公开内容将容易地认识到的，与这里描述的相应实施例执行基本上相同的功能或达到基本上相同的结果的当前存在的或以后将被研发的过程，机器，制造，物质的组成，装置，方法或步骤，可根据本发明被利用。相应地，所附权利要求意在在其范围内包括这样的过程，机器，制造，物质的组成，装置，方法或步骤。

Claims (13)

1.一种MEMS结构，包括：
基片；
背板；以及
包括第一区域和第二区域的薄膜，其中第一区域被配置为感测信号而第二区域被配置为将阈值频率从第一值调节到第二值，
其中所述背板包括第一电极和第二电极，其中第一区域对应于第一电极，并且其中第二区域对应于第二电极；并且
其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片。
2.如权利要求1所述的MEMS结构，其中第一区域位于所述薄膜的中心区域中，并且其中第二区域位于所述薄膜的外围区域中。
3.如权利要求1所述的MEMS结构，其中第一区域位于由边缘环绕的区域上，并且其中第二区域覆在所述基片的一部分上。
4.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板被电气地连接到感测偏压Vsense，其中所述基片被电气地连接到调谐电压Vtune，并且其中所述薄膜被电气地连接到接地。
5.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板被电气地连接到感测偏压Vsense和调谐电压Vtune，并且其中所述薄膜被电气地连接到接地。
6.如权利要求1所述的MEMS结构，其中所述背板包括第一区域和第二区域，其中所述背板的第一区域对应于所述薄膜的第一区域，其中所述背板的第二区域对应于所述薄膜的第二区域，其中所述背板的第一区域被电气地连接到感测偏压Vsense，其中所述背板的第二区域被电气地连接到调谐电压Vtune，并且其中所述薄膜被连接到接地。
7.一种MEMS结构，包括：
基片；
背板；以及
包括可调节通风口的薄膜，
其中所述背板和所述薄膜被机械地连接到所述基片，
其中所述背板是具有第一电极和第二电极的结构化的背板，并且
其中可调节通风口对应于第二电极而不对应于第一电极。
8.如权利要求7所述的MEMS结构，其中所述薄膜包括中心区域和外区域，所述外区域环绕所述中心区域，并且其中可调节通风口位于所述外区域中。
9.如权利要求7所述的MEMS结构，其中可调节通风口被配置为如果受激励则向所述基片移动。
10.如权利要求7所述的MEMS结构，其中可调节通风口被配置为如果受激励则向所述背板移动。
11.如权利要求7所述的MEMS结构，其中可调节通风口包括悬臂，并且其中所述悬臂没有通风口。
12.如权利要求7所述的MEMS结构，其中可调节通风口包括悬臂，并且其中所述悬臂包括通风口。
13.如权利要求7所述的MEMS结构，其中所述可调节通风口包括多个可调节通风口，并且其中可调节通风口以等距的距离放置地设置在所述薄膜的外围中。
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