CN103252847B - 气刀 - Google Patents

Abstract

气刀，由下腔板与上盖板装配而成，下腔板内部设有上部开口的气腔室，下腔板与气腔室连通的壁上设有进气口，下腔板带有斜面一，斜面一通过基准面一过渡到上端面，上端面上设有安装孔；还包括上盖板，上盖板的下端面与下腔板的上端面配合安装且二者之间装有调整垫片，调整垫片的宽度小于上端面的宽度，使下端面与上端面之间留有缝隙，所述缝隙形成出气口；上盖板上设有通孔，通孔与安装孔位置对应；上盖板带有斜面二，斜面二通过基准面二过渡到下端面；斜面一、基准面一、出气口、基准面二及斜面二构成预压凸台。本发明结构简单，能对晶粒的裂片部位产生前后预压作用，从而可避免晶粒错位挤压，保证裂开部位不产生翘起破坏。

Description

气刀

技术领域

本发明涉及气刀装置，尤其涉及适用于裂片装置中的气刀。

背景技术

气刀，也称作风刀，是最常用的干燥设备之一，广泛应用于各种工业领域中，用于吹气除尘、去液干燥、降温冷却。气刀结构通常包括进气口、气腔室以及排气口等，进气口通常位于底面中央或两侧，排气口通常为至少一条缝隙或至少一排小孔结构。现有技术中的风刀通常是作为一种干燥装置使用，其结构的改进也是针对排气口处的气幕的大小和流速的调节方面，为使排气口的气幕流速均匀稳定，而将气刀运用到半导体制程中的裂片工艺技术领域的改进相对较少。风吹式裂片机用于半导体制程中的裂片工艺中，用来实现晶粒从晶圆上的最终分离，由于裂片机与晶圆间隔一定距离，为非接触式分离，从而避免了晶粒玻璃碎片对晶粒的二次损伤，然而裂片机中的气刀与晶圆间距很小，而且晶圆厚度本身存有一定误差，这使得气刀底端很容易对裂开后的晶粒造成挤压或者翘起破坏。

发明内容

本申请人针对现有技术中的上述缺点进行改进，提供一种气刀，其结构简单，能对晶圆晶粒进行前后预压，避免晶粒错位挤压和翘起破坏，从而提高裂片良率。

本发明的技术方案如下：

气刀，包括进气口、出气口以及与进气口和出气口均连通的气腔室，气腔室设置在下腔板内部，气腔室带有上部开口，并沿着下腔板的长度方向延伸；下腔板与气腔室连通的壁上设有进气口；下腔板带有斜面一，斜面一通过基准面一过渡到上端面，气腔室设置在靠近基准面一侧；上端面上设有安装孔；还包括上盖板，上盖板的下端面与下腔板的上端面配合安装，在上端面与下端面之间装配有调整垫片，调整垫片的宽度小于上端面的宽度，调整垫片的装配，使下端面与上端面之间留有缝隙，所述缝隙形成出气口；上盖板上设有通孔，通孔与安装孔位置对应；上盖板带有斜面二，斜面二通过基准面二过渡到下端面；斜面一、基准面一、出气口、基准面二及斜面二构成预压凸台。

其进一步技术方案为：

所述进气口包括下腔板两侧的进气口一和开有安装孔一侧的进气口二。

所述斜面一与基准面一、斜面二与基准面二成锐角设置。

所述下腔板带有固定侧，固定侧与基准面一相对，固定侧上设置有固定孔。

所述气腔室的内侧腔壁上喷涂有降噪材料。

本发明的技术效果：

本发明结构简单，通过在狭缝出气口处预压凸台的设置，在裂片时压缩空气带动周围气流在预压凸台处汇合并形成高速、高容量的气流后吹向晶圆面，能对晶圆上晶粒的裂片部位产生前后预压作用，从而可避免晶粒错位挤压，保证裂开部位不产生翘起破坏，提高裂片良率。

附图说明

图1为本发明的立体图。

图2为图1的A-A剖视图。

图3为图2中Ⅰ部的放大图。

图4为下腔板的立体图。

图5为下腔板的的侧视图。

图6为上盖板的立体图。

图7为上盖板的侧视图。

具体实施方式

下面结合附图，说明本发明的具体实施方式。

见图1、图2、图3，本发明由下腔板3与上盖板4装配而成，包括进气口1、出气口2以及与进气口1和出气口2均连通的气腔室31，气腔室31设置在下腔板3内部，下腔板3与上盖板4之间装配有垫片5，调整垫片5的宽度小于下腔板3的宽度，调整垫片5的装配，使下腔板3与上盖板4之间留有缝隙，所述缝隙形成出气口2。

见图4、图5，气腔室31带有上部开口，并沿着下腔板3的长度方向延伸，下腔板3与气腔室31连通的壁上设有进气口1，下腔板3带有斜面一33，斜面一33通过基准面一34过渡到上端面32，斜面一33与基准面一34成锐角设置；气腔室31设置在靠近基准面34一侧，上端面32上设有安装孔35；进气口1包括下腔板1两侧的进气口一11和开有安装孔35一侧的进气口二12；下腔板3带有固定侧36，固定侧36与基准面一34相对，固定侧上设置有固定孔37。

见图6、图7，上盖板4包括下端面41，下端面41与下腔板3的上端面32配合安装，上盖板4上设有通孔42，通孔42与安装孔35位置对应；上盖板4带有斜面二43，斜面二43通过基准面二44过渡到下端面41，斜面二43与基准面二44成锐角设置。

调整垫片（5）装配在上端面32与下端面41之间，调整垫片5的宽度小于上端面32的宽度，调整垫片5的装配，使上盖板2的下端面41与下腔板3的上端面32之间留有缝隙，所述缝隙形成出气口2。

见图1，斜面一33、基准面一34、出气口2、基准面二44及斜面二43构成预压凸台6。

本发明的运行过程如下：

本发明通过下腔板2固定侧36上的固定孔37与主机设备固定装配。本发明工作时，外部压缩气体经过除尘、除水、调压等预先处理后从进风口1进入气腔室31，可以选择从进风口一11或者从进风口二12进入气腔室31，气流进入气腔室31后，吸附在气腔室31轮廓的表面，于是在气腔室31中心产生一低压区，因而周围的空气被吸入，初始进入的气流和周围气流汇合后就形成高速、高容量的气流，最终从狭缝出气口2吹向晶圆面，这是空气放大效应的体现，由于空气的放大效应，初始进入气腔室31的压缩空气会带动周围空气进入出气口2的狭缝中，并吸附在基准面一34、基准面二44上。

半导体制程中，裂片机气刀与待切割分离的晶圆间距很小，而且晶圆厚度本身存在一定误差，这使得气刀底端很容易对裂开后的晶圆造成挤压或者翘起破坏。本发明中，通过斜面一33、基准面一34、出气口2、基准面二44及斜面二43构成的预压凸台6，可以引导周围空气进入出气口2的狭缝中并吸附在基准面一34与基准面二44组成的平台上，从而在裂片时给与晶圆一定预压，这能够保证在晶圆的裂片部位产生预压作用，当压缩空气从出气口2垂直吹向晶圆面时，保证晶圆的裂开部位平直稳定，同时不对周围晶圆产生挤压破坏。当气刀从切断部位经过时，预压凸台6后端的预压作用可以保证切断后的晶粒整体在气刀以下，从而保证裂开部位不产生翘起破坏。

   预压凸台6由斜面一33、基准面一34、出气口2、基准面二44及斜面二43装配而成，预压凸台6的底端，即基准面一34与基准面二44组成的平台可以是一个平面，也可以高低错位而不成一个平面，即下端面41与上端面32的宽度不一致，这根据晶圆的晶粒尺寸来设计，以适应多种产品的需求。见图2，图2中所示的预压凸台6是一个平面。一般对大颗粒晶粒而言，预压凸台6的底端是一个平面，而对小颗粒晶粒，预压凸台6的底端有高低错位而不成一个平面。

气腔室31的内侧腔壁上喷涂有降噪材料，可以吸附进气口1处的气流在气腔室31中运动产生的噪声，降低气刀工作时产生的噪声。

以上描述是对本发明的解释，不是对发明的限定，本发明所限定的范围参见权利要求，在本发明的保护范围之内，可以作任何形式的修改。

Claims (5)

1. 气刀，包括进气口（1）、出气口（2）以及与进气口（1）和出气口（2）均连通的气腔室（31），其特征在于：气腔室（31）设置在下腔板（3）内部，气腔室（31）带有上部开口，并沿着下腔板（3）的长度方向延伸；下腔板（3）与气腔室（31）连通的壁上设有进气口（1）；下腔板（3）带有斜面一（33），斜面一（33）通过基准面一（34）过渡到上端面（32），气腔室（31）设置在靠近基准面（34）一侧；上端面（32）上设有安装孔（35）；还包括上盖板（4），上盖板（4）的下端面（41）与下腔板（3）的上端面（32）配合安装，在上端面（32）与下端面（41）之间装配有调整垫片（5），调整垫片（5）的宽度小于上端面（32）的宽度，调整垫片（5）的装配，使下端面（41）与上端面（32）之间留有缝隙，所述缝隙形成出气口（2）；上盖板（4）上设有通孔（42），通孔（42）与安装孔（35）位置对应；上盖板（4）带有斜面二（43），斜面二（43）通过基准面二（44）过渡到下端面（41）；斜面一（33）、基准面一（34）、出气口（2）、基准面二（44）及斜面二（43）构成预压凸台（6）。

2.按权利要求1所述的气刀，其特征在于：所述进气口（1）包括下腔板（1）两侧的进气口一（11）和开有安装孔（35）一侧的进气口二（12）。

3.按权利要求1所述的气刀，其特征在于：所述斜面一（33）与基准面一（34）、斜面二（43）与基准面二（44）成锐角设置。

4.按权利要求1所述的气刀，其特征在于：所述下腔板（3）带有固定侧（36），固定侧（36）与基准面一（34）相对，固定侧上设置有固定孔（37）。

5.按权利要求1所述的气刀，其特征在于：所述气腔室（31）的内侧腔壁上喷涂有降噪材料。