CN103222079A - 光电子半导体器件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 111
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 11
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 27
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件具有：-载体膜（1），所述载体膜具有第一表面（11）和与第一表面（11）相对置的第二表面（12）；-至少一个导电的接触层（2），所述接触层设置在第一表面（11）上，局部地覆盖第一表面（11）并且包含至少一种金属；-至少一个发射辐射的光电子半导体组件（3），所述光电子半导体组件设置在导电的接触层（2）的背离载体膜（1）的外部面（21）上，其中，-发射辐射的光电子半导体组件（3）导电地与所述至少一个导电的接触层（2）连接，-载体膜（1）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且，-聚合物的至少一个单体形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。
Description
技术领域
提出一种光电子半导体器件以及一种具有这种光电子半导体器件的信号灯。
发明内容
待实现的目的在于，提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件可柔性地使用，并且其中避免了在光电子半导体器件运行期间器件上的材料损伤。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个载体膜（英语：carrier foil），其中载体膜具有第一表面和与第一表面相对置的第二表面。载体膜能够是机械稳定的载体，在载体的第一和/或第二表面上能够设置和固定半导体器件的组件。换言之，能够获得下述载体膜，所述载体膜是自承载式的并且是用于组件的稳定的安装基底和/或承载基底。这能够意味着，载体膜自身在半导体器件中不需要其它的固定措施和稳固措施。例如，载体膜是柔性的，例如可卷起和/或展开。优选地，载体膜在其卷起或弯曲的区域中既不具有断裂处也不具有凹凸处等。
第一表面和第二表面是载体膜的外部面的部分。在此，第二表面在载体膜的安装状态下能够朝向接触载体，例如朝向电路板。例如，第二表面是安装面，所述安装面能够用于将光电子半导体器件安装在接触载体上。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个导电的接触层，所述接触层设置在第一表面上，局部地覆盖第一表面并且包含至少一种金属。这能够意味着，导电的接触层直接地施加到载体膜的第一表面上并且在这些部位上与第一表面直接地接触。在此，导电的接触层能够由彼此分离并且彼此电绝缘的多个单个部段形成。例如，所述单个部段通过载体膜而彼此电绝缘。
根据至少一个实施形式，至少一个其它的导电的接触层至少局部地覆盖载体膜的第二表面。在这种情况下，在器件的侧向剖面图中，载体膜设置在这两个接触层之间。例如，导电的接触层的材料和所述其它的导电的接触层的材料是相同的。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个发射辐射的光电子半导体组件，所述光电子半导体组件设置在导电的接触层的背离载体膜的外部面上。例如，发射辐射的光电子半导体组件是发射辐射的半导体芯片。例如，半导体芯片是发光二极管芯片。发光二极管芯片能够是照明二极管芯片或激光二极管芯片。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，发射辐射的光电子半导体组件导电地与至少一个导电的接触层连接。为此，例如能够将发射辐射的光电子半导体组件直接地施加到、例如粘贴到导电的接触层的背离载体膜的外部面上。导电的接触层用于电接触发射辐射的光电子半导体组件。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中所述聚合物的至少一个单体形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。也就是说，所述聚合物的至少一个单体的至少一个氟原子是化学基本元素并且不仅是所述单体的可选的、可取代的化学添加元素。例如，用于构成聚合物的氟包含在聚合物的每个单体中。对于聚合物是共聚物的情况，也能够形成具有至少一个C-F键的聚合物单体类型的仅一个或多个单体。换言之，氟用于构成聚合链，所述聚合链形成载体膜的材料。
根据至少一个实施形式，光电子半导体器件包括载体膜，所述载体膜具有第一表面和与第一表面相对置的第二表面。此外，光电子半导体器件包括至少一个导电的接触层，所述接触层设置在第一表面上，局部地覆盖第一表面并且包含至少一种金属。此外，光电子半导体器件包括至少一个发射辐射的光电子半导体组件，所述光电子半导体组件设置在导电的接触层的背离载体膜的外部面上，其中发射辐射的光电子半导体组件导电地与至少一个导电的接触层连接。载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，并且C代表碳和F代表氟。
在此，此处描述的光电子半导体器件此外基于下述知识：光电子半导体器件的设置有发射辐射的光电子半导体组件的载体元件能够通过由发射辐射的光电子半导体组件发射的电磁辐射而受到损坏。如果这种载体元件例如由环氧树脂形成，那么射到载体元件上的例如在波长小于460nm的波长范围中的电磁辐射能够导致载体元件中或载体元件处的腐蚀性的分解产物，所述腐蚀性的分解产物例如在光电子半导体器件运行期间能够导致载体处的、发射辐射的光电子半导体组件的焊接部位处的以及半导体组件自身处的损害。附加地，这种载体元件仅具有低的耐温性、耐辐射性和耐候性。例如在短的运行持续时间之后对于外部观察者而言，不仅载体元件、而且发射辐射的光电子半导体组件就已发黄和/或呈现褐色变色。
虽然能够例如通过将陶瓷的载体材料用于所述载体元件来避免这种腐蚀性的分解产物，当然陶瓷的载体材料仅示出有限的柔性特性并且此外是成本不太合适的。
现在为了提出下述光电子半导体器件：其中避免了所述造成干扰的腐蚀性的分解产物，所述光电子半导体器件具有高的耐温性、耐辐射性和耐候性并且在此同时不仅是可柔性使用的而且在其制造中是成本合适的，那么在此描述的光电子半导体器件此外使用下述思想：提供载体膜，所述载体膜由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，其中聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。有利地，这种由氟形成的聚合物作为用于载体膜的材料在电磁辐射射入到其上时既不示出发黄也不示出造成干扰的褐色变色。也就是说，在由这种材料形成的载体膜中避免了造成干扰的腐蚀性的分解产物。此外，用于载体膜的所述材料示出柔性的机械特性。例如，载体膜根据光电子半导体器件的需求和应用能够卷起或者以可预设的方式弯曲。此外，这种材料在电磁辐射射入时示出低的气体排放率。此外，通过在此描述的载体膜，能够通过卷到卷（也称作reel-to-reel，卷对卷）实现尽可能成本合适的制造或者实现将半导体组件稳固安装在导电的接触层上。同时，对于半导体组件的脉冲运行能够实现快速的开关周期。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，发射辐射的光电子半导体组件在运行时产生电磁辐射，所述电磁辐射射到载体膜的第一表面上，其中第一表面由聚合物形成。载体膜具有竖直伸展。载体膜的外部面尤其通过第一表面和第二表面形成，其中在运行时电磁辐射主要射到载体膜的第一表面上。载体膜的主体、第一表面和第二表面在此构成外部面，并且至少通过相同的聚合物形成或者至少包含相同的聚合物。换言之，载体膜的外部面没有通过另一种尤其抗辐射的材料、例如金属膜而受到保护。也就是说，载体膜也在其外部面上包括聚合物，所述聚合物本身尤其对于蓝光和/或UV辐射是尤其抗辐射的。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，载体膜构成为是反射的并且尤其显现出白色。载体膜除聚合物之外例如还包括颗粒，所述颗粒此外能够对电磁辐射起反射作用。颗粒在此至少局部地掺入聚合物，并且在载体膜中尤其均匀地分布。在本文中“均匀地”可以理解为，在载体膜之内没有出现颗粒的局部聚集。换言之，颗粒均布地通过载体膜分布。颗粒例如至少由下述材料中的一种组成或者包含下述材料中的一种：TiO2、BaSO4、ZnO、AlxOy、ZrO2。其中ZrO2对于蓝光具有尤其小的吸收特性，也就是非常好的反射特性。此外，载体膜尤其显现出白色。特别地，载体膜在光电子半导体器件的整个使用寿命期间显现出白色，因为所述载体膜是尤其耐温、耐辐射和耐候的，并且在运行时不改变其颜色。特别地，载体膜可抵抗在小于460nm的波长范围中的电磁辐射。换言之，载体膜在运行时没有发黄和/或呈现褐色变色，即使电磁辐射直接地射到载体膜上。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，聚合物由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种：聚四氟乙烯、全氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯。示出：上述材料在电磁辐射射入时是尤其耐腐蚀的，并且此外具有所期望的柔性的材料特性。
根据至少一个实施形式，载体膜具有至多为500μm、优选至多为125μm的层厚度。这样的厚度范围保证了：保持载体膜的柔性的机械特性，并且光电子半导体器件在竖直方向上、也就是垂直于光电子半导体器件的主延伸方向具有小的伸展。这种光电子半导体器件因此构成为是尤其扁平且节约空间的。
根据至少一个实施形式，导电的接触层由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种：Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd。
根据至少一个实施形式，光电子半导体器件包括在竖直方向上相叠设置的至少两个载体膜，其中在竖直方向上在载体膜之间设置至少一个接触层或者至少一个其它的接触层。例如，载体膜和接触层或其它的接触层在竖直方向上相互交替。在这种情况下，载体膜和接触层相叠地、例如堆叠状地设置。
根据至少一个实施形式，在接触层的背离载体膜的外部面上并且在其它的接触层的背离载体膜的外部面上分别设置多个光电子半导体组件，其中半导体组件在竖直方向上至少局部地相互重叠。例如，在接触层的外部面上设置的半导体组件同与其相关联的、在其它的接触层的外部面上、也就是在对面设置的半导体组件完全地重叠。在这种情况下，每两个半导体器件能够关于作为主轴线的横向方向构成对称的器件组。有利地，能够尤其柔性地使用所述光电子半导体器件，因为对于外部观察者而言，半导体器件不仅在朝向第一表面的观察方向上而且在朝向第二表面的观察方向上具有尽可能相互均衡的照明性能。
根据至少一个实施形式，导电的接触层的厚度至多为载体膜的厚度。导电的接触层的所述厚度上限保证了发射辐射的光电子半导体组件一方面是可容易地电接触的，并且另一方面光电子半导体器件具有尽可能小的垂直方向上的伸展。
根据至少一个实施形式，当在50Hz到至多1kHz的频率范围中的电磁辐射射到载体膜上时，载体膜的介电常数在CGS（Centimeter-Gram-Second，厘米-克-秒）单位制中至少为0.2并且至多为2.2。也就是说，这种载体膜由于低的介电常数对于电场和/或射到载体膜上的电磁辐射具有尤其低的穿透性。特别地，所述介电常数能够通过在上文中描述的用于载体膜的材料来实现。在此，小的介电常数能够保证：由发射辐射的光电子半导体组件发射的电磁辐射尽可能少地穿透载体膜以及例如经由载体膜的第二表面、也就是在背侧从光电子半导体器件耦合输出。就此而言，借助于这种载体膜能够将由半导体组件发射的尽可能高的辐射份额用于物理应用。
根据至少一个实施形式，当频率为1MHz的电磁辐射射到载体膜上时，载体膜具有至少为0.6×10-4并且至多为0.8×10-4的介质损耗因数tan(δ)。所述介质损耗因数保证：电磁辐射尽可能少地被载体膜吸收，并且在所述情况下例如对于光电子半导体器件的物理应用也能够提供由半导体组件发射的电磁辐射的尽可能高的份额，并且使其变得可用。在这种情况下，所述介质损耗因数也能够通过在上文中描述的用于载体膜的材料来实现。
根据至少一个实施形式，导电的接触层在第一表面上构成至少一个第一接触部位和至少一个第二接触部位，其中发射辐射的光电子半导体组件经由这两个接触部位导电地连接或者是可接触的。如果例如在导电的接触层的背离载体膜的外部面上设置多个发射辐射的光电子半导体组件，那么每个半导体组件能够关联有第一接触部位和至少一个第二接触部位。对此，例如分别将半导体组件施加、例如粘贴或焊接到第一接触部位上。在此，第一接触部位构成用于半导体组件的第一电接触部。第二接触部位能够构成用于半导体组件的第二电接触部，其中第二接触部位例如借助于接触接合线与半导体组件电接触。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件具有至少两个连接部位，所述连接部位设置在载体膜的第二表面上并且导电地与接触部位连接。换言之，连接部位和接触部位分别在载体膜的相对置的两侧上设置在载体膜上。例如，每个接触部位与至少一个连接部位相关联。例如，发射辐射的光电子半导体组件的外部电接触经由连接部位的电接触而出现。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件具有在载体膜中的至少两个穿通接触部，所述穿通接触部从第一表面开始沿朝向第二表面的方向完全地延伸穿过载体膜，其中至少一个穿通接触部将与所述穿通接触部相关联的接触部位同与所述接触部位相关联的至少一个连接部位导电地连接。例如，穿通接触部通过引入到载体膜中的至少一个开口形成，在所述开口中至少局部地设置能导电的材料。开口具有至少一个连续且连贯的侧面，所述侧面局部地或者完全地通过载体膜形成。侧面从第一表面开始沿朝向第二表面的方向完全地延伸穿过载体膜。例如，能导电的材料不仅与接触部位直接接触、而且与同所述接触部位相关联的连接部位直接接触。例如，能导电的材料是金属和/或能导电的粘接剂。换言之，连接部位、穿通接触部和与连接部位相关联的接触部位形成用于电接触发射辐射的光电子半导体组件的接触部组。
根据至少一个实施形式，每个接触部位同与其相关联的连接部位直接地导电连接。也就是说，接触部位和与其相关联的连接部位一起形成整体并且和所述连接部位构成为是连贯的。“直接地”在本文中指的是，在连接部位和与所述连接部位相关联的接触部位之间建立导电的连接，而例如没有在连接部位和接触部位之间设置导体框。例如，对此在同一方法步骤中将连接部位和接触部位施加到载体膜的外部面上。例如，连接部位和接触部位由相同的材料形成。
此外，提出一种信号灯。
根据至少一个实施形式，信号灯包括在此处描述的实施形式中的一个或多个中说明的至少一个光电子半导体器件。也就是说，针对在此描述的光电子半导体器件阐述的特征也对在此描述的信号灯是公开的，并且反之亦然。
根据至少一个实施形式，信号灯包括至少一个投影面，从光电子半导体器件耦合输出的电磁辐射射到所述投影面上。例如，投影面是至少部分地可辐射穿透的灯罩。例如，将所述灯罩集成到信号灯的反射方向和/或辐射耦合输出方向中。从光电子半导体器件耦合输出的光能够射到投影面上，并且从所述投影面至少部分地从信号灯耦合输出。
例如，信号灯是机动车前照灯或者用在机动车前照灯中。
同样，信号灯能够是机动车尾灯或者用在机动车尾灯中。
此外，信号灯能够是阅读灯或者用在阅读灯中。
附图说明
在下文中，根据实施例和与其相应的附图进一步阐明在此描述的光电子半导体器件。
图1A、1B、2A和2B示出在此描述的光电子半导体器件的实施例的示意图。
图3A和3B示出在此描述的信号灯的实施例的示意图。
在实施例和附图中，相同的或起相同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。示出的元件不视为是按照比例的，相反地，为了更好的理解能够夸大地描述各个元件。
具体实施形式
在图1A中，在示意的侧视图中示出在此描述的具有载体膜1的光电子半导体器件100。载体膜1具有第一表面11和与第一表面11相对置的第二表面12。在此，载体膜1由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物。在本文中，聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。特别地，聚合物能够为下述材料，所述材料由下列材料中的至少一种形成或者包含下列材料中的至少一种：聚四氟乙烯、全氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯。载体膜1具有至多500μm、优选至多125μm的层厚度D1。当在至少50Hz到至多1kHz的频率范围中的电磁辐射射到载体膜1上时，载体膜1的介电常数ε在CGS单位制中至少为2.0并且至多为2.2。在此，当频率为1MHz的电磁辐射射到载体膜1上时，介质损耗因数tan(δ)至少为0.6×10-4并且至多为0.8×10-4。
此外，在第一表面11上设置导电的接触层2，所述接触层局部地覆盖第一表面11，并且由下列材料中的至少一种形成或者包括下列材料中的至少一种：Cu，Ag，Au，Ni，Pt，Pd。在此，导电的接触层2构成接触部位2A和2B，所述接触部位在横向方向L上并排并且彼此间隔地设置在载体膜1的第一表面11上。“横向方向”在本文中是指平行于光电子半导体器件100的主延伸方向的方向。在接触部位2A的背离载体膜1的外部面21上设置发射辐射的光电子半导体组件3。接触接合线6建立了第二接触部位2B和半导体组件3之间的导电的连接。换言之，半导体组件3经由这两个接触部位2A和2B导电地接触。在每个接触部位2A和2B下方，沿竖直方向V将穿通接触部4施加到载体膜1中，所述穿通接触部从第一表面11开始沿朝向第二表面12的方向连续地延伸穿过载体膜1。每个接触部位2A和2B关联有至少一个穿通接触部4。换言之，接触部位2A和2B在竖直方向V上至少局部地同与其相关联的穿通接触部4重叠。在竖直方向V上通过穿通接触部4，分别将连接部位A1和A2设置在载体膜1的第二表面12上。在本文中，连接部位A1和A2、穿通接触部4以及接触部位2A和2B分别构成接触部组。换言之，分别借助于至少一个穿通接触部4来建立在连接部位A1、A2和分别与连接部位A1、A2相关联的接触部位2A、2B之间的导电的连接。也就是说，发射辐射的光电子半导体组件3经由连接部位A1、A2是能够从外部电接触的。
此外，接触部位2A、2B具有厚度D2，所述厚度至多为载体膜1的厚度D1。这保证了光电子器件100具有在竖直方向V上尽可能小的伸展。因此，这种光电子半导体器件100是扁平的并且是节约空间的。
在图1B中，在示意的俯视图中示出在图1A中示出的光电子器件100。另一方面能够观察到第一表面11和设置在第一表面11上的接触部位2A和2B，其中当前放弃了对接触接合线6进行描述。
在图2A中，在示意的侧视图中示出在此描述的光电子半导体器件100的另一个实施例。不同于在图1A和1B中示出的实施例，在图2A所示出的实施例中，舍弃了穿通接触部4。替代地，每个接触部位2A、2B同与其相关联的连接部位A1、A2直接地导电连接。也就是说，接触部位2A、2B和与其相关联的连接部位A1、A2分别连续且连贯地构成。换言之，接触部位2A、2B和与其相关联的连接部位A1、A2形成整体。对此，接触部位2A和2B分别从第一表面11开始沿彼此远离的方向沿着载体膜1的两个表面11和12引导，并且直接地、也就是说在没有中断的情况下通到分别与其相关联的连接部位A1、A2中。换言之，通过接触部位2A和2B以及连接部位A1、A2构成的接触部组G1和G2至少局部地侧向包围载体膜1。
在图2B中，在示意的俯视图中示出在图2A中描述的光电子半导体器件100的实施例。在此，另一方面能够观察到接触部组G1和G2，所述接触部组侧向包围载体膜1。
图3A和3B在示意的侧视图中示出在此描述的信号灯200。信号灯200具有光电子半导体器件100。光电子半导体器件100朝向投影面201的方向发射可预设强度的电磁辐射。例如，投影面201由玻璃或者由辐射可穿透的塑料形成。从光电子半导体器件100发射的电磁辐射至少部分地经由投影面201从信号灯200耦合输出。不仅光电子半导体器件100、而且投影面201在横向于光电子半导体器件100的辐射射出方向45的方向上由至少一个反射体202限界，其中反射体202将射到其上的电磁辐射至少部分地转到朝向投影面201的方向上。例如，反射体202是光导元件或者至少是光导元件的一部分。在所述情况下，反射体202能够是光导体或者是光导体的一部分。
在图3B中，沿着从投影面201开始朝向光电子半导体器件100、也就是与辐射射出方向45相反的方向示出信号灯200。另一方面用虚线示出光电子半导体器件100，所述光电子半导体器件由投影面201遮盖。例如，在图3A和3B中描述的信号灯200是机动车前照灯、照明设备、机动车尾灯或者是阅读灯。
本发明不局限于根据实施例进行的描述。相反地，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或在实施例中说明时也如此。
本申请要求德国专利申请102010051959.6的优先权，其公开内容在此通过参引并入本文。
Claims (15)
1.光电子半导体器件（100），具有：
-至少一个载体膜（1），所述载体膜具有第一表面（11）和与所述第一表面（11）相对置的第二表面（12）；
-至少一个导电的接触层（2），所述导电的接触层设置在所述第一表面（11）上、局部地覆盖所述第一表面（11）并且包含至少一种金属；
-至少一个发射辐射的光电子半导体组件（3），所述光电子半导体组件设置在所述导电的接触层（2）的背离所述载体膜（1）的外部面（21）上，其中
-所述发射辐射的光电子半导体组件（3）导电地与所述至少一个导电的接触层（2）连接，
-所述载体膜（1）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且
-所述聚合物的单体分别形成有至少一个C-F键，其中C代表碳并且F代表氟。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件（100），
其中由所述发射辐射的光电子半导体组件（3）在运行中产生的电磁辐射射到所述载体膜（1）的所述第一表面（11）上，其中所述第一表面（11）由所述聚合物形成。
3.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述载体膜（1）构成为是反射的并且尤其显现出白色。
4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述聚合物由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种：聚四氟乙烯、全氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚三氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述载体膜（1）具有至多500μm的层厚度（D1）。
6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述导电的接触层（2）由下述材料中的至少一种形成或者包含下述材料中的至少一种：Cu、Ag、Au、Ni、Pt、Pd。
7.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述导电的接触层（2）的厚度（D2）至多为所述载体膜（1）的厚度（D1）。
8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中当在至少50Hz到至多1kHz的频率范围中的电磁辐射射到所述载体膜（1）上时，所述载体膜（1）的介电常数（ε）在CGS单位制中至少为2.0并且至多为2.2。
9.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中当频率为1MHz的电磁辐射射到所述载体膜（1）时，所述载体膜（1）具有至少为0.6×10-4并且至多为0.8×10-4的介质损耗因数（tan(δ)）。
10.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件（100），
其中所述导电的接触层（2）在所述第一表面（11）上构成至少一个第一接触部位（2A）和至少一个第二接触部位（2B），其中所述发射辐射的光电子半导体器件（3）经由这两个接触部位（2A，2B）是导电连接的和/或可接触的。
11.根据权利要求10所述的光电子半导体器件（100），
所述光电子半导体器件具有至少两个连接部位（A1，A2），所述连接部位设置在所述载体膜（1）的所述第二表面（12）上并且导电地与所述接触部位（2A，2B）连接。
12.根据权利要求10至11之一所述的光电子半导体器件（100），
所述光电子半导体器件具有在所述载体膜（1）中的至少两个穿通接触部（4），所述穿通接触部从所述第一表面（11）开始沿朝向所述第二表面（12）的方向完全地延伸穿过所述载体膜（1），其中至少一个穿通接触部（4）将与所述穿通接触部（4）相关联的接触部位（2A，2B）同与所述接触部位（2A，2B）相关联的至少一个连接部位（A1，A2）导电地连接。
13.根据权利要求10至12之一所述的光电子半导体器件（100），
其中每个接触部位（2A，2B）同与其相关联的连接部位（A1，A2）直接地导电连接。
14.信号灯（200），具有
-根据上述权利要求之一所述的至少一个光电子半导体器件（100），和
-至少一个投影面（201），从所述光电子半导体器件（100）耦合输出的电磁辐射射到所述投影面上。
15.根据权利要求14所述的信号灯（200）作为光源在机动车前照灯、照明设备、机动车尾灯或者阅读灯中的应用。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102010051959.6 | 2010-11-19 | ||
| DE102010051959A DE102010051959A1 (de) | 2010-11-19 | 2010-11-19 | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| PCT/EP2011/069672 WO2012065882A1 (de) | 2010-11-19 | 2011-11-08 | Optoelektronisches halbleiterbauelement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103222079A true CN103222079A (zh) | 2013-07-24 |
Family
ID=44936270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011800555264A Pending CN103222079A (zh) | 2010-11-19 | 2011-11-08 | 光电子半导体器件 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8878170B2 (zh) |
| EP (1) | EP2641278B1 (zh) |
| KR (1) | KR20130105874A (zh) |
| CN (1) | CN103222079A (zh) |
| DE (1) | DE102010051959A1 (zh) |
| WO (1) | WO2012065882A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015076585A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄ照明器具 |
| CN112768593B (zh) * | 2021-01-06 | 2022-06-28 | 南方科技大学 | 一种热电-光电器件 |
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| GB2474827A (en) * | 2009-08-04 | 2011-05-04 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface modification |
-
2010
- 2010-11-19 DE DE102010051959A patent/DE102010051959A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-11-08 CN CN2011800555264A patent/CN103222079A/zh active Pending
- 2011-11-08 EP EP11781788.2A patent/EP2641278B1/de active Active
- 2011-11-08 KR KR1020137015758A patent/KR20130105874A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-11-08 US US13/885,659 patent/US8878170B2/en active Active
- 2011-11-08 WO PCT/EP2011/069672 patent/WO2012065882A1/de active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130307015A1 (en) | 2013-11-21 |
| WO2012065882A1 (de) | 2012-05-24 |
| US8878170B2 (en) | 2014-11-04 |
| EP2641278A1 (de) | 2013-09-25 |
| KR20130105874A (ko) | 2013-09-26 |
| EP2641278B1 (de) | 2017-08-16 |
| DE102010051959A1 (de) | 2012-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130724 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |