CN103219453A - 一种低衰减发光二极管 - Google Patents

一种低衰减发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN103219453A
CN103219453A CN2013101146928A CN201310114692A CN103219453A CN 103219453 A CN103219453 A CN 103219453A CN 2013101146928 A CN2013101146928 A CN 2013101146928A CN 201310114692 A CN201310114692 A CN 201310114692A CN 103219453 A CN103219453 A CN 103219453A
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
chip
fluorescence conversion
led
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013101146928A
Other languages
English (en)
Inventor
严钱军
高康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HANGZHOU HANGKE PHOTOELECTRIC CO Ltd
Hangzhou Hangke Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
HANGZHOU HANGKE PHOTOELECTRIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HANGZHOU HANGKE PHOTOELECTRIC CO Ltd filed Critical HANGZHOU HANGKE PHOTOELECTRIC CO Ltd
Priority to CN2013101146928A priority Critical patent/CN103219453A/zh
Publication of CN103219453A publication Critical patent/CN103219453A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明的低衰减发光二极管包括顶部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆盖包覆层，包覆层上覆盖荧光转化层，在荧光转化层上覆盖一层配光体。该发光二极管的封装结构采用包覆层覆盖芯片，可减小芯片对荧光转化层的光热影响，延缓光衰减并降低颜色漂移的幅度；荧光转化层缩短了荧光粉的运动路径，可以有效防止荧光粉沉降不均。本发明解决了目前LED封装中光衰大，光斑不均匀、入Bin率低等问题。

Description

一种低衰减发光二极管
技术领域
本发明涉及一种低衰减发光二极管(LED)。
背景技术
LED照明作为一种全新的照明方式，正在渗入传统照明领域且大有取而代之的趋势，它因具有低功耗、长寿命、反应速度快等优点而越来越受大众的认可。
目前LED封装工艺中，光转换方式多采用荧光粉与有机树脂材料混合后点胶的方式，涂布在芯片上面，然后再采用环氧、硅橡胶等进行产品封装以完成对器件的机械、湿热等保护措施。
在荧光粉与环氧、硅橡胶等有机材料进行混合时，荧光粉会在胶内沉降造成生产良率降低和光斑不均匀；同时胶体直接覆盖在芯片上，受芯片的发热量影响，环氧、硅橡胶等有机材料容易劣化，造成LED产品光衰减、颜色漂移、寿命变短等问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种低衰减发光二极管。
本发明的低衰减发光二极管包括顶部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆盖包覆层，包覆层上覆盖荧光转化层，在荧光转化层外连同支架的上部包裹一层配光体，或者在荧光转化层上覆盖一层配光体。
上述芯片的发光波长为350～470nm。
本发明中，所说的包覆层可以是纳米TiO2、ZrO2、Al2O3、SiO2和CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
本发明中，所说的荧光转化层可以是荧光粉和环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
上述荧光粉种类可为钇铝石榴石、铽铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸盐、氮化物和氮氧化物中的一种或几种。
本发明中，所说的配光体是半球状或长方体状或椭球体状的环氧树脂或聚碳酸酯或玻璃，其折射率为1.4～1.5。
本发明的有益效果是：
本发明的发光二极管采用包覆层覆盖芯片，可减小芯片对荧光转化层的光热影响，延缓光衰减并降低颜色漂移的幅度；荧光转化层缩短了荧光粉的运动路径，可以有效防止荧光粉沉降不均。本发明解决了目前LED封装中光衰大，光斑不均匀、入Bin率低等问题。本发明结构可用于各种发光二极管(直插式LED、贴片式LED及大功率LED、COB产品)的生产。
附图说明
图1为本发明的发光二极管结构示意图。
图2为本发明的另一种发光二极管结构示意图。
图中，1.芯片，2.支架，3.包覆层，4.荧光转化层，5.配光体。
具体实施方式
以下结合附图进一步对本发明进行描述。
图1所示为直插式发光二极管，该发光二极管的封装结构包括顶部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片1，芯片1上覆盖包覆层3，包覆层3上覆盖荧光转化层4，在荧光转化层4外连同支架的上部包裹一层配光体5。
图2所示为直插式发光二极管，该发光二极管的封装结构包括顶部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片1，芯片1上覆盖包覆层3，包覆层3上覆盖荧光转化层4，在荧光转化层4上覆盖一层配光体5。
包覆层可以是纳米TiO2、ZrO2、Al2O3、SiO2和CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
所说的荧光转化层可以是荧光粉和环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
配光体5可采用灌胶的方式形成的半球状或长方体状或椭球体状的环氧树脂或聚碳酸酯或玻璃，其折射率为1.4～1.5。
以上列举的仅是本发明的具体实施例子。显然，本发明不限于以上实施例子，在本发明的精神和权利要求的保护范围内，对本发明作出的任何修改和改变，均应认为是本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种低衰减发光二极管，其特征在于包括顶部具有凹槽的支架(2)，在支架的凹槽中固定有芯片(1)，芯片(1)上覆盖包覆层（3），包覆层（3）上覆盖荧光转化层（4），在荧光转化层（4）外连同支架的上部包裹一层配光体（5），或者在荧光转化层（4）上覆盖一层配光体（5）。
2.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的芯片(1)的发光波长为350～470nm。
3.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的包覆层（3）是纳米TiO2、ZrO2、Al2O3、SiO2和CaCO3中的一种或几种与环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
4.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的荧光转化层（4）是荧光粉和环氧树脂、硅树脂、环氧-有机硅复合树脂、无机改性环氧树脂或无机改性硅树脂的混合物，其折射率为1.5～2.5。
5.根据权利要求5所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的荧光粉种类为钇铝石榴石、铽铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸盐、氮化物和氮氧化物中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种低衰减发光二极管，其特征在于所说的配光体是半球状或长方体状或椭球体状的环氧树脂或聚碳酸酯或玻璃，其折射率为1.4～1.5。
CN2013101146928A 2013-04-03 2013-04-03 一种低衰减发光二极管 Pending CN103219453A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101146928A CN103219453A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种低衰减发光二极管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101146928A CN103219453A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种低衰减发光二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103219453A true CN103219453A (zh) 2013-07-24

Family

ID=48817066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013101146928A Pending CN103219453A (zh) 2013-04-03 2013-04-03 一种低衰减发光二极管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103219453A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928592A (zh) * 2014-04-23 2014-07-16 东南大学 一种可减少色温漂移的白光led封装结构及其制备方法
CN105870307A (zh) * 2016-04-30 2016-08-17 浙江单色电子科技有限公司 一种低光衰紫光led及其制造方法
CN106524077A (zh) * 2016-10-07 2017-03-22 常州市鼎日环保科技有限公司 一种室内灯具荧光罩的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111882A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US20080023714A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Surface mounting device-type light emitting diode
US20090262516A1 (en) * 2008-01-17 2009-10-22 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
CN201623177U (zh) * 2010-01-28 2010-11-03 游文贤 一种发光均匀的led封装结构
CN102237474A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 浙江雄邦节能产品有限公司 一种白光led
CN102339931A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 日东电工株式会社 发光装置用零件、发光装置及其制造方法
WO2012078645A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Dow Corning Toray Co., Ltd. Methods of modifying metal-oxide nanoparticles
CN102649868A (zh) * 2011-02-24 2012-08-29 日东电工株式会社 光学半导体元件外壳包装用树脂组合物和使用其获得的光学半导体发光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111882A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US20080023714A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Surface mounting device-type light emitting diode
US20090262516A1 (en) * 2008-01-17 2009-10-22 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
CN201623177U (zh) * 2010-01-28 2010-11-03 游文贤 一种发光均匀的led封装结构
CN102237474A (zh) * 2010-05-07 2011-11-09 浙江雄邦节能产品有限公司 一种白光led
CN102339931A (zh) * 2010-07-16 2012-02-01 日东电工株式会社 发光装置用零件、发光装置及其制造方法
WO2012078645A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Dow Corning Toray Co., Ltd. Methods of modifying metal-oxide nanoparticles
CN102649868A (zh) * 2011-02-24 2012-08-29 日东电工株式会社 光学半导体元件外壳包装用树脂组合物和使用其获得的光学半导体发光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103928592A (zh) * 2014-04-23 2014-07-16 东南大学 一种可减少色温漂移的白光led封装结构及其制备方法
CN105870307A (zh) * 2016-04-30 2016-08-17 浙江单色电子科技有限公司 一种低光衰紫光led及其制造方法
CN106524077A (zh) * 2016-10-07 2017-03-22 常州市鼎日环保科技有限公司 一种室内灯具荧光罩的制备方法
CN106524077B (zh) * 2016-10-07 2019-01-29 嘉兴市南湖区翊轩塑料五金厂（普通合伙） 一种室内灯具荧光罩的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100671915B1 (ko) 파장변환물질, 및 이를 포함하는 발광 장치와 캡슐화 물질
CN101950788A (zh) 一种基于荧光透镜的功率型白光led
CN103322453A (zh) 一种全空间均匀发光的led光源模组
CN101859759A (zh) 一种白色led光源封装
CN103035820A (zh) 立体led白光器件
CN103219453A (zh) 一种低衰减发光二极管
CN102646674A (zh) 白光led发光装置
CN103292173A (zh) 一种4π发光的LED光源模组
US8921880B2 (en) Light emitting diode light source device
CN201527988U (zh) 一种应用导向型发光二极管器件的封装结构
TWI356514B (en) Light emitting diode package
CN203179951U (zh) 一种发光二极管的封装结构
CN104253199A (zh) 一种led封装结构及其制作方法
CN103343891A (zh) 一种4π发光的LED光源模组
Lee et al. The influence of phosphor sedimentation on the white LEDs with different structure chip
CN205231108U (zh) 一种白光led晶片封装结构
CN208690291U (zh) 一种白光模组封装结构
CN203386804U (zh) 一种紫外及蓝光led双驱动白光照明装置
CN203617337U (zh) Led封装结构
CN103441203A (zh) 一种半导体器件的封装方法及封装结构
CN203165944U (zh) 一种led封装结构
CN201956394U (zh) 一种led照明模块
CN103296182B (zh) 发光二极管灯源装置
CN103137830B (zh) 一种导光棒式白光led封装结构
CN201448655U (zh) 一种发光二极管结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Hangzhou City, Zhejiang province 311122 Yuhang District Xianlin Street Xian Xing Lu 31, No. 33

Applicant after: Hangzhou Hangke Photoelectric Co., Ltd.

Address before: Hangzhou City, Zhejiang province 310011 Dengyun Road No. 425 Lilda Building 5 floor

Applicant before: Hangzhou Hangke Photoelectric Co., Ltd.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130724