CN103208737B - 一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 - Google Patents
一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103208737B CN103208737B CN201210559997.5A CN201210559997A CN103208737B CN 103208737 B CN103208737 B CN 103208737B CN 201210559997 A CN201210559997 A CN 201210559997A CN 103208737 B CN103208737 B CN 103208737B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultraviolet light
- internal layer
- window layer
- sull
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 22
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 8
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用涉及光电技术。制作方法，包括制作内层、制作窗口层，内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积一氧化物，形成内层氧化物薄膜，制成内层；窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积一氧化物，形成窗口层氧化物薄膜，制成窗口层；最后将内层和窗口层叠在一起，淀积有氧化物的面相对，通过使氧化物的化学键再结合，将内层与窗口层连接在一起，制成紫外出光屏。该方法工艺简单，且制得的出光屏出光效率高。<!--1-->
Description
技术领域
本发明涉及光电技术，具体涉及出光屏。
背景技术
目前，半导体紫外光源非常少见，主要是紫外波段半导体材料和器件在制作工艺上存在着很多难以解决的困难。宽禁带半导体材料的p型掺杂非常困难，到了深紫外波段连n型掺杂也变得非常困难；器件的欧姆接触也非常难做，器件效率的降低和寿命的衰减常常是由于糟糕的欧姆接触引起的。
用高能电子束泵浦的方法来产生紫外光源可以避免上述的问题。这种泵浦方法用高能电子束轰击宽禁带半导体材料来产生紫外光，不需要对材料掺杂和做欧姆接触。
为了充分利用入射的高能电子束的能量，垂直入射是最好的方法。为了避免出光被电子枪挡住，透射式出光是最好的出光方式。目前制作透射式出光屏的方法多整个使用石英或紫外玻璃，制作工艺复杂，制作成本高。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用，以解决上述问题。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种紫外出光屏的制作方法，包括制作内层、制作窗口层，其特征在于，所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积一层氧化物，形成内层氧化物薄膜，制成内层；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积一层氧化物，形成窗口层氧化物薄膜，制成窗口层；
最后将内层和窗口层叠在一起，淀积有氧化物的面相对，经过高温、高压退火工艺处理，通过使氧化物的化学键再结合，将内层与窗口层连接在一起，制成紫外出光屏。
本发明避免了整管使用石英或紫外玻璃的困难，简化了制作工艺，降低了制作成本。同时，由于采用了二氧化硅或是三氧化二铝等透紫外的材料，不会影响紫外光的利用效率。
所述紫外光透明衬底可采用蓝宝石或氮化铝制成的透明衬底。在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面在淀积一层氧化物之前先进行减薄、抛光。以改善沉积质量。
内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜所采用的氧化物可以是二氧化硅、三氧化二铝等。内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜最好是采用同种氧化物。允许采用不同种氧化物，只要氧化物的化学键能够结合使内层和窗口层连接在一起即可。内层氧化物薄膜、窗口层氧化物薄膜的厚度范围均优选为一微米到十微米。优选在高温和高压下进行退火的方式，使氧化物的化学键再结合。
所述紫外光透射基板可采用石英、蓝宝石或氮化铝制成的透射基板。
所述半导体材料可以是III-V族半导体材料和/或II-VI族半导体材料。通过生长的半导体种类和生长方式的控制，所述半导体材料可以构成一多层多种式结构，通过选择禁带宽度不同的半导体材料，从而在新组成的材料的能带结构上形成势能阱结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。
为了提高出光强度，可在紫外出光屏的内侧镀上铝或是其他的紫外反射膜。所述紫外反射膜优选是铝膜。
一种通过上述方法制得的紫外出光屏，其特征在于，包括内层、窗口层，所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积有内层氧化物薄膜；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜；
所述内层氧化物薄膜与所述窗口层氧化物薄膜通过化学键连接。
采用上述出光屏的紫外光学系统，包括电子束源、一控制所述电子束源的控制装置、一受电子束激发产生紫外光的靶，其特征在于，所述靶采用紫外出光屏；
所述紫外出光屏包括内层、窗口层，所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积有内层氧化物薄膜；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜；
所述内层氧化物薄膜与所述窗口层氧化物薄膜通过化学键连接。
当电子束照射到紫外出光屏上时，特定的能量可以使它穿过紫外出光屏表面到达能产生紫外光的半导体材料。高能电子束会把能量传递给半导体材料中的束缚电子，从而产生自由的电子--空穴对。在材料结构比较完整的情况下，这样产生出的自由电子--空穴对将复合而产生光子。
所述电子束源的阴极可以是金属、氧化物、各种纳米管等材料。所述控制装置控制电子束源产生扫描电子束、脉冲电子束或是连续电子束，可以具有扫描、脉冲、连续等工作模式，并设有相应的控制按键。控制装置实现控制的方法可以是静电控制，也可以是电磁控制。控制装置设有一玻璃管，所述玻璃管位于所述电子束源与所述紫外出光屏之间，所述紫外出光屏与所述玻璃管可以采用科伐封接、玻璃熔接、或是环氧树脂粘接的方法连接。
所述紫外光透明衬底可采用蓝宝石或氮化铝制成的透明衬底。内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜所采用的氧化物可以是二氧化硅、三氧化二铝等。内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜最好是采用同种氧化物。允许采用不同种氧化物，只要氧化物的化学键能够结合使内层和窗口层连接在一起即可。所述紫外光透射基板可采用石英、蓝宝石或氮化铝制成的透射基板。所述半导体材料可以是III-V族半导体材料和/或II-VI族半导体材料。
为了提高出光强度，可在紫外出光屏的内侧镀上铝或是其他的紫外反射膜。所述反光膜层优选是铝膜层。
有益效果：
1.转换效率高。由于本发明使用了不同禁带宽度的半导体材料，在导带和价带上都形成了势能阱。这个势能阱中能量状态比较集中，掉入势能阱中的电子和空穴收到限制，有利于发光。
2.发光波长可调。势能阱中的能量状态与势能阱的具体形状有紧密的联系。通过调整势能阱的宽度和高度，可以调节势能阱中能级的高低。而发光的波长与势能阱中的能级有直接的联系。所以通过调节势能阱的形状就可以调节发光的波长。通过选择不同的材料和结构，本发明的发光波长可以涵盖远红外到深紫外。
3.不需要掺杂。宽禁带半导体掺杂非常困难，这也是紫外激光难以用传统的激光二极管方式实现的主要原因。本发明从根本上避开了掺杂问题，从而使制作高效率、大功率的紫外激光器成为可能。
4.避免使用整管石英或紫外玻璃的困难。
5.紫外出光效率得到了有效的保证。
附图说明
图1为紫外出光屏的一种结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本发明。
参照图1，一种紫外出光屏的制作方法，包括制作内层、制作窗口层。内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料5，半导体材料5生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底4的任意一面上，在紫外光透明衬底4远离半导体材料5的一面淀积一层氧化物，形成内层氧化物薄膜3，制成内层。窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板1的任意一面上淀积一层氧化物，形成窗口层氧化物薄膜2，制成窗口层。最后将内层和窗口层叠在一起，淀积有氧化物的面相对，通过使氧化物的化学键再结合，将内层与窗口层连接在一起，制成紫外出光屏。
在紫外光透明衬底远离半导体材料5的一面在淀积一层氧化物之前先进行减薄、抛光。以改善沉积质量。内层氧化物薄膜3和窗口层氧化物薄膜2最好是采用同种氧化物。允许采用不同种氧化物，只要氧化物的化学键能够结合使内层和窗口层连接在一起即可。内层氧化物薄膜3、窗口层氧化物薄膜2的厚度范围均优选为一微米到十微米。优选在高温和高压下进行退火的方式，使氧化物的化学键再结合。另外，通过生长的半导体种类和生长方式的控制，半导体材料5可以构成一多层多种式结构，通过选择禁带宽度不同的半导体材料5，从而在新组成的材料的能带结构上形成势能阱结构。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。
各部分的材质如下：紫外光透明衬底可采用蓝宝石或氮化铝制成的透明衬底。内层氧化物薄膜3和窗口层氧化物薄膜2所采用的氧化物可以是二氧化硅、三氧化二铝等。紫外光透射基板1可采用石英、蓝宝石或氮化铝制成的透射基板。半导体材料5可以是III-V族半导体材料和/或II-VI族半导体材料。
为了提高出光强度，可在紫外出光屏的内侧镀上铝或是其他的紫外反射膜5。反光膜层优选是铝膜层。
参照图1，一种紫外出光屏，该紫外出光屏通过上述方法制得，包括内层、窗口层，内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料5，半导体材料5生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底4的任意一面上，在紫外光透明衬底4远离半导体材料5的一面淀积有内层氧化物薄膜3。窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板1，在紫外光透射基板1的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜2。内层氧化物薄膜3与窗口层氧化物薄膜2通过化学键连接。
参照图1，一种紫外光学系统，包括电子束源、一控制电子束源的控制装置、一受电子束激发产生紫外光的靶，靶采用紫外出光屏。紫外出光屏包括内层、窗口层，内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料5，半导体材料5生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底4的任意一面上，在紫外光透明衬底4远离半导体材料5的一面淀积有内层氧化物薄膜3。窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板1，在紫外光透射基板1的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜2。内层氧化物薄膜3与窗口层氧化物薄膜2通过化学键连接。该紫外光学系统是对上述紫外出光屏的应用。
当电子束照射到紫外出光屏上时，特定的能量可以使它穿过紫外出光屏表面到达能产生紫外光的半导体材料5。高能电子束会把能量传递给半导体材料5中的束缚电子，从而产生自由的电子--空穴对。在材料结构比较完整的情况下，这样产生出的自由电子--空穴对将复合而产生光子。
电子束源的阴极可以是金属、氧化物、各种纳米管等材料。控制装置控制电子束源产生扫描电子束、脉冲电子束或是连续电子束，可以具有扫描、脉冲、连续等工作模式，并设有相应的控制按键。控制装置实现控制的方法可以是静电控制，也可以是电磁控制。控制装置设有一玻璃管，玻璃管位于电子束源与紫外出光屏之间，紫外出光屏与玻璃管可以采用科伐封接、玻璃熔接、或是环氧树脂粘接的方法连接。
紫外出光屏以及紫外光学系统的靶的各部分材质如下：紫外光透明衬底4可采用蓝宝石或氮化铝制成的透明衬底。内层氧化物薄膜3和窗口层氧化物薄膜2所采用的氧化物可以是二氧化硅、三氧化二铝等。内层氧化物薄膜3和窗口层氧化物薄膜2最好是采用同种氧化物。允许采用不同种氧化物，只要氧化物的化学键能够结合使内层和窗口层连接在一起即可。紫外光透射基板1可采用石英、蓝宝石或氮化铝制成的透射基板。半导体材料5可以是III-V族半导体材料和/或II-VI族半导体材料。
为了提高出光强度，可在紫外出光屏的内侧镀上铝或是其他的紫外反射膜6。反光膜层优选是铝膜层。
本发明的具有如下优点：
1.转换效率高。由于本发明使用了不同禁带宽度的半导体材料5，在导带和价带上都形成了势能阱。这个势能阱中能量状态比较集中，掉入势能阱中的电子和空穴收到限制，有利于发光。
2.发光波长可调。势能阱中的能量状态与势能阱的具体形状有紧密的联系。通过调整势能阱的宽度和高度，可以调节势能阱中能级的高低。而发光的波长与势能阱中的能级有直接的联系。所以通过调节势能阱的形状就可以调节发光的波长。通过选择不同的材料和结构，本发明的发光波长可以涵盖远红外到深紫外。
3.不需要掺杂。宽禁带半导体掺杂非常困难，这也是紫外激光难以用传统的激光二极管方式实现的主要原因。本发明从根本上避开了掺杂问题，从而使制作高效率、大功率的紫外激光器成为可能。
4.避免使用整管石英或紫外玻璃的困难。
5.紫外出光效率得到了有效的保证。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (9)
1.一种紫外出光屏的制作方法，包括制作内层、制作窗口层，所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，其特征在于，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积一层氧化物，形成内层氧化物薄膜，制成内层；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积一层氧化物，形成窗口层氧化物薄膜，制成窗口层；
最后将内层和窗口层叠在一起，淀积有氧化物的面相对，通过使氧化物的化学键再结合，将内层与窗口层连接在一起，制成紫外出光屏；
在紫外出光屏的内侧镀有紫外反射膜。
2.根据权利要求1所述的一种紫外出光屏的制作方法，其特征在于：在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面在淀积一层氧化物之前先进行减薄、抛光。
3.根据权利要求1所述的一种紫外出光屏的制作方法，其特征在于：内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜采用同种氧化物。
4.根据权利要求1所述的一种紫外出光屏的制作方法，其特征在于：内层氧化物薄膜、窗口层氧化物薄膜的厚度范围为一微米到十微米。
5.根据权利要求1所述的一种紫外出光屏的制作方法，其特征在于：所述半导体材料是III-V族半导体材料和/或II-VI族半导体材料。
6.根据权利要求1所述的一种紫外出光屏的制作方法制成的紫外出光屏，其特征在于，包括内层、窗口层；
所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积有内层氧化物薄膜；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜；
所述内层氧化物薄膜与所述窗口层氧化物薄膜通过化学键连接；
在紫外出光屏的内侧镀有紫外反射膜。
7.根据权利要求6所述的紫外出光屏，其特征在于：内层氧化物薄膜和窗口层氧化物薄膜所采用的氧化物是二氧化硅或三氧化二铝。
8.一种紫外光学系统，包括电子束源、一控制所述电子束源的控制装置、一受电子束激发产生紫外光的靶，其特征在于，所述靶采用紫外出光屏；
所述紫外出光屏包括内层、窗口层，所述内层包括一能够受激发射紫外光的半导体材料，所述半导体材料生长在一可透射紫外光的紫外光透明衬底的任意一面上，在紫外光透明衬底远离半导体材料的一面淀积有内层氧化物薄膜；
所述窗口层包括一可透射紫外光的紫外光透射基板，在紫外光透射基板的任意一面上淀积有窗口层氧化物薄膜；
所述内层氧化物薄膜与所述窗口层氧化物薄膜通过化学键连接；
在紫外出光屏的内侧镀有紫外反射膜。
9.根据权利要求8所述的一种紫外光学系统，其特征在于：所述控制装置控制电子束源产生扫描电子束、脉冲电子束或是连续电子束。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210559997.5A CN103208737B (zh) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210559997.5A CN103208737B (zh) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103208737A CN103208737A (zh) | 2013-07-17 |
| CN103208737B true CN103208737B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=48755872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210559997.5A Expired - Fee Related CN103208737B (zh) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | 一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103208737B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473396A (en) * | 1993-09-08 | 1995-12-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display apparatus and method of making the same |
| CN101409963A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种用电子束泵浦晶体材料产生紫外光的装置和方法 |
| CN102306600A (zh) * | 2011-07-19 | 2012-01-04 | 东华理工大学 | 一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050110386A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-26 | Tiberi Michael D. | Laser cathode ray tube |
| CN102412180A (zh) * | 2010-09-25 | 2012-04-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种soi衬底和具有soi衬底的半导体器件及其形成方法 |
| EP2498280B1 (en) * | 2011-03-11 | 2020-04-29 | Soitec | DRAM with trench capacitors and logic back-biased transistors integrated on an SOI substrate comprising an intrinsic semiconductor layer and manufacturing method thereof |
| CN102315096A (zh) * | 2011-08-19 | 2012-01-11 | 上海新傲科技股份有限公司 | 多层半导体衬底的制备方法 |
-
2012
- 2012-12-20 CN CN201210559997.5A patent/CN103208737B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473396A (en) * | 1993-09-08 | 1995-12-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display apparatus and method of making the same |
| CN101409963A (zh) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | 中国科学院物理研究所 | 一种用电子束泵浦晶体材料产生紫外光的装置和方法 |
| CN102306600A (zh) * | 2011-07-19 | 2012-01-04 | 东华理工大学 | 一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103208737A (zh) | 2013-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102484172B (zh) | 紫外线照射装置 | |
| JP5130437B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN102280343B (zh) | 基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 | |
| CN103229316A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| CN105679910A (zh) | 一种高出光效率的深紫外发光二极管芯片及其制备方法 | |
| CN102485944A (zh) | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 | |
| CN108493310A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法 | |
| CN113224140A (zh) | 一种半导体基板上的薄膜生长方法及其应用 | |
| WO2020011117A1 (zh) | 一种提高光提取效率的紫外发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN102214748A (zh) | 一种氮化镓基垂直结构led外延结构及制造方法 | |
| CN104465929A (zh) | 内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法 | |
| CN105048284B (zh) | 一种多重耦合的单光子发光体及其制作方法 | |
| KR101619110B1 (ko) | 반도체 광전소자 및 이의 제조방법 | |
| JPH0936427A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN107393787B (zh) | Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极 | |
| CN103078031A (zh) | 一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管及其制备方法 | |
| CN110165028B (zh) | 基于局域表面等离激元增强的mis结构紫外led及其制备方法 | |
| JP5192097B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
| CN103208737B (zh) | 一种紫外出光屏的制作方法及制得的紫外出光屏和应用 | |
| CN103618037A (zh) | 一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法 | |
| CN104103727A (zh) | 一种提高量子效率的led芯片及其制备方法 | |
| TWI398558B (zh) | 氮化鎵立體磊晶結構及其製作方法 | |
| CN102881785A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN111725372B (zh) | 基于表面等离激元增强的亚微米垂直深紫外led及制备方法 | |
| JP4772414B2 (ja) | 透過型光電面及び光検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170517 Address after: Shushan District of Hefei City, Anhui Province, Jiangmen 230000 garden business office floor B-1014 room 10 Patentee after: HEFEI WISDOM LOTUT INTELLECTUAL PROPERTY Co.,Ltd. Address before: 201210 room 6, building 829, No. 504, Xuhui District, Shanghai, Yishan Road Patentee before: SHANGHAI FOREALIGHT SCIENCE AND TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180718 Address after: 510700 room 505, 1 Tiantai Road, Whampoa District, Guangzhou, Guangdong Patentee after: Guangzhou Lianda Information Technology Co.,Ltd. Address before: 230000 B-1014, 10 floor, business office building, Wo Ye garden, Shushan District, Hefei, Anhui. Patentee before: HEFEI WISDOM LOTUT INTELLECTUAL PROPERTY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190417 Address after: Room B-112, No. 5 Tangdong East Road, Tianhe District, Guangzhou City, Guangdong 510000 Patentee after: Guangzhou Linglian Information Technology Co.,Ltd. Address before: 510700 room 505, 1 Tiantai Road, Whampoa District, Guangzhou, Guangdong Patentee before: Guangzhou Lianda Information Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191112 Address after: 233000 building 109, No.1, sunshine garden, Liucheng Town, Huaiyuan County, Bengbu City, Anhui Province Patentee after: Bengbu Hangyu Intellectual Property Service Co.,Ltd. Address before: Room B-112, No. 5 Tangdong East Road, Tianhe District, Guangzhou City, Guangdong 510000 Patentee before: Guangzhou Linglian Information Technology Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160120 |