CN103187497A - 一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法 - Google Patents

一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，该方法包括以下步骤：在PSS衬底上生长GaN缓冲层；在该GaN缓冲层上生长UGaN层；在所述U型GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长38-40个周期；接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长25-26个周期；接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长15-16个周期；周期性生长有源层MQW和PGaN层。本发明采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统N型GaN层(NGaN)的方法有效提高了LED的外量子发光效率，使得器件可以提高电子的迁移率，可以降低大尺寸芯片的正向电压、提高发光效率。

Description

一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法
技术领域
本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，将传统的N型GaN层(NGaN)被NAlGaN/NGaN超晶格取代，使得器件可以提高电子的迁移率，可以降低中小尺寸的电压，大尺寸芯片的光效。 
背景技术
现在市场上大尺寸大功率芯片规格45mil*45mil运用在路灯照明上，中小尺寸10mil*23mil运用在背光光源上。大尺寸芯片散热性是一个重要的指标，不再以高流明数定义大尺寸芯片的发光性能，现在大功率市场价值导向为流明/（瓦*单价），中小尺寸不需要考虑散热问题，市场价值导向为流明/单价； 
目前，提高光效或提高亮度有很多种外延生长方法，以下为一种传统LED结构外延生长方法。请参阅图1所示的外延结构，其具体步骤： 
1、在PSS衬底（Patterned Sapphire Substrate,即图形化蓝宝石衬底）上生长低温缓冲层GaN； 
2、持续生长2～2.5um的不掺杂GaN层，即U型GaN层； 
3、然后先生长厚度为1～1.5μm，并掺杂Si的N型GaN层，掺杂浓度为4～5E+18，接着生长0.8-1.0um的掺杂Si的N型GaN层，掺杂浓度为8～9E+18,再持续生长0.4～0.5um的掺杂Si的N型GaN层，掺杂浓度为3～4E+18，三次生长的总厚度控制在2.0-2.5μm；其中，步骤3形成的的N型GaN能带请参考图2所示。 
4、接着周期性生长有源层MQW，在750℃左右生长掺杂In的3nm左右的InxGa（1-x）N（x大致取值为0.20-0.21）层，升温至840℃左右继续生长12nm左右GaN层。InxGa（1-x）N/GaN周期数为15； 
5、再持续生长形成PGaN层。 
现有的大部分结构创新在于量子阱和P型层，例如：将量子阱设计成阶梯量子阱生长，改变电子和空穴波函数的重合度，P层增加PAlGaN/PInGaN、PAlGaN/PGaN、PAlGaN/GaN等超晶格的结构来提高电流的扩展能力达到提高亮度的目的。但是目前国内各外延厂的外延N型层外延结构比较统一，生长方法大抵相同，效果不佳。 
鉴于此，实有必要提供一种新的方法以解决上述技术问题。 
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，用于解决现有的方法制备的外延结构使得芯片的驱动电压较高，注入电子与空穴耦合发光的效率变低导致亮度偏低，大尺寸光效（亮度除以电压）偏低的问题。 
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构，该外延结构包括 
形成于PSS衬底上的GaN缓冲层； 
形成于该缓冲层上的UGaN层； 
形成于所述U型GaN层上的掺杂Si的NGaN层； 
形成于所述NGaN层上的NAlGaN/NGaN交替结构； 
以及依次形成于所述NAlGaN/NGaN交替结构上的有源层MQW以及PGaN层。 
优选地，所述NAlGaN/NGaN交替结构厚度为1100nm-1400nm。 
本发明还提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，该方法包括以下步骤： 
1）在PSS衬底上生长GaN缓冲层； 
2）在该GaN缓冲层上生长UGaN层； 
3）在所述UGaN层上生长掺杂Si的N型GaN层； 
4）在所述掺杂Si的N型GaN层上形成NAlGaN/NGaN交替结构； 
5）周期性生长有源层MQW和PGaN层； 
形成NAlGaN/NGaN交替结构的具体步骤如下； 
a.交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长38-40个周期； 
b.接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长25-26个周期； 
c.接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长15-16个周期。 
优选地，在所述步骤1）之前还包括在1100-1200℃的的氢气气氛下高温处理所述衬底5-6分钟的步骤。 
优选地，所述步骤a）到步骤c）中的Al掺杂浓度逐渐增大。 
优选地，所述步骤a）中形成第一NAlGaN层的Si的掺杂浓度为5E+18～6E+18；Al的掺 杂浓度为9E+19～1E+20； 
优选地，所述步骤b）中形成第二NAlGaN层的Si的掺杂浓度为8E+18～9E+18；Al的掺杂浓度为1E+20～2E+20； 
优选地，所述步骤c）中形成第三NAlGaN层的Si的掺杂浓度4E+18～5E+18；Al的掺杂浓度3E+20～4E+20。 
本发明通过采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统的N型GaN层，使N型GaN的能带结构发生变化，NAlGaN/NGaN超晶格中高能带的NAlGaN作为势磊，低能带NGaN作为势阱，NAlGaN/NGaN超晶格能在NGaN势阱处局域化电子，形成高密度的二维电子气，高密度的二维电子气能提高器件电子的纵向和横向的传播，微观上该结构提高了器件的电子迁移率。 
附图说明
图1显示为现有的外延结构示意图。 
其中，10为衬底；11为缓冲层；12为不掺杂Si的UGaN层；13为掺杂Si的NGaN层；14为发光层量子阱MQW；15为PGaN层，其中151为低温掺杂Mg的PGaN层；152为掺杂Mg、Al型PGaN层；153为高温掺杂Mg的PGaN层。 
图2为现有的N型GaN的能带结构示意图。其中：（1）掺杂Si的GaN导带能级，（2）掺杂Si的GaN费米能级，（3）掺杂Si的GaN价带能级，（4）掺杂Si4-5E+18的GaN，（5）掺杂Si8-9E+18的GaN，（6）掺杂Si3-4E+18的GaN 
图3显示为本发明延结构示意图。 
其中，20为蓝宝石PSS衬底；21为GaN缓冲层；22为不掺杂Si的UGaN层；23为掺杂Si的NGaN层；26为掺杂Si、Al的NAlGaN/NGaN交替结构；24为发光层量子阱MQW；25为PGaN层，其中，251为低温掺杂Mg的PGaN层；252为掺杂Mg、Al型PGaN层；253为高温掺杂Mg的PGaN层。 
图4为本发明N型GaN的能带结构示意图。 
其中，（1）掺杂Si的GaN导带能级，（2）掺杂Si的GaN费米能级，（3）掺杂Si的GaN价带能级，（4）掺杂Si4-5E+19的GaN，（5）低能带掺杂Si的NGaN，（6）高能带掺杂Si、Al的GaN。 
图5显示为两种样品的光效示意图。 
图6显示为两种样品的电压示意图。 
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。 
请参阅图3所示。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。 
请参阅图3所示，一种提高大尺寸芯片光效的外延结构，该外延结构包括形成于衬底20上的GaN缓冲层21；（此处的衬底优选为蓝宝石PSS衬底）形成于该GaN缓冲层21上的UGaN层22；形成于所述U GaN层22上的掺杂Si的NGaN层23；形成于所述NGaN层23上的NAlGaN/NGaN交替结构26；以及依次形成于所述NAlGaN/NGaN交替结构26上的有源层MQW24以及PGaN层25。其中所述PGaN层25包括低温PGaN层251、位于所述低温PGaN层251上的P型AlGaN层252以及位于P型AlGaN层252上的厚度大致为0.2～0.3um的掺镁的P型GaN层253。 
其中，优选为交替生长3组形成于所述NGaN层23上掺杂Si和Al的NAlGaN层以及不掺杂Si的UGaN层，形成NAlGaN/NGaN交替结构26.具体生长方法如下：第一组NAlGaN/NGaN结构261生长方式如下：在掺杂Si的NGaN层23上生长8～10nm掺杂Si且掺杂浓度为5E+18～6E+18；掺杂Al且掺杂浓度为9E+19～1E+20的NAlGaN，然后再生长3～5nm的不掺杂Si的UGaN层。接着再生长掺杂Si且掺杂Al的NAlGaN层后又再生长不掺杂Si的UGaN层。如此交替反复。一共交替生长38～40个周期，使得第一组NAlGaN/NGaN结构厚度大致为418nm～600nm； 
第二组NAlGaN/NGaN结构262生长方式如下：先生长厚度大致为14～16nm的掺杂Si且掺杂浓度大致为8E+18～9E+18，同时掺杂Al，且掺杂浓度1E+20～2E+20的NAlGaN，然后再生长厚度大致为2～3nm的不掺杂Si的UGaN层。接着，再生长掺杂Si且掺杂Al的NAlGaN层后又再生长不掺杂Si的UGaN层。如此交替反复。一共交替生长25～26个周期，使得第二组NAlGaN/NGaN结构厚度大致为400nm～494nm； 
第三组NAlGaN/NGaN结构263生长方式如下：先生长厚度大致为17～18nm的、掺杂Si且掺杂浓度大致为4E+18～5E+18，同时掺杂Al且掺杂浓度大致为3E+20～4E+20的NAlGaN， 然后继续生长厚度大致为1～2nm的掺杂Si浓度大致为3E+18～4E+18的NGaN，接着，再生长掺杂Si且掺杂Al的NAlGaN层后又再生长掺杂Si的NGaN层。如此交替反复。一共交替生长15-16个周期，使得第三组NAlGaN/NGaN结构厚度大致为270nm～320nm； 
此阶段形成的NAlGaN/NGaN交替结构26总厚度控制在1100nm～1400nm；其中，NGaN层总厚度控制在2.0～2.5μm。 
本发明还提供一种外延结构的制备方法，具体如下： 
1、在1100-1200℃的的氢气气氛下高温处理蓝宝石衬底5-6分钟，降温至530～570℃下，在蓝宝石衬底上生长厚度为20～40nm的低温缓冲层GaN； 
2、升高温度到1000～1100℃下，持续生长2～2.5um的不掺杂GaN； 
3、生长0.8～1.2μm持续掺杂Si的N型GaN，掺杂浓度掺杂浓度8～9E+18； 
4、再持续生长1.1～1.4um掺Si、Al的NAlGaN/N型掺Si的NGaN超晶格取代后面传统的n型GaN，具体生长方法如下：（1）NGaN-1：接着交替生长8～10nm的掺杂Si的掺杂浓度5E+18～6E+18同时掺杂Al的掺杂浓度9E+19～1E+20的NAlGaN，和3～5nm的不掺杂Si的UGaN，一共交替生长38～40个周期，一共418nm～600nm；（2）NGaN-2：接着交替生长14～16nm的掺杂Si的掺杂浓度8E+18～9E+18同时掺杂Al的掺杂浓度1E+20～2E+20的NAlGaN，和2～3nm的不掺杂Si的UGaN，一共交替生长25～26个周期，一共400nm～494nm（3）NGaN-3：接着交替生长17～18nm的掺杂Si的掺杂浓度4E+18-5E+18同时掺杂Al的掺杂浓度3E+20～4E+20的NAlGaN，和1～2nm的掺杂Si浓度3E+18～4E+18的NGaN，一共交替生长15～16个周期，一共270nm～320nm；此阶段总厚度控制在1100nm～1400nm；NGaN总厚度控制在2.0～2.5μm。 
5、周期性生长有源层MQW，低温750℃左右生长掺杂In的3nm左右厚度的InxGa（1-x）N（x取值范围大致为0.20～0.21）层，高温840℃左右生长12nmGaN层。InxGa（1-x）N/GaN周期数为15； 
6、再升高温度到780～800℃持续生长10～20nm的低温PGaN层 
7、再升高温度到930～950℃持续生长10～20nm的P型AlGaN层； 
8、再升高温度到950～980℃持续生长0.2～0.3um的掺镁的P型GaN层； 
9、最后降温至670～680℃，保温20～30min，接着炉内冷却； 
本发明采用Aixtron CruisⅠ31X2〃MOCVD来生长高亮度GaN基LED外延片。采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基 镓（TMGa），三甲基铟（TMIn）作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝（TMAl）作为铝源P型掺杂剂为二茂镁（CP2Mg），衬底为（0001）面蓝宝石，反应压力在100mbar到800mbar之间。具体生长方式如下（外延结构请参考图3，第4步形成的N型GaN能带请参考图4）： 
根据传统的LED的生长方法制备样品1，根据本专利描述的方法制备样品；样品1和样品2外延生长方法参数不同点在于生长N型GaN，生长其它外延层生长条件完全一样（请参考表一）。样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层200nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极130nm，相同的条件下镀保护层SiO2约50nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成1143μm*1143μm(45mi*45mil)的芯片颗粒，然后样品1和样品2在相同位置各自挑选150颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。数据分析结论：将积分球获得的数据进行分析对比，请参考附图5和附图6，从图5数据得出样品2较样品1光效提升5～6%，从图6数据得出样品2较样品1电压降低0.1～0.15v。 
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Figure DEST_PATH_GDA00003110193000071
本发明通过采用NAlGaN/NGaN超晶格取代传统N型GaN层的生长方法，使N型GaN的能带结构发生变化，NAlGaN/NGaN超晶格中高能带的NAlGaN作为势磊，低能带NGaN作为势阱，NAlGaN/NGaN超晶格能在NGaN势阱处局域化电子，形成高密度的二维电子气，高密度的二维电子气能提高器件电子的纵向和横向的传播，微观上该结构提高了器件的电子迁移率。因此本专利提供的生长方法是在传统的LED生长方法上做的改进，通过优化传统LED结构的N型GaN结构。 
本发明内容的重点在于第4步生长方式的调整，外延结构上的区别是传统的N型GaN是持续稳定掺杂的N型GaN，本发明N型GaN采取掺杂Si交替式生长，优点在于：保持原来N型GaN的总厚度，改变N型GaN的Si的掺杂方式，一定程度上节约掺杂剂的用量，通过周期性的掺杂Si和不掺杂Si的交替生长，掺杂Si的GaN为低电阻值，不掺杂Si的GaN为高电阻值，高低电阻值N型GaN在电流输送过程中使得电子横向扩展能力加强；在掺杂Si的GaN掺杂Al起到释放应力的作用，一定程度上提高晶体质量，另一方面形成两种不同的光反射面，提高出光效率；需要说明的是传统N型GaN因为掺杂Si浓度一样，每一处的电阻值是相同的，使得电子运输过程中选着最短路径传输，在最短路径上将会出现电流拥挤的现象，整个外延层电流分布不均匀，流经量子阱的电流比较局域，造成的后果是芯片的驱动电压较高，注入电子与空穴耦合发光的效率变低导致亮度偏低，大尺寸的效果为光效（亮度除以电压）偏低，本专利发明的N型结构改变N型电流横向扩展能力，解决电流拥挤现象，降低驱动电压，一方面使得量子阱电流均匀化，总体发光面积增加，亮度和光效提到提升。 
综上所述，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。 

Claims (6)

1.一种提高大尺寸芯片光效的外延结构，其特征在于，该外延结构包括
形成于PSS衬底上的GaN缓冲层；
形成于该GaN缓冲层上的UGaN层；
形成于所述U型GaN层上的掺杂Si的NGaN层；
形成于所述NGaN层上的NAlGaN/NGaN交替结构；
以及依次形成于所述NAlGaN/NGaN交替结构上的有源层MQW以及PGaN层。
2.根据权利要求1所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构，其特征在于，所述NAlGaN/NGaN
交替结构厚度为1100nm-1400nm。
3.一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
1）在PSS衬底上生长GaN缓冲层；
2）在该GaN缓冲层上生长UGaN层；
3）在所述UGaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；
4）在所述掺杂Si的N型GaN层上形成NAlGaN/NGaN交替结构；
5）周期性生长有源层MQW和PGaN层；
形成NAlGaN/NGaN交替结构的具体步骤如下；
a.交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层；交替生长
38-40个周期；
b.接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层，交替生长
25-26个周期；
c.接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层，交替生长
15-16个周期。
4.根据权利要求3所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：在所述步骤1）之前还包括在1100-1200℃的的氢气气氛下高温处理所述衬底5-6分钟的步骤。
5.根据权利要求3所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：所述步骤a）到步骤c）中的Al掺杂浓度逐渐增大。
6.根据权利要求3所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：所述步骤a）中形成第一NAlGaN层的Si的掺杂浓度为5E+18～6E+18；Al的掺杂浓度为9E+19～1E+20；7、根据权利要求3所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：所述步骤b）中形成第二NAlGaN层的Si的掺杂浓度为8E+18～9E+18；Al的掺杂浓度为1E+20～2E+20；8、根据权利要求3所述的提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法，其特征在于：所述步骤c）中形成第三NAlGaN层的Si的掺杂浓度4E+18～5E+18；Al的掺杂浓度3E+20～4E+20。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103413879A (zh) * 2013-08-13 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片
CN103700739A (zh) * 2014-01-03 2014-04-02 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法
CN104993027A (zh) * 2015-06-30 2015-10-21 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制作方法
CN107195737A (zh) * 2017-06-30 2017-09-22 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN111725369A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 发光装置
CN111900626A (zh) * 2020-07-15 2020-11-06 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种双有源区激光器芯片及制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1659713A (zh) * 2002-06-04 2005-08-24 氮化物半导体株式会社 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
CN101006590A (zh) * 2004-07-27 2007-07-25 克里公司 具有含铟盖层结构的ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构
CN101073159A (zh) * 2004-12-23 2007-11-14 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体发光器件及其制备方法
CN101645480A (zh) * 2009-06-22 2010-02-10 武汉华灿光电有限公司 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
CN101789473A (zh) * 2010-02-23 2010-07-28 厦门大学 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法
US20110198583A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
CN102185055A (zh) * 2011-04-28 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102754184A (zh) * 2009-12-16 2012-10-24 克里公司 具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1659713A (zh) * 2002-06-04 2005-08-24 氮化物半导体株式会社 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
CN101006590A (zh) * 2004-07-27 2007-07-25 克里公司 具有含铟盖层结构的ⅲ族氮化物基量子阱发光器件结构
CN101073159A (zh) * 2004-12-23 2007-11-14 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体发光器件及其制备方法
CN101645480A (zh) * 2009-06-22 2010-02-10 武汉华灿光电有限公司 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
CN102754184A (zh) * 2009-12-16 2012-10-24 克里公司 具有调制掺杂的半导体装置结构及相关的方法
US20110198583A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
CN101789473A (zh) * 2010-02-23 2010-07-28 厦门大学 一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法
CN102185055A (zh) * 2011-04-28 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103413879A (zh) * 2013-08-13 2013-11-27 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片
CN103413879B (zh) * 2013-08-13 2015-12-09 湘能华磊光电股份有限公司 Led外延的生长方法以及通过此方法获得的led芯片
CN103700739A (zh) * 2014-01-03 2014-04-02 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法
CN103700739B (zh) * 2014-01-03 2016-11-16 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种避免大尺寸外延片裂片的外延生长方法
CN104993027A (zh) * 2015-06-30 2015-10-21 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制作方法
CN104993027B (zh) * 2015-06-30 2018-03-06 华灿光电(苏州）有限公司 发光二极管外延片及其制作方法
CN107195737A (zh) * 2017-06-30 2017-09-22 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN107195737B (zh) * 2017-06-30 2019-08-02 华灿光电(苏州）有限公司 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN111725369A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 隆达电子股份有限公司 发光装置
CN111725369B (zh) * 2019-03-20 2021-11-12 隆达电子股份有限公司 发光装置
CN111900626A (zh) * 2020-07-15 2020-11-06 苏州长光华芯光电技术有限公司 一种双有源区激光器芯片及制备方法

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CN103187497B (zh) 2015-11-25

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