CN103165450A - 终端环的制造方法 - Google Patents
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
CN1445860A (zh) * | 2002-03-18 | 2003-10-01 | 株式会社东芝 | 半导体器件及其制造方法 |
CN102136495A (zh) * | 2010-01-25 | 2011-07-27 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 半导体高压器件的结构及其制作方法 |
CN102184947A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-09-14 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种高压半导体结构及其制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112736124A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-30 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | Esd保护器件 |
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