CN103151448A - 一种发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管器件结构包括底座、发光二极管芯片和发光二极管芯片上的发光层，发光层上表面有金属纳米材料包覆层。由于金属纳米结构较大的比表面积，因而具有优良的导热性能，将金属纳米材料包覆在发光层上表面，可以有效传导发光二极管芯片产生的热量，防止发光二极管芯片高温老化，延长发光二极管的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管。本发明还涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emi tting Diode)是在半导体p-n结两端施加正向电压时发出紫外、可见或红外光的发光器件，是新一代的固体发光光源。由于它具有体积小、寿命长、驱动电压低、反应速度快、耐震、耐热等特性，自从1964年第一支发光二极管问世以来，人们一直没有停止研究和开发的脚步，随着发光材料的开发和半导体制作工艺的改进，以及芯片生长过程中引入了分布式布拉格发射的结构、光学微腔和量子阱结构等，使半导体照明用的发光二极管效率在近几年得到不断提高。
随着发光二极管产业的迅猛发展，高效发光二极管的应用范围在逐步扩大化，相应地对其性能也日益提出更高的要求，包括亮度、显色性能、光色一致性等。改善发光二极管性能需要重点研究的方向包括涂覆荧光粉技术，荧光粉在胶体中分散不均匀的问题，荧光粉沉淀的问题以及发光二极管芯片的散热的问题。特别是如何解决芯片的散热问题，将对发光二极管的光电特性和使用寿命等性能指标起到重要影响，对于整个发光二极管产业的持续发展具有非常重要的现实意义。一般来说，发光二极管工作是否稳定，品质好坏，与发光二极管本身散热至关重要，目前市场上的高亮度发光二极管灯的散热，常常采用自然散热，效果并不理想。发光二极管发热的原因是因为所加入的电能并没有全部转化为光能，而是一部分转化成为热能。目前有很多方法来解决发光二极管的散热，例如采用散热更好的蓝宝石衬底材料，但是蓝宝石要使用银胶固晶，而银胶的导热也很差。或者选用碳化硅衬底，而碳化硅唯一的缺点是成本太高。还有通过涂覆导热胶的方法，但导热胶的涂覆不均匀反而会产生更坏的效果。除此之外导热管技术、空气对流等技术也是解决发光二极管散热问题的选择，但由于成本等问题，使得这些技术并没有得到较大范围的应用。
金属纳米材料具有的较大的比表面积，使其具有良好的热学性能；同时，金属纳米材料具有很高的光透过率，可以达到80％以上。因此，将金属纳米材料应用到发光二极管散热技术中来，是一个很好的解决方法。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种发光二极管，有效传导发光二极管芯片产生的热量，防止发光二极管芯片高温老化，延长发光二极管的使用寿命。本发明还要提供一种发光二极管的制造方法。
为了解决上述技术问题，本发明的一种发光二极管，包括底座，底座上安装有发光二极管芯片，发光二极管芯片上具有发光层，所述发光层上表面设置有金属纳米材料包覆层，底座上还设置有将发光二极管芯片、发光层和金属纳米材料包覆层包裹的外封装胶。
作为上述技术方案的改进，所述金属纳米材料包覆层为金属纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、金属纳米颗粒中的一种或者多种的组合。
作为上述技术方案的改进，所述发光二极管芯片为发蓝光或紫外光的芯片。
一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：
①选择与荧光粉匹配的发光二极管芯片，使发光二极管芯片发出的光能有效激发荧光粉；
②采用固晶胶把发光二极管芯片粘合在底座上；
③在发光二极管芯片上引出电极；
④在发光二极管芯片上涂覆荧光粉形成发光层；
⑤将金属纳米材料包覆层制备于步骤④得到的发光层的上表面；
⑥将制备好的发光二极管采用外封装胶进行封装；
⑦最后测试发光二极管的各项光电性能和参数。
其中，步骤④所述荧光粉是借助一种蓝光或紫外光激发而发光的荧光材料。
本发明的有益效果是：这种发光二极管采用金属纳米材料包覆层包覆发光二极管的发光层上表面，金属纳米材料具有的优良导热性使之可以有效地传导发光二极管芯片产生的热量，减弱发光二极管的光衰减，提高器件的运行寿命，对于高性能发光二极管的制备具有巨大的意义。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
参照图1，本发明的一种发光二极管，包括底座1，底座1上安装有发光二极管芯片2，发光二极管芯片2上具有发光层3，所述发光层3上表面设置有金属纳米材料包覆层4，底座1上还设置有将发光二极管芯片2、发光层3和金属纳米材料包覆层4包裹的外封装胶5。这种发光二极管采用金属纳米材料包覆层包覆发光二极管的发光层上表面，金属纳米材料具有的优良导热性使之可以有效地传导发光二极管芯片产生的热量，减弱发光二极管的光衰减，提高器件的运行寿命，对于高性能发光二极管的制备具有巨大的意义。
本发明中底座1为发光二极管的依托，它要求有良好的化学稳定性和热稳定性，良好的导电性和导热性。
所述金属纳米材料包覆层4为金属纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、金属纳米颗粒中的一种或者多种的组合。
所述金属纳米线包括：铁纳米线、铜纳米线、银纳米线、金纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、锰纳米线、镉纳米线、铟纳米线、锡纳米线、钨纳米线和铂纳米线。
所述金属合金纳米线包括：铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金纳米线、镉银合金纳米线、铟银合金纳米线、锡银合金纳米线、钨银合金纳米线、铂银合金纳米线、铝金合金纳米线、镍金合金纳米线、钴金合金纳米线、锰金合金纳米线、镉金合金纳米线、铟金合金纳米线、锡金合金纳米线、钨金合金纳米线、钴镍合金纳米线、锰镍合金纳米线、镉镍合金纳米线、铟镍合金纳米线、锡镍合金纳米线、钨镍合金纳米线、铂镍合金纳米线、镉锰合金纳米线、铟锰合金纳米线、锡锰合金纳米线、钨锰合金纳米线、铂锰合金纳米线、铟镉合金纳米线、锡镉合金纳米线、钨镉合金纳米线、铂镉合金纳米线、锡铟合金纳米线、钨铟合金纳米线、铂铟合金纳米线、钨锡合金纳米线、铂锡合金纳米线、铂钨合金纳米线。
所述金属异质结纳米线包括：铜铁异质结纳米线、银铁异质结纳米线、金铁异质结纳米线、铝铁异质结纳米线、镍铁异质结纳米线、钴铁异质结纳米线、锰铁异质结纳米线、镉铁异质结纳米线、铟铁异质结纳米线、锡铁异质结纳米线、钨铁异质结纳米线、铂铁异质结纳米线、银铜异质结纳米线、金铜异质结纳米线、铝铜异质结纳米线、镍铜异质结纳米线、钴铜异质结纳米线、锰铜异质结纳米线、镉铜异质结纳米线、锡铜异质结纳米线、钨铜异质结纳米线、铂铜异质结纳米线、金银异质结纳米线、铝银异质结纳米线、镍银异质结纳米线、钴银异质结纳米线、锰银异质结纳米线、镉银异质结纳米线、铟银异质结纳米线、锡银异质结纳米线、钨银异质结纳米线、铂银异质结纳米线、铝金异质结纳米线、镍金异质结纳米线、钴金异质结纳米线、锰金异质结纳米线、镉金异质结纳米线、铟金异质结纳米线、锡金异质结纳米线、钨金异质结纳米线、钴镍异质结纳米线、锰镍异质结纳米线、镉镍异质结纳米线、铟镍异质结纳米线、锡镍异质结纳米线、钨镍异质结纳米线、铂镍异质结纳米线、镉锰异质结纳米线、铟锰异质结纳米线、锡锰异质结纳米线、钨锰异质结纳米线、铂锰异质结纳米线、铟镉异质结纳米线、锡镉异质结纳米线、钨镉异质结纳米线、铂镉异质结纳米线、锡铟异质结纳米线、钨铟异质结纳米线、铂铟异质结纳米线、钨锡异质结纳米线、铂锡异质结纳米线、铂钨异质结纳米线。
所述金属纳米颗粒包括：铁纳米颗粒、铜纳米颗粒、银纳米颗粒、金纳米颗粒、铝纳米颗粒、镍纳米颗粒、钴纳米颗粒、锰纳米颗粒、镉纳米颗粒、铟纳米颗粒、锡纳米颗粒、钨纳米颗粒和铂纳米颗粒。
所述发光二极管芯片2为发蓝光或紫外光的芯片，作为激发荧光粉发光的光源，有较好的光功率以及发光波长与荧光材料有很好的匹配。
一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：
①选择与荧光粉匹配的发光二极管芯片2，使发光二极管芯片2发出的光能有效激发荧光粉；
②采用固晶胶把发光二极管芯片2粘合在底座1上；
③在发光二极管芯片2上引出电极；
④在发光二极管芯片2上涂覆荧光粉形成发光层3；
⑤将金属纳米材料包覆层4制备于步骤④得到的发光层3的上表面；
⑥将制备好的发光二极管采用外封装胶5进行封装；
⑦最后测试发光二极管的各项光电性能和参数。
其中，步骤④所述荧光粉是借助一种蓝光或紫外光激发而发光的荧光材料。
实施例1
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用蓝光发光二极管芯片，发光层3采用受蓝光激发产生黄光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用金纳米线，所述金纳米线包覆层的厚度为40nm。
制备方法如下：
①选择合适的固晶胶把发光二极管芯片粘合在底座上；
②在发光二极管芯片上引出电极；
③在发光二极管芯片上涂覆荧光粉；
④将金纳米线包覆层制备在步骤③得到的发光层上表面上；
⑤将上述制备好的发光二极管进行封装；
⑥测试器件的各项光电性能和参数。
实施例2
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用蓝光发光二极管芯片，发光层3采用受蓝光激发产生绿光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用铜纳米线，所述铜纳米线包覆层的厚度为50nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例3
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用蓝光发光二极管芯片，发光层3采用受蓝光激发产生红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用镍纳米线，所述镍纳米线包覆层的厚度为60nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例4
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用蓝光发光二极管芯片，发光层3采用受蓝光激发产生红光和绿光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用银纳米线，所述银纳米线包覆层的厚度为70nm。
制备流程与实施例1相似。
表1为采用常规发光层的发光二极管与实施例4中的发光二极管的各项性能参数。
实施例5
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用银铜合金纳米线，所述银铜合金纳米线包覆层的厚度为80nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例6
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生绿光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用镍铁合金纳米线，所述镍铁合金纳米线包覆层的厚度为90nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例7
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生黄光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用金铜异质结纳米线，所述金铜异质结纳米线包覆层的厚度为100nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例8
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用铂银异质结纳米线，所述铂银异质结纳米线包覆层的厚度为110nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例9
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光和黄光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用银纳米颗粒，所述银纳米颗粒包覆层的厚度为40nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例10
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用金纳米颗粒，所述金纳米颗粒包覆层的厚度为50nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例11
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用银纳米线和铜纳米颗粒的混合物，所述银纳米线和铜纳米颗粒的混合物包覆层的厚度为60nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例12
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用金银合金纳米线和镍纳米颗粒的混合物，所述金银合金纳米线和镍纳米颗粒的混合物包覆层的厚度为70nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例13
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用锡镍合金纳米线和钴纳米颗粒的混合物，所述锡镍合金纳米线和钴纳米颗粒的混合物包覆层的厚度为80nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例14
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用金铜异质结纳米线和铁纳米颗粒的混合物，所述金铜异质结纳米线和铁纳米颗粒的混合物包覆层的厚度为90nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例15
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用镉镍异质结纳米线和银纳米颗粒的混合物，所述镉镍异质结纳米线和银纳米颗粒的混合物包覆层的厚度为100nm。
制备流程与实施例1相似。
实施例16
如图1所示的发光二极管结构，发光二极管芯片2采用紫外光发光二极管芯片，发光层3采用受紫外光激发产生蓝光、绿光和红光的荧光粉，金属纳米材料包覆层4采用钴纳米线和锡铜合金纳米线的混合物，所述钴纳米线和锡铜合金纳米线的混合物包覆层的厚度为110nm。
制备流程与实施例1相似。
以上所述仅为本发明的优先实施方式，只要以基本相同手段实现本发明目的的技术方案都属于本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种发光二极管，包括底座(1)，底座(1)上安装有发光二极管芯片(2)，发光二极管芯片(2)上具有发光层(3)，其特征在于：所述发光层(3)上表面设置有金属纳米材料包覆层(4)，底座(1)上还设置有将发光二极管芯片(2)、发光层(3)和金属纳米材料包覆层(4)包裹的外封装胶(5)。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属纳米材料包覆层(4)为金属纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、金属纳米颗粒中的一种或者多种的组合。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片(2)为发蓝光或紫外光的芯片。
4.一种发光二极管的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
①选择与荧光粉匹配的发光二极管芯片(2)，使发光二极管芯片(2)发出的光能有效激发荧光粉；
②采用固晶胶把发光二极管芯片(2)粘合在底座(1)上；
③在发光二极管芯片(2)上引出电极；
④在发光二极管芯片(2)上涂覆荧光粉形成发光层(3)；
⑤将金属纳米材料包覆层(4)制备于步骤④得到的发光层(3)的上表面；
⑥将制备好的发光二极管采用外封装胶(5)进行封装；
⑦最后测试发光二极管的各项光电性能和参数。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤④所述荧光粉是借助一种蓝光或紫外光激发而发光的荧光材料。
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Publications (1)
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130612 |