CN103147059A - 连续立式双面镀膜生产线 - Google Patents

Abstract

连续立式双面镀膜生产线，有进片台、出片台、回架装置、真空室，真空室首尾端为进片室、出片室，两室间依次为首部至少两个缓冲室、至少六个镀膜室、尾部至少两个缓冲室；每个真空室内设第一独立传动装置、前侧或后侧室壁上有室门，靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门、靠近尾部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门分别相对错开排列；靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室中，每个镀膜室的室门的内侧、与室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管；靠近尾部缓冲室的至少三个镀膜室中，每个镀膜室的室门的内侧、与室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管。用本生产线，镀膜效率较高、双面镀膜玻璃的合格率较高。

Description

连续立式双面镀膜生产线

技术领域

本发明涉及一种镀膜生产线，特别是涉及一种连续立式双面镀膜生产线。

背景技术

目前，随着电容式触摸屏的广泛应用，需通过真空溅射工艺并利用各种靶材在玻璃基片的正、反面镀上相应的膜层而制成双面镀膜玻璃，所述靶材包括ITO靶材（即纳米铟锡金属氧化物靶材）、硅靶材（如单晶硅靶材、多晶硅靶材、电子级硅片）等。

现有的真空镀膜生产线为连续立式单面镀膜生产线。为了在玻璃基片的正、反面都镀上膜层，采取的是先在玻璃基片正面镀膜、再在玻璃基片反面镀膜的方法。这样，镀膜效率较低，且另外在玻璃基片的反面镀膜时，还容易损坏玻璃基片正面已镀好的相应膜层，使得双面镀膜玻璃的合格率较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种连续立式双面镀膜生产线，采用本生产线，镀膜效率较高、双面镀膜玻璃的合格率较高。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种连续立式双面镀膜生产线，它包括移动式进片台、移动式出片台、至少七个回架装置、直线排列且依次首尾相连的至少十二个真空室，首端的那个真空室为进片室，尾端的那个真空室为出片室，进片室和出片室之间的真空室依次为首部的至少两个缓冲室、至少六个镀膜室、尾部的另外至少两个缓冲室； 

进片室的进片口处设有真空插板阀，出片室的出片口处设有真空插板阀，进片室与首部的相邻那个缓冲室之间、首部的每两个相邻缓冲室之间、出片室与尾部的相邻那个缓冲室之间、尾部的每两个相邻缓冲室之间均设有真空插板阀，所述至少六个镀膜室和分别位于所述至少六个镀膜室首尾两侧且相邻的那两个缓冲室相连通；

每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第一独立传动装置，每个真空室的前侧或后侧室壁上设有一个室门，靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列，靠近尾部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列；

所述回架装置依次首尾直线间隔排列，每个回架装置内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第二独立传动装置，所述回架装置的中心线的连线与所述真空室的中心线的连线相平行；

进片台设在进片室进片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，进片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，进片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

出片台设在出片室出片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，出片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，出片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

对于首部的至少两个缓冲室而言，每个缓冲室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管；

对于靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管；

对于靠近尾部缓冲室的至少三个镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管； 

对于剩余的那个镀膜室而言，该镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管。

为能简洁说明问题起见，以下对本发明所述连续立式双面镀膜生产线均简称为本生产线。

采用以上的结构后：

根据生产节奏，进片台可在所述真空室的中心线的连线与所述回架装置的中心线的连线之间垂直地往复移动（以下对真空室的中心线的连线、回架装置的中心线的连线均简称为两连线）；根据生产节奏，出片台也可在两连线之间垂直地往复移动。

本生产线的具体使用步骤为：

1、让进片台、出片台的中心位于真空室的中心线的连线上，装有待镀玻璃基片的玻璃基片装载架通过进片台首次进入进片室；

2、装有待镀玻璃基片的玻璃基片装载架依次从首至尾地经过首部的至少两个缓冲室、至少六个镀膜室、尾部的另外至少两个缓冲室、出片室，再进入出片台，得到双面镀膜玻璃；

3、载有双面镀膜玻璃和玻璃基片装载架的出片台向回架装置的方向移动，让出片台的中心位于回架装置的中心线的连线上，然后，玻璃基片装载架通过出片台进入回架装置中，再从回架装置中将双面镀膜玻璃取出；

4、进片台向回架装置的方向移动，让进片台的中心位于回架装置的中心线的连线上，再将装有新的待镀玻璃基片的玻璃基片装载架通过回架装置进入进片台；

5、出片台、载有新的待镀玻璃基片和玻璃基片装载架的进片台向真空室的方向移动，让出片台、进片台的中心位于真空室的中心线的连线上，然后，装有新的待镀玻璃基片的玻璃基片装载架通过进片台第二次进入进片室；

6、重复2、至5、的步骤，连续开始下一轮的玻璃镀膜生产。

由于每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第一独立传动装置，故生产时，各第一独立传动装置驱动玻璃基片装载架在本生产线的各真空室内穿行，并使得玻璃基片装载架处于各真空室的中心线上，因此，对于首部至少两个缓冲室内的两侧加热管而言，它们与玻璃基片装载架上的玻璃基片正反面的距离相等；对于靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室、靠近尾部缓冲室的至少三个镀膜室中每个镀膜室内的靶材和加热管而言，它们与玻璃基片装载架上的玻璃基片正反面的距离相等；对于剩余那个镀膜室内的两侧加热管而言，它们与玻璃基片装载架上的玻璃基片正反面的距离相等。这样，一则使得玻璃基片受热均匀，二则使得玻璃基片的真空溅射质量有保证。

真空插板阀常用在高真空的环境中，其本身的漏率非常小。这样，使得所述相应真空室的密封性能较佳，确保本生产线内的高真空度。

在所述至少六个镀膜室中，对于靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室而言，所述两个镀膜室室门内侧所装的靶材相对错开排列（换言之，所述靶材没有装在同一个镀膜室内）；对于靠近尾部缓冲室的至少两个相邻镀膜室而言，所述两个镀膜室室门内侧所装的靶材也相对错开排列（换言之，所述靶材也没有装在同一个镀膜室内）；每个镀膜室相应侧室壁的内侧均装有加热管。

上述加热管的设置，可确保每个镀膜室内的温度，这样，在玻璃基片上镀膜时可满足相应的工艺温度要求。

上述靶材分别相对错开排列，使得玻璃基片装载架经过本生产线后，可连续、一次性地在玻璃基片的正、反面都镀上膜层（换言之，玻璃基片装载架只要从本生产线的各真空室内穿行一次，就能得到双面镀膜玻璃），从而彻底克服了背景技术中的相应缺陷（即：玻璃基片要分两次、间隔地进行镀膜，易损坏玻璃基片正面已镀好的相应膜层）。

综上所述，采用本生产线，镀膜效率较高、双面镀膜玻璃的合格率较高。

另，采用本生产线，还具有节约生产成本、实用可靠的优点。

优选地，本生产线包括移动式进片台、移动式出片台、七个回架装置、直线排列且依次首尾相连的十二个真空室，首端的那个真空室为进片室，尾端的那个真空室为出片室，进片室和出片室之间的真空室依次为首部的两个缓冲室、六个镀膜室、尾部的另外两个缓冲室； 

进片室的进片口处设有真空插板阀，出片室的出片口处设有真空插板阀，进片室与首部的相邻那个缓冲室之间、首部的两个相邻缓冲室之间、出片室与尾部的相邻那个缓冲室之间、尾部的两个相邻缓冲室之间均设有真空插板阀，所述六个镀膜室和分别位于所述六个镀膜室首尾两侧且相邻的那两个缓冲室相连通；

每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第一独立传动装置，每个真空室的前侧或后侧室壁上设有一个室门，靠近首部缓冲室的两个相邻镀膜室的室门相对错开排列，靠近尾部缓冲室的两个相邻镀膜室的室门相对错开排列；

所述回架装置依次首尾直线间隔排列，每个回架装置内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第二独立传动装置，所述回架装置的中心线的连线与所述真空室的中心线的连线相平行；

进片台设在进片室进片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，进片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，进片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

出片台设在出片室出片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，出片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，出片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

对于首部的两个缓冲室而言，每个缓冲室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管；

对于靠近首部缓冲室的两个相邻镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有硅靶材、加热管；

对于靠近尾部缓冲室的三个镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有纳米铟锡金属氧化物靶材、加热管； 

对于剩余的那个镀膜室而言，该镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管。

附图说明

图1是本生产线的结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例及其附图对本发明作进一步详细说明：

参见图1，本生产线包括移动式进片台17、移动式出片台18、七个回架装置19、直线排列且依次首尾相连的十二个真空室，每个真空室为长方体状腔室。首端的真空室为进片室1，尾端的真空室为出片室12，进片室1和出片室12之间的真空室依次为首部的缓冲室2和缓冲室3、六个镀膜室（即：镀膜室4、镀膜室5、镀膜室6、镀膜室7、镀膜室8、镀膜室9）、尾部的缓冲室10和缓冲室11。

进片室1的进片口处设有真空插板阀13，出片室12的出片口处设有真空插板阀13，进片室1与首部的相邻缓冲室2之间、首部的缓冲室2和缓冲室3之间、出片室12与尾部的相邻缓冲室11之间、尾部的缓冲室10和缓冲室11之间均设有真空插板阀13，真空插板阀13为现有技术。

镀膜室4、镀膜室5、镀膜室6、镀膜室7、镀膜室8、镀膜室9和分别位于所述六个镀膜室首尾两侧且相邻的缓冲室3和缓冲室10相连通。

每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架J的第一独立传动装置16，第一独立传动装置16为轮式、链式或者磁吸式结构，为现有技术。

每个真空室的前侧或后侧室壁上设有一个室门（为简洁说明问题起见，图1中未示出所述的室门），具体为：

进片室1、出片室12、缓冲室2、缓冲室3、缓冲室10、缓冲室11的前侧室壁上均设有一个室门；

镀膜室4、镀膜室6、镀膜室8、镀膜室9的前侧室壁上均设有一个室门；

镀膜室5、镀膜室7的后侧室壁上均设有一个室门。

可见，对于靠近首部的缓冲室2和缓冲室3且相邻的镀膜室4和镀膜室5而言，镀膜室4的室门和镀膜室5的室门相对错开排列；对于靠近尾部的缓冲室10和缓冲室11且相邻的镀膜室7和镀膜室8而言，镀膜室7的室门和镀膜室8的室门相对错开排列。

对于首部的缓冲室2、缓冲室3而言，每个缓冲室的前侧室门的内侧、与所述室门相正对的后侧室壁的内侧均装有加热管14。

对于靠近首部的缓冲室2和缓冲室3且相邻的镀膜室4、镀膜室5而言：

镀膜室4的前侧室门的内侧、与所述室门相正对的后侧室壁的内侧分别装有硅靶材15s、加热管14；

镀膜室5的后侧室门的内侧、与所述室门相正对的前侧室壁的内侧分别装有硅靶材15s、加热管14。

这样，镀膜室4、镀膜室5的室门内侧所装的硅靶材15s相对错开排列。

对于靠近尾部的缓冲室10和缓冲室11的镀膜室7、镀膜室8、镀膜室9而言：

镀膜室7的后侧室门的内侧、与所述室门相正对的前侧室壁的内侧分别装有纳米铟锡金属氧化物靶材15i、加热管14；

镀膜室8的前侧室门的内侧、与所述室门相正对的后侧室壁的内侧分别装有纳米铟锡金属氧化物靶材15i、加热管14；

镀膜室9的前侧室门的内侧、与所述室门相正对的后侧室壁的内侧分别装有纳米铟锡金属氧化物靶材15i、加热管14。

这样，镀膜室7、镀膜室8的室门内侧所装的纳米铟锡金属氧化物靶材15i相对错开排列。

对于剩余的镀膜室6而言，镀膜室6的前侧室门的内侧、与所述室门相正对的后侧室壁的内侧均装有加热管14。

硅靶材15s、纳米铟锡金属氧化物靶材15i、加热管14为现有技术。

七个回架装置19依次首尾直线间隔排列，每个回架装置19内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架J的第二独立传动装置20，所述回架装置19的中心线的连线与所述真空室的中心线的连线相平行（以下对回架装置19的中心线的连线、真空室的中心线的连线均简称为两连线）。回架装置19、第二独立传动装置20为现有技术。

进片台17设在进片室1的进片口处的真空插板阀13之外且与该真空插板阀13相间隔，进片台17的移动轨迹线为分别垂直于两连线的直线，进片台17的中心的移动距离等于两连线之间的距离。

出片台18设在出片室12的出片口处的真空插板阀13之外且与该真空插板阀13相间隔，出片台18的移动轨迹线为分别垂直于两连线的直线，出片台18的中心的移动距离等于两连线之间的距离。

根据生产节奏，进片台17可在两连线之间垂直地往复移动；根据生产节奏，出片台18也可在两连线之间垂直地往复移动。图1中靠近进片台17的两个箭头为进片台17的移动方向，图1中靠近出片台18的两个箭头为出片台18的移动方向。缓冲室2和缓冲室3用于预热待镀膜层的玻璃基片；缓冲室10和缓冲室11用于冷却已镀好膜层的玻璃基片（图1中未示出所述的玻璃基片），故所述两缓冲室内没有设置加热管。

采用本生产线，既可通过前侧的靶材在玻璃基片的正面镀上膜层、通过后侧的靶材在玻璃基片的反面镀上膜层；也可通过前侧的靶材在玻璃基片的反面镀上膜层、通过后侧的靶材在玻璃基片的正面镀上膜层。

以上所述的仅是本发明的一种实施方式。应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出显而易见的若干变换或替代以及改型，这些也应视为属于本发明的保护范围。比如：首部缓冲室、镀膜室、尾部缓冲室的数量可根据需要灵活决定；在确保靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列、靠近尾部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列的前提条件下，剩余每个真空室的室门可根据需要灵活设置在其前侧或后侧的室壁上。

Claims (2)

1.连续立式双面镀膜生产线，其特征在于：

它包括移动式进片台、移动式出片台、至少七个回架装置、直线排列且依次首尾相连的至少十二个真空室，首端的那个真空室为进片室，尾端的那个真空室为出片室，进片室和出片室之间的真空室依次为首部的至少两个缓冲室、至少六个镀膜室、尾部的另外至少两个缓冲室； 

进片室的进片口处设有真空插板阀，出片室的出片口处设有真空插板阀，进片室与首部的相邻那个缓冲室之间、首部的每两个相邻缓冲室之间、出片室与尾部的相邻那个缓冲室之间、尾部的每两个相邻缓冲室之间均设有真空插板阀，所述至少六个镀膜室和分别位于所述至少六个镀膜室首尾两侧且相邻的那两个缓冲室相连通；

每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第一独立传动装置，每个真空室的前侧或后侧室壁上设有一个室门，靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列，靠近尾部缓冲室的至少两个相邻镀膜室的室门相对错开排列；

所述回架装置依次首尾直线间隔排列，每个回架装置内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第二独立传动装置，所述回架装置的中心线的连线与所述真空室的中心线的连线相平行；

进片台设在进片室进片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，进片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，进片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

出片台设在出片室出片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，出片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，出片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

对于首部的至少两个缓冲室而言，每个缓冲室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管；

对于靠近首部缓冲室的至少两个相邻镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管；

对于靠近尾部缓冲室的至少三个镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有靶材、加热管； 

对于剩余的那个镀膜室而言，该镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管。

2.根据权利要求1所述的连续立式双面镀膜生产线，其特征在于：

它包括移动式进片台、移动式出片台、七个回架装置、直线排列且依次首尾相连的十二个真空室，首端的那个真空室为进片室，尾端的那个真空室为出片室，进片室和出片室之间的真空室依次为首部的两个缓冲室、六个镀膜室、尾部的另外两个缓冲室； 

进片室的进片口处设有真空插板阀，出片室的出片口处设有真空插板阀，进片室与首部的相邻那个缓冲室之间、首部的两个相邻缓冲室之间、出片室与尾部的相邻那个缓冲室之间、尾部的两个相邻缓冲室之间均设有真空插板阀，所述六个镀膜室和分别位于所述六个镀膜室首尾两侧且相邻的那两个缓冲室相连通；

每个真空室内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第一独立传动装置，每个真空室的前侧或后侧室壁上设有一个室门，靠近首部缓冲室的两个相邻镀膜室的室门相对错开排列，靠近尾部缓冲室的两个相邻镀膜室的室门相对错开排列；

所述回架装置依次首尾直线间隔排列，每个回架装置内以同一中心线排布方式设置玻璃基片装载架的第二独立传动装置，所述回架装置的中心线的连线与所述真空室的中心线的连线相平行；

进片台设在进片室进片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，进片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，进片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

出片台设在出片室出片口处的真空插板阀之外且与该真空插板阀相间隔，出片台的移动轨迹线为分别垂直于所述两连线的直线，出片台的中心的移动距离等于所述两连线之间的距离；

对于首部的两个缓冲室而言，每个缓冲室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管；

对于靠近首部缓冲室的两个相邻镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有硅靶材、加热管；

对于靠近尾部缓冲室的三个镀膜室而言，每个镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧分别装有纳米铟锡金属氧化物靶材、加热管； 

对于剩余的那个镀膜室而言，该镀膜室的室门的内侧、与所述室门相正对的另一侧室壁的内侧均装有加热管。

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