CN103145419B - 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法 - Google Patents

可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103145419B
CN103145419B CN201310108898.XA CN201310108898A CN103145419B CN 103145419 B CN103145419 B CN 103145419B CN 201310108898 A CN201310108898 A CN 201310108898A CN 103145419 B CN103145419 B CN 103145419B
Authority
CN
China
Prior art keywords
hours
li3vo4
dielectric ceramic
preparation
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310108898.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103145419A (zh
Inventor
方亮
邓婧
唐莹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Linyi Gaoxin Cultural Tourism Development Co ltd
Original Assignee
Guilin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Technology filed Critical Guilin University of Technology
Priority to CN201310108898.XA priority Critical patent/CN103145419B/zh
Publication of CN103145419A publication Critical patent/CN103145419A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103145419B publication Critical patent/CN103145419B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为Li3VO4。(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3和V2O5的原始粉末按Li3VO4的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在760~790℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明制备的陶瓷在760-790℃烧结良好,其介电常数达到17~18,品质因数Qf值高达59000-74000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

Description

可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料,特别是涉及在微波频率使用的介质基板、谐振器和滤波器等微波元器件,以及陶瓷电容器或温度补偿电容器的介电陶瓷材料及其制备方法。 
背景技术
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF和SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件,是现代通信技术的关键基础材料,已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用,在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。 
应用于微波频段的介电陶瓷,应满足如下介电特性的要求:(1)系列化介电常数εr以适应不同频率及不同应用场合的要求;(2)高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音,一般要求Qf≥3000GHz;(3)谐振频率的温度系数τf尽可能小以保证器件具有好的热稳定性,一般要求-10/℃≤τf≤+10ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。 
根据相对介电常数εr的大小与使用频段的不同,通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。 
(1)超低介电常数微波介电陶瓷,主要代表是Al2O3-TiO2、Y2BaCuO5、MgAl2O4和Mg2SiO4等,其εr≤20,品质因数Q×f≥50000GHz,τf≤10ppm/℃。主要用于微波基板以及高端微波元器件。 
(2)低εr和高Q值的微波介电陶瓷,主要是BaO-MgO-Ta2O5,BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5,BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其εr=25~30,Q=(1~2)×104(在f≥10GHz下),τf≈0。主要应用于f≥8GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。 
(3)中等εr和Q值的微波介电陶瓷,主要是以BaTi4O9、Ba2Ti9O20和(Zr、Sn)TiO4等为基的MWDC材料,其εr=35~40,Q=(6~9)×103(在f=3~-4GHz下),τf≤5ppm/℃。主要用于4~8GHz频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。 
(4)高εr而Q值较低的微波介电陶瓷,主要用于0.8~4GHz频率范围内民用移动 通讯系统,这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来,Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO-Ln2O3-TiO2系列(Ln=La、Sm、Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系列、铅基系列材料、Ca1-xLn2x/3TiO3系等高εr微波介电陶瓷,其中BLT体系的BaO-Nd2O3-TiO2材料介电常数达到90,铅基系列(Pb,Ca)ZrO3介电常数达到105。 
以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300℃,不能直接与Ag和Cu等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来,随着低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)的发展和微波多层器件发展的要求,国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究,主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系,因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗,玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。 
在探索与开发新型可低烧微波介电陶瓷材料的过程中,固有烧结温度低的Li基化合物、Bi基化合物、钨酸盐体系化合物和碲酸盐体系化合物等材料体系得到了广泛关注与研究,其中大量的探索研究集中在Li基二元或三元化合物上,并且开发出了如Li2TiO3、Li2MoO4和Li2MTi3O8(M=Mg或Zn)等系列性能良好的微波介质陶瓷等,但是可低烧的超低介电常数微波介质陶瓷体系仍然比较有限,这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。 
文献[宋秀芹等,中国有色金属学报,2000,10(4):591-595]报道了Li基钒酸盐Li3VO4的合成与离子导电特性,考虑到目前还没有关于Li3VO4陶瓷的微波介电性能的研究报道,我们对Li3VO4陶瓷进行了烧结特性与微波介电性能研究,结果发现该陶瓷具有优异的综合微波介电性能同时烧结温度低于950℃,可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造,可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要。 
发明内容
本发明的目的是提供一种具有超低介电常数、低损耗与良好的热稳定性,同时可低温烧结的微波介电陶瓷材料及其制备方法。 
本发明的微波介电陶瓷材料的组成为Li3VO4。 
本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为: 
(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3和V2O5的原始粉末按Li3VO4的组成称量配料。 
(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时。 
(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在760~790℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。 
本发明制备的陶瓷在760-790℃烧结良好,其介电常数达到17~18,品质因数Qf值高达59000-74000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。 
具体实施方式
实施例: 
表1示出了构成本发明的不同烧结温度的3个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述,用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。 
本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信和卫星通信等系统的技术需要。 
表1: 
Figure BDA0000299556330000031

Claims (1)

1.一种钒酸盐作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述钒酸盐的组成为:Li3VO4
所述钒酸盐的制备方法步骤为:
(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3和V2O5的原始粉末按Li3VO4的组成称量配料;
(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在700℃大气气氛中预烧6小时;
(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在760~790℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
CN201310108898.XA 2013-04-01 2013-04-01 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法 Active CN103145419B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310108898.XA CN103145419B (zh) 2013-04-01 2013-04-01 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310108898.XA CN103145419B (zh) 2013-04-01 2013-04-01 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103145419A CN103145419A (zh) 2013-06-12
CN103145419B true CN103145419B (zh) 2014-07-02

Family

ID=48543805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310108898.XA Active CN103145419B (zh) 2013-04-01 2013-04-01 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103145419B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103474641A (zh) * 2013-09-25 2013-12-25 三峡大学 一种锂离子电池负极材料Li3VO4及其制备方法
CN103496741B (zh) * 2013-09-25 2015-12-23 三峡大学 一种固相反应方法制备Li3VO4负极材料
CN103964848B (zh) * 2014-04-27 2015-11-11 桂林理工大学 超低温烧结的微波介电陶瓷Li2PVO6及其制备方法
CN103951413B (zh) * 2014-04-28 2015-12-30 桂林理工大学 超低温烧结的微波介电陶瓷Li3V2PO9及其制备方法
CN104003718B (zh) * 2014-05-03 2015-12-30 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Ti2VO8及其制备方法
CN104003719B (zh) * 2014-05-17 2016-01-13 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷LiTi2V3O12及其制备方法
CN104058746B (zh) * 2014-06-30 2015-06-10 桂林理工大学 可低温烧结微波介电陶瓷LiNd2V3O11及其制备方法
CN104370543B (zh) * 2014-11-10 2016-05-18 桂林理工大学 低温烧结超低介电常数微波介电陶瓷Ca3LaSmB4O12
CN104446469B (zh) * 2014-11-30 2016-08-24 桂林理工大学 超低损耗微波介电陶瓷Li3V2B3O11及其制备方法
CN104557014B (zh) * 2014-12-27 2016-08-24 桂林理工大学 一种谐振频率温度系数近零的超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN104446473B (zh) * 2014-12-27 2016-08-17 桂林理工大学 一种温度稳定型超低损耗微波介电陶瓷及其制备方法
CN113277848A (zh) * 2021-05-26 2021-08-20 福建溥昱电子科技有限公司 一种中介复合钒酸盐系微波介质陶瓷的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1793035A (zh) * 2005-11-10 2006-06-28 西安交通大学 一种低温烧结铋基微波介质陶瓷材料及其制备
CN101362647A (zh) * 2008-09-05 2009-02-11 西安交通大学 锂基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1793035A (zh) * 2005-11-10 2006-06-28 西安交通大学 一种低温烧结铋基微波介质陶瓷材料及其制备
CN101362647A (zh) * 2008-09-05 2009-02-11 西安交通大学 锂基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备

Also Published As

Publication number Publication date
CN103145419A (zh) 2013-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103145419B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li3VO4及其制备方法
CN103130496B (zh) 低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法
CN103145420B (zh) 可低温烧结钒酸盐微波介电陶瓷LiMVO4及其制备方法
CN104058748B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMg2V3O10及其制备方法
CN104003720B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Zn2W2O9及其制备方法
CN103113104B (zh) 复合氧化物Li2W4O13作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用
CN103204680B (zh) 铌酸盐微波介电陶瓷LiMNb3O9及其制备方法
CN103121843A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Mg2W3O12及其制备方法
CN104058745B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2MgNb2O7及其制备方法
CN103232243A (zh) 钒酸盐微波介电陶瓷Ca1.5M3V3O12及其制备方法
CN104211391A (zh) 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26
CN104058746B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiNd2V3O11及其制备方法
CN104003723A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Zn4NbO8及其制备方法
CN103159477A (zh) 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li2MW2O8及其制备方法
CN102603292B (zh) 一种用于可低温烧结微波介电陶瓷的复合氧化物
CN104058747B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMgV3O9及其制备方法
CN104045344B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Zn3WO7及其制备方法
CN103159476A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiWVO6及其制备方法
CN103193483B (zh) 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li3R3W2O12及其制备方法
CN103319177B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Ba3WTiO8及其制备方法
CN103232244A (zh) 可低温烧结钒酸盐微波介电陶瓷Ca0.5M4V3O12及其制备方法
CN103922719B (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷TiP2O7及其制备方法
CN103130505B (zh) 可低温烧结锂基微波介电陶瓷Li2W2O7及其制备方法
CN103922721B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li4P2O7及其制备方法
CN103896572B (zh) 可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷Li3PO4及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 541001 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Sizhou Diecai District of Guilin City Bay Garden No. 4 3-2

Patentee after: Guilin University of Technology

Address before: 541004 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Guilin Construction Road No. 12

Patentee before: Guilin University of Technology

CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: No. 12, Jian Gong Road, Guilin, the Guangxi Zhuang Autonomous Region

Patentee after: Guilin University of Technology

Address before: 541001 No. 3-2, No. 4, Si Chau Wan garden, Diecai District, Guilin, the Guangxi Zhuang Autonomous Region.

Patentee before: Guilin University of Technology

CP02 Change in the address of a patent holder
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201224

Address after: 215600 room a1307, 109 Shazhou West Road, yangshe Town, Zhangjiagang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Hongwu Technology Intermediary Service Co.,Ltd.

Address before: 541004 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Guilin Construction Road No. 12

Patentee before: GUILIN University OF TECHNOLOGY

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240920

Address after: 276000 413, block B, Chuangxin building, high tech Industrial Development Zone, Linyi City, Shandong Province

Patentee after: Linyi Gaoxin Cultural Tourism Development Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 215600 room a1307, 109 Shazhou West Road, yangshe Town, Zhangjiagang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Suzhou Hongwu Technology Intermediary Service Co.,Ltd.

Country or region before: China