CN103159476A - 可低温烧结微波介电陶瓷LiWVO6及其制备方法 - Google Patents

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邓婧
唐莹
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Abstract

本发明公开了一种可低温烧结微波介电陶瓷LiWVO6及其制备方法。介电陶瓷材料的组成为LiWVO6。(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3、WO3和V2O5的原始粉末按LiWVO6的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在470℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在520~540℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明制备的陶瓷在520-540℃烧结良好,其介电常数达到13~14,品质因数Qf值高达69000-84000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。

Description

可低温烧结微波介电陶瓷 LiWVO6 及其制备方法
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料,特别是涉及在微波频率使用的介质基板、谐振器和滤波器等微波元器件,以及陶瓷电容器或温度补偿电容器的介电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF和SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件,是现代通信技术的关键基础材料,已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用,在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。
应用于微波频段的介电陶瓷,应满足如下介电特性的要求:(1)系列化介电常数εr以适应不同频率及不同应用场合的要求;(2)高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音,一般要求Qf≥3000 GHz;(3) 谐振频率的温度系数τƒ尽可能小以保证器件具有好的热稳定性,一般要求-10/℃≤τƒ≤+10 ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。
根据相对介电常数εr的大小与使用频段的不同,通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。
(1)超低介电常数微波介电陶瓷,主要代表是Al2O3-TiO2、Y2BaCuO5、MgAl2O4和Mg2SiO4等,其εr≤20,品质因数Q×f≥50000GHz,τƒ≤10 ppm/°C。主要用于微波基板以及高端微波元器件。
(2)低εr和高Q值的微波介电陶瓷,主要是BaO-MgO-Ta2O5, BaO-ZnO-Ta2O5或BaO-MgO-Nb2O5, BaO-ZnO-Nb2O5系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其εr=25~30, Q=(1~2)×104(在f≥10 GHz下), τƒ≈0。主要应用于f≥8 GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。
(3)中等εr和Q值的微波介电陶瓷,主要是以BaTi4O9、Ba2Ti9O20和(Zr、Sn)TiO4等为基的MWDC材料,其εr=35~40,Q=(6~9)×103(在f=3~-4GHz下),τƒ≤5 ppm/°C。主要用于4~8 GHz 频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。
(4)高εr而Q值较低的微波介电陶瓷,主要用于0.8~4GHz 频率范围内民用移动通讯系统,这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来,Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO—Ln2O3—TiO2系列(Ln=La、 Sm、Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO—Li2O—Ln2O3—TiO2系列、铅基系列材料、Ca1-xLn2x/3TiO3系等高εr微波介电陶瓷,其中BLT体系的BaO—Nd2O3—TiO2材料介电常数达到90,铅基系列 (Pb,Ca)ZrO3介电常数达到105。
以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300°C,不能直接与Ag和Cu 等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来,随着低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)的发展和微波多层器件发展的要求,国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究,主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系,因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗,玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。
在探索与开发新型可低烧微波介电陶瓷材料的过程中,固有烧结温度低的Li基化合物、Bi基化合物、钨酸盐体系化合物和碲酸盐体系化合物等材料体系得到了广泛关注与研究,其中大量的探索研究集中在Li基二元或三元化合物上,并且开发出了如Li2TiO3、Li3NbO4、Li2MoO4和Li2MTi3O8 (M=Mg或Zn)等系列性能良好的微波介质陶瓷等,但是可低烧的超低介电常数微波介质陶瓷体系仍然比较有限,这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。
文献[Journal of Solid State Chemistry,2009, 182(11): 3003-3012]报道了复合氧化物LiWVO6的晶体结构、光谱以及热动力学特性,考虑到目前还没有关于LiWVO6陶瓷的制备与微波介电性能的研究报道,我们对LiWVO6陶瓷进行了烧结特性与微波介电性能研究,结果发现该陶瓷具有优异的综合微波介电性能同时烧结温度低于550°C,可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造,可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有超低介电常数、低损耗与良好的热稳定性,同时可低温烧结的微波介电陶瓷材料及其制备方法。
本发明的微波介电陶瓷材料的组成为LiWVO6
本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为:
(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3、WO3和V2O5的原始粉末按LiWVO6的组成称量配料。
(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在470℃大气气氛中预烧6小时。
(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在520~540℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
本发明制备的陶瓷在520-540℃烧结良好,其介电常数达到13~14,品质因数Qf值高达69000-84000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。
具体实施方式
实施例:
表1示出了构成本发明的不同烧结温度的3个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述,用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。
本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信和卫星通信等系统的技术需要。
本发明决不限于以上实施例,具有与W相似结构与化学性质的元素如Mo和Cr等也可以做出与本发明类似晶体结构与性能的的介电陶瓷。
表1:
Figure 2013101085163100002DEST_PATH_IMAGE001

Claims (1)

1.一种复合氧化物作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述复合氧化物的组成为:LiWVO6
所述复合氧化物的制备方法步骤为:
(1)将纯度为99.9%以上的Li2CO3、WO3和V2O5的原始粉末按LiWVO6的组成称量配料;
(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在470℃大气气氛中预烧6小时;
(3)在步骤(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在520~540℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104649667A (zh) * 2015-02-09 2015-05-27 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9
CN104744040A (zh) * 2015-03-26 2015-07-01 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiNd2VO6
CN106220171A (zh) * 2016-07-28 2016-12-14 桂林理工大学 一种具有超低烧结温度的低介电常数微波介电陶瓷LiMoVO6
CN108409325A (zh) * 2018-05-15 2018-08-17 湖南先导电子陶瓷科技产业园发展有限公司 一种超低温烧结的高q值微波介质陶瓷材料制备工艺及产品
CN111943670A (zh) * 2020-06-30 2020-11-17 杭州电子科技大学 LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101289312A (zh) * 2008-06-13 2008-10-22 清华大学 一种低烧结温度低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法
CN101805186A (zh) * 2010-03-24 2010-08-18 桂林理工大学 一种超低烧结温度微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102249664A (zh) * 2011-04-27 2011-11-23 西安工业大学 一种钾基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101289312A (zh) * 2008-06-13 2008-10-22 清华大学 一种低烧结温度低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法
CN101805186A (zh) * 2010-03-24 2010-08-18 桂林理工大学 一种超低烧结温度微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN102249664A (zh) * 2011-04-27 2011-11-23 西安工业大学 一种钾基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRIAN L. CUSHING等: "Instability of brannerite cathode materials upon lithium insertion", 《INTERNATIONAL JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS》 *
王成等: "低固有烧结温度LTCC微波介质陶瓷研究进展", 《电子元件与材料》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104649667A (zh) * 2015-02-09 2015-05-27 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn3WVO9
CN104744040A (zh) * 2015-03-26 2015-07-01 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiNd2VO6
CN106220171A (zh) * 2016-07-28 2016-12-14 桂林理工大学 一种具有超低烧结温度的低介电常数微波介电陶瓷LiMoVO6
CN108409325A (zh) * 2018-05-15 2018-08-17 湖南先导电子陶瓷科技产业园发展有限公司 一种超低温烧结的高q值微波介质陶瓷材料制备工艺及产品
CN111943670A (zh) * 2020-06-30 2020-11-17 杭州电子科技大学 LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法
CN111943670B (zh) * 2020-06-30 2023-06-06 杭州电子科技大学 LiWVO6-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法

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