CN103138712B - 一种新型的叠层双通道共模esd滤波器 - Google Patents

Abstract

一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器，可用于移动电话、手提电脑、数码相机以及其他各种通讯设备中，其将ESD抑制器功能和共模滤波器两个实现不同功能的部分采用LTCC成型技术集成到同一元件中，然后利用900℃低温共烧而成。本发明以LTCC（低温共烧陶瓷）技术为基础，通过优良的流延成型工艺和多种材料共烧技术来实现其内部特殊的结构，从而达到共模ESD滤波器的各种特性设计要求，并且在制作过程中可通过不断的改变结构、材料和工艺来得到不同性能要求的叠层双通道共模ESD滤波器。本发明可以有效的抑制共模干扰和减小ESD损伤，具有高可靠性、成本低和适合于大规模的生产等优点，另外还适应了新的电子元件小型化发展趋势。

Description

一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器

技术领域

    本发明公开一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器，可用于移动电话、手提电脑、数码相机以及其他各种通讯设备中。

背景技术

随着现代科学技术的飞速发展，便携式电子设备应用越来越广泛，它们在运行中产生的高密度、宽频谱的电磁信号充满整个空间，形成复杂的电磁环境。为减少噪音的干扰，差模信号（differential signal）被广泛应用在各种高速数据传输接口上，如USB 2.0/3.0、IEEE 1394、HDMI和Display port等等。伴随着电子产品各种接口传输数据不断攀升，共模干扰愈发严重，与此同时伴随着IC等半导体加工的不断微细化，电子设备应对静电释放（ESD）的功能，相对变得越来越脆弱。因此，如何抑制共模噪音和做好器件的ESD防护成为刻不容缓重要的研究课题之一。

以往的应对策略分别通过共模电感抑制共模噪音和ESD器件保护。如今随着LTCC（低温共烧陶瓷）技术的发展，凭借其高可靠度、高布线密度、三维立体布线技术以及高散热性的优点，被用来设计共模ESD滤波器(Common Mode ESD Filter)。叠层共模ESD滤波器是近年来被推广应用的一种新型组合器件。它能有效地抑制噪声、保护元件免受静电损伤，提高电子设备的抗干扰能力及系统的可靠性。

发明内容

针对上述提到的现有技术中采用共模电感抑制共模噪音和ESD器件保护，分体设置，使用不便的缺点，本发明提供一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器，将ESD抑制器功能和共模滤波器两个实现不同功能的部分采用LTCC成型技术集成到同一元件中，然后利用900℃低温共烧而成。

本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器，滤波器内包括基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层，基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层，设置在基体外侧四周的接线端头包括接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3、接线端头P4、接线端头P5、接线端头P6、接线端头P7、接线端头P8、接线端头P9和接线端头P10，设置在基体内部的电路层包括两组共模ESD滤波器，第一组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L1和串联连接的抑制器E1、抑制器E8为第一通道，抑制器E1和抑制器E8与线圈L1并联连接，线圈L2和串联连接的抑制器E2、抑制器E7为第二通道，抑制器E2和抑制器E7与线圈L2并联连接；第二组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L3和串联连接的抑制器E3、抑制器E6为第一通道，抑制器E3和抑制器E6与线圈L3并联连接，线圈L4和串联连接的抑制器E4、抑制器E5为第二通道，抑制器E4和抑制器E5与线圈L4并联连接，设置在基体内部的电路层呈层叠设置，最上面一层为第四铁氧体基体层FS4，铁氧体基体层FS4下方为第二陶瓷基体层CS2，陶瓷基体层CS2下方为第三铁氧体基体层FS3，第三铁氧体基体层FS3下方为压敏材料基体层VS，压敏材料基体层VS下方为第二铁氧体基体层FS2，第二铁氧体基体层FS2下方为第一陶瓷基体层CS1，第一陶瓷基体层CS1下方为第二铁氧体基体层FS1。

本发明解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括：

所述的基体内部的电路层包括十一层：

第一层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第一层金属线圈导体，第一层的金属线圈导体包括两个通向旋转的方形线圈构成，第一个线圈的端头为内部端点1a，第一个线圈的端尾与第二个线圈的端头相连接，第二个线圈的端尾为内部端点1b；

第二层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第二层金属线圈导体，第二层的金属线圈导体包括两个相互绝缘的线圈，第一线圈由内至外顺时针旋转一圈半形成，内部端点2a通过导电柱15a与第一层金属线圈导体内部端点1a电连接，第一线圈外部端点2c与外部的接线端头P9连接，第二线圈由内至外顺时针旋转两圈形成，内部端点2b通过导电柱15b与第一层金属线圈导体内部端点1b连接，第二线圈外部端点2d与外部的接线端头P1连接，从而形成线圈L1；

第三层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第三层金属线圈导体，第三层线圈与第二层金属线圈形状基本相同，第一线圈外部端点3c与外部的接线端头P8电连接，第二线圈外部端点3d与外部的接线端头P2连接；

第四层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第四层金属线圈导体，第四层金属线圈导体的形状与第一层金属线圈导体的形状相同，第四层金属线圈的内部端点4a通过导电柱15a与第三层金属线圈导体内部端点3a电连接，第四层金属线圈的内部端点4b通过导电柱15b与第三层金属线圈导体内部端点3b电连接，从而形成线圈L2；

第五层，第二铁氧体基体层FS2与压敏材料基体层VS的分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体5a、5b、5c和5d，金属平面导体5a、5b、5c和5d分别与接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4电连接；

第六层，压敏材料基体层VS内印制金属平面导体，第六层金属平面导体呈平面长方形，两侧分别设有一个引出端，分别为引出端6a和引出端6b，引出端6a与接线端头P10电连接，引出端6b与接线端头P5电连接，第六层金属平面导体分别在接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4端口处分别形成四个ESD抑制器E1、抑制器E2、抑制器E3和抑制器E4；

第七层，压敏材料基体层VS与第三铁氧体基体层FS3分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体7a、7b、7c和7d，金属平面导体7a、7b、7c和7d分别与接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6电连接，并与第六层接地金属平面导体在接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6端口处形成四个ESD抑制器E8、抑制器E7、抑制器E6和抑制器E5；

第八层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第八层金属线圈导体包括两段相互连接的金属线圈，第一金属线圈呈3/4圈，第二金属线圈为一圈，第一金属线圈端头为内部端点8a，第一金属线圈端尾与第二金属线圈端头连接，第二金属线圈端尾为内部端点8b；

第九层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第九层金属线圈导体与第二层金属线圈导体形状相同，对称设置，内部端点9a通过导电柱14a与第八层金属线圈导体内部端点8a电连接，内部端点9b通过导电柱14b与第八层金属线圈导体内部端点8b电连接，外部端点9c与接线端头P6电连接，外部端点9d与接线端头P4电连接，形成线圈L4；

第十层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第十层金属线圈导体与第三层金属线圈导体形状相同，对称设置，金属线圈的外部端点10c与接线端头P7电连接，外部端点10d与接线端头P3电连接；

第十一层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2上金属线圈导体，第十一层金属线圈导体与第八层的金属线圈导体形状相同，第十一层金属线圈导体的内部端点11a通过导电柱14a与第十层金属线圈导体内部端点10a电连接，第十一层金属线圈导体的内部端点11b通过导电柱14b与第十层金属线圈导体内部端点10b电连接，形成线圈L3。

所述的金属平面导体5a、5b、5c和5d均呈长方形。

所述的金属平面导体7a、7b、7c和7d均呈长方形。

本发明的有益效果是：本发明以LTCC（低温共烧陶瓷）技术为基础，通过优良的流延成型工艺和多种材料共烧技术来实现其内部特殊的结构，从而达到共模ESD滤波器的各种特性设计要求，并且在制作过程中可通过不断的改变结构、材料和工艺来得到不同性能要求的叠层双通道共模ESD滤波器。本发明可以有效的抑制共模干扰和减小ESD损伤，具有高可靠性、成本低和适合于大规模的生产等优点，另外还适应了新的电子元件小型化发展趋势。

下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

附图说明

图1图1为本发明叠层双通道共模ESD滤波器等效电路示意图；

图2为本发明叠层双通道共模ESD滤波器外观结构立体示意图；

图3为本发明叠层双通道共模ESD滤波器基体材料示意图；

图4为本发明叠层双通道共模ESD滤波器内部结构示意图；

图5为本发明CS1中第一层、第四层电路层平面结构示意图；

图6为本发明CS1中第二层电路平面结构示意图；

图7为本发明CS1中第三层电路平面结构示意图；

图8为本发明CS1中第一层和第二层、第三层和第四层之间的点柱平面结构示意图，同时也是CS2中第八层和第九层、第十层和第十一层之间的点柱平面结构示意图；

图9为本发明CS1和CS2中，连接FS1和FS2、FS3和FS4之间的磁芯平面结构示意图；

图10为本发明FS2与VS交界面上第五层电路层平面结构示意图；

图11为本发明VS中第六层电路平面结构示意图；

图12为本发明VS与FS3交界面上第七层电路层平面结构示意图；

图13为本发明CS2中第八层、第十一层电路层平面结构示意图；

图14为本发明CS1中第九层电路平面结构示意图；

图15为本发明CS1中第十层电路平面结构示意图。

图中，1-第一层线圈导体，2-第二层线圈导体，3-第3层线圈导体，4-第四层线圈导体，5-ESD抑制器基片，6-接地金属平面，7- ESD抑制器基片，8-第五层线圈导体，9-第六层线圈导体，10-第七层线圈导体，11-第八层线圈导体，12-陶瓷基体CS2中磁芯，13-陶瓷基体CS1中磁芯，14-陶瓷基体CS1中的第一层和第二层线圈导体、第三层和第四层线圈导体之间连接点柱，15-陶瓷基体CS2中的第八层和第九层线圈导体、第十层和第十一层线圈导体之间连接点柱。

具体实施方式

本实施例为本发明优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本发明保护范围之内。

请参看附图1，本发明中叠层双通道共模ESD滤波器等效电路如图1所示，其中包括两组共模ESD滤波器，第一组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L1和串联连接的抑制器E1、抑制器E8为第一通道，抑制器E1和抑制器E8与线圈L1并联连接，线圈L2和串联连接的抑制器E2、抑制器E7为第二通道，抑制器E2和抑制器E7与线圈L2并联连接；第二组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L3和串联连接的抑制器E3、抑制器E6为第一通道，抑制器E3和抑制器E6与线圈L3并联连接，线圈L4和串联连接的抑制器E4、抑制器E5为第二通道，抑制器E4和抑制器E5与线圈L4并联连接。1号接口连接在线圈L1和抑制器E1的公共端，为第一差模输入接口；2号接口连接在线圈L2和抑制器E2的公共端，为第二差模输入接口；3号接口连接在线圈L3和抑制器E3的公共端，为第三差模输入接口；4号接口连接在线圈L2和抑制器E2的公共端，为第四差模输入接口；6号接口连接在线圈L4和抑制器E5的公共端，为第四差模输出接口；7号接口连接在线圈L3和抑制器E6的公共端，为第三差模输出接口；8号接口连接在线圈L2和抑制器E7的公共端，为第二差模输出接口；9号接口连接在线圈L1和抑制器E8的公共端，为第一差模输出接口；5号接口和10号接口分别为接地端口，其分别与抑制器E1和抑制器E8的公共端、抑制器E2和抑制器E7的公共端、抑制器E3和抑制器E6的公共端、抑制器E4和抑制器E5的公共端连接。

请结合参看附图2，本发明主要基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层，基体内部的电路层呈叠层结构，接线端头设有10个，分别是P1~P10，对应于等效电路中的1号接口~10号接口。其中，接线端头P1、接线端头P2和接线端头P8、接线端头P9为一组共模ESD滤波器差分输入/输出端口，且接线端头P1与接线端头P9为直通端口，接线端头P2与P8接线端头为直通端口；接线端头P3、接线端头P4和接线端头P6、接线端头P7为另一组共模ESD滤波器差分输入输出端口，且接线端头P3与接线端头P7为直通端口，接线端头P4与接线端头P6为直通端口，接线端头端口P5和接线端头P6为接地端口。

请参看附图3，基体内部的电路层呈叠层结构，最上面一层为第四铁氧体基体层FS4，铁氧体基体层FS4下方为第二陶瓷基体层CS2，陶瓷基体层CS2下方为第三铁氧体基体层FS3，第三铁氧体基体层FS3下方为压敏材料基体层VS，压敏材料基体层VS下方为第二铁氧体基体层FS2，第二铁氧体基体层FS2下方为第一陶瓷基体层CS1，第一陶瓷基体层CS1下方为第二铁氧体基体层FS1。附图4为本发明的内部结构示意图，其中的电路层主要分布在第一陶瓷基体层CS1、第二陶瓷基体层CS2和压敏材料基体层VS内，本发明的电路层结构共有十一层：

第一层，在填充铁氧体磁芯13的第一陶瓷基体层CS1内印制有第一层金属线圈导体，请参看附图5，本实施例中，第一层的金属线圈导体包括两个通向旋转的方形线圈构成，第一个线圈的端头为内部端点1a，第一个线圈的端尾与第二个线圈的端头相连接，第二个线圈的端尾为内部端点1b；

第二层，在填充铁氧体磁芯13的第一陶瓷基体层CS1内印制有第二层金属线圈导体，请参看附图6，本实施例中，第二层的金属线圈导体包括两个相互绝缘的线圈，第一线圈由内至外顺时针旋转一圈半形成，内部端点2a通过导电柱15a与第一层金属线圈导体内部端点1a电连接，第一线圈外部端点2c与外部的接线端头P9连接，第二线圈由内至外顺时针旋转两圈形成，内部端点2b通过导电柱15b与第一层金属线圈导体内部端点1b连接，第二线圈外部端点2d与外部的接线端头P1连接，从而形成线圈L1；

第三层，在填充铁氧体磁芯13的第一陶瓷基体层CS1内印制有第三层金属线圈导体，请参看附图7，本实施例中，第三层线圈与第二层金属线圈形状基本相同，第一线圈外部端点3c与外部的接线端头P8电连接，第二线圈外部端点3d与外部的接线端头P2连接；

第四层，在填充铁氧体磁芯13的第一陶瓷基体层CS1内印制有第四层金属线圈导体，请参看附图5，第四层金属线圈导体的形状与第一层金属线圈导体的形状相同，第四层金属线圈的内部端点4a通过导电柱15a与第三层金属线圈导体内部端点3a电连接，第四层金属线圈的内部端点4b通过导电柱15b与第三层金属线圈导体内部端点3b电连接，从而形成线圈L2；

第五层，第二铁氧体基体层FS2与压敏材料基体层VS的分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体5a、5b、5c和5d，请参看附图10，金属平面导体5a、5b、5c和5d均呈长方形，分别与接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4电连接；

第六层，压敏材料基体层VS内印制金属平面导体，请参看附图11，本实施例中，第六层金属平面导体呈平面长方形，两侧分别设有一个引出端，分别为引出端6a和引出端6b，引出端6a与接线端头P10电连接，引出端6b与接线端头P5电连接，第六层金属平面导体分别在接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4端口处分别形成四个ESD抑制器E1、抑制器E2、抑制器E3和抑制器E4；

第七层，压敏材料基体层VS与第三铁氧体基体层FS3分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体7a、7b、7c和7d，请参看附图12，金属平面导体7a、7b、7c和7d均呈长方形，分别与接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6电连接，并与第六层接地金属平面导体在接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6端口处形成四个ESD抑制器E8、抑制器E7、抑制器E6和抑制器E5；

第八层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，请参看附图13，本实施例中，第八层金属线圈导体包括两段相互连接的金属线圈，第一金属线圈呈3/4圈，第二金属线圈为一圈，第一金属线圈端头为内部端点8a，第一金属线圈端尾与第二金属线圈端头连接，第二金属线圈端尾为内部端点8b；

第九层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，请参看附图14，本实施例中，第九层金属线圈导体与第二层金属线圈导体形状相同，对称设置，内部端点9a通过导电柱14a与第八层金属线圈导体内部端点8a电连接，内部端点9b通过导电柱14b与第八层金属线圈导体内部端点8b电连接，外部端点9c与接线端头P6电连接，外部端点9d与接线端头P4电连接，形成线圈L4；

第十层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，请参看附图15，本实施例中，第十层金属线圈导体与第三层金属线圈导体形状相同，对称设置，金属线圈的外部端点10c与接线端头P7电连接，外部端点10d与接线端头P3电连接；

第十一层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2内金属线圈导体，请参看附图13，第十一层金属线圈导体与第八层的金属线圈导体形状相同，第十一层金属线圈导体的内部端点11a通过导电柱14a与第十层金属线圈导体内部端点10a电连接，第十一层金属线圈导体的内部端点11b通过导电柱14b与第十层金属线圈导体内部端点10b电连接，形成线圈L3。

本发明以LTCC（低温共烧陶瓷）技术为基础，通过优良的流延成型工艺和多种材料共烧技术来实现其内部特殊的结构，从而达到共模ESD滤波器的各种特性设计要求，并且在制作过程中可通过不断的改变结构、材料和工艺来得到不同性能要求的叠层双通道共模ESD滤波器。本发明可以有效的抑制共模干扰和减小ESD损伤，具有高可靠性、成本低和适合于大规模的生产等优点，另外还适应了新的电子元件小型化发展趋势。

Claims (3)

1.一种新型的叠层双通道共模ESD滤波器，其特征是：所述的滤波器内包括基体、设置在基体外侧四周的接线端头和设置在基体内部的电路层，设置在基体外侧四周的接线端头包括接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3、接线端头P4、接线端头P5、接线端头P6、接线端头P7、接线端头P8、接线端头P9和接线端头P10，设置在基体内部的电路层包括两组共模ESD滤波器，第一组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L1和串联连接的抑制器E1、抑制器E8为第一通道，抑制器E1和抑制器E8与线圈L1并联连接，线圈L2和串联连接的抑制器E2、抑制器E7为第二通道，抑制器E2和抑制器E7与线圈L2并联连接；第二组共模ESD滤波器包括两个通路，线圈L3和串联连接的抑制器E3、抑制器E6为第一通道，抑制器E3和抑制器E6与线圈L3并联连接，线圈L4和串联连接的抑制器E4、抑制器E5为第二通道，抑制器E4和抑制器E5与线圈L4并联连接，设置在基体内部的电路层呈层叠设置，最上面一层为第四铁氧体基体层FS4，铁氧体基体层FS4下方为第二陶瓷基体层CS2，陶瓷基体层CS2下方为第三铁氧体基体层FS3，第三铁氧体基体层FS3下方为压敏材料基体层VS，压敏材料基体层VS下方为第二铁氧体基体层FS2，第二铁氧体基体层FS2下方为第一陶瓷基体层CS1，第一陶瓷基体层CS1下方为第二铁氧体基体层FS1；

所述的基体内部的电路层包括十一层：

第一层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第一层金属线圈导体，第一层的金属线圈导体包括两个通向旋转的方形线圈构成，第一个线圈的端头为内部端点1a，第一个线圈的端尾与第二个线圈的端头相连接，第二个线圈的端尾为内部端点1b；

第二层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第二层金属线圈导体，第二层的金属线圈导体包括两个相互绝缘的线圈，第一线圈由内至外顺时针旋转一圈半形成，内部端点2a通过导电柱15a与第一层金属线圈导体内部端点1a电连接，第一线圈外部端点2c与外部的接线端头P9连接，第二线圈由内至外顺时针旋转两圈形成，内部端点2b通过导电柱15b与第一层金属线圈导体内部端点1b连接，第二线圈外部端点2d与外部的接线端头P1连接，从而形成线圈L1；

第三层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第三层金属线圈导体，第三层线圈与第二层金属线圈形状基本相同，第一线圈外部端点3c与外部的接线端头P8电连接，第二线圈外部端点3d与外部的接线端头P2连接；

第四层，在第一陶瓷基体层CS1内印制有第四层金属线圈导体，第四层金属线圈导体的形状与第一层金属线圈导体的形状相同，第四层金属线圈的内部端点4a通过导电柱15a与第三层金属线圈导体内部端点3a电连接，第四层金属线圈的内部端点4b通过导电柱15b与第三层金属线圈导体内部端点3b电连接，从而形成线圈L2；

第五层，第二铁氧体基体层FS2与压敏材料基体层VS的分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体5a、5b、5c和5d，金属平面导体5a、5b、5c和5d分别与接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4电连接；

第六层，压敏材料基体层VS内印制金属平面导体，第六层金属平面导体呈平面长方形，两侧分别设有一个引出端，分别为引出端6a和引出端6b，引出端6a与接线端头P10电连接，引出端6b与接线端头P5电连接，第六层金属平面导体分别在接线端头P1、接线端头P2、接线端头P3和接线端头P4端口处分别形成四个ESD抑制器E1、抑制器E2、抑制器E3和抑制器E4；

第七层，压敏材料基体层VS与第三铁氧体基体层FS3分界面上印制四块相互绝缘的金属平面导体7a、7b、7c和7d，金属平面导体7a、7b、7c和7d分别与接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6电连接，并与第六层接地金属平面导体在接线端头P9、接线端头P8、接线端头P7和接线端头P6端口处形成四个ESD抑制器E8、抑制器E7、抑制器E6和抑制器E5；

第八层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第八层金属线圈导体包括两段相互连接的金属线圈，第一金属线圈呈3/4圈，第二金属线圈为一圈，第一金属线圈端头为内部端点8a，第一金属线圈端尾与第二金属线圈端头连接，第二金属线圈端尾为内部端点8b；

第九层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第九层金属线圈导体与第二层金属线圈导体形状相同，对称设置，内部端点9a通过导电柱14a与第八层金属线圈导体内部端点8a电连接，内部端点9b通过导电柱14b与第八层金属线圈导体内部端点8b电连接，外部端点9c与接线端头P6电连接，外部端点9d与接线端头P4电连接，形成线圈L4；

第十层，在第二陶瓷基体层CS2内印制有金属线圈导体，第十层金属线圈导体与第三层金属线圈导体形状相同，对称设置，金属线圈的外部端点10c与接线端头P7电连接，外部端点10d与接线端头P3电连接；

第十一层，在填充铁氧体磁芯12的第二陶瓷基体层CS2上金属线圈导体，第十一层金属线圈导体与第八层的金属线圈导体形状相同，第十一层金属线圈导体的内部端点11a通过导电柱14a与第十层金属线圈导体内部端点10a电连接，第十一层金属线圈导体的内部端点11b通过导电柱14b与第十层金属线圈导体内部端点10b电连接，形成线圈L3。

2.根据权利要求1所述的新型的叠层双通道共模ESD滤波器，其特征是：所述的金属平面导体5a、5b、5c和5d均呈长方形。

3.根据权利要求1所述的新型的叠层双通道共模ESD滤波器，其特征是：所述的金属平面导体7a、7b、7c和7d均呈长方形。