CN103137902B - 剥离装置和包括剥离装置的内联热转印系统 - Google Patents

Abstract

剥离装置包括台、第一辊单元、夹持器和第二辊单元。台包括外围区域和衬底区域。供体膜的边缘附着于外围区域。层压于所述供体膜的受体衬底设置在衬底区域处。第一辊单元设置在供体膜上，并且在受体衬底的长度方向上移动。夹持器设置在供体膜上，且配置为将供体膜边缘与台分离，以使得供体膜接触第一辊单元。第二辊单元设置在台上，且接触与第一辊单元接触的供体膜，并且通过与第一辊单元在长度方向上移动将供体膜从受体衬底剥离。

Description

剥离装置和包括剥离装置的内联热转印系统

技术领域

本发明通常涉及剥离装置和包括该剥离装置的内联热转印系统。更具体地，本发明涉及用于形成有机发光二极管（OLED）显示器的有机层的剥离装置和包括其的内联热转印系统。

背景技术

有机发光部件是平板显示设备。该有机发光部件可以包括阳极、阴极和在阳极和阴极之间插入的至少有机发光层。有机发光部件具有视角宽、对比度高和响应速度快的优点。由于有机发光部件的优点，所以作为下一代显示元件，有机发光部件已经引起关注。

根据发光层是否由高分子有机材料或低分子有机材料制成，有机发光部件除了包括有机发光层之外，还可以包括：在空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）之间插入的至少一个有机层。

在该有机发光部件中，为了实现全色，需要对有机层进行构图。可以使用阴影掩模对低分子有机发光部件进行构图，可以通过喷墨印刷方法和使用激光的激光热转印（LITI）方法对高分子有机发光部件进行构图。LITI方法具有多个优点。例如，LITI方法可以对大面积的有机层进行构图。此外，LITI方法可以高精度和高分辨率对有机层进行构图。

在背景技术部分所公开的上述信息，仅仅是为了加强对所述技术背景的理解，因此，可能包括没有成为现有技术的信息，但是这些信息已经被本国的本领域普通技术人员所了解。

发明内容

为了提供剥离装置和具有该剥离装置的内联热转印系统，开发了所述技术，其具有使得在热转印方法中使用的剥离处理期间所产生的缺陷最小化的优点。

本发明的示例性实施方式提供了一种剥离装置。剥离装置可以包括台、第一辊单元、夹持器和第二辊单元。台可以包括外围区域和衬底区域。供体膜的边缘可附着于所述外围区域处。层压在所述供体膜的中央部分的受体衬底可设置在所述衬底区域处。第一辊单元可与所述衬底区域相对应地设置在所述供体膜上，并且可配置为在所述受体衬底的长度方向上移动。夹持器可与所述外围区域相对应地设置在所述供体膜上，并且可配置为将所述供体膜的边缘与所述台分离，以使所述供体膜接触所述第一辊单元。第二辊单元可设置在所述台上以邻近所述第一辊单元，所述第二辊单元可接触所述供体膜，所述供体膜接触所述第一辊单元，所述第二辊单元可配置为通过与所述第一辊单元在长度方向上移动而将所述供体膜从受体衬底剥离。

所述受体衬底可包括对准键，所述台还可包括与所述对准键对应的背光单元。

所述第一辊单元可包括主辊和施压辊。主辊可与所述衬底区域相对应地设置在所述供体膜上，且可接触所述供体膜。施压辊可在从所述主辊到所述台的方向上延伸，并且可配置为对与所述外围区域对应的所述供体膜施加压力。

所述第二辊单元可包括辅助辊、剥离端和切割器。辅助辊可邻近所述主辊且可接触所述供体膜。剥离端可在从所述辅助辊到与所述施压辊对应的台的方向上延伸，并且可插在与所述外围区域对应的所述供体膜和所述台之间。切割器可设置在所述剥离端的外侧并且可配置为切割所述供体膜。

所述剥离端可包括吸气构件。所述吸气构件可配置为吸入所述供体膜和所述台之间的空气。

所述台还可包括与所述切割器相对应地设置在所述外围区域处的凹形单元。所述切割器的一部分可插入所述凹形单元中。

所述台还可包括排气构件，所述排气构件连接至所述凹形单元且配置为吸入所述凹形单元的空气。

底部膜可与所述衬底区域和所述外围区域相对应地设置在所述台和所述受体衬底之间以及所述台和所述供体膜之间。

本发明的另一个示例性实施方式提供了额一种内联热转印系统。该内联热转印系统可包括如上所述的剥离装置、转移装置、层压装置和台输送装置。转移装置可设置在所述剥离装置附近，且可包括用于与所述台的所述衬底区域相对应地向所述供体膜上照射激光的激光单元。层压装置可邻近所述转移装置，并且可包括用于在所述台和所述受体衬底处层压所述供体膜的层压单元。台输送装置可用于将所述台分别输送到所述层压装置、所述转移装置和所述剥离装置。

根据本发明的示例性实施方式，剥离装置和具有该剥离装置的内联热转印系统可以最小化使用热转印方法的剥离处理期间所产生的缺陷。

附图说明

通过参照附图以及以下的详细说明进行更加清楚地理解时，本发明的更加全面的理解和许多伴随的优点将是显而易见的，在附图中，相同的参考符号表示相同的或类似的部件，其中：

图1示出了根据本发明第一示例性实施方式的内联热转印系统。

图2示出了图1的层压装置。

图3是示出了利用图2的层压装置层压有供体膜的受体衬底的剖视图。

图4示出了图1的转移装置。

图5是示出了具有利用图4的转移装置转移的供体膜的有机层的受体衬底的剖视图。

图6到图8示出了图1的剥离装置。

图9到图13示出了利用图6到图8的剥离装置的剥离处理。

图14是在通过图9到图13的剥离处理剥离供体膜之后的受体衬底的剖视图。

图15示出了根据本发明第二示例性实施方式的剥离装置。

具体实施方式

在下面详细说明中，仅作为说明，仅示出和描述了某些示例性实施方式。如本领域的技术人员将能实现的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以各种不同的方式对所述实施方式进行修改。

相应地，附图和描述实际上将被认为是示例性的，而非限制性的。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的元件。

对于各种示例性实施方式，具有相同构造的组成元件表示为相同的参考标记，并且在第一示例性实施方式中典型地示出。在另一示例性实施方式，仅描述了与第一示例性实施方式中不同的组成元件。

在附图中，为了更好的理解和便于说明，大概地示出了每个元件的尺寸和厚度。因此，本发明不局限于附图。

在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于说明，放大了每个元件的尺寸和厚度。应当理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件称为位于另一元件"之上"时，可以直接位于另一元件之上，或者也可能存在插入在二者之间的元件。

此外，除非有明确的相反描述，词“包括”及诸如“包含”的变型将理解为暗示包括所述的元件，但是不排除其他的任何元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件称为在另一元件"之上"时，可以在另一元件上或另一元件下。元件在重力方向上可能不会在另一元件之上。

在下文中，将参照图1描述根据本发明的第一示例性实施方式的内联热转印系统。

图1示出了根据本发明第一示例性实施方式的内联热转印系统。

如图1所示，根据第一示例性实施方式的内联热转印系统可在受体衬底处层叠供体膜，可通过将激光照射到供体膜上以在供体膜上形成有机层，可将有机层从供体膜转移到受体衬底，并可使供体膜从受体衬底剥离。内联热转印系统可以包括层压装置1000、转移装置2000、剥离装置3000和台输送装置4000。台输送装置4000可以将其上放置有受体衬底的台100分别输送到层压装置1000、转移装置2000和剥离装置3000。台输送装置4000可以包括输送单元，例如对于驱动转移单元的轨道和电机。由台输送装置4000输送的台100可以分别包括在层压装置1000、转移装置2000和剥离装置3000中。

图2示出了图1的层压装置。

如图2所示，层压装置1000可以将供体膜20层压在受体衬底10上。层压装置1000可以包括台100和层压单元1100。

台100可以包括外围区域（OA）、衬底区域（SA）、背光单元110和凹形单元120。供体膜20的边缘可以附接到外围区域（OA），受体衬底10位于衬底区域（SA）上。受体衬底10可以层压在供体膜20的中央区域。背光单元110可以与衬底区域（SA）对应地设置，并且可以对应于受体衬底10处形成的对准键。凹形单元120可以与外围区域（OA）对应地设置，并且可以形成为下陷的。

层压单元1100在顶部到底部的方向上相对于台100是可移动的。层压单元1100可以在设置受体衬底10的区域处保持真空状态，并且层压单元1100可以利用热量层压与台100的外围区域（OA）对应的供体膜20和底部膜30。因此，供体膜20可以层压在受体衬底10上，受体衬底10可以被密封在供体膜20和底部膜30之间。底部膜30可以对应于衬底区域（SA）和外围区域（OA），设置在台100和受体衬底10之间、台100和供体膜20之间。

如上所述，在第一示例性实施方式中，底部膜30可以设置在台100和受体衬底10之间、台100和供体膜20之间。但是，本发明并不限于此。例如，根据另一示例性实施方式，与台100的外围区域（OA）对应的供体膜20可以直接附接于台100，而不需要底部膜30。

在下文中，将描述层压有供体膜20的受体衬底10。

图3是示出了使用图2的层压装置层压有供体膜的受体衬底的剖视图。

如图3所示，受体衬底10可以设置在形成于衬底131的预定区域上的半导体层132上。半导体层132可以是非晶硅层或多晶硅层。可以通过使非晶硅层结晶而形成多晶硅层。栅绝缘层133可以设置在半导体层132上。栅绝缘层133可以是第一绝缘层。栅电极134可以设置在栅绝缘层133上，栅电极134可以与半导体层132交叠。第二绝缘层135可以设置在栅电极134上。第二绝缘层135可以覆盖半导体层132和栅电极134。源电极136和漏电极137可以设置在第二绝缘层135上。源电极136和漏电极137可以穿过第二绝缘层135和栅绝缘层133，并且接触半导体层132的两端。半导体层132、栅电极134、和源电极136/漏电极137可以形成薄膜晶体管（T）。第三绝缘层138可以分别设置在源电极136/漏电极137上。第三绝缘层138可以分别覆盖源电极136/漏电极137。第三绝缘层138可以是平坦化层，以减小钝化层和/或薄膜晶体管（T）之间的阶梯差异。钝化层可以保护薄膜晶体管（T）。像素电极139可以设置在第三绝缘层138上。像素电极139可以穿过第三绝缘层138且接触漏电极137。例如，像素电极139可以是铟锡氧化物（ITO）层或铟锌氧化物（IZO）层。像素限定层139b可以设置在像素电极139上。像素限定层139b可以暴露像素电极139的一部分。

层压在受体衬底10上的供体膜20可以包括基底膜141、光-热转换层142和有机层143。光-热转换层142和有机层143可以顺序地叠放在基底膜141的一侧上。供体膜20可以具有预定的弹性。基底膜141可以由透明高分子有机材料制成，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚乙烯（PE）和聚碳酸脂（PC）。光-热转换层142可以将入射光（激光）转换成热量。光-热转换层142可以包括光吸入材料，例如铝氧化物、铝硫化物、炭黑、石墨或红外线染料。有机层143可以是选自由空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电致发光层、空穴抑制层、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）构成的组中的至少一个。

图4示出了图1的转移装置。

如图1所示，转移装置2000可以设置在层压装置1000和剥离装置3000之间。如图4所示，转移装置2000可以将层压在受体衬底10处的、供体膜20的有机层转移到受体衬底10上。转移装置2000可以包括台100和激光单元2100。

激光单元2100可以在与台100的衬底区域（SA）对应的供体膜20处照射激光（L）。由于激光（L），形成在供体膜20（图4）上的有机层143（图3）可以转移到受体衬底10。激光（L）可以与受体衬底10的开口139a（图3）相对应地照射到供体膜20上。

在下文中，将描述受体衬底10，供体膜20的有机层143转移至该受体衬底10。

图5是示出了受体衬底的剖视图，该受体衬底具有利用图4的转移装置转移的供体膜的有机层。

如图5所示，有机层143可以转移至与受体衬底10的开口139a相对应的受体衬底10。

图6到图8示出了图1的剥离装置。

如图1所示，剥离装置3000可以邻近于转移装置2000。图6的剥离装置3000可以将供体膜20从有机层143转移至其上的受体衬底10剥离。剥离装置3000可以包括台100、第一辊单元200、夹持器300和第二辊单元400。

图7是示出了第一辊单元的前视图。

如图6和图7所示，第一辊单元200可以与衬底区域（SA）对应地设置在供体膜20上，并且可以在第一方向上移动。第一方向可以是受体衬底10的长度方向。第一辊单元200可以包括主辊210和施压辊220。

主辊210可以与衬底区域（SA）对应地设置在供体膜20上。当通过夹持器300将供体膜20的一个边缘与台100分离时，主辊210可以接触供体膜20。

施压辊220可以从主辊210延伸到台100。施压辊220可以邻近于受体衬底10的一端并且可以设置在台100的凹形单元120和受体衬底10的该一端之间。施压辊220可以向与外围区域（OA）对应的供体膜20的另一边缘施加压力。

施压辊220和主辊210可以在第一方向上移动。

夹持器300可以与外围区域（OA）对应地设置在供体膜20上。夹持器300可以夹持供体膜20的一个边缘且将供体膜20移动至上侧。因此，夹持器300可以将供体膜20的该一个边缘与台100分离。当夹持器300将供体膜20的该一个边缘与台100分离时，供体膜20可以接触第一辊单元200的主辊210。

图8是第二辊单元的前视图。

如图6和图8所示，第二辊单元400可以邻近于第一辊单元200且设置在台100上。第二辊单元400可以在第一方向上移动。第一方向可以是受体衬底10的长度方向。当通过夹持器300将供体膜20的一个边缘与台100分离且供体膜20的该一个边缘接触第一辊单元200时，第二辊单元400可以在第一方向上移动。也就是说，第二辊单元400可以邻近于具有插入的供体膜20的第一辊单元200，并且第二辊单元400可以接触供体膜20。第二辊单元400可以与第一辊单元200在第一方向上移动，并且第二辊单元400可以将供体膜20从受体衬底10剥离。第二辊单元400可以包括辅助辊410、剥离端420和切割器430。

辅助辊410可以邻近主辊210并设置在供体膜20上。辅助辊410可以变得与具有插入的供体膜20的主辊210邻近，并且当通过夹持器300将供体膜20与受体衬底10分离且供体膜20接触主辊210时，辅助辊410可以接触供体膜20。

剥离端420可以在从辅助辊410到台100的方向上延伸，并且剥离端420可以插入与外围区域（OA）对应的供体膜20和台100之间。剥离端420可以对应于施压辊220，并且可以设置为靠近受体衬底10的一端。剥离端420可以设置在台100的凹形单元120和受体衬底10的一端之间，并且剥离端420可以插入与外围区域（OA）对应的供体膜20和底部膜30之间。剥离端420可以包括吸气构件421，吸气构件421用于吸入供体膜20和台100之间的空气。当剥离端420插入供体膜20和底部膜30之间时，剥离端420可以通过吸气构件421吸入供体膜20和底部膜30之间的空气。吸气构件421可以连接到用于吸入空气的空气吸入设备，例如泵。

切割器430可以设置在剥离端420的外侧并且可以切割与外围区域（OA）对应的供体膜20。切割器430的一部分可以插入台100的凹形单元120中，并且当在第一方向上移动时，可以沿第一方向切割与外围区域（OA）对应的供体膜20。

在下文中，将参照图9-图13描述剥离处理。

图9到图13示出了使用图6到图8的剥离装置的剥离处理。

如图9所示，可以使用夹持器300夹持设置在台100的外围区域（OA）的供体膜20的一个边缘。第一辊单元200可以与台100的衬底区域（SA）对应地设置在供体膜20上，第二辊单元400可以与台100的外围区域（OA）对应地设置在第一辊单元200附近，夹持器300夹置在第二辊单元400和第一辊单元200之间。

如图10所示，可以通过向上移动夹持器300，将设置在台100的外围区域（OA）的供体膜20的该一个边缘与台100分离。供体膜20可以接触第一辊单元200的主辊210。因此，供体膜20的该边缘可以与底部膜30分离。

然后，第二辊单元400可以在第一方向上移动，第一方向是如图11和图12所示的受体衬底10的长度方向。因此，第二辊单元400可以接触供体膜20。因此，第一辊单元200的主辊210可以邻近第二辊单元400的辅助辊410，供体膜20夹置在它们之间，并且第一辊单元200的主辊210可以接触供体膜20。第二辊单元400的切割器430可以切割设置在台100的外围区域（OA）的供体膜20的另一边缘，并且同时第二辊单元400的剥离端420可以与由第一辊单元200的施压辊220施压的供体膜20相对应地插入供体膜20和底部膜30之间。这里，第二辊单元400的剥离端420的吸气构件421可以吸入底部膜30和供体膜20之间的空气。

此后，第一辊单元200和第二辊单元400可以在第一方向上一起移动，如图13所示。因此，供体膜20可以从受体衬底10剥离。

如上所述，第一辊单元200的主辊210和第二辊单元400的辅助辊410接触供体膜20且在第一方向上移动，该第一方向是受体衬底10的长度方向。因此，供体膜20可以从受体衬底10剥离。因此，可从根本上防止当主辊210和辅助辊410接触受体衬底10时所可能产生的缺陷。

此外，第二辊单元400的切割器430可以切割设置在台100的外围区域（OA）处的供体膜20的另一边缘。同时，第二辊单元400的剥离端420可以与由第一辊单元200的施压辊220施压的供体膜20相对应地插入供体膜20和底部膜30之间。因此，可以防止在由切割器430切割供体膜20的另一边缘之前供体膜20与底部膜30分离，还可以防止在供体膜20与受体衬底10剥离之前外部空气进入设置在衬底区域（SA）处的供体膜20和受体衬底10之间。因此，因为防止外部空气进入供体膜20和受体衬底10之间，所以可以防止有机层143反转印至供体膜20。

如上所述，当第二辊单元400的剥离端420正插入到供体膜20和底部膜30之间时，第二辊单元400的剥离端420的吸气构件421可以吸入底部膜30和供体膜20之间的空气。因此，吸气构件421可以吸入当供体膜20与底部膜30分离时产生的颗粒和外部空气。因此，可以防止颗粒和外部空气进入受体衬底10和供体膜20之间。

在下文中，将描述供体膜20被剥离后的受体衬底10。

图14是通过图9到图13的剥离处理剥离供体膜之后的受体衬底的剖视图。

如图14所示，当供体膜20从受体衬底10剥离时，与受体衬底10的开口139a相对应地转印的有机层143a可以与留在供体膜20处的有机层143b分离。与受体衬底10的开口139a相对应地转印的有机层143a可以用作有机发光元件的发光装置。

如上所述，根据第一示例性实施方式的内联热转印系统可以包括共享台100的层压装置1000、转移装置2000和剥离装置3000。根据第一示例性实施方式的内联热转印系统可以通过内联方式进行层压过程、转印处理和剥离处理。

此外，根据第一示例性实施方式的内联热转印系统可以利用一个台100进行层压处理、转印处理和剥离处理。通过将供体膜20直接附接于台100以密封受体衬底10，可在没有底部膜30的情况下，进行层压处理、转印处理和剥离处理。因此，可以减少制造时间和降低制造成本。

在下文中，将参照附图15描述根据本发明的第二示例性实施方式的剥离装置。

将仅描述根据第二实施方式的剥离装置中与根据第一实施方式根据剥离装置相区别的元件。因为根据第二实施方式的剥离装置的其余元件具有类似的结构，所以在本文中将省略它们的详细描述。

为了更好的理解和便于说明，将使用相同的参考标记表示第一实施方式和第二实施方式之间相同的组成元件。

图15示出了根据本发明第二示例性实施方式的剥离装置。具体地，图15是第二辊单元的前视图。

如图15所示，根据第二示例性实施方式的剥离装置3002的台100还可以包括排气单元130。

排气单元130可以连接至凹形单元120，并且可以从凹形单元120吸入空气。排气单元130可以连接到用于吸入空气的空气吸入设备，例如泵。

如上所述，当剥离端420插入供体膜20和底部膜30之间且通过切割器430切割供体膜20时，根据本发明的第二示例性实施方式的剥离装置3002可以利用排气单元130从凹形单元120吸入空气。因此，剥离装置3002的排气单元130可以吸入当供体膜20与底部膜30分离时产生的第一颗粒、当通过切割器430切割供体膜20时所产生的第二颗粒、以及外部空气。因此，根据第二示例性实施方式的剥离装置3002可以防止第一颗粒、第二颗粒和外部空气进入受体衬底10和供体膜20之间。

虽然已经连同实际的具体实施方式描述了本发明，但是，应当理解，本发明不局限于公开的实施方式，而是相反地，本发明旨在包括在权利要求书的精神和范围中所保护的各种修改和等效结构以及它们的等同物。

Claims (9)

1.一种剥离装置，包括：

台，包括外围区域和衬底区域，其中供体膜的边缘附着于所述外围区域处，层压在所述供体膜的中央部分的受体衬底设置在所述衬底区域处；

第一辊单元，与所述衬底区域相对应地设置在所述供体膜上，并且配置为在所述受体衬底的长度方向上移动；

夹持器，与所述外围区域相对应地设置在所述供体膜上，并且配置为将所述供体膜的所述边缘与所述台分离，以使所述供体膜接触所述第一辊单元；以及

第二辊单元，设置在所述台上且邻近所述第一辊单元，所述第二辊单元接触所述供体膜，以使得所述供体膜夹置在所述第一辊单元与所述第二辊单元之间，所述第二辊单元配置为通过与所述第一辊单元在所述长度方向上移动而将所述供体膜从受体衬底剥离。

2.如权利要求1所述的剥离装置，其中，所述受体衬底包括对准键，所述台还包括与所述对准键对应的背光单元。

3.如权利要求1所述的剥离装置，其中，所述第一辊单元包括：

主辊，与所述衬底区域相对应地设置在所述供体膜上，且接触所述供体膜；以及

施压辊，在从所述主辊到所述台的方向上延伸，并且配置为对与所述外围区域对应的所述供体膜施加压力。

4.如权利要求3所述的剥离装置，其中，所述第二辊单元包括：

辅助辊，邻近所述主辊且接触所述供体膜；

剥离端，在从所述辅助辊到与所述施压辊对应的台的方向上延伸，并且插在与所述外围区域对应的所述供体膜和所述台之间；以及

切割器，设置在所述剥离端的外侧并且配置为切割所述供体膜。

5.如权利要求4所述的剥离装置，其中，所述剥离端包括吸气构件，所述吸气构件配置为吸入所述供体膜和所述台之间的空气。

6.如权利要求4所述的剥离装置，其中，所述台还包括与所述切割器相对应地设置在所述外围区域处的凹形单元，并且其中，所述切割器的一部分插入所述凹形单元中。

7.如权利要求6所述的剥离装置，其中，所述台还包括排气构件，所述排气构件连接至所述凹形单元且配置为吸入所述凹形单元的空气。

8.如权利要求1所述的剥离装置，其中，所述台和所述受体衬底之间以及所述台和所述供体膜之间设置有底部膜，所述底部膜的位于所述台和所述供体膜之间的部分与所述外围区域相对应，而所述底部膜的位于所述台和所述受体衬底之间的部分与所述衬底区域相对应。

9.一种内联热转印系统，包括如权利要求1所述的剥离装置，所述内联热转印系统还包括：

转移装置，设置在所述剥离装置附近，且包括用于与所述台的所述衬底区域相对应地向所述供体膜上照射激光的激光单元；

层压装置，邻近所述转移装置，并且包括用于在所述台和所述受体衬底处层压所述供体膜的层压单元；以及

台输送装置，用于将所述台分别输送到所述层压装置、所述转移装置和所述剥离装置。