CN103137435A - 介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法 - Google Patents

介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法 Download PDF

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CN103137435A CN2011103834726A CN201110383472A CN103137435A CN 103137435 A CN103137435 A CN 103137435A CN 2011103834726 A CN2011103834726 A CN 2011103834726A CN 201110383472 A CN201110383472 A CN 201110383472A CN 103137435 A CN103137435 A CN 103137435A
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Abstract

一种介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法。其中，介电抗反射涂层的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层。本发明形成的介电抗反射涂层增大介电抗反射层的消光系数和折射系数的调制范围。

Description

介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法
技术领域
本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法。
背景技术
在半导体器件的制作过程中，光刻作为一个重要的工艺将掩模板中的图形转移到光刻胶层中。随着特征尺寸的不断减小，使得光刻的困难度不断增加，在光刻胶层中定义图形时，由于光刻胶下方的半导体基底(包括金属层和介质层)具有较高的反射系数，使得曝光光源容易在半导体基底表面发生反射，造成光刻胶图形的变形或尺寸偏差，导致掩模板图形的不正确转移，为了消除光源的反射现象，通常在半导体基底表面形成一层抗反射涂层(anti-reflective coating，ARC)。
抗反射涂层包括有机抗反射涂层和介电抗反射涂层，传统介电抗反射涂层(dielectric anti-reflective coating，DARC)材料为氮氧化硅或者其他含氮化合物，这种介电抗反射涂层也称之为含氮介电抗反射涂层。介电抗反射涂层中含氮氨基(NH2)会和光刻胶中的酸催化剂发生中和反应，引起光阻的毒化(photoresist poisoning)，由于毒化的光阻不溶于显影液，在图形化光刻胶层时，会引起光刻胶图形的变形或者光刻胶在半导体基底表面的残留，这将对后续的工艺处理尤其是刻蚀造成不利的影响，在器件的特征尺寸进入亚微米后，这中影响尤为严重，影响器件的稳定性。
为了避免光阻毒化现象光阻的毒化(photoresist poisoning)的产生，现有介电抗反射涂层采用无氮介电抗反射涂层(nitrogen-free dielectricanti-reflective coating，NFDARC)，这种无氮介电抗反射涂层不含有氮和含氮氨基(NH2)，不会引起光阻的毒化现象。
更多关于无氮抗反射涂层(NFDARC)的介绍请参考专利号为US7115534B2的美国专利。
现有无氮介电抗反射涂层(NFDARC)的消光系数(extinction coefficient，K)、折射系数(refractive index，N)等光学性能不易控制，调制范围太小，不能满足工艺的需求。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法，增大无氮介电抗反射涂层的消光系数(extinction coefficient，K)、折射系数(refractive index，N)的调制范围。
为解决上述问题，本发明提供了一种介电抗反射涂层的形成方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层。
可选的，所述含氮介电抗反射涂层包括：硅元素和氧元素。
可选的，所述无氮介电抗反射涂层包括：硅元素、氧元素和碳元素。
可选的，所述形成含氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm。
可选的，所述形成无氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm。
可选的，所述含氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
可选的，所述无氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
可选的，所述无氮介电抗反射涂层表面还形成有保护层。
可选的，所述保护层材料为二氧化硅，厚度为40～60埃。
本发明还提供可一种光刻方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层；
形成覆盖所述无氮介电抗反射涂层的光刻胶层；
图形化所述光刻胶层。
可选的，所述含氮介电抗反射涂层包括：硅元素和氧元素。
可选的，所述无氮介电抗反射涂层包括：硅元素、氧元素和碳元素。
可选的，所述形成含氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm。
可选的，所述形成无氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm。
可选的，所述含氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
可选的，所述无氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
可选的，所述形成光刻胶层步骤之前，还包括步骤：在所述无氮介电抗反射涂层表面还形成有保护层。
可选的，所述保护层材料为二氧化硅，厚度为40～60埃。
可选的，所述形成含氮介电抗反射涂层步骤之前，还包括步骤：在所述半导体衬底表面形成待刻蚀材料层。
与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：
形成的介电抗反射涂层为含氮介电抗反射涂层和无氮介电抗反射涂层的叠层结构，由于增加了调制范围较大且调制过程方便的含氮介电抗反射涂层，当无氮介电抗反射涂层消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小或调制过程复杂时，通过调节含氮介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)，使得叠层结构的介电抗反射涂层相对于现有单层的无氮介电抗反射涂层整体的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围更大，并且调制过程更方便，满足工艺发展的需求。
另外，本实施例中所述形成无氮介电抗反射涂层的步骤在形成在含氮介电抗反射涂层步骤之后，使形成的无氮介电抗反射涂层位于含氮介电抗反射涂层的表面，后续在无氮介电抗反射涂层表面形成光刻胶层时，无氮介电抗反射涂层将含氮介电抗反射涂层和光刻胶层隔离，避免含氮介电抗反射涂层的含氮氨基(NH2)会和光刻胶中的酸催化剂发生中和反应，造成光阻的毒化(photoresist poisoning)，得到好的图形化光刻胶形貌，提高了器件的稳定性。
进一步，在无氮介电抗反射涂层表面形成有保护层，在后续形成的光刻胶层存在缺陷需要返工去除时，返工过程中，保护已形成的无氮介电抗反射涂层不会受到损害。
附图说明
图1为本发明实施例介电抗反射涂层的形成方法的流程示意图；
图2～图3为本发明实施例介电抗反射涂层的形成方法的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例光刻方法的流程示意图；
图5～图9为本发明实施例光刻方法的剖面结构示意图。
具体实施方式
现有形成无氮介电抗反射涂层(NFDARC)通常采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)，采用的气体为SiH4和CO2，形成无氮介电抗反射涂层时，通过控制SiH4和CO2的流量，来调节无氮介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)，在实际的生产过程中，由于半导体基底、光刻胶材料和曝光光源的波长等都存在差异性，为了获得较佳的光刻胶曝光形貌，因此需要形成具有不同消光系数(K)和折射系数(N)的无氮介电抗反射涂层(NFDARC)，发明人发现现有方法形成的无氮介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围较小，且调制过程困难，已不能满足工艺发展的需求。
为解决上述问题发明人提出一种介电抗反射涂层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层。本发明形成的介电抗反射涂层，在形成无氮介电抗反射涂层前，形成一层含氮介电抗反射涂层，增大了介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
参考图1，图1为本发明实施例介电抗反射涂层的形成方法的流程示意图，包括：
步骤S10，提供半导体衬底；
步骤S20，在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
步骤S30，在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层；
步骤S40，在所述无氮介电抗反射涂层表面形成保护层。
图2～图3为本发明实施例介电抗反射涂层的形成方法的剖面结构示意图。
参考图2，提供半导体衬底100；在所述半导体衬底100表面形成含氮介电抗反射涂层101。
所述半导体衬底100的材料可以为单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)，绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等III-V族化合物。
所述含氮介电抗反射涂层101包括：硅元素和氧元素，所述含氮介电抗反射涂层101厚度为100～150埃，形成方法为等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)，压力2-8torr(1torr＝133pa)，温度350C～550C，采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm，所述反应气体还包括惰性气体例如氦气，以改善沉积过程的稳定性，所述氦气的流量为6000～12000sccm。
形成含氮介电抗反射涂层101过程中，在保持一氧化二氮的流量不变的情况下，增大硅烷的流量会增大含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)；减小硅烷的流量会减小含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)。在保持硅烷的流量不变的情况下，增大一氧化二氮的流量会降低含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)；减小硅烷的流量会增大含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)。由于增大(减小)硅烷或一氧化二氮的流量时，含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)呈同一趋势变化，使得消光系数(K)和折射系数(N)调制范围较大，且调制过程很方便，因此，通过控制硅烷和一氧化二氮的流量，可以获得调制范围较大的消光系数(K)和折射系数(N)的含氮介电抗反射涂层101。
参考图2，在所述含氮介电抗反射涂层101表面形成无氮介电抗反射涂层102；在所述无氮介电抗反射涂层102表面形成保护层103。
所述无氮介电抗反射涂层102包括：硅元素、氧元素和碳元素，所述无氮介电抗反射涂层102厚度为100～150埃，形成方法为等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)，压力3～6torr(1torr＝133pa)，温度350～450摄氏度，采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm，所述反应气体还包括惰性气体例如氦气，以改善沉积过程的稳定性，所述氦气的流量为0～700sccm。
形成无氮介电抗反射涂层102过程中，在保持二氧化碳的流量不变的情况下，增大硅烷的流量会增大无氮介电抗反射涂层102的消光系数(K)，同时会减小无氮介电抗反射涂层102的折射系数(N)；减小硅烷的流量会减小无氮介电抗反射涂层102的消光系数(K)，同时会增大无氮介电抗反射涂层102的折射系数(N)。在保持硅烷的流量不变的情况下，增大二氧化碳的流量会增大无氮介电抗反射涂层102的折射系数(N)，同时会减小无氮介电抗反射涂层102消光系数(K)；减小二氧化碳的流量会减小无氮介电抗反射涂层102的折射系数(N)，同时会增大无氮介电抗反射涂层102消光系数(K)。由于增大(减小)硅烷或二氧化碳的流量时，无氮介电抗反射涂层102的消光系数(K)和折射系数(N)变化方向相反，使得无氮介电抗反射涂层102的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小且调制过程复杂。
本发明实施例形成的含氮介电抗反射涂层101和无氮介电抗反射涂层102的叠层结构的介电抗反射涂层，由于增加了调制范围较大且调制过程方便的含氮介电抗反射涂层101，当无氮介电抗反射涂层102消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小或调制过程复杂时，通过调节含氮介电抗反射涂层101的消光系数(K)和折射系数(N)，使得叠层结构的介电抗反射涂层相对于现有单层的无氮介电抗反射涂层整体的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围更大，并且调制过程更方便，满足工艺发展的需求。
本实施例中所述形成无氮介电抗反射涂层102的步骤在形成在含氮介电抗反射涂层101步骤之后，使形成的无氮介电抗反射涂层102位于含氮介电抗反射涂层101的表面，后续在无氮介电抗反射涂层102表面形成光刻胶层时，无氮介电抗反射涂层102将含氮介电抗反射涂层101和光刻胶层隔离，避免含氮介电抗反射涂层101的含氮氨基(NH2)会和光刻胶中的酸催化剂发生中和反应，造成光阻的毒化(photoresist poisoning)，得到好的图形化光刻胶形貌，提高器件的稳定性。
所述无氮介电抗反射涂层102表面还形成有保护层103，所述保护层103的材料为二氧化硅，厚度为40～60埃，所述保护层103的作用是在后续形成的光刻胶层存在缺陷需要返工去除时，返工过程中，保护已形成的无氮介电抗反射涂层102不会受到损害。
本发明实施例还提供了一种应用上述介电抗反射涂层的光刻方法，参考图4，图4为本发明实施例光刻方法的流程示意图，包括：
步骤S200，提供半导体衬底；
步骤S201，在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
步骤S202，在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层；
步骤S203，在所述无氮介电抗反射涂层表面形成保护层；
步骤S204，形成覆盖所述保护层的光刻胶层；
步骤S205，图形化所述光刻胶层。
图5～图9为本发明实施例光刻方法的剖面结构示意图。
参考图5，提供半导体衬300；在所述半导体衬底300表面形成含氮介电抗反射涂层301。
所述半导体衬底300的材料可以为单晶硅(Si)、单晶锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)，绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等III-V族化合物。
所述半导体衬底300表面还形成有待刻蚀材料层(图中未示出)，所述待刻蚀材料层为介质层或金属层。
所述含氮介电抗反射涂层301包括：硅元素和氧元素，所述含氮介电抗反射涂层301厚度为100～150埃，形成方法为等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)，采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm，所述反应气体还包括惰性气体例如氦气，以改善沉积过程的稳定性，所述氦气的流量为6000～12000sccm。
形成含氮介电抗反射涂层301过程中，在保持一氧化二氮的流量不变的情况下，增大硅烷的流量会增大含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)；减小硅烷的流量会减小含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)。在保持硅烷的流量不变的情况下，增大一氧化二氮的流量会降低含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)；减小一氧化二氮的流量会增大含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)。由于增大(减小)硅烷或一氧化二氮的流量时，含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)呈同一趋势变化，使得消光系数(K)和折射系数(N)调制范围较大，且调制过程很方便，因此，通过控制硅烷和一氧化二氮的流量，可以获得调制范围较大的消光系数(K)和折射系数(N)的含氮介电抗反射涂层301。
参考图6，在所述含氮介电抗反射涂层301表面形成无氮介电抗反射涂层302；在所述无氮介电抗反射涂层表形成保护层303。
所述无氮介电抗反射涂层302包括：硅元素、氧元素和碳元素，所述无氮介电抗反射涂层302厚度为100～150埃，形成方法为等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD)，压力3～6torr(1torr＝133pa)，温度350～450摄氏度，采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm，所述反应气体还包括惰性气体例如氦气，以改善沉积过程的稳定性，所述氦气的流量为0～700sccm。
形成无氮介电抗反射涂层302过程中，在保持二氧化碳的流量不变的情况下，增大硅烷的流量会增大无氮介电抗反射涂层302的消光系数(K)，同时会减小无氮介电抗反射涂层302的折射系数(N)；减小硅烷的流量会减小无氮介电抗反射涂层302的消光系数(K)，同时会增大无氮介电抗反射涂层302的折射系数(N)。在保持硅烷的流量不变的情况下，增大二氧化碳的流量会增大无氮介电抗反射涂层302的折射系数(N)，同时会减小无氮介电抗反射涂层302消光系数(K)；减小二氧化碳的流量会减小无氮介电抗反射涂层302的折射系数(N)，同时会增大无氮介电抗反射涂层302消光系数(K)。由于增大(减小)硅烷或二氧化碳的流量时，无氮介电抗反射涂层302消光系数(K)和折射系数(N)变化方向相反，使得无氮介电抗反射涂层302的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小且调制过程复杂。
本发明实施例形成的含氮介电抗反射涂层301和无氮介电抗反射涂层302的叠层结构的介电抗反射涂层，由于增加了调制范围较大且调制过程方便的含氮介电抗反射涂层301，当无氮介电抗反射涂层302消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小或调制过程复杂时，通过调节含氮介电抗反射涂层301的消光系数(K)和折射系数(N)，使得叠层结构介电抗反射涂层相对于现有单层的无氮介电抗反射涂层整体的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围更大，并且调制过程更方便，满足工艺发展的需求。
所述保护层303的材料为二氧化硅，厚度为40～60埃，所述保护层304的作用是在后续形成的光刻胶层存在缺陷需要返工去除时，返工过程中，保护已形成的无氮介电抗反射涂层302不会受到损害，另外，所述保护层303在无氮介电抗反射涂层302的基础上进一步隔离所述含氮介电抗反射涂层301和后续形成的光刻胶层，但是这种隔离作用非常有限，保护层不能太厚，避免影响抗反射涂层的性能。
一并参考图7和图8，形成覆盖所述保护层303的光刻胶层304；图形化所述光刻胶层304。
由于形成无氮介电抗反射涂层302的步骤在形成在含氮介电抗反射涂层301步骤之后，使形成的无氮介电抗反射涂层302位于含氮介电抗反射涂层301的表面，在无氮介电抗反射涂层302表面形成光刻胶层304后，无氮介电抗反射涂层302将含氮介电抗反射涂层301和光刻胶层304隔离，避免含氮介电抗反射涂层301的含氮氨基(NH2)会和光刻胶304中的酸催化剂发生中和反应，造成光阻的毒化(photoresist poisoning)，得到好的图形化光刻胶形貌，提高了器件的稳定性。
形成由含氮介电抗反射涂层301和无氮介电抗反射涂层302的组成的介电抗反射涂层叠层结构，增大了介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围，满足不同待刻蚀材料层、光刻胶材料和曝光光源的波长，曝光形成的光刻胶图形时，能将掩模版中的图形准确的转移到光刻胶层304中。
参考图9，形成图形化的光刻胶层304后，以所述图形化的光刻胶层304层为掩膜，依次刻蚀所述保护层303、无氮介电抗反射涂层302、含氮介电抗反射涂层301和待刻蚀材料层(图中未示出)，形成沟槽(图中未标示)。
由于上述形成的光刻胶图形没有变形或者偏移，依次刻蚀形成的沟槽也不会变形或者偏移，提高器件的稳定性。
本发明实施例提供的介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法，形成的介电抗反射涂层为含氮介电抗反射涂层和无氮介电抗反射涂层的叠层结构，相比与单层的无氮介电抗反射涂层，由于增加含氮介电抗反射涂层，由于增加了调制范围较大且调制过程方便的含氮介电抗反射涂层，当无氮介电抗反射涂层消光系数(K)和折射系数(N)调制范围小且调制过程复杂时，通过调节含氮介电抗反射涂层的消光系数(K)和折射系数(N)，使得叠层结构的介电抗反射涂层相对于现有单层的无氮介电抗反射涂层整体的消光系数(K)和折射系数(N)调制范围更大，并且调制过程更方便，满足工艺发展的需求。
另外，本实施例中所述形成无氮介电抗反射涂层的步骤在形成在含氮介电抗反射涂层步骤之后，使形成的无氮介电抗反射涂层位于含氮介电抗反射涂层的表面，后续在无氮介电抗反射涂层表面形成光刻胶层时，无氮介电抗反射涂层将含氮介电抗反射涂层和光刻胶层隔离，避免含氮介电抗反射涂层的含氮氨基(NH2)会和光刻胶中的酸催化剂发生中和反应，造成光阻的毒化(photoresist poisoning)，得到好的图形化光刻胶形貌，提高了器件的稳定性。
更进一步，在无氮介电抗反射涂层表面形成有保护层，在后续形成的光刻胶层存在缺陷需要返工去除时，返工过程中，保护已形成的无氮介电抗反射涂层不会受到损害。
本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (19)

1.一种介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层。
2.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述含氮介电抗反射涂层包括：硅元素和氧元素。
3.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射涂层包括：硅元素、氧元素和碳元素。
4.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述形成含氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm。
5.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述形成无氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm。
6.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述含氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
7.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
8.如权利要求1所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射涂层表面还形成有保护层。
9.如权利要求8所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述保护层材料为二氧化硅，厚度为40～60埃。
10.一种光刻方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面形成含氮介电抗反射涂层；
在所述含氮介电抗反射涂层表面形成无氮介电抗反射涂层；
形成覆盖所述无氮介电抗反射涂层的光刻胶层；
图形化所述光刻胶层。
11.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述含氮介电抗反射涂层包括：硅元素和氧元素。
12.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射涂层包括：硅元素、氧元素和碳元素。
13.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成含氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量为150～350sccm，一氧化二氮的流量为600～1200sccm。
14.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成无氮介电抗反射涂层采用的反应气体为硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量为300～450sccm，二氧化碳的流量为7000～17000sccm。
15.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述含氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
16.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述无氮介电抗反射涂层厚度为100～150埃。
17.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成光刻胶层步骤之前，还包括步骤：在所述无氮介电抗反射涂层表面还形成有保护层。
18.如权利要求17所述的介电抗反射涂层的形成方法，其特征在于，所述保护层材料为二氧化硅，厚度为40～60埃。
19.如权利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成含氮介电抗反射涂层步骤之前，还包括步骤：在所述半导体衬底表面形成待刻蚀材料层。
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