CN103132049A

CN103132049A - 锗硅薄膜的形成方法及形成装置

Info

Publication number: CN103132049A
Application number: CN2011103828481A
Authority: CN
Inventors: 三重野文健; 涂火金
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2011-11-25
Filing date: 2011-11-25
Publication date: 2013-06-05
Anticipated expiration: 2031-11-25
Also published as: CN103132049B

Abstract

本发明实施例提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。相应的，本发明实施例还提供了一种锗硅薄膜的形成方法，能够以较快的沉积速率在晶圆表面形成锗的原子百分比含量高的含锗硅的外延层，提高了生产效率。

Description

锗硅薄膜的形成方法及形成装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种锗硅薄膜的形成方法及形成装置。

背景技术

锗硅(SiGe)材料是硅和锗通过共价键结合形成的无限互溶的替位式固溶体。锗硅材料一般具有非晶、多晶、单晶和超晶格四种形态，由于其具有载流子迁移率高、能带宽度随锗的组分变化而连续可调等优点，并且能够与目前成熟的硅平面工艺相兼容，因此，锗硅材料在微电子和光电子方面可被大量应用于制作高速异质结双极型晶体管(HBT)、调制掺杂场效应管(MODFET)、光探测器等多种器件。

锗硅材料在现代集成电路制造中的应用十分广泛，例如可通过在HBT的基区掺入一定组分的锗元素，从而减小能带宽度，降低基区少数载流子从发射区到基区的势垒，提高发射效率及电流放大系数；此外，在低工艺节点的CMOS晶体管的形成方法中，由于器件尺寸的大幅度减小，源漏极的结深越来越浅，通常在源漏极进行硅刻蚀后，通过外延工艺形成锗硅层，以填充所刻蚀的凹槽，应对沟道的应力，提高载流子的迁移率。

请参考图1，现有技术中，锗硅薄膜的形成方法主要为化学气相沉积(CVD)工艺，具体步骤包括：

运送晶圆103到反应腔室105内，将晶圆103放置在反应腔室105底壁100的基台101表面，所述基台101固定在反应腔室105的底壁100上；

由进气口107向反应腔室105通入反应气体SiH₂Cl₂和GeH₄，所述反应气体SiH₂Cl₂和GeH₄在反应腔室105内混合，并在高于750℃的温度条件下发生反应，在晶圆103表面形成锗的原子百分比较低(通常低于30％)的锗硅薄膜。

随着半导体器件的日益小型化，通常需要提高锗硅薄膜中锗的原子百分比含量，以进一步减小能带宽度，降低基区少数载流子从发射区到基区的势垒，提高发射效率及电流放大系数，提高载流子的迁移率等。然而，现有技术形成锗的原子百分比含量高的锗硅薄膜的速率较慢，生产效率低下。

更多关于锗硅薄膜的形成方法请参考专利号为“US4704988A”的美国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种可以形成锗的原子百分比含量高、且生产效率高的锗硅薄膜的形成方法及形成装置。

为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：

反应腔室，用于为反应物在晶圆表面形成含锗硅的外延层提供平台；

等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；

所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。

可选地，所述开口位于所述反应腔室顶壁的中心。

可选地，所述反应腔室包括：用于放置晶圆的基台，所述基台固定在所述反应腔室底壁；或者所述基台以所述反应腔室底壁的中心为中心旋转。

可选地，所述反应腔室包括位于反应腔室侧壁的进气口，及位于所述反应腔室侧壁、且与所述进气口相对的出气口。

可选地，还包括：气流流量控制器，与所述等离子体腔室相连，用于调节等离子锗的流量。

相应的，本发明的实施例还提供了一种锗硅薄膜的形成方法，包括：

将晶圆运送到反应腔室内；

向反应腔室内通入含硅的第一反应物；

等离子体腔室对含锗的第二反应物进行处理，形成等离子体锗，并输入至反应腔室内；

含硅的第一反应物和所述等离子锗在反应腔室内反应，在晶圆表面形成含锗硅的外延层。

可选地，所述含锗硅的外延层为SiGe、SiGeB或SiGeC。

可选地，所述含锗硅的外延层中锗的原子百分比为20％-80％。

可选地，形成等离子锗的工艺参数为：频率为13-15MHz；功率为200-400W；压力为0.1Torr-1Torr。

可选地，所述形成含锗硅的外延层的工艺参数范围为：温度为500℃-800℃；压力为1Torr-100Torr。

可选地，所述含锗的第二反应物为GeH₄。

可选地，所述含锗的第二反应物的流量为1-100sccm。

可选地，所述含锗的第二反应物中一部分经过等离子体化后进入反应腔室，一部分与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室。

可选地，所述与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室的含锗的第二反应物、同经过等离子体化后进入反应腔室的含锗的第二反应物的比例大于等于7∶3。

可选地，所述含硅的第一反应物至少包括SiH₂Cl₂或SiH₄。

可选地，所述含硅的第一反应物还包括H₂、HCl、B₂H₆。

可选地，含硅的第一反应物中，H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、B₂H₆的流量为1sccm-200sccm。

可选地，所述含硅的第一反应物还包括H2、HCl、BH₃。

可选地，含硅的第一反应物中，H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、BH₃的流量为1sccm-200sccm。

与现有技术相比，本发明的实施例具有以下优点：

本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置，包括等离子腔室，所述等离子腔室可以在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将其等离子化形成等离子锗，由于等离子锗的活性较强，即使在较高的温度下，也可以以较现有技术快的沉积速率与含硅的第一反应物反应形成锗原子百分比含量高的含锗硅的外延层。

本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置，所述反应腔室包括用于放置晶圆的基台，所述基台以反应腔室底部的中心为中心旋转，可以带动晶圆匀速的转动，后续能够在晶圆表面形成均匀的含锗硅的外延层，有助于形成质量更好的CMOS晶体管。

本发明实施例的锗硅薄膜的形成方法，在含锗的第二反应物到达晶圆表面之前，将其等离子体化，形成等离子锗，由于等离子锗的活性较强，所述等离子锗的沉积速率不会随着反应温度的降低而减小，因此，即使在低温下，也可以较快的沉积速率与含硅的第一反应物反应形成锗原子百分比含量高的含锗硅的外延层，提高了生产效率。

附图说明

图1是现有技术的锗硅薄膜的形成装置的剖面结构示意图；

图2是各反应物在不同温度、不同厚度下的沉积速率示意图；

图3是含锗硅的外延层中锗的原子百分比和反应温度的关系图；

图4是本发明实施例的CMOS晶体管的形成方法的流程示意图；

图5-图6是本发明实施例的形成CMOS晶体管的装置的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术在形成锗的原子百分比含量高的锗硅薄膜时，生产效率低。

请参考图2，经过研究后，发明人发现，用于形成锗硅薄膜的各反应物在不同温度下的沉积速率不同。图2中横坐标为反应温度Temperature(℃)，纵坐标为反应物的沉积速率Deposition Rate

曲线200为SiH₂Cl₂的沉积速率随反应温度的变化，曲线210为SiH₄的沉积速率随反应温度的变化，曲线220代表的是Si₂H₆的沉积速率随反应温度的变化，曲线230代表的是GeH₄的沉积速率随反应温度的变化。由图2可知，用于形成锗硅薄膜中硅的反应物例如SiH₂Cl₂、SiH₄、Si₂H₆在温度较高(大于800℃)时沉积速率，远大于用于形成锗硅薄膜中锗的反应物例如GeH₄的沉积速率，只有在温度较低(小于700℃)时，用于形成锗硅薄膜中锗的反应物例如GeH₄的沉积速率才大于用于形成锗硅薄膜中硅的反应物例如SiH₂Cl₂、SiH₄、Si₂H₆的沉积速率。

请参考图3，图3示出了锗硅的外延层中锗的原子百分比和反应温度的关系图，由图3可知，在反应温度较低的情况下形成的含锗硅的外延层的锗的原子百分比含量高。因此，综合图2和图3可知，要想得到锗的原子百分比含量较高的锗硅薄膜，需要降低反应温度。

然而，发明人发现，降低反应温度后，虽然可以得到锗的原子百分比含量较高的锗硅薄膜，然而生产效率却大为降低。经过进一步研究后，发明人发现，等离子锗(Ge^*)的活性较强，可以在一个较宽的温度范围内快速的与用于形成硅的反应物发生反应，在晶圆表面形成锗硅，可以提高形成锗硅薄膜的生产效率。

更进一步的，本发明实施例的发明人提供了一种锗硅薄膜的形成装置，包括：

等离子腔室，用于在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将含锗的反应物等离子体化形成等离子锗；

相应的，发明人还提供了一种锗硅薄膜的形成方法，请参考图4，包括：

步骤S301，将晶圆运送到反应腔室内；

步骤S303，向反应腔室内通入含硅的第一反应物；

步骤S305，等离子体腔室对含锗的第二反应物进行处理，形成等离子体锗，并输入至反应腔室内；

步骤S307，含硅的第一反应物和所述等离子锗在反应腔室内反应，在晶圆表面形成含锗硅的外延层。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

第一实施例

请参考图5，本发明第一实施例的锗硅薄膜的形成装置，包括：

反应腔室405，用于为反应物在晶圆403表面形成含锗硅的外延层(未图示)提供平台；

等离子腔室413，用于在含锗的反应物到达晶圆403表面之前，将所述含锗的反应物等离子体化，形成等离子锗；

所述反应腔室405壁上具有开口(未图示)，所述等离子腔室413位于所述开口内。

其中，所述反应腔室405包括：位于所述反应腔室405底部的基台401，所述基台401用于放置晶圆403，所述基台401的大小和形状与晶圆403的大小和形状有关，通常为圆形。所述基台401上设置有夹持部件，可以将晶圆403固定在基台401的表面，而不影响后续在晶圆403表面形成含锗硅的外延层。

在本发明的实施例中，所述基台401固定在反应腔室405底壁400的中心，以利于后续含锗硅的外延层的形成。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述基台401还可以以所述反应腔室405底壁400的中心为中心旋转，用于带动晶圆403匀速的旋转。

所述反应腔室405还包括：加热器(未图示)、底壁400、底壁400两侧的侧壁(未图示)、与所述底壁400相对的顶壁(未图示)、位于所述反应腔室405一侧的进气口407及位于所述反应腔室405侧壁、且与所述进气口407相对的出气口411。其中，所述加热器位于基台401的下方，用于为后续反应形成含锗硅的外延层提供温度；所述进气口407用于为含硅的第一反应物提供一个通道，使其进入反应腔室405；所述出气口411用于排出形成含锗硅的外延层时产生的废气。

所述开口位于反应腔室405的顶部或侧壁，用于作为等离子体化后的等离子锗Ge^*进入反应腔室的通道。在本发明的实施例中，所述开口位于所述反应腔室405顶壁的中心，以利于后续更好的形成含锗硅的外延层。

所述等离子腔室413用于等离子体化含锗的第二反应物形成等离子锗Ge^*，以增大后续形成锗原子百分比含量高的含锗硅的外延层的速度。在本发明的第一实施例中，所述等离子腔室413位于所述开口内，等离子腔室413等离子化含锗的第二反应物后形成的等离子锗Ge^*直接进入反应腔室405。本发明第一实施例中的形成装置结构紧凑，集成度高。

需要说明的是，在本发明的实施例中，为了能够形成不同的锗原子百分比含量的含锗硅的外延层，本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置中，还包括：气体流量控制器，安装在各反应物通往进气口407或通往等离子腔室413的管道(未图示)上。

本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置，反应腔室内的基台以所述反应腔室底壁的中心为中心旋转，可以带动晶圆匀速的转动，使得后续能够在晶圆表面形成均匀的含锗硅的外延层，有助于形成质量更好的CMOS晶体管。

请继续参考图5，采用本发明第一实施例的锗硅薄膜的形成装置，形成含锗硅的外延层的方法，包括：

将晶圆403运送到反应腔室405内；

通过反应腔室405的进气口407向所述反应腔室405内通入含硅的第一反应物40；

等离子腔室413内通入含锗的第二反应物41进行处理，形成等离子锗Ge^*，并输入至反应腔室405内；

所述含硅的第一反应物40和所述等离子锗Ge^*在反应腔室405内反应，在晶圆403表面形成含锗硅的外延层。

其中，在本发明的实施例中，将晶圆403运送到反应腔室405内的方法为采用机械手运送晶圆或操作人员运送晶圆，将晶圆放置在反应腔室405的基台上，采用所述基台401上的夹持部件，将晶圆403固定在基台401的表面。本发明的实施例中，所述基台401固定在反应腔室405底壁400的中心。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，在机械手或操作人员将晶圆403运送到反应腔室405内，固定在基台401表面后，所述基台401还可以以所述反应腔室底壁的中心为中心，带动晶圆403匀速的旋转，以利于后续形成厚度均匀的含锗硅的外延层。

所述含硅的第一反应物40用于后续和含锗的第二反应物41发生反应，形成含锗硅的外延层。所述含硅的第一反应物40至少包括SiH₂Cl₂或SiH₄。除此之外，所述含硅的第一反应物40还可以包括H₂、HCl、B₂H₆或H2、HCl、BH₃。其中，当所述含硅的第一反应物40为SiH₂Cl₂、H₂、HCl、B₂H₆的混合物或SiH₄、H₂、HCl、B₂H₆的混合物时，所述H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、B₂H₆的流量为1sccm-200sccm。当所述含硅的第一反应物40为SiH₂Cl₂、H₂、HCl、BH₃的混合物或SiH₄、H₂、HCl、BH₃的混合物时，所述H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、BH₃的流量为1sccm-200sccm。

在本发明的实施例中，所述含硅的第一反应物40为SiH₂Cl₂、B₂H₆、H₂和HCl。

所述含锗的第二反应物41用于与含硅的第一反应物40发生反应，形成含锗硅的外延层。在本发明的实施例中，所述含锗的第二反应物41为GeH₄，所述含锗的第二反应物41的流量为1-100sccm。

发明人发现，要想得到锗的原子百分比含量较高的含锗硅的外延层，需要降低反应温度(如图2和图3所示)，然而，在较低的反应温度下，虽然可以得到锗的原子百分比含量较高的锗硅薄膜，然而生产效率却大为降低。

经过进一步研究后，发明人发现，等离子锗Ge^*具有较强的活性，可以在一个较宽的温度范围内快速的和含硅的第一反应物发生反应，形成含锗硅的外延层。因此，在所述含锗的第二反应物41到达晶圆403表面，和所述含硅的第一反应物40发生反应之前，先对其进行等离子体化，让其形成等离子锗Ge^*。

在本发明的实施例中，等离子体化所述含锗的第二反应物41，形成等离子锗Ge^*的工艺参数为：频率为13-15MHz；功率为200-400W；压力为0.1Torr-1Torr。

考虑到反应气体是由进气口407一侧向出气口411一侧流动，在晶圆403固定的情况下，如果全部的含锗的第二反应物41均由等离子腔室413等离子体化后进入反应腔室405，靠近出气口411一侧的晶圆403表面含锗的第二反应物41的浓度较大，后续含锗硅的外延层主要形成在靠近出气口411的晶圆403表面，而靠近进气口407一侧的晶圆403表面形成的含锗硅的外延层较少，导致晶圆403两侧表面形成的含锗硅的外延层存在高度差。

为了弥补后续在晶圆403两侧表面沉积的含锗硅的外延层的高度差，本发明的实施例中，一部分所述含锗的第二反应物41由进气口407通入反应腔室405内，另一部分通过等离子腔室413通入到反应腔室405内。发明人经过反复试验后发现，所述与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室的含锗的第二反应物、同经过等离子体化后进入反应腔室的含锗的第二反应物的比例大于等于7∶3时，后续形成在晶圆403两侧表面的含锗硅的外延层的高度均匀一致。

在本发明的实施例中，由进气口407通入反应腔室405内的含锗的第二反应物的流量为70sccm，经过等离子腔室等离子体化的含锗的第二反应物的流量为30sccm。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，当所述基台401带动晶圆403匀速的旋转时，所述含锗的第二反应物41可以全部经等离子腔室413等离子体化后，再形成等离子锗Ge^*后与含硅的第一反应物40发生反应。

所述含硅的第一反应物40和所述等离子锗Ge^*在反应腔室405内反应的具体步骤包括：首先，所述含硅的第一反应物40在高温下分解成硅和其他气体，例如SiH₂C1₂在高温下分解成Si和HCl；然后分解后得到的硅与等离子锗Ge^*在晶圆403的表面沉积，得到含锗硅的外延层，例如SiGe、SiGeB或SiGeC。

在本发明的实施例中，所述形成含锗硅的外延层的工艺参数范围为：温度为500℃-800℃；压力为1Torr-100Torr。

为了调节形成的含锗硅的外延层中锗的原子百分比含量，本发明实施例的锗硅薄膜的形成方法还包括：通过气体流量控制器调节含硅的第一反应物、含锗的第二反应物的流量。本发明实施例中形成的含锗硅的外延层中锗的原子百分比为20％-80％。

所述反应腔室405内未反应的气体或反应后产生的废气由出气口411排出。所述废气包括H₂、HCl等。

本发明第一实施例中，所述等离子腔室413可以在所述含锗的第二反应物41到达晶圆403的表面以前，将其等离子化形成活性较强的等离子锗Ge^*，能够以较快的沉积速率形成锗的原子百分比含量高的含锗硅的外延层，提高了生产效率，且形成工艺简单。

第二实施例

请参考图6，本发明第二实施例的锗硅薄膜的形成装置，包括：

反应腔室505，用于为反应物在晶圆503表面形成含锗硅的外延层(未图示)提供平台；

等离子腔室513，用于在含锗的反应物到达晶圆403表面之前，将所述含锗的反应物51等离子体化，形成等离子锗Ge^*；

所述反应腔室505壁上具有开口(未图示)，所述等离子腔室513通过管道(未标示)与反应腔室505的开口连通。

与本发明的第一实施例不同，所述等离子腔室513不是位于所述开口内，而是通过管道与反应腔室505的开口相连，将等离子体化后形成的等离子锗Ge^*通过管道、反应腔室505的开口输入至反应腔室505内。

其他关于本发明第二实施例的锗硅薄膜的形成装置请参考本发明的第一实施例，在此不再赘述。

本发明第二实施例的锗硅薄膜的形成装置，同样可以在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将其等离子化形成等离子锗，已较现有技术快的沉积速率与含硅的第一反应物反应形成锗原子百分比含量高的含锗硅的外延层。相比第一实施例的形成装置，更加灵活，对于放置所述形成装置的空间要求较低，只要能放下反应腔室505，而等离子腔室513可以安放在任何地方，只需通过管道将等离子腔室513和所述反应腔室505相连接即可。

请继续参考图6，本发明第二实施例的锗硅薄膜的形成方法，包括：

将晶圆503运送到反应腔室505内；

通过反应腔室505的进气口507向所述反应腔室505内通入含硅的第一反应物50；

等离子腔室513对含锗的第二反应物51进行处理，形成等离子锗Ge^*，并通过管道(未图示)输入至反应腔室505内；

所述含硅的第一反应物50和所述等离子锗Ge^*在反应腔室505内反应，在晶圆503表面形成含锗硅的外延层。

其中，所述含硅的第一反应物50至少包括SiH₂Cl₂或SiH₄。除此之外，所述含硅的第一反应物50还可以包括H₂、HCl、B₂H₆或H2、HCl、BH₃。当所述含硅的第一反应物50为SiH₂Cl₂、H₂、HCl、B₂H₆的混合物或SiH₄、H₂、HCl、B₂H₆的混合物时，所述H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、B₂H₆的流量为1sccm-200sccm。当所述含硅的第一反应物50为SiH₂Cl₂、H₂、HCl、BH₃的混合物或SiH₄、H₂、HCl、BH₃的混合物时，所述H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、BH₃的流量为1sccm-200sccm。

所述含锗的第二反应物51为GeH₄，所述含锗的第二反应物51的流量为1-100sccm。等离子体化所述含锗的第二反应物51，形成等离子锗Ge^*的工艺参数为：频率为13-15MHz；功率为200-400W；压力为0.1Torr-1Torr。

所述与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室的含锗的第二反应物、同经过等离子体化后进入反应腔室的含锗的第二反应物的比例大于等于7∶3。在本发明的第二实施例中，由进气口507通入反应腔室505内的含锗的第二反应物51的流量为70sccm，经过等离子腔室513等离子体化的含锗的第二反应物的流量为30sccm。

所述形成含锗硅的外延层的工艺参数范围为：温度为500℃-800℃；压力为1Torr-100Torr。

其他关于本发明的第二实施例的详细形成步骤和工艺，请参考本发明的第一实施例，在此不再赘述。

综上，本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置，包括等离子腔室，所述等离子腔室可以在含锗的反应物到达晶圆表面之前，将其等离子化形成等离子锗，由于等离子锗的活性较强，即使在较高的温度下，也可以以较现有技术快的沉积速率与含硅的第一反应物反应形成锗原子百分比含量高的含锗硅的外延层。

本发明实施例的锗硅薄膜的形成装置，所述反应腔室包括用于放置晶圆的基台，所述基台以反应腔室底部的中心为中心旋转，可以带动晶圆匀速的转动，使得后续能够在晶圆表面形成均匀的含锗硅的外延层，有助于形成质量更好的CMOS晶体管。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims

1.一种锗硅薄膜的形成装置，包括：

其特征在于，所述反应腔室壁上具有开口，等离子腔室位于所述开口内或通过管道与反应腔室的开口连通。

2.如权利要求1所述的锗硅薄膜的形成装置，其特征在于，所述开口位于所述反应腔室顶壁的中心。

3.如权利要求1所述的锗硅薄膜的形成装置，其特征在于，所述反应腔室包括：用于放置晶圆的基台，所述基台固定在所述反应腔室底壁；或者所述基台以所述反应腔室底壁的中心为中心旋转。

4.如权利要求1所述的锗硅薄膜的形成装置，其特征在于，所述反应腔室包括位于反应腔室侧壁的进气口，及位于所述反应腔室侧壁、且与所述进气口相对的出气口。

5.如权利要求1所述的锗硅薄膜的形成装置，其特征在于，还包括：气流流量控制器，与所述等离子体腔室相连，用于调节等离子锗的流量。

6.一种锗硅薄膜的形成方法，包括：

将晶圆运送到反应腔室内；

向反应腔室内通入含硅的第一反应物；

其特征在于，还包括：

7.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含锗硅的外延层为SiGe、SiGeB或SiGeC。

8.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含锗硅的外延层中锗的原子百分比为20％-80％。

9.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，形成等离子锗的工艺参数为：频率为13-15MHz；功率为200-400W；压力为0.1Torr-1Torr。

10.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述形成含锗硅的外延层的工艺参数范围为：温度为500℃-800℃；压力为1Torr-100Torr。

11.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含锗的第二反应物为GeH₄。

12.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含锗的第二反应物的流量为1-100sccm。

13.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含锗的第二反应物中一部分经过等离子体化后进入反应腔室，一部分与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室。

14.如权利要求13所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述与含硅的第一反应物一起由反应腔室侧壁的进气口进入反应腔室的含锗的第二反应物、同经过等离子体化后进入反应腔室的含锗的第二反应物的比例大于等于7∶3。

15.如权利要求6所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含硅的第一反应物至少包括SiH₂Cl₂或SiH₄。

16.如权利要求15所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含硅的第一反应物还包括H₂、HCl、B₂H₆。

17.如权利要求16所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，含硅的第一反应物中，H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、B₂H₆的流量为1sccm-200sccm。

18.如权利要求15所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，所述含硅的第一反应物还包括H2、HCl、BH₃。

19.如权利要求18所述的锗硅薄膜的形成方法，其特征在于，含硅的第一反应物中，H₂的流量为1slm-50slm；SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为1sccm-200sccm；HCl、BH₃的流量为1sccm-200sccm。