CN103098545A

CN103098545A - 光电子装置

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Publication number: CN103098545A
Application number: CN2011800180600A
Authority: CN
Inventors: 拉尔夫·维尔特; 霍斯特·瓦尔加
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2010-03-31
Filing date: 2011-03-30
Publication date: 2013-05-08
Anticipated expiration: 2031-03-30
Also published as: DE102010013493A1; WO2011121046A1; US9538609B2; US20130088166A1; EP2554019A1; EP2554019B1; CN103098545B; KR20130025394A

Abstract

一种用于发射混合光的光电子装置，包括：-带有第一发光二极管（11）的第一半导体光源（1），所述第一半导体光源在工作时以第一强度发射第一波长范围中的光，其中所述第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，-带有第二发光二极管（21、22）的第二半导体光源（2），所述第二半导体光源在工作时以第二强度发射第二波长范围中的光，其中第一和第二波长范围是彼此不同的并且其中第二波长范围和/或第二强度具有与所述第一温度相关性不同的第二温度相关性，-带有第三发光二极管（31）的第三半导体光源（3），所述第三半导体光源在工作时以第三强度发射第三波长范围中的光，-具有温度相关的电阻的电阻元件（4），以及-用于对第三半导体光源（3）进行强度控制的半导体光源控制元件（9），-其中接在并联电路中的是：并联电路的第一支路（101）中的带有电阻元件（4）和第一半导体光源（1）的第一串联电路，并联电路的第二支路（102）中的第二半导体光源（2）以及并联电路的第三支路（103）中的带有第三半导体光源（3）和半导体光源控制元件（9）的第二串联电路。

Description

光电子装置

技术领域

本发明提出一种用于发射混合光的光电子装置。

本专利申请要求德国专利申请10 2010 013 493.7的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

背景技术

为了产生混合光，也就是非单色光并且在此例如为白光，能够在使用发光二极管（LED）的情况下通常使用以不同颜色发射的LED和/或多种发光材料。例如为了产生白光，能够将由不同LED发射的黄绿光谱范围中和红色光谱范围中的光谱分量进行叠加。

除满足例如为混合由不同的LED芯片发射的光的光学规定之外，使色度坐标大约在白点的白光中相对于温度的稳定化也是有挑战性的。这例如在于所涉及的芯片技术的不同的温度相关性。一个稳定化的构件在未公开的德国申请10 2008 057 347.7中示出。

除色度坐标稳定化之外，也感兴趣的是，控制这种光源的色温（CCT），以便例如在暖白光和冷白光之间变化。色温能够控制的光源的典型实现方案包括光学传感器和/或热传感器、微控器以及多个用于控制LED的LED驱动器。为了补偿热效应，将典型的LED特征存储在微控器中。

发明内容

本发明的目的是提出一种带有简单结构的色温能够控制的并且色度坐标稳定化的光源。

所述目的通过一种带有权利要求1的特征的光电子装置来实现，所述光电子装置包括：

-带有第一发光二极管的第一半导体光源，所述第一半导体光源在工作时以第一强度发射第一波长范围中的光，其中第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，

-带有第二发光二极管的第二半导体光源，所述第二半导体光源在工作时以第二强度发射第二波长范围中的光，其中第一和第二波长范围是彼此不同的，并且其中第二波长范围和/或第二强度具有与第一温度相关性不同的第二温度相关性，

-带有第三发光二极管的第三半导体光源，所述第三半导体光源在工作时以第三强度发射第三波长范围中的光，

-具有温度相关的电阻的电阻元件，以及

-用于对第三半导体光源进行强度控制的半导体光源控制元件，

-其中接在并联电路中的是：并联电路的第一支路中带有所述电阻元件和第一半导体光源的第一串联电路，并联电路的第二支路中的第二半导体光源，以及并联电路的第三支路中带有第三半导体光源和所述半导体光源控制元件的第二串联电路。

电阻元件引起温度稳定，这是因为其抵抗第一和第二半导体光源的造成温度相关的色度坐标移动的不同的温度相关性。通过所述半导体光源控制元件能够控制第三半导体光源的强度，这引起混合光的色温改变。所调节的混合光色温在温度改变的情况下与没有通过电阻元件来进行温度补偿的情况相比更少量地改变。当所述装置在接通之后升温至其工作温度时，例如在正常工作时出现温度升高。

通过合适地选择出的温度相关的电阻元件，光电子装置可实现对半导体光源的物理特性的补偿。该电路布置与常规的电路布置相比具有较简单的结构，这是因为仅设有一个发光二极管驱动器或半导体光源控制元件来代替多个。能够弃用微控器。

“光”尤其可以表示具有来自紫外至红外光谱范围的一个或多个波长或波长范围的电磁辐射。尤其地，光能够是可见光，并且包括来自可见光谱范围在大约350nm和大约800nm之间的波长或波长范围。可见光能够根据本领域的技术人员已知的所谓的CIE-1931-色度坐标表或CIE-标准比色表的、具有x色度坐标和y色度坐标的坐标来表征。

带有下述色度坐标的光能够被称作白光或具有白色发光印象或色觉的光，所述色度坐标对应于普朗克黑体辐射器的色度坐标或者在x色度坐标和/或y色度坐标中以小于0.1并且优选地小于0.05与普朗克黑体辐射器的色度坐标偏离。此外，通过光能够引起在此处或下文中被称作白色发光印象的发光印象，所述光具有本领域的技术人员已知的为大于或等于60、优选为大于或等于70并且尤其优选为大于或等于80的显色指数（“color rendering index”，CRI）。

此外，能够将具有小于或等于5500K的色温的发光印象称作“暖白的”。能够将具有大于5500K的色温的发光印象称作“冷白的”。将5500K左右的范围称作中性白的。术语“色温”能够表示普朗克黑体辐射器的色温，或者也能够表示在上文所述的白色的发光印象的情况中本领域的技术人员已知的所谓的相关色温（“correlated color temperature”，CCT），所述白色的发光印象能够通过与普朗克黑体辐射器的色度坐标偏离的色度坐标来表征。

通过能够感觉到的不同色度坐标的光形成的不同发光印象能够尤其由彼此不同的第一和第二波长范围来引起。例如当第一波长范围包括至少一个没有包含在第二波长范围中的光谱分量时，能够将第一和第二波长范围称作是不同的。第一和第二波长范围引起带有在CIE标准比色表中不同的x坐标和/或不同的y坐标的发光印象和色彩现象。

电阻元件能够与第一和/或第二和/或第三半导体光源热接触，并且由此与第一和/或第二和/或第三发光二极管（LED）热接触。这能够意味着，所述电阻元件的温度在半导体光源的温度改变时以与其相同的程度改变，并且反之亦然。

通过第一和第二强度的和/或第一和第二波长范围的不同的第一和第二温度相关性，半导体光源的发光印象可以依据环境温度和工作温度而彼此不同地改变。因此，在无调节地叠加半导体光源的光的情况下，叠加的发光印象、即混合光同样改变。通过所述电阻元件，在当前的光电子装置中可能的是产生如下混合光，所述混合光就其色度坐标而言具有尽可能小的温度相关性。

根据实施形式和材料选择，第一温度相关性能够小于第二温度相关性。这意味着，伴随着升高的温度，例如第一半导体光源的第一强度的改变少于第二半导体光源的第二强度的改变。在所述情况下，电阻元件是带有正温度系数的电阻元件，这意味着，所述电阻元件的电阻随着温度升高而增大，并且所述电阻元件实施为冷导体或PTC（“positivetemperature coefficient”正温度系数）电阻元件。如果第一和第二半导体光源的温度例如由于环境温度的升高而升高，那么在上述情况下，第二强度比第一强度更强烈地减小。这意味着，混合光的色度坐标朝向第一半导体光源的色度坐标移动。然而，在实施为PTC元件的电阻元件中，温度也同时升高并且因此电阻也增大，使得与流过第二半导体光源的电流相比，流过第一串联电路并且因此流过第一半导体光源的电流减小，使得能够抵抗第一和第二强度的仅与温度相关的变化。

替选地，第一温度相关性能够大于第二温度相关性。在所述情况下，所述电阻元件是带有负温度系数的电阻元件，这意味着，所述电阻元件的电阻随着升高的温度而降低并且所述电阻元件构造成热导体或NTC（“negative temperature coefficient”负温度系数）电阻元件。由此，如同在上述情况中，同样能够通过如下方式抵抗第一和第二强度的仅与温度相关的变化，即在温度升高的情况下，与流过第二半导体光源的电流相比，增加了流过串联电路并且因此流过第一半导体光源的电流。

尤其地，电阻元件具有与第一或第二半导体光源的第一和第二温度相关性相适应的温度相关的电阻。这能够尤其意味着，电阻元件不具有开关特性并且电阻在从-40℃到125℃的温度范围中不突然变化。优选地，电阻元件的电阻在大于或等于-40℃以及小于或等于125℃的温度范围中连续改变，这意味着，电阻根据电阻元件作为冷导体或热导体的实施形式来以基本上保持为相同的温度相关性增大或减小。优选地，所述电阻元件包括线性的或者近似为线性的电阻-温度相关性。

在一个扩展方案中，半导体光源控制元件在第一状态中基本上阻止电流通过第三支路并且在第二状态中基本上允许电流通过第三支路。换言之：在第一状态中，对第三半导体光源的供电中断或者至少减小为使得第三半导体光源不发光；在第二状态中，第三半导体光源发射光。通过第三半导体光源的接通或关断，改变混合光的色温。

在一个扩展方案中，能够在第一和第二状态之间不连续地转换。半导体光源控制元件在该扩展方案中用作开关，通过所述开关来接通以及关断第三半导体光源，使得所述第三半导体光源在混合光的两种色温之间来回转换。

在一个替选的扩展方案中，通过第三支路的电流能够在第一和第二状态之间连续地改变。这允许了连续地改变色温。

有利地，半导体光源控制元件包括晶体管，在所述晶体管上能够施加控制电压。所述晶体管依据所施加的控制电压来控制通过第三支路的电流并且因此来控制由第三半导体光源发射的光的强度。

晶体管能够构造成N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或P沟道MOSFET，这在电路构造中形成自由度。

为了连续地改变控制电压，能够设有用于调节控制电压的电位计。

有利地，设有用于调节控制电压的分压器。施加在所述晶体管上的控制电压能够降在分压器的电阻上。在带有电位计的分压器中，可以通过改变电位计的电阻来改变降在分压器的电阻上的电压并且因此也改变控制电压。

在一个扩展方案中，混合光在状态之一中是暖白的并且在另一状态中是冷白的。换言之：由所述装置发射的光能够在冷白和暖白之间转换，以便配合照明。

于是，在具有冷白的第一半导体光源以及发射红光的第二半导体光源的发射白光的装置中，能够设有适合于发射蓝光的第三半导体光源。当第三半导体光源不发射光时，混合光是暖白的。当第三半导体光源发射光时，所述混合光就其色温而言变得较冷。

在一个扩展方案中，所述装置构造成模块，使得所述装置的元件设置在壳体中。在一个扩展方案中，设有两个用于施加电源电压的端子。在模块的另一个扩展方案中，除用于施加电源电压的端子之外，还设有至少一个用于施加用于激励半导体光源控制元件的电势的端子。

附图说明

以下将参考附图借助实施例来阐明本发明。

其中：

图1示出用于发射混合光的光电子装置的电路图，

图2示出带有沿着其能够激励所述装置的线的CIE标准比色表的部分图，

图3示出带有光的色度坐标的CIE标准比色表的部分图，所述光由带有稳定化部的装置以及由不带有稳定化部的比较装置所发射，

图4示出P沟道MOSFET的接线图，以及

图5示出N沟道MOSFET的接线图。

具体实施方式

图1示出了用于发射混合光的光电子装置的实施例的电路图或电路布置，所述光电子装置即带有第一半导体光源1、第二半导体光源2和第三半导体光源3的光源。

第一半导体光源1包括发射在冷白的第一波长范围中的光的第一LED 11。也能够考虑在黄绿范围中的光发射。第二半导体光源2包括发射在第二波长范围中的红光的两个第二LED 21、22的串联电路。第三半导体光源3包括发射在第三波长范围中的蓝光的第三LED。

此外，设有其他的发射在第一波长范围中的光的LED 7、8。其他的LED 7、8是可选的。也能够不设有其他的LED，设有一个或多于两个的其他的LED。其他的LED的发光印象不局限于白色。

此外，设有第一、第二和第三电阻元件4、5、6。第一电阻元件4是温度相关的并且具有正温度系数，使得其电阻随着升高的温度而增大。换言之：第一电阻元件4是PTC电阻元件。第二电阻元件5具有能够改变的电阻。所述电阻元件构造成电位计。第三电阻元件6的电阻是固定的。

电路布置还包括作为半导体光源控制元件9的MOSFET，其带有栅极引线、源极引线和漏极引线91、92、93。

第一、第二和第三半导体光源1、2、3、电阻元件4、5、6以及构造成MOSFET的半导体光源控制元件9如下布线：在第一支路101中，第一半导体光源1与第一电阻元件4串联。在第二支路102中设置有带有两个LED 21、22的第二半导体光源2，并且在第三支路103中，构造成MOSFET的半导体光源控制元件9与第三半导体光源3串联，其中漏极引线93与第三LED 31连接。第一、第二和第三支路101、102、103并联。

两个其他的LED 7、8串联到所述并联电路。带有第二和第三电阻元件5、6的串联电路并联到带有所述其他的LED 7、8的串联电路以及所述并联电路。第二和第三电阻元件5、6用作分压器。在第二和第三电阻元件5、6之间分接施加在构造成MOSFET的半导体光源控制元件9的栅极引线91处的控制电压。

替选于在此纯示例地描述的带有发射白色的第一半导体光源1、发射红色的第二半导体光源2和发射蓝色的第三半导体光源3的组合形式，当期望混合光的其他的色彩效果和发光印象时，也能够使用带有在其他波长范围中的发射光谱的半导体光源的任意其他组合形式。

尤其地，第三半导体光源3的颜色不局限于蓝色。

在没有第三半导体光源3的影响的情况下，第一和第二半导体光源1、2的混合光是暖白的。随着发射蓝光的第三LED 3的强度增加，混合光的色温变得更冷。

对红色LED、蓝色LED以及白色（例如磷转化的蓝色）LED的使用允许以有效率的方式和方法来构造光源，在所述光源中能够沿着白色曲线控制色温，这对于SSL（Solid-State-Lighting或固态照明）应用而言是极有益的。这种类型的应用能够对颜色可控光源来使用LED的电势。

白色和红色LED 11、21的色度坐标稳定化是有利的，这是因为红色LED 21发射的光在温度升高的情况下更强烈地移向较长波的范围，并且与白色LED 11、7、8和蓝色LED 31的光相比同时损失更多的效率和强度。白色LED由于温度升高时下降的磷效率而改变其色度坐标。通过温度相关的第一电阻元件3来实现降低色度坐标移动的调整。

框100表示光电子装置的电路布置的白点稳定的组成部分，所述组成部分包括第一和第二半导体光源1、2以及PTC电阻元件4。在下文中阐明所述稳定的组成部分的工作原理。

在低的环境温度和工作温度的情况下，更多的电流流过PTC电阻元件4并且更少的电流流过第二半导体光源2；在高温时，电流平衡在恒定的总电流或恒定的电压的情况下移向第二半导体光源2，这是因为由于PTC电阻元件4的电阻的与温度相关的增加，更多的电流流过第二半导体光源2。

然而，在第二半导体光源2仅与PTC电阻元件4单独并联的情况下，降在第二半导体光源2上的全部电压也降在电阻元件4上，这将导致PTC电阻元件4中高的欧姆损耗并且因此会导致低效的装置。通过电阻元件4与第一半导体光源1的附加的串联电路，能够降低PTC电阻元件4上的损耗功率，由此获得光电子装置的效率的大大提升。同时为了增加第二半导体光源2中的电流，通过PTC电阻元件4在环境温度升高的情况下来降低流过第一半导体光源1的电流，使得与第一半导体光源1的恒定的工作电流相比，能够通过第二半导体光源2中相对较小的电流增加来实现第一和第二半导体光源1、2之间的电流平衡。这又使得第二半导体光源2中的与电流相关的自加热效应能够保持为相对较低，由此使得由第二LED 21、22发射的光的波长移动与这在对第二半导体光源2的工作电流进行单独调节的情况下相比而言较小。

对示出的以及以下的实施例替选地，当第一和第二半导体光源1、2构造成使得第一强度的第一温度相关性大于第二强度的第二温度相关性时，PTC电阻元件4也能够构造成NTC元件。

通过在电流路径中使用PTC电阻元件（或者NTC电阻元件）来实现白点稳定化。第三路径中的可控半导体光源3扩展了所述原理并且可实现稳定在冷白和暖白之间可控的光源。

通过构造成MOSFET的半导体光源控制元件9能够在第一状态中基本上截止带有第三LED 31的第三支路103，使得第三LED 31不发射光。在所述情况下，光源的混合光是暖白的。在第二状态中，第三支路103通过构造成MOSFET的半导体光源控制元件9而被接通，使得第三LED 31发射光。第三支路103的截止/释放依据施加在构造成MOSFET的半导体光源控制元件9上的控制电压U_S来进行。所述释放也能够部分地进行以及进行以为其他的支路101、102加负载，这是因为现在电流流过三条支路101、102、103。在释放时，混合光变冷。

通过带有第二和第三电阻元件5、6的分压器来调节构造成MOSFET的半导体光源控制元件9的控制电压U_S。构造成电位计的第二电阻元件5允许改变所述控制电压，这是因为通过电位计5的电阻变化，改变了施加到电阻元件5、6上的电压之间的电压比例并且因此改变了控制电压U_S。

所述电路布置允许了借助于PTC电阻元件4来稳定在冷白和暖白之间可控的光源。在一个替选的实施例中，能够为此目的而设有NTC电阻元件（没有示出）。对此，仅需要LED驱动器，在该情况中为构造成MOSFET的半导体光源控制元件9，然而既不需要微控器也不需要其他的传感器。通过控制电压U_S能够单独地调节色温。

在电阻元件4温度相关地改变时，不仅第一和第二支路101、102中的电流改变，而且，在接通的情况下第三支路103中的电流也改变。然而，补偿集中在第二LED 21、22上，所述第二LED 21、22在其温度相关性上大大地不同于其他的LED 11、31、8、7。

所述电路布置直接从LED光源的工作电流中得到控制电压U_S。对于例如在台灯中的应用或相似的应用而言，能够是有利的是，以所述方法借助简单的电位计来实现所述调整，如图1中所示。

在一个替选的实施例中，栅极引线91能够作为LED组件的其他引脚而保持为未接入，并且所述控制电压由外部预先设定，例如，通过数字电位计经由DMX接口或Dali接口控制。

在这种类型的实施例中，如同框架200所表示地，在图1中示出的除了电压源U和分压器5、6之外的元件能够构造成模块并且设置在壳体中，所述壳体除用于电源电压U的端子之外还具有用于施加控制电势的另一端子。当然能够考虑的是，设有用于施加控制电压U_S的两个其他端子。

图2示出CIE标准比色表在0.28和0.48之间的色度坐标x范围中并且在0.24和0.44之间的色度坐标y范围中的部分图。线900表示在不同温度中的普朗克黑体辐射器的所谓的白色曲线。所述温度也被称作色温。区域910、920、930、940、950、960、970、980是所谓的美国标准区域化系统（ANSI-Binning-Systems）的色温区域，所述系统对白色的色温划分等级。区域910相当于6500K，这是冷白光。区域920相当于5700K，这也还被视为冷白光。区域930相当于5000K，这被视为中性白光。区域940相当于4500K。区域950相当于4000K。区域960相当于3500K。区域970相当于3000K。区域980相当于2700K。所述区域940、950、960、970、980被视为暖白光。

在工作温度为75摄氏度时控制电压U_S变化的情况下，绘出在采用典型的LED特征的情况下针对光源模拟地求得的线990。人们看到，绘出的曲线在Cx-Cy空间中完全地位于美国标准区域化系统的区域910、920、930、940、950、960、970、980之内。色温在7000K和2700K之间改变。显色指数CRI一直保持在CRI>80之上，在更暖的区域中甚至在CRI>90之上。

图3阐明带有PTC电阻元件4的电路布置的稳定作用。图3示出CIE标准比色表在0.28和0.48之间的色度坐标x范围中并且在0.24和0.44之间的色度坐标y范围中的部分图。线900表示白色曲线。此外，示出美国标准区域化系统的区域910、920、930、940、950、960、970、980。

空心的标记911、921、931、941、951是在温度为25摄氏度情况下没有色彩稳定时、即没有PTC电阻元件时比较电路布置的色度坐标，这对应于直接在接通光源之后的状态。当由所述电路布置发射的混合光的色温变化时，不同的标记911、921、931、941、951在此相当于不同的色度坐标。

阴影的标记912、922、932、942、952示出在温度为25摄氏度时、在带有借助于PTC电阻元件4实现色度坐标稳定化的电路布置中的混合光色度坐标，这对应于直接在接通光源之后的状态。当由所述电路布置发射的混合光的色温通过控制电压U_S的变化而变化时，不同的标记912、922、932、942、952在此相当于不同的色度坐标。

实心的标记913、923、933、943、953示出对于不带有以及带有色度坐标稳定化部的电路布置而言在温度为75摄氏度时通过PTC电阻元件4而稳定的色度坐标。

标记911、912、913的组示出用于带有或不带有PTC电阻元件4的两个电路布置的色度坐标，调节所述电路布置使得其在75摄氏度时发射带有同一色度坐标913的光。然而，在不带有PTC电阻元件4的电路布置中，色度坐标911在25摄氏度时与色度坐标913的偏差显著大于在带有PTC电阻元件4的电路布置中色度坐标912在25摄氏度时的偏差。换言之：在带有PTC电阻元件4的电路布置中，色度坐标在温度变化时以较小程度漂移。

所述效应也可在其他的组中看到。标记921、922、923的组如同标记931、932、933的组或941、942、943的组一样示出了所述效应。标记951、952、953的组示出暖白光情况下的所述效应。

在接通之后、也就是说在25摄氏度时，以及色度坐标913、923、933、943、953之间的偏差在达到工作温度之后、也就是说在75摄氏度时，稳定化的电路布置的色度坐标912、922、932、942、952之间的偏差小。尤其地，在暖白和中性白区域中，色温的偏差就色度坐标而言保持在小于0.01的区域中。所述小的偏差由PTC电阻元件4来决定。

图4和5再一次阐明在第三支路中借助于P沟道MOSFET或N沟道MOSFET通过控制电压U_S对第三LED 31的控制。

图4示出作为半导体光源控制元件9的P沟道MOSFET，其漏极引线93与第三二极管31连接。在源极引线92和第三二极管31之间存在电源电压U。在源极引线92和栅极引线91之间施加控制电压U_S。如果施加对接通支路而言足够的控制电压、例如当电源电压U=20V时U_S=10V，那么第三二极管31不发射光。如果控制电压U_S消失，例如在U=20V时U_S=0V，作为半导体光源控制元件9的P沟道MOSFET截止，也就是说其电阻趋近于无穷大。控制电压U_S能够在0V和10V之间是可变的。

作为半导体光源控制元件9的P沟道MOSFET非常好地适合于使用在装配有仅一个其他的设为用于施加控制电势的端子或引脚的模块中。能够对引脚41、42施加电源电压，在引脚上存在参考电势。因为电源电势已经通过引脚41施加在P沟道MOSFET 9的源极引线92上，所以仅需要一个其他的与栅极引线91连接的引脚43来调节栅源电压。为了良好地起作用，所述模块应具有与栅源电压相当的电源电压，以便避开外部的控制电压。如果期望外部的控制电压，那么也能够通过将MOSFET的栅极引线91构成为未接入而实现。

在最后提到的情况中，如同在图5中所示，N-MOSFET是更适合的，这是因为控制电压U_S与电源电压U无关。

作为半导体光源控制元件9的实施例，图5示出N沟道MOSFET，其漏极引线93与第三二极管31连接。在源极引线92和第三二极管31之间存在电源电压U。在源极引线92和栅极引线91之间施加控制电压U_S。如果施加对接通支路而言足够的控制电压，例如在U=20V时U_S=10V，那么第三二极管31发射光。当控制电压消失时，例如U_S=0V并且U=20V，MOSFET截止，也就是说其电阻趋于无穷大。

Claims

1.用于发射混合光的光电子装置，包括：

-带有第一发光二极管（11）的第一半导体光源（1），所述第一半导体光源在工作时以第一强度发射第一波长范围中的光，其中所述第一波长范围和/或所述第一强度具有第一温度相关性，

-带有第二发光二极管（21、22）的第二半导体光源（2），所述第二半导体光源在工作时以第二强度发射第二波长范围中的光，其中所述第一波长范围和所述第二波长范围是彼此不同的并且其中所述第二波长范围和/或所述第二强度具有第二温度相关性，所述第二温度相关性不同于所述第一温度相关性，

-带有第三发光二极管（31）的第三半导体光源（3），所述第三半导体光源在工作时以第三强度发射第三波长范围中的光，

-带有温度相关的电阻的电阻元件（4），以及

-用于对所述第三半导体光源（3）进行强度控制的半导体光源控制元件（9），

-其中接在并联电路中的是：在所述并联电路的第一支路（101）中的带有所述电阻元件（4）和所述第一半导体光源（1）的第一串联电路，在所述并联电路的第二支路（102）中的所述第二半导体光源（2）以及在所述并联电路的第三支路（103）中的带有所述第三半导体光源（3）和所述半导体光源控制元件（9）的第二串联电路。

2.根据权利要求1所述的装置，其中

-所述第一温度相关性小于所述第二温度相关性，以及

-所述电阻元件（4）是带有正温度系数的电阻元件。

3.根据权利要求1所述的装置，其中

-所述第一温度相关性大于所述第二温度相关性，以及

-所述电阻元件（4）是带有负温度系数的电阻元件。

4.根据权利要求1至3之一所述的装置，其中所述半导体光源控制元件（9）在第一状态中阻止电流通过所述第三支路（103）并且在第二状态中允许电流通过所述第三支路（103）。

5.根据权利要求4所述的装置，所述装置能够在所述第一状态和所述第二状态之间不连续地转换。

6.根据权利要求4所述的装置，其中通过所述第三支路（103）的电流能够连续地改变。

7.根据权利要求1至6之一所述的装置，其中所述半导体光源控制元件（9）包括晶体管（9），在所述晶体管上能够施加控制电压（U_S）。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述晶体管构造成N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（9）或P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（9）。

9.根据权利要求7或8所述的装置，其中设有用于调节所述控制电压（U_S）的电位计（5）。

10.根据权利要求7、8或9所述的装置，其中设有用于调节所述控制电压（U_S）的分压器（5、6）。

11.根据权利要求1至9之一所述的装置，其中所述混合光在所述状态之一中是暖白色，并且在另一所述状态中是冷白色。

12.根据权利要求1至11之一所述的装置，其中所述第三半导体光源（3）适合于发射蓝光。

13.根据权利要求1至12之一所述的装置，所述装置构造成带有用于施加电源电压（U）的端子的模块。

14.根据权利要求13所述的装置，其中设有用于施加对所述半导体光源控制元件（9）进行激励的电势的端子。