CN103066172A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件。该发光器件包括：发光结构，该发光结构包括：第一区，第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及第一有源层；以及第二区，第二区包括掺杂有第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的第三半导体层上的并且掺杂有第二掺杂剂的第四半导体层、以及第二有源层，第二区设置有形成为从第四半导体层至第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，第一电极包括第一电极焊盘和第二电极焊盘；第二电极；以及第三电极，第三电极设置在第四半导体上并且包括第三电极焊盘、第四电极焊盘、以及第五电极焊盘。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年10月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2011-0108760的优先权，通过引用将其公开内容并入本文。
技术领域
实施方案涉及发光器件。
背景技术
作为发光器件的一个代表性实例，发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为光如红外光或可见光的器件，并且用于家用电器、遥控器、电子布告板、显示器、各种自动化机器等，LED的应用范围也在继续拓宽。
一般地，将小的LED制造成表面安装器件类型以直接安装在印刷电路板(PCB)上，因此将用作显示器件的LED灯开发成表面安装器件类型。这种表面安装器件可以替代传统的灯，并且可以用于产生各种颜色的光-开/关显示器、文字指示器、图像显示器等。
因为LED具有一般的LED整流特性，所以如果将LED连接至AC电源，则LED会随着电流方向重复地开/关，无法连续地产生光，并且可能因此受到反向电流的损伤。
因此，正在大力进行将LED直接连接至AC电源的研究。
发明内容
实施方案提供发光器件。
在一个实施方案中，发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，并且设置在所述第二半导体层上且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘。
在另一实施方案中，发光器件封装件包括：发光器件，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，并且设置在所述第二半导体层上且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘；以及本体，所述本体包括电连接至所述发光器件的第一引线框和第二引线框。
在又一实施方案中，照明系统包括：发光器件封装件，各个所述发光器件封装件包括：发光器件，所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，并且设置在所述第二半导体层上且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘；以及本体，所述本体包括电连接至所述发光器件的第一引线框和第二引线框；以及衬底，所述发光器件封装件布置在所述衬底上。
附图说明
结合附图，通过以下详细描述，可更清楚地理解实施方案的细节，其中：
图1是根据一个实施方案的发光器件的立体图；
图2是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图3是根据另一实施方案的发光器件的立体图；
图4是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图5是根据一个实施方案的发光器件的横截面图；
图6是根据另一实施方案的发光器件的横截面图；
图7是根据另一实施方案的发光器件的横截面图；
图8是根据一个实施方案的发光器件的电路图；
图9是示出对发光器件施加正向电压时，根据该实施方案的发光器件的驱动的视图；
图10是示出对发光器件施加反向电压时，根据该实施方案的发光器件的驱动的视图；
图11是根据另一实施方案的发光器件的立体图；
图12是根据该实施方案的发光器件的横截面图；
图13是根据该实施方案的发光器件的横截面图；
图14是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图15是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图16是根据另一实施方案的发光器件的立体图；
图17是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图18是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图19是根据该实施方案的发光器件的俯视图；
图20是根据一个实施方案的包括发光器件的照明系统的电路图；
图21是根据该实施方案的包括发光器件的照明系统的电路图；
图22是根据一个实施方案的包括发光器件的发光器件封装件的立体图；
图23是根据该实施方案的包括发光器件的发光器件封装件的横截面图；
图24是根据该实施方案的包括发光器件的发光器件封装件的横截面图；
图25是根据一个实施方案的包括发光器件的照明系统的立体图；
图26是沿着图25的照明系统的线C-C′截取的横截面图；
图27是根据一个实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图；以及
图28是根据另一实施方案的包括发光器件的液晶显示装置的分解立体图。
具体实施方式
现在，将详细地参考其实例示于附图中的实施方案。然而，本公开可以以多种不同的形式来实施，而不应该理解为限于本文中提出的实施方案。而是，提供这些实施方案，使得本公开可以全面和完整，并且使得本领域技术人员充分地理解本公开的范围。本公开仅由权利要求的范畴限定。在某些实施方案中，可省略本领域中已知的器件构造或过程的详述，以避免妨碍本领域技术人员理解本公开。在可能的情况下，在整个附图中利用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
与空间相关的措辞如“下”、“下方”、“下部”、“上”或“上部”在本文中可以用于描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。应理解，除了图中描述的方位之外，与空间相关的措辞还意在包括器件的其它方位。例如，如果将一幅图中的器件翻转，则描述为在其它元件“下”或“下方”的元件可然后定向为在其它元件“上”。因此，示例性措辞“下方”或“下部”可以包括上和下两个方位。因为可以沿着另一方向定向器件，所以与空间相关的措辞可以根据器件的方位来理解。
用于本公开中的术语仅用于描述特定实施方案的目的而并不意在限制本公开。如在本公开和所附权利要求中所用的，除非上下文清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”以及“所述”也意在包括复数形式。还可以理解，在本说明中使用时，术语“包括”明确表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或增加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另有定义，否则本文中所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本领域技术人员一般理解的含义。还应理解，诸如在一般使用的词典中定义的那些术语应该理解为其含义与相关领域和本公开的上下文中的含义一致，并且除非在本文中清楚地限定，否则不应以理想化或过度形式化的意义来理解。
在图中，为了描述方便和清楚，放大、省略或示意性地示出每个层的厚度或尺寸。此外，每个组成元件的尺寸和面积不完全反映其实际尺寸。
用于描述实施方案的发光器件的结构的角度和方向是基于附图所示的角度和方向。除非说明书中没有对描述发光器件的结构中的角位置关系的参考点进行限定，否则可以参考相关附图。
图1是根据一个实施方案的发光器件100的立体图，图2是图1的发光器件100的俯视图，图3是根据另一实施方案的发光器件100的立体图，图4是图3的发光器件100的俯视图，图5至图7是根据实施方案的发光器件100的横截面图。
参考图1和图2，发光器件100可以包括：支撑构件110；发光结构(未示出)，所述发光结构包括：第一区120，所述第一区120设置在支撑构件110上并且包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层122、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层126、以及设置在第一半导体层122与第二半导体层126之间的第一有源层124，以及第二区130，所述第二区130设置在第一区120上并且包括掺杂有第一掺杂剂并且包含暴露出的区域(未示出)的第三半导体层132、设置在除了该暴露出的区域之外的第三半导体层132上并且掺杂有第二掺杂剂的第四半导体层136、以及设置在第三半导体层132与第四半导体层136之间的第二有源层134；第一电极140，所述第一电极140电连接至第一半导体层122；第二电极150，所述第二电极150设置在形成于暴露出的区域处的孔(未示出)上，设置在第三半导体层132上并且电连接至第二半导体层126和第三半导体层132；以及第三电极160，所述第三电极160设置在第四半导体层136上。
支撑构件110可以由透光材料如选自蓝宝石(Al2O3)、GaN、ZnO和AlO中的一种材料形成，但是本公开不限于此。此外，支撑构件110可为具有高于蓝宝石(Al2O3)的热导率的SiC衬底。
用于减小支撑构件110和第一区120之间的晶格失配并且用于促进半导体层生长的缓冲层112可以位于支撑构件110的上表面上。缓冲层112可以在低温气氛中形成，并且可以由可以减小半导体层和支撑构件110之间的晶格常数的差的材料形成。例如，缓冲层112可以由选自GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN和InAlGaN中的一种形成，但是本公开不限于此。在支撑构件110上可以生长缓冲层112以产生单晶，具有单晶的缓冲层112可以提高生长在缓冲层112上的第一区120的结晶度。
在缓冲层112上可以形成包括第一半导体层122、有源层124以及第二半导体层126的第一区120。
第一半导体层122可以位于缓冲层112上。第一半导体层122可以掺杂有第一导电型掺杂剂，并且第一导电型掺杂剂可为N型掺杂剂。例如，第一半导体层122可为N型半导体层，并且可以给第一有源层124提供电子。第一半导体层122可为氮化物基的半导体层。例如，第一半导体层122可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此外，第一半导体层122可为氧化锌基的半导体层。例如，第一半导体层122可以由具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自ZnO、AlO、AlZnO、InZnO、InO、InAlZnO和AlInO中的一种形成，但是本公开不限于此。此外，第一半导体层122可以掺杂有N型掺杂剂如Si、Ge或Sn。
此外，在第一半导体层122的下表面上可以形成有未掺杂层(未示出)，但是本公开不限于此。未掺杂层(未示出)用于提高第一半导体层122的结晶度，并且除了未掺杂有N型掺杂剂并因此电导率低于第一半导体层122之外，未掺杂层(未示出)可与第一半导体层122相同。
第一有源层124可以形成在第一半导体层122上。第一有源层124可以使用III-V族化合物半导体材料形成为单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或量子点结构。
如果第一有源层124形成为量子阱结构，则第一有源层124可以形成为多量子阱结构。此外，第一有源层124可为氮化物基或氧化锌基的半导体层。例如，第一有源层124可以形成为包括具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的阱层和具有式InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的势垒层的单量子阱结构或多量子阱结构。阱层可具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可具有式InaAlbZn1-a-bO(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)，但是本公开不限于此。阱层可以由能带隙小于势垒层的能带隙的材料形成。
如果第一有源层124具有多量子阱结构，则各个阱层(未示出)和势垒层(未示出)可以具有不同的组成、不同的厚度以及不同的能带隙，后续将给出其详述。
在第一有源层124的上表面和/或下表面上可以形成导电覆层(未示出)。导电覆层(未示出)可以由AlGaN基半导体或AlZnO基半导体形成，并且其能带隙大于第一有源层124的能带隙。
第二半导体层126可以掺杂有第二导电型掺杂剂，并且第二导电型掺杂剂可为P型掺杂剂。例如，第二半导体层126可为P型半导体层以将空穴注入到第一有源层124中。第二半导体层126可为氮化物基半导体层。例如，第二半导体层126可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此外，第二半导体层126可为氧化锌基半导体层。例如，第二半导体层126可以由具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自ZnO、AlO、AlZnO、InZnO、InO、InAlZnO和AlInO中的一种形成，但是本公开不限于此。此外，第二半导体层126可以掺杂有P型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
上述第一半导体层122、第一有源层124和第二半导体层126可以通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或者溅射形成，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层122和第二半导体层126内的导电掺杂剂的掺杂浓度可为均一或不均一的。即，多个半导体层可以具有各种掺杂浓度分布，但是本公开不限于此。
此外，第一半导体层122可为P型半导体层，第二半导体层126可为N型半导体层，并且在第二半导体层126上可以形成有包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层(未示出)。由此，第一区120可以具有np、pn、npn和pnp结结构中的至少一种。
在第一区120上可以形成第二区130。
第二区130可以包括第三半导体层132、第二有源层134、第四半导体层136。
第三半导体层132可以位于第二半导体层126上。第三半导体层132可以以与第一半导体层122相同的方式掺杂有第一导电型掺杂剂。例如，如果第一半导体层122掺杂有第一导电型掺杂剂，则第三半导体层132可以掺杂有第一导电型掺杂剂。在此，第一导电型掺杂剂可为N型掺杂剂。例如，第三半导体层132可为N型半导体层，并且可以给第二有源层134提供电子。
第三半导体层132可为氮化物基半导体层。例如，第三半导体层132可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此外，第三半导体层132可为氧化锌基半导体层。例如，第三半导体层132可以由具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自ZnO、AlO、AlZnO、InZnO、InO、InAlZnO和AlInO中的一种形成，但是本公开不限于此。此外，第三半导体层132可以掺杂有N型掺杂剂如Si、Ge或Sn。
第二有源层134可以形成在第三半导体层132上。第二有源层134可以使用III-V族化合物半导体材料形成为单量子阱结构、多量子(MQW)阱结构、量子线结构或量子点结构。
第二有源层134可以形成为量子阱结构。此外，第二有源层134可为氮化物基或氧化锌基半导体层。例如，第二有源层134可以形成为包括具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的阱层和具有式InaAlbGa1-a-bO(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的势垒层的单量子阱结构或多量子阱结构。阱层可以具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，势垒层可以具有式InaAlbZn1-a-bO(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)，但是本公开不限于此。阱层可以由能带隙小于势垒层的能带隙的材料形成。
如果第二有源层134具有多量子阱结构，则各个阱层(未示出)可以具有不同的组成和不同的能带隙，后续将给出其详述。
在第二有源层134的上表面和/或下表面上可以形成导电覆层(未示出)。导电覆层(未示出)可以由AlGaN基半导体或AlZnO基半导体形成，并且其能带隙大于第二有源层134的能带隙。
第四半导体层136可以以与第二半导体层126相同的方式掺杂有第二导电型掺杂剂。例如，如果第二半导体层126掺杂有第二导电型掺杂剂，则第四半导体层136可以掺杂有第二导电型掺杂剂。在此，第二导电型掺杂剂可为P型掺杂剂。例如，第四半导体层136可为P型半导体层以将空穴注入到第二有源层134中。
第四半导体层136可为氮化物基半导体层。例如，第四半导体层136可以由具有式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。此外，第四半导体层136可为氧化锌基半导体层。例如，第四半导体层136可以由具有式InxAlyZn1-x-yO(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如选自ZnO、AlO、AlZnO、InZnO、InO、InAlZnO和AlInO中的一种形成，但是本公开不限于此。此外，第四半导体层136可以掺杂有P型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
上述第三半导体层132、第二有源层134和第四半导体层136可以通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或者溅射来形成，但是本公开不限于此。
此外，第三半导体层132和第四半导体层136内的导电掺杂剂的掺杂浓度可为均一或不均一的。即，多个半导体层可以具有各种掺杂浓度分布，但是本公开不限于此。
此外，第三半导体层132可为P型半导体层，第四半导体层136可为N型半导体层，并且在第四半导体层136上可以形成有包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层(未示出)。由此，第二区130可以具有np、pn、npn和pnp结结构中的至少一种。
第一区120和第二区130可以整体地形成，例如，可以通过一个生长工艺依次地生长，但是本公开不限于此。此外，第一区120和第二区130可以由相同的材料形成，但是本公开不限于此。此外，如上所述，由于第一发光结构和第二发光结构可以分别具有np、pn、npn和pnp结结构中的至少一种，所以发光器件100可以具有npnp、nppn、npnpn、nppnp、pnnp、pnpn、pnnpn、pnpnp、npnnp、npnpn、npnnpn、npnpnp、pnpnp、pnppn、pnpnpn和pnppnp结结构中的至少一种，但是本公开不限于此。
由第一区120产生的光和由第二区130产生的光可以具有不同的波长和不同的量。例如，考虑到由第一区120产生的光穿过第二区130时所产生的损失，由第一区120产生的光的量可以大于由第二区130产生的光的量。
此外，第一区120和第二区130可以具有不同的结构、厚度、组成和尺寸，并且可以由不同的材料形成，但是本公开不限于此。
此外，尽管图1至图7示出发光器件100包括第一区120和形成在第一区120上的第二区130，但是本公开不限于此。即，发光器件100可以包括至少两个区域(未示出)。
在第一半导体层122的至少一个表面上可以形成第一电极140。例如，第一电极140可以形成在第一半导体层122的通过移除第一区120和第二区130中的每一个的一部分而暴露出的区域处。即，如图1至图7所示，第一半导体层122可以包括面对第一有源层124的上表面和面对支撑构件110的下表面，第一半导体层122的上表面可以包括至少一个暴露出的区域，第一电极140可以设置在第一半导体层122的上表面的暴露出的区域上。
如图1至图7所述，第一区120和第二区130可以包括通过移除第一区120和第二区130的至少一个区域以暴露出第一半导体层122的一部分而形成的第一沟槽和第二沟槽(未示出)。第一半导体层122的部分可以通过第一沟槽和第二沟槽暴露出，并且可以在暴露出的区域处设置第一电极140。在此，如图1至图7所示，第一沟槽和第二沟槽可以形成在发光器件100的一侧区域处，但是本公开不限于此。即，第一沟槽和第二沟槽可以形成在角落区域、中心区域或任何随机的区域处，并且第一沟槽和第二沟槽的数量不受限制。
第二电极150可以形成在第二半导体层126和第三半导体层132的至少一个区域处。例如，第三半导体层132的一个区域可以通过移除第二区130的至少一个区域来暴露出，并且第二电极150可以形成在该暴露出的区域处。即，如图1至图7所示，第三半导体层132可以包括面对第四半导体层136的上表面和面对支撑构件110的下表面，第三半导体层132的上表面包括至少一个暴露出的区域，并且第二电极150可以设置在第三半导体层132的上表面的暴露出的区域上。此外，孔152形成为穿过第三半导体层132的区域，从而暴露出第二半导体层126的一部分。第二电极150可以通过第三半导体层132的孔152连接至第二半导体层126。
此外，如图1至图7所示，第二区130可以包括通过移除第二区130的至少一个区域以暴露出第三半导体层132的一部分来形成的凹陷部190。在此，如图1至图7所示，凹陷部190可以形成在发光器件100的一侧区域处，但是本公开不限于此。即，凹陷部190可以形成在角落区域处、中心区域处或任何随机的区域处，并且凹陷部190的数量不受限制。
第三电极160可以形成在第四半导体层136上。第三电极160可以形成在第四半导体层136的至少一个区域处如第四半导体层136的中心或角落区域处，但是本公开不限于此。
为了暴露出部分的第一半导体层122、第二半导体层126以及第三半导体层132，可以使用指定的蚀刻方法，但是本公开不限于此。作为所述蚀刻方法，可以使用湿法蚀刻方法或干法蚀刻方法。
例如，蚀刻方法可为台面(MESA)蚀刻方法。即，对第一区120和第二区130中的每一个的区域实施第一MESA蚀刻，以暴露出第一半导体层122的一个区域，并且对第二区130的一个区域实施第二MESA蚀刻，以暴露出第三半导体层132的一个区域。
因为第一电极140形成在第一半导体层122上，第二电极150形成在第二半导体层126和第三半导体层132上，以及第三电极160形成在第四半导体层136上，所以第一电极140、第二电极150以及第三电极160可以形成为沿同一方向。
第一电极140与第三电极160可以互连。例如，如图6和图7所示，第一电极140与第三电极160可以通过指定的导电连接构件170互连。导电连接构件170可为如图6所示的导线或可为如图7所示的指定的导电结构，但是本公开不限于此。例如，导电连接构件170可以通过引线接合或焊接连接至第一电极140和第三电极160或可以与第一电极140和第三电极160整合为一个构件，但是本公开不限于此。
为了防止导电连接构件170与第一区120和第二区130之间的不必要的电短路，在导电连接构件170与第一区120和第二区130之间可以形成有绝缘构件182，但是本公开不限于此。
第一电极140与第三电极160互连，因此，可以通过第一电极140和第三电极160对第一半导体层122和第四半导体层136施加相同极性的电力。
此外，第二电极150形成在第二半导体层126和第三半导体层132上，因此可以对第二半导体层126和第三半导体层132施加相同极性的电力。
第一电极140、第二电极150以及第三电极160的布置可为随机的，后续将给出其详述。
第一电极140、第二电极150以及第三电极160可以由导电材料如选自In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu和WTi中的一种金属或其合金形成，或可以由上述金属和透光导电材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO形成，但是本公开不限于此。
此外，第一电极140和第二电极150中的至少之一可以具有单层结构或多层结构，但是本公开不限于此。
下文中，将参考图8至图10来描述根据实施方案的发光器件100的操作。下文中，将假设第一半导体层122和第三半导体层132是N型半导体层，并且假设第二半导体层126和第四半导体层136是P型半导体层。
图8是根据实施方案的发光器件100的电路图。
如上所述，第一电极140可以连接至第一半导体层122，第二电极150可以连接至第二半导体层126与第三半导体层132，第三电极160可以连接至第四半导体层136，并且第一电极140可以与第三电极160互连。在此，如果第一半导体层122和第三半导体层132掺杂有第一导电型掺杂剂，第二半导体层126和第四半导体层136掺杂有第二导电型掺杂剂，则根据实施方案的发光器件100可以具有其中两个发光二极管以反向并联的结构连接的电路结构，如图8所示。
图9是示出在对发光器件100施加正向偏压时，根据实施方案的发光器件100的驱动的视图。
如图9所示，在AC电源的情况下，可以对第二电极150供给正电压(+)，可以对第一电极140和第三电极160供给负电压(-)。由此，可以对发光器件100施加第一方向的电力。
在此，在第一区120中形成从第二半导体层126经由第一有源层124流至第一半导体层122的第一电流路径A。如上所述，由于第二半导体层126是P型半导体层和第一半导体层122是N型半导体层，所以第一区120可以导通，并且因此第一有源层124可以产生光。
此外，在第二区130中，对第三半导体层132供给正电压(+)，对第四半导体层136供给负电压(-)，因此对第二区130施加反向偏压。由此，没有产生电流路径，第二区130断开。
图10是示出当对发光器件100施加反向偏压时，根据实施方案的发光器件100的驱动的视图。
如图10所示，可以对第二电极150供给负电压(-)，可以对第一电极140和第三电极160供给正电压(+)，由此，可以对发光器件100施加第二方向的电力。在此，第二方向可以与上述第一方向相反。
在此，在第二区130中形成从第四半导体层136经由第二有源层134流至第三半导体层132的第二电流路径B。如上所述，由于第四半导体层136是P型半导体层和第三半导体层是N型半导体层，第二区130可以导通，并且因此第二有源层134可以产生光。
此外，在第一区120中，对第一半导体层122供给正电压(+)，对第二半导体层126供给负电压(-)，因此，对第一区120施加反向偏压。由此，没有产生电流路径，第一区120断开。
如图9和图10所示，根据实施方案的发光器件100在AC电源的正向偏压和反向偏压的情况下都可以发光。
因此，在使用AC电源作为发光器件100的电源时，不需要单独的整流电路或多个发光器件，因此可以提高根据本实施方案的发光器件100或使用根据本实施方案的发光器件100的装置的经济效益。
此外，单芯片型发光器件100在正向偏压和反向偏压的二者情况下都可以发光，因此，可以提高发光器件100的每单位面积的发光效率。
此外，在正向偏压和反向偏压的情况下可以分别形成电流路径，因此可以防止由于ESD所导致的对发光器件100的损伤，并且可以省略掉单独的ESD保护器件。此外，由于使用根据实施方案的发光器件100的发光器件封装件或照明装置不包括ESD器件，因此其体积小并且可以防止由ESD器件所导致的光学损失。
此外，由于发光器件100包括分别在反向偏压和正向偏压的情况下产生光的发光结构，并且各发光结构是整体地形成的，所以第一区120和第二区130可以通过单个过程来生长。因此，可以提高发光器件100的制造工艺的经济效益。
图11是根据另一实施方案的发光器件100的立体图，图12和图13是沿着图11的线C-C′截取的横截面图，图14和图15是根据实施方案的发光器件100的俯视图。
参考图11至图15，根据实施方案的发光器件100可以包括形成为暴露出第一半导体层122的至少一个区域的第一与第二沟槽180，在暴露出的区域处可以设置有第一电极140，第一电极140与第三电极160可以通过导电连接构件170互连。
第一与第二沟槽180可以形成在第一区120和第二区130的至少一个区域处。第一与第二沟槽180可以通过移除第一区120和第二区130的至少一个区域以暴露出第一半导体层122来形成。第一与第二沟槽180可以通过在第一区120和第二区130的至少一个区域处冲孔来形成，或通过指定的方法蚀刻第一区120和第二区130来形成，但是本公开不限于此。虽然第一与第二沟槽180可以如图11至图14所示通过在发光器件100的至少一个区域处冲孔来形成，或可以如图15所示通过移除发光器件100的边缘的至少一个区域来形成，但是第一与第二沟槽180可以形成在随机的位置处。此外，第一与第二沟槽180可以具有任意随机形状如圆形或多边形，并且本公开不限于如图11至图15所示的第一与第二沟槽180的形状。此外，本公开不限于如图11至图15所示的第一与第二沟槽180的数量，并且第一与第二沟槽180可以以随机数量形成。
第一半导体层122的至少一个区域可以通过第一与第二沟槽180朝上暴露出，并且可以在暴露出的区域处设置第一电极140。
第一电极140可以包括设置在第一与第二沟槽180中的第一电极焊盘142和第二电极焊盘144。第一电极焊盘142和第二电极焊盘144设置在第一与第二沟槽180中，并且形成在第一半导体层122上，从而对第一半导体层122供电。
第三电极160可以形成在第四半导体层136上，并且例如可以包括第三电极焊盘162、第四电极焊盘164以及第五电极焊盘166，如图11至图15所示。本公开不限于如图11至图15所示的各个电极焊盘162、164以及166的形状。各个电极焊盘162、164以及166可以设置在第四半导体层136的边缘区域处，如图11至图15所示，或设置在随机区域处，但是本公开不限于此。
例如，如图11至图15所示，第三电极焊盘162可以设置在第一电极焊盘142与第二电极焊盘144之间，第一电极焊盘142可以设置在第三电极焊盘162与第四电极焊盘164之间，以及第二电极焊盘144可以设置在第三电极焊盘162与第五电极焊盘166之间，但是本公开不限于此。
第一电极140和第三电极160可以通过导电连接构件170互连。在此，如上所述，导电连接构件170可为导线或指定的导电结构，但是本公开不限于此。
如图12所示，为了防止导电连接构件170与第一区120和第二区130之间不必要的电短路，可以在导电连接构件170与第一区120和第二区130之间形成绝缘构件182。
如图13所示，导电连接构件170可以形成为与第一区120和第二区130间隔开指定的距离并且将第一电极142、第二电极144、第三电极162、第四电极164以及第五电极166互连的空桥形状。
图16是根据另一实施方案的发光器件的立体图，图17至图19是图16的发光器件的俯视图。
参考图16至图19，根据实施方案的发光器件100可以包括第二电极150，并且第二电极150可以包括第六电极焊盘152和至少一个指状电极154。
如上所述，可以移除第二区130的至少一个区域，以暴露出第三半导体层132的至少一个区域，并且第二电极150可以设置在暴露出的区域处。
根据实施方案，第二电极150可以包括电极焊盘152和至少一个指状电极154。至少一个指状电极154可以连接至第六电极焊盘152，并且可以沿着指定方向延伸以促进电流扩展。第二区130可以具有沿着至少一个方向延伸的蚀刻区域，以在第三半导体层132上布置至少一个指状电极154，但是本公开不限于此。
例如，如图18所示，指状电极154可以沿着朝向第三电极焊盘162的方向延伸，并且如图19所示，可以设置两个指状电极154并沿着对称方向延伸。此外，可以设置随机数量的指状电极(未示出)并沿着朝向发光器件100的角落或随机方向的方向延伸，但是本公开不限于此。
此外，如图16和图17所示，第一电极140与第三电极160和第二电极150可以分别设置在发光器件100的角落区域。例如，第一电极140与第三电极160可以设置在第一角落区域处，并且第二电极150可以设置在与第一角落区域对角地相对的第二角落区域处。此外，如图16和图17所示，第二电极150可以包括从第二角落区域延伸至其它角落区域的指状电极154，但是本公开不限于此。
图20和图21是根据一个实施方案的包括发光器件100的照明系统200的电路图。
参考图20和图21，根据实施方案的包括发光器件100的照明系统200可以包括至少一个发光器件100，并且各个发光器件100可以串联连接。
各个发光器件100可以通过衬底(未示出)上的指定电路图案来连接，从而形成发光器件阵列。例如，发光器件100可以安装在稍后将描述的发光器件封装件500上，发光器件封装件500可以安装在衬底上(未示出)，或者发光器件100可以实现为其中发光器件100安装在衬底(未示出)上的板上芯片(COB)型，但是本公开不限于此。
此外，根据实施方案的包括发光器件100的照明系统200可以包括照明装置如灯、街灯或背光单元，但是本公开不限于此。
由于根据实施方案的发光器件100包括在AC电源的反向电压相位和正向电压相位中产生不同的光的第一区120和第二区130，所以如果将AC电源连接至根据实施方案的照明系统200，则发光器件100可以在正向电压相位和反向电压相位的两种情况下发光，因此可以防止由于在反向电压相位与正向电压相位之间切换而导致的照明系统200的闪烁。
此外，由于可以在正向电压相位和反向电压相位的两种情况下驱动各个发光器件100，并且可以形成与各个相位对应的电流路径，所以在AC电源的情况下例如可以设置多个发光器件100以串联连接，如图24和图25所示。因此，多个发光器件100的连接可以变得容易，并且可以完成照明系统200的输出改善和输出调节。
图22至图24是根据一个实施方案的包括发光器件的发光器件封装件500的立体图和横截面图。
参考图22至图24，发光器件封装件500可以包括设置有腔520的本体510、安装在本体510中的第一引线框540和第二引线框550、电连接至第一引线框540和第二引线框550的发光器件530、以及填充腔520以覆盖发光器件530的树脂层(未示出)。
本体510可以由选自树脂如聚邻笨二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、感光玻璃(PSG)、聚酰胺9T(PA9T)、间规聚苯乙烯(SPS)、金属、蓝宝石(Al203)、氧化铍(BeO)以及印刷电路板(PCB)中的一种形成。本体510可以通过注模、蚀刻等形成，但是本公开不限于此。
本体510的内表面可为倾斜的。从发光器件530发出的光的反射角度可以随着倾斜表面的角度变化，由此，可以调整发向外部的光的方向角。
随着光的方向角的降低，从发光器件530发向外部的光的汇聚增加，另一方面，随着光的方向角的增加，从发光器件530发向外部的光的汇聚降低。
形成在本体510上的腔520可以具有各种平面形状如圆形、矩形、多边形、椭圆形以及带有弯曲角的形状，但是本公开不限于此。
发光器件530可以安装在第一引线框540上，并且，例如可为发出红光、绿光、蓝光或白光的发光器件，或发出紫外光的UV(紫外)发光器件，但是本公开不限于此。此外，可以安装至少一个发光器件530。
此外，发光器件530可为设置有在其上表面上形成的电端子的水平型发光器件、设置有在其上表面或下表面上形成的电端子的垂直型发光器件、或倒装芯片。
根据实施方案的发光器件530还可以包括第一发光结构和第二发光结构(未示出)，并且第一发光结构和第二发光结构(未示出)可以分别由反向偏压和正向偏压来驱动。因此，根据实施方案的发光器件封装件500在AC电源的反向偏压和正向偏压二者的情况下都可以发光，从而可以提高发光器件封装件500的发光效率。
此外，由于在AC电源的情况下不需要单独的ESD器件，所以可以防止由发光器件封装件500中的ESD器件所导致的光学损失。
树脂层(未示出)可以填充腔520以覆盖发光器件530。
树脂层(未示出)可以由硅树脂、环氧树脂或其它树脂材料形成，并且可以通过使用树脂材料填充腔520，然后使用紫外光或热来硬化材料而形成。
此外，树脂材料(未示出)可以包括磷光体，并且根据从发光器件530发出的光的波长来选择磷光体种类以使得发光器件500能够产生白光。
这种磷光体可根据从发光器件530发出的光的波长而为蓝色发光磷光体、蓝绿色发光磷光体、绿色发光磷光体、黄绿色发光磷光体、黄色发光磷光体、黄红色发光磷光体、橙色发光磷光体以及红色发光磷光体中的一种。
即，磷光体可以由发光器件530发出的第一波长的光激发，从而产生第二波长的光。例如，如果发光器件530是蓝色发光二极管并且磷光体是黄色磷光体，则黄色磷光体可以由蓝光激发然后发出黄光，从蓝色发光二极管发出的蓝光与由蓝光激发的磷光体发出的黄光混合，从而使得发光器件封装件500能够提供白光。
相似地，如果发光器件530是绿色发光二极管，则可以使用品红磷光体或可以同时使用蓝色磷光体与红色磷光体，如果发光器件530是红色发光二极管，则可以使用青色磷光体或可以同时使用蓝色磷光体与绿色磷光体。
这种磷光体可为已知的YAG基、TAG基、硫基、硅酸盐基、铝酸盐基、氮化物基、碳化物基、次氮硅酸盐基、硼酸盐基、氟化物基或磷酸盐基磷光体。
第一引线框540和第二引线框550可以由金属如选自钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)、铟(In)、钯(Pd)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、铪(Hf)、钌(Ru)以及铁(Fe)中的至少一种或其合金形成。此外，第一引线框540和第二引线框550可以形成为具有单层结构或多层结构，但是本公开不限于此。
第一引线框540和第二引线框550彼此分离，从而彼此电隔离。发光器件530可以安装在第一引线框540和第二引线框550上，并且第一引线框540和第二引线框550可以与发光器件530直接接触，或通过导电材料如焊接构件(未示出)电连接至发光器件530。此外，发光器件530可以通过引线接合电连接至第一引线框540和第二引线框550，但是本公开不限于此。因此，在电源连接至第一引线框540和第二引线框550时，可以对发光器件530施加电力。可以在本体510中安装多个引线框(未示出)并且电连接至发光器件530，但是本公开不限于此。
参考图24，根据实施方案的发光器件封装件500可以包括光学片580，并且光学片580可以包括基部582和棱镜图案584。
基部582是其上形成有棱镜图案584的支撑件，并且可以由具有优异热稳定性的透明材料如选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯以及聚环氧树脂中的一种形成，但是本公开不限于此。
此外，基部582可以包括磷光体(未示出)。例如，基部582可以通过在形成基部582的材料内均一地分散磷光体(未示出)，然后硬化材料形成。如果基部582是以此方式形成的，则磷光体(未示出)可以均一地分布在基部582内。
具有三维结构并且折射和汇聚光的棱镜图案584可以形成在基部582上。形成棱镜图案584的材料可为丙烯酸树脂，但是本公开不限于此。
棱镜图案584可以包括在基部582的一个表面上沿一个方向平行设置的多个线性棱镜，线性棱镜的垂直于轴方向的横截面可为三角形。
因为棱镜图案584汇聚光，所以如果光学片580粘附至发光器件封装件500，则可以提高光的直线度并且因此可以提高发光器件封装件500的亮度。
棱镜图案584可以包括磷光体(未示出)。
在将磷光体(未示出)与形成棱镜图案584的材料例如处于糊状或浆状的丙烯酸树脂混合后，形成了棱镜图案584。因此，磷光体可以均一地分散在棱镜图案584内。
如果棱镜图案584以此方式包括磷光体(未示出)，则可以改善发光器件封装件500的光的均一度和分布，并且由于磷光体(未示出)的光扩散效应以及棱镜图案584的光汇聚效应，所以可以改善发光器件封装件500的方向角。
根据实施方案的多个发光器件封装件500可以排列在衬底上，并且可以在发光器件封装件500的光学路径上设置光学构件如导光板、棱镜片、扩散片等。这种发光器件封装件500、衬底以及光学构件可以用作光单元。根据另一实施方案，根据上述实施方案的发光器件或发光器件封装件可以构成显示装置、指示装置或照明系统，并且，例如，照明系统可以包括灯或街灯。
图25是根据一个实施方案的包括发光器件封装件的照明装置的立体图，图26是图25的照明装置的沿线C-C′截取的横截面图。
参考图25和图26，照明装置600可以包括本体610、耦接至本体610的盖630以及位于本体610两端处的端帽650。
发光器件模块640耦接至本体610的下表面，并且本体610可以由具有优异电导率和散热效果的材料形成，以通过本体610的上表面将由发光器件封装件644所产生的热释放到外部。
发出多种颜色的光的发光器件封装件644以多排安装在PCB 642上以形成阵列。发光器件封装件644可以以相同间隔或以所需的各种分离距离安装在PCB 642上，从而能够调整亮度。作为PCB 642，可以使用金属芯PCB(MCPCB)或由FR4形成的PCB。
根据实施方案的发光器件封装件644可以包括发光器件(未示出)，发光器件(未示出)可以包括第一发光结构和第二发光结构(未示出)，并且第一发光结构和第二发光结构可以分别由反向偏压和正向偏压驱动。因此，根据实施方案的照明装置600可以在AC电源的反向电压相位和正向电压相位的两种情况下发光，因此可消除照明装置600的闪烁并且可以提高照明装置600的发光效率。
因为发光器件封装件644可以包括显示出改善的散热功能的延伸引线框(未示出)，所以可以提高发光器件封装件644的可靠性和效率，并且可以延长发光器件封装件644和包括发光器件封装件644的照明装置600的寿命。
盖630可以形成为包围本体610的下表面的圆柱形状，但是本公开不限于此。
盖630保护安装在其中的发光器件模块640免受外部异物。此外，盖630可以包括光扩散颗粒以防止从发光器件封装件644产生的光的眩光并将光均一地释放到外部，并且在盖630的内表面和外表面中的至少之一上可形成棱镜图案。此外，可以在盖630的内表面和外表面中的至少之一上施加磷光体。
盖630具有优异的透光性以将从发光器件封装件644产生的光穿过盖630释放到外部，并且具有充分的耐热性以耐受由发光器件封装件644产生的热。因此，盖630可以由包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的材料形成。
端帽650可以位于本体610的两端处，并且用于密封电源器件(未示出)。此外，在端帽650处可以形成有电源引脚652，因此，根据实施方案的照明装置600可以直接连接至其上移除了传统的荧光灯的端子而无需单独的器件。
图27是示出根据一个实施方案的包括发光器件封装件的液晶显示装置的分解立体图。
图27示出边缘光型液晶显示装置700，并且液晶显示装置700包括液晶显示面板710和对液晶显示面板710供给光的背光单元770。
液晶显示面板710可以使用从背光单元710供给的光显示图像。液晶显示面板710可以包括滤色器衬底712和薄膜晶体管衬底714，在滤色器衬底721和薄膜晶体管衬底714之间设置有液晶的条件下，两者彼此相对设置。
滤色器衬底712可以通过液晶显示面板710产生所显示图像的颜色。
薄膜晶体管衬底714通过驱动膜717电连接至其上设置有多个电路部件的印刷电路板718。薄膜晶体管衬底714可以响应于从印刷电路板718发送的驱动信号来对液晶施加由印刷电路板718提供的驱动电压。
薄膜晶体管衬底714可以包括形成在由透明材料如玻璃或塑料形成的衬底上的薄膜晶体管和像素电极。
背光单元770包括：发出光的发光器件模块720；将从发光器件模块720发出的光转变成面光并且将面光提供给液晶显示面板710的导光板730；将从导光板730供给的光的亮度分布均一化并且提高垂直入射性能的多个膜750、764、766；以及朝着导光板730反射从导光板730的背面发出的光的反射片740。
发光器件模块720可以包括多个发光器件封装件724和其上安装有多个发光器件封装件724以形成阵列的PCB 722。
根据实施方案的背光单元770可以包括发光器件(未示出)，发光器件(未示出)可以包括第一发光结构和第二发光结构(未示出)，并且第一发光结构和第二发光结构(未示出)可以分别由反向偏压和正向偏压驱动。因此，根据实施方案的背光单元770可以在AC电源的反向电压相位和正向电压相位中发光，因此可以消除背光单元770的闪烁并且可以提高背光单元770的发光效率。
背光单元770的多个膜750、764以及766可以包括将从导光板730的入射的光朝着液晶显示面板710扩散的扩散膜766、集中扩散光以改善垂直入射性能的棱镜膜750、以及保护棱镜膜750的保护膜764。
图28是根据另一实施方案的包括发光器件封装件的液晶显示装置的分解立体图。此处，将与图27的部件基本相同的图28的部件的描述省略。
图28示出直接型液晶显示装置800，并且液晶显示装置800包括液晶显示面板810和对液晶显示面板810供给光的背光单元870。
液晶显示面板810与图27中的液晶显示面板710相同，因此将省略其详述。
背光单元870可以包括多个发光器件模块823、反射片824、容纳发光器件模块823和反射片824的底架830、设置在发光器件模块823上的扩散板840、以及多个光学薄膜860。
发光模块823可以包括多个发光器件封装件822和其上安装有多个发光器件封装件822以形成阵列的PCB 821。
根据实施方案的背光单元870可以包括发光器件(未示出)，发光器件(未示出)可以包括第一发光结构和第二发光结构(未示出)，并且第一发光结构和第二发光结构(未示出)可以分别由反向偏压和正向偏压来驱动。由此，根据实施方案的背光单元870可以在AC电源的反向电压相位和正向电压相位的两种情况下发光，因此可以消除背光单元870的闪烁和提高背光单元870的发光效率。
反射片824朝着液晶显示面板810反射从发光器件封装件822发出的光，因此提高了光效率。
从发光器件模块823发出的光入射到扩散板840上，并且光学膜860设置在扩散板840上。光学膜860包括扩散膜866、棱镜膜850以及保护膜864。
由以上描述显见，根据一个实施方案的发光器件可以由AC电源的反向偏压和正向偏压驱动。由此，可以将AC电源用作发光器件的电源，而不需要单独的整流电路。因此，在AC电源中，可以省略如整流电路或ESD器件等单独的器件或装置。
此外，根据实施方案的发光器件可以在一个芯片中实现AC电源的正向电压驱动和反向电压驱动。由此，可以提高每单位面积的发光效率。
此外，根据实施方案的发光器件可以在一个芯片中包括正向电压驱动结构和反向电压驱动结构，并且可以通过一个过程来生长正向电压驱动结构和反向电压驱动结构。由此，可以简化发光器件的制造工艺，并且可以提高发光器件的经济效益。
此外，根据实施方案的发光器件可以具有各种电极布置，因此可以最大化电流扩散和发光效率。
结合实施方案所描述的具体特征、结构和特性包括在本公开的至少一个实施方案中但并非一定包括在所有的实施方案中。此外，本公开的任何具体实施方案的具体特征、结构或特性可以以任何适当的方式与一个或更多个其它实施方案组合，或者可以由实施方案所属领域的技术人员进行改变。因此，应理解，与这种组合或变化相关联的内容落入本公开的精神和范围内。
尽管已经参考实施方案的多个示例性实施方案对实施方案进行了描述，但应理解，本领域技术人员可以设计出落入实施方案的固有方面的范围内的许多其它修改和应用。更具体地，可以对实施方案的具体组成元件进行各种变化和修改。此外，应理解，与变化和修改相关的差异落入所附权利要求中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (16)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置在所述第一半导体上并且设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；
第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；
第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，并且设置在所述第二半导体层上且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及
第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：设置在所述第一电极焊盘至所述第五电极焊盘之间以电连接所述第一电极和所述第三电极的导电连接构件。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述导电连接构件与所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面分离开。
4.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽的内表面上的绝缘构件，
其中所述导电连接构件设置在所述绝缘构件的侧表面上。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三电极焊盘的尺寸大于所述第四电极焊盘和所述第五电极焊盘中的至少之一的尺寸。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三电极焊盘设置在与所述第四电极焊盘和所述第五电极焊盘中的一个相同的虚线上，或布置在与所述第四电极焊盘和所述第五电极焊盘中的至少之一不同的虚线上。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括第六电极焊盘和从所述第六电极焊盘延伸的至少一个指状电极。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述至少一个指状电极设置为与所述第三电极焊盘邻接。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中：
所述至少一个指状电极包括从所述第六电极焊盘延伸的第一指状电极和第二指状电极；以及
所述第一指状电极与所述第二指状电极沿着彼此交叉的方向延伸，或者沿着彼此平行的方向延伸。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中：
所述第一电极和所述第三电极具有L形；以及
所述第一电极与所述第三电极之间的距离大于所述第四电极焊盘与所述第一指状电极之间的距离或者所述第五电极焊盘与所述第二指状电极之间的距离。
11.一种发光器件封装件，包括：
发光器件，所述发光器件包括：
发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置在所述第一半导体上并且设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；
第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；
第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，并且设置在所述第二半导体层上且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及
第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘；以及
本体，所述本体包括电连接至所述发光器件的第一引线框和第二引线框。
12.根据权利要求11所述的发光器件封装件，其中所述本体设置有形成在所述第一引线框与所述第二引线框上的腔，使得所述发光器件设置在所述腔中。
13.根据权利要求12所述的发光器件封装件，还包括：填充所述腔的树脂材料。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述树脂材料包括透光性硅、磷光体、光扩散剂或/和光分散剂中的至少之一。
15.根据权利要求11所述的发光器件封装件，还包括：设置在所述本体上的光学片。
16.一种照明系统，包括：
发光器件封装件，各个所述发光器件封装件包括：
发光器件，所述发光器件包括：
发光结构，所述发光结构包括：第一区，所述第一区包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第一有源层；以及第二区，所述第二区包括掺杂有所述第一掺杂剂并且包括暴露出的区域的第三半导体层、设置在除了所述暴露出的区域之外的所述第三半导体层上的并且掺杂有所述第二掺杂剂的第四半导体层、以及设置在所述第三半导体层与所述第四半导体层之间的第二有源层，所述第二区设置有形成为从所述第四半导体层至所述第一半导体层并且彼此分离的第一沟槽和第二沟槽；
第一电极，所述第一电极包括设置在通过所述第一沟槽和所述第二沟槽暴露出的所述第一半导体层上的第一电极焊盘和第二电极焊盘；
第二电极，所述第二电极设置在所述第三半导体层的所述暴露出的区域上和形成在所述暴露出的区域处的孔上，设置在所述第二半导体层上，并且电连接至所述第二半导体层和所述第三半导体层；以及
第三电极，所述第三电极设置在所述第四半导体上并且包括与所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘接触的第三电极焊盘、与所述第一电极焊盘接触的第四电极焊盘、以及与所述第二电极焊盘接触的第五电极焊盘；以及
本体，所述本体包括电连接至所述发光器件的第一引线框和第二引线框；以及
衬底，所述发光器件封装件布置在所述衬底上。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456851A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 山东开元电子有限公司 Led外延片
CN104953012A (zh) * 2015-06-29 2015-09-30 广东德力光电有限公司 一种ac-led芯片及其应用
CN107482032A (zh) * 2017-08-10 2017-12-15 佛山市国星半导体技术有限公司 一种用于全彩显示的MicroLED芯片及其制作方法
CN108258094A (zh) * 2018-01-06 2018-07-06 李丹丹 半导体发光器件及其制备方法
CN109378379A (zh) * 2018-10-17 2019-02-22 厦门乾照光电股份有限公司 一种封装组件
CN111834503A (zh) * 2020-06-12 2020-10-27 福州大学 一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD738832S1 (en) * 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
TW201312799A (zh) * 2011-09-02 2013-03-16 Syue-Min Li 發光二極體元件
US9070613B2 (en) * 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
US8742395B2 (en) * 2012-01-13 2014-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US20140110741A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Epistar Corporation Light-emitting device
KR20140098564A (ko) * 2013-01-31 2014-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP2016062911A (ja) 2014-09-12 2016-04-25 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI586001B (zh) * 2016-01-13 2017-06-01 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構
US10658559B2 (en) * 2018-02-28 2020-05-19 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
TWI737484B (zh) * 2020-06-05 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US11489089B2 (en) 2020-06-19 2022-11-01 Lextar Electronics Corporation Light emitting device with two vertically-stacked light emitting cells
JP7344433B2 (ja) * 2021-06-30 2023-09-14 日亜化学工業株式会社 発光素子
DE102023107917A1 (de) * 2023-03-29 2024-10-02 BAVERTIS GmbH Multilevelconverter-System

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6156474A (ja) * 1984-08-28 1986-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム半導体装置の製造方法
TW365071B (en) * 1996-09-09 1999-07-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same
US6642548B1 (en) * 2000-10-20 2003-11-04 Emcore Corporation Light-emitting diodes with loop and strip electrodes and with wide medial sections
US8049243B2 (en) * 2004-05-26 2011-11-01 Showa Denko K.K. Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device
JP4019285B2 (ja) * 2005-02-04 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 面発光型装置及びその製造方法
JP5334088B2 (ja) * 2007-01-15 2013-11-06 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体発光装置
KR101393745B1 (ko) * 2007-06-21 2014-05-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
JP5211996B2 (ja) * 2008-09-30 2013-06-12 豊田合成株式会社 発光装置
CN101656260B (zh) * 2009-09-08 2011-09-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
KR101114782B1 (ko) * 2009-12-10 2012-02-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
WO2011083923A2 (en) * 2010-01-07 2011-07-14 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
US20110204376A1 (en) * 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
JP5087097B2 (ja) * 2010-03-08 2012-11-28 株式会社東芝 半導体発光素子
CN102176498B (zh) * 2011-03-22 2013-01-16 湘能华磊光电股份有限公司 Led芯片的制作方法
JP2012227383A (ja) * 2011-04-20 2012-11-15 Showa Denko Kk 半導体発光素子、電極構造および発光装置
US9070613B2 (en) * 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456851A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 山东开元电子有限公司 Led外延片
CN104953012A (zh) * 2015-06-29 2015-09-30 广东德力光电有限公司 一种ac-led芯片及其应用
CN107482032A (zh) * 2017-08-10 2017-12-15 佛山市国星半导体技术有限公司 一种用于全彩显示的MicroLED芯片及其制作方法
CN108258094A (zh) * 2018-01-06 2018-07-06 李丹丹 半导体发光器件及其制备方法
CN109378379A (zh) * 2018-10-17 2019-02-22 厦门乾照光电股份有限公司 一种封装组件
CN111834503A (zh) * 2020-06-12 2020-10-27 福州大学 一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管
CN111834503B (zh) * 2020-06-12 2021-12-21 福州大学 一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管

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