CN103050150A - Flash接口电路 - Google Patents
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Abstract
本发明属于智能卡控制技术领域,特别涉及一种针对FLASH接口的电路。其技术方案是:A.CPU首先需对宽度配置寄存器的脉冲信号宽度进行设定;B.CPU通过数据寄存器(1)、读写地址寄存器(2)将数据及地址写入FLASH存储器的相应端口;C.宽度配置寄存器以脉冲宽度的形式控制时间,通过比较电路与计数器进行比较,当计数器计数达到设定的脉冲宽度时,脉冲发生器结束电平保持,形成脉冲,此时FLASH存储器进行相应的功能;当比较电路D(19)获取到最大脉冲宽度时,脉冲发生器D(20)向FLASH存储器发出使能信号,结束本次操作。本发明具有低功耗与面积小的特性。
Description
技术领域
本发明属于智能卡控制技术领域,特别涉及一种针对FLASH接口的电路。
背景技术
在智能卡行业芯片的设计中,特别是针对低功耗的要求较高的非接触智能卡芯片设计,存储器件的设计方面,成熟的设计方案一般使用EEPROM作为存储单元,因为其功耗低且读写电路设计简单,但缺点是面积较大。
FLASH面积小,但是因其一般功耗较高的特性,很少用于非接触式智能卡产品。
发明内容
本发明的目的是:提供一种针对FLASH接口的电路,具有低功耗与面积小的特性;
本发明的技术方案是:一种FLASH接口电路,它安装于CPU与FLASH存储器之间,它包括:数据寄存器、读写地址寄存器、使能信号发生电路、宽度配置寄存器A、宽度配置寄存器B、宽度配置寄存器C、比较选择电路、计数器A、计数器B、计数器C、比较电路A、比较电路B、比较电路C、计数器D、脉冲发生器A、脉冲发生器B、脉冲发生器C、比较电路D和脉冲发生器D;
其连接关系为:数据寄存器与读写地址寄存器分别连接在CPU与FLASH存储器之间,使能信号发生电路一端与CPU连接,另一端分为四路,分别与计数器A、计数器B、计数器C及计数器D连接;宽度配置寄存器A的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路连接,另一路与比较电路A连接,比较电路A通过脉冲发生器A连接至FLASH存储器,计数器A与比较电路A连接;宽度配置寄存器B的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路连接,另一路与比较电路B连接,比较电路B通过脉冲发生器B连接至FLASH存储器,计数器B与比较电路B连接;宽度配置寄存器C的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路连接,另一路与比较电路C连接,比较电路C通过脉冲发生器C连接至FLASH存储器,计数器C与比较电路C连接;比较选择电路与计数器D分别与比较电路D连接,比较电路D通过脉冲发生器D连接至FLASH存储器;
CPU首先需对宽度配置寄存器A、宽度配置寄存器B及宽度配置寄存器C的脉冲信号宽度进行设定;
CPU通过宽度配置寄存器A、计数器A、比较电路A及脉冲发生器A向FLASH存储器发出擦除控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器B、计数器B、比较电路B及脉冲发生器B向FLASH存储器发出写入控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器C、计数器C、比较电路C及脉冲发生器C向FLASH存储器发出读取控制信号;
比较选择电路用于比较宽度配置寄存器A、宽度配置寄存器B与宽度配置寄存器C中所设定的最大脉冲宽度。
本发明的有益效果是:(1)本发明采用了三个配置寄存器来分别配置读、写、擦三方面电路的控制信号时序,可根据不同型号的FLASH电路时序配置要求发生不同的时序宽度,以适应多种型号;(2)本产品解决了标准8051CPU接口无法直接读写FLASH的问题,使得仅支持标准8051存储接口的CPU可以方便的读写普通的FLASH存储器件;(3)本发明具有低功耗与面积小的特性。
附图说明
图1为本发明原理框图;
数据寄存器-1、读写地址寄存器-2、使能信号发生电路-3、宽度配置寄存器A-4、宽度配置寄存器B-5、宽度配置寄存器C-6、比较选择电路-7、计数器A-8、计数器B-9、计数器C-10、比较电路A-12、比较电路B-13、比较电路C-14、计数器D-15、脉冲发生器A-16、脉冲发生器B-17、脉冲发生器C-18、比较电路D-19、脉冲发生器D-20。
具体实施方式
参见附图1,一种FLASH接口电路,它安装于CPU与FLASH存储器之间,它包括:数据寄存器1、读写地址寄存器2、使能信号发生电路3、宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5、宽度配置寄存器C6、比较选择电路7、计数器A8、计数器B9、计数器C10、比较电路A12、比较电路B13、比较电路C14、计数器D15、脉冲发生器A16、脉冲发生器B17、脉冲发生器C18、比较电路D19和脉冲发生器D20;
其连接关系为:数据寄存器1与读写地址寄存器2分别连接在CPU与FLASH存储器之间,使能信号发生电路3一端与CPU连接,另一端分为四路,分别与计数器A8、计数器B9、计数器C10及计数器D15连接;宽度配置寄存器A4的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路7连接,另一路与比较电路A12连接,比较电路A12通过脉冲发生器A16连接至FLASH存储器,计数器A8与比较电路A12连接;宽度配置寄存器B5的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路7连接,另一路与比较电路B13连接,比较电路B13通过脉冲发生器B17连接至FLASH存储器,计数器B9与比较电路B13连接;宽度配置寄存器C6的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路7连接,另一路与比较电路C14连接,比较电路C14通过脉冲发生器C18连接至FLASH存储器,计数器C10与比较电路C14连接;比较选择电路7与计数器D15分别与比较电路D19连接,比较电路D19通过脉冲发生器D20连接至FLASH存储器;
CPU首先需对宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5及宽度配置寄存器C6的脉冲信号宽度进行设定;
CPU通过宽度配置寄存器A4、计数器A8、比较电路A12及脉冲发生器A16向FLASH存储器发出擦除控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器B5、计数器B9、比较电路B13及脉冲发生器B17向FLASH存储器发出写入控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器C6、计数器C10、比较电路C14及脉冲发生器C18向FLASH存储器发出读取控制信号;
比较选择电路7用于比较宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5与宽度配置寄存器C6中所设定的最大脉冲宽度;
工作流程为:A.CPU首先需对宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5及宽度配置寄存器C6的脉冲信号宽度进行设定;
B.CPU通过数据寄存器1、读写地址寄存器2将数据及地址存放在FLASH存储器的相应端口;
C.宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5、宽度配置寄存器C6以控制脉冲宽度的形式控制电平保持时间,分别通过比较电路A12、比较电路B13、比较电路C14与计数器A8、计数器B9、计数器C10进行比较,当计数器A8、计数器B9、计数器C10计数达到设定的脉冲宽度时,脉冲发生器A16、脉冲发生器B17、脉冲发生器C18结束电平保持,形成脉冲,此时FLASH存储器进行相应的擦除、写入、读取功能;
D.比较选择电路7比较宽度配置寄存器A4、宽度配置寄存器B5与宽度配置寄存器C6中所设定的值,并输出最大脉冲宽度,计数器D15进行计数,当比较电路D19获取到最大脉冲宽度时,脉冲发生器D20向FLASH存储器发出使能信号,结束本次操作。
Claims (2)
1.一种FLASH接口电路,它安装于CPU与FLASH存储器之间,其特征是,它包括:数据寄存器(1)、读写地址寄存器(2)、使能信号发生电路(3)、宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)、宽度配置寄存器C(6)、比较选择电路(7)、计数器A(8)、计数器B(9)、计数器C(10)、比较电路A(12)、比较电路B(13)、比较电路C(14)、计数器D(15)、脉冲发生器A(16)、脉冲发生器B(17)、脉冲发生器C(18)、比较电路D(19)和脉冲发生器D(20);
其连接关系为:数据寄存器(1)与读写地址寄存器(2)分别连接在CPU与FLASH存储器之间,使能信号发生电路(3)一端与CPU连接,另一端分为四路,分别与计数器A(8)、计数器B(9)、计数器C(10)及计数器D(15)连接;宽度配置寄存器A(4)的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路(7)连接,另一路与比较电路A(12)连接,比较电路A(12)通过脉冲发生器A(16)连接至FLASH存储器,计数器A(8)与比较电路A(12)连接;宽度配置寄存器B(5)的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路(7)连接,另一路与比较电路B(13)连接,比较电路B(13)通过脉冲发生器B(17)连接至FLASH存储器,计数器B(9)与比较电路B(13)连接;宽度配置寄存器C(6)的一端与CPU连接,另一端分为两路,一路与比较选择电路(7)连接,另一路与比较电路C(14)连接,比较电路C(14)通过脉冲发生器C(18)连接至FLASH存储器,计数器C(10)与比较电路C(14)连接;比较选择电路(7)与计数器D(15)分别与比较电路D(19)连接,比较电路D(19)通过脉冲发生器D(20)连接至FLASH存储器。
CPU首先需对宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)及宽度配置寄存器C(6)的脉冲信号宽度进行设定;
CPU通过宽度配置寄存器A(4)、计数器A(8)、比较电路A(12)及脉冲发生器A(16)向FLASH存储器发出擦除控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器B(5)、计数器B(9)、比较电路B(13)及脉冲发生器B(17)向FLASH存储器发出写入控制信号;
CPU通过宽度配置寄存器C(6)、计数器C(10)、比较电路C(14)及脉冲发生器C(18)向FLASH存储器发出读取控制信号;
比较选择电路(7)用于比较宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)与宽度配置寄存器C(6)中所设定的最大脉冲宽度。
2.如权利要求1所述的一种FLASH接口电路,其特征在于:所述FLASH接口电路的工作流程为:
A.CPU首先需对宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)及宽度配置寄存器C(6)的脉冲信号宽度进行设定;
B.CPU通过数据寄存器(1)、读写地址寄存器(2)将数据及地址存放在FLASH存储器的相应端口;
C.宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)、宽度配置寄存器C(6)以控制脉冲宽度的形式控制电平保持时间,分别通过比较电路A(12)、比较电路B(13)、比较电路C(14)与计数器A(8)、计数器B(9)、计数器C(10)进行比较,当计数器A(8)、计数器B(9)、计数器C(10)计数达到设定的脉冲宽度时,脉冲发生器A(16)、脉冲发生器B(17)、脉冲发生器C(18)结束电平保持,形成脉冲,此时FLASH存储器进行相应的擦除、写入、读取功能;
D.比较选择电路(7)比较宽度配置寄存器A(4)、宽度配置寄存器B(5)与宽度配置寄存器C(6)中所设定的值,并输出最大脉冲宽度,计数器D(15)进行计数,当比较电路D(19)获取到最大脉冲宽度时,脉冲发生器D(20)向FLASH存储器发出使能信号,结束本次操作。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210592679.9A CN103050150B (zh) | 2012-12-31 | 2012-12-31 | Flash接口电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201210592679.9A CN103050150B (zh) | 2012-12-31 | 2012-12-31 | Flash接口电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103050150A true CN103050150A (zh) | 2013-04-17 |
CN103050150B CN103050150B (zh) | 2015-11-18 |
Family
ID=48062761
Family Applications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN103050150B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106372540A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种芯片安全信息的安全传输方法及电路 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3693721B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2005-09-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ及びそのテスト方法 |
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-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106372540A (zh) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种芯片安全信息的安全传输方法及电路 |
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