CN103036493A

CN103036493A - 带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路

Info

Publication number: CN103036493A
Application number: CN2011103026584A
Authority: CN
Inventors: 潘军; 冉建桥; 王敬
Original assignee: SINOTECH MIXIC ELECTRONICS CO Ltd
Current assignee: SINOTECH MIXIC ELECTRONICS CO Ltd
Priority date: 2011-10-09
Filing date: 2011-10-09
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2031-10-09
Also published as: CN103036493B; CN202231659U

Abstract

本发明公开了一种带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，涉及一种带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，包括直流电机驱动电路(300)。直流电机驱动电路(300)的输入端两个信号接控制器输出端，直流电机驱动电路(300)输出端分别接直流马达（200）两端；所述直流电机驱动电路(300)可实现直流电机正转、反转和停转控制；内置了功率开关，可直接驱动直流电机。所述直流电机驱动电路(300)上有温度保护电路，它解决了现有的驱动电路技术存在的无保护功能引起的玩具电机堵转安全性问题；所述直流电机驱动电路(300)采用DIP8或者SOP8小尺寸封装，它解决了现有的驱动电路技术采用分离元件，焊接点多，焊接成本接近元器件成本，总体成本高的问题。

Description

带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路

技术领域

本发明涉及玩具锁具集成电路技术领域，具体涉及一种带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路。

背景技术

现今市场上的玩具锁具运动结构均需采用直流电机驱动，很大一部分玩具锁具直流电机需具有正反转功能，普遍采用的是H桥式驱动电路（如图1、图2所示）。目前市场上直流电机驱动电路大多采用分离器件实现，这些分立器件方案存在如下缺点：1、该结构对输入控制信号要求较高，输入信号IA、IB禁止同时出现为高的情况，否则将出现电源到地的通路，将电路烧毁，出现严重后果；2、为了实现玩具锁具直流电机的正反转功能，每个直流电机至少需采用4个三极管及若干电阻实现对直流电机的驱动，其所占PCB面积很大，而且器件焊点很多加工不良率也较高。

发明内容

本发明提供一种带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，本发明解决了现有的玩具锁具直流电机驱动电路存在的易出现电路烧毁，所占PCB面积很大，而且器件焊点很多的问题。

为解决现有技术存在的问题，本发明采用如下技术方案：带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，包括直流电机驱动电路(300)，所述直流电机驱动电路(300)有八个引脚，八个引脚包括：两个用于输入控制器(100)控制信号的信号输入端(IA、IB)，两个电源端(VCC)，两个模拟接地端(GND)，两个连接直流电机(200)的输出端(OA、OB)；在两个信号输出端(OA、OB)之间并联连接有瓷片电容(C1)。

所述直流电机驱动电路(300)包括电阻(R1-R16)、二极管(D1-D6)、功率管(NPN3-NPN6)、晶体管(NPN1-NPN2)、晶体管(NPN7-NPN8)、晶体管(PNP1-PNP2)、第一前级驱动(401)、第二前级驱动(402)、第一反向逻辑电路(INV1)、第二反向逻辑电路(INV2)和过温保护电路(400)，电源端(VCC)分别与二极管(D1)的负极、电阻(R6)的一端、晶体管(PNP1)的发射极、功率管(NPN5)的集电极、二极管(D3)的负极、二极管(D4)的负极、功率管(NPN6)的集电极、晶体管(PNP2)的发射极、电阻(R9)的一端、二极管(D5)的负极连接，二极管(D1)的正极分别与信号输入端(IA)、电阻(R1)一端、二极管(D2)负极连接，二极管(D2)正极接地；电阻(R6)的另一端分别与电阻(R7)一端、电阻(R8)一端连接，电阻(R7)另一端与第二反向逻辑电路((INV2)的一管脚连接，电阻(R8)的另一端与晶体管(PNP1)的基极连接，晶体管(PNP1)的集电极与功率管(NPN5)的基极连接，功率管(NPN5)的发射极分别与二极管(D3)的正极、信号输出端(OB)、功率管(NPN3)的集电极连接；二极管(D4)的正极分别与功率管(NPN6)的发射极、信号输出端(OA)、功率管(NPN4)的集电极连接，功率管(NPN6)的基极与晶体管(PNP2)的集电极连接，晶体管(PNP2)的基极与电阻(R11)的一端连接，电阻(R11)的另一端分别与电阻(R9)的另一端、电阻(R10)的一端连接，电阻(R10)的另一端与第一反向逻辑电路((INV1)的一管脚连接；电阻(R1)的另一端分别与电阻(R2)的一端、过温保护电路(400)连接，电阻(R2)的另一端分别与电阻(R3)的一端、电阻(R4)的一端连接，电阻(R4)的另一端与晶体管(NPN1)的基极连接，晶体管(NPN1)的发射极接地，电阻(R3)的另一端分别与前级驱动电路一(401)的一端、晶体管(NPN8)的集电极连接，晶体管(NPN8)的发射极接地，晶体管(NPN8)基极与电阻(R16)的一端连接，电阻(R16)的另一端与电阻(R15)的一端同时与过温保护电路(400)连接；前级驱动电路一(401)的另一端分别与第一反向逻辑电路((INV1)的二脚、功率管(NPN3)的基极、晶体管(NPN2)的集电极连接，晶体管(NPN2)的基极与电阻(R5)一端连接，晶体管(NPN2)的发射极、功率管(NPN3)的发射极、功率管(NPN4)的发射极均接地；功率管(NPN4)的基极分别与第二反向逻辑电路((INV2)的二脚、晶体管(NPN1)的集电极、前级驱动电路二(402)的一端连接，前级驱动电路二(402)的另一端分别与晶体管(NPN7)的集电极、电阻(R12)的一端连接，晶体管(NPN7)的基极与电阻(R15)的另一端连接，晶体管(NPN7)的发射极接地，电阻(R12)的另一端分别与电阻(R5)的另一端、电阻(R13)的一端连接，电阻(R13)的另一端分别与过温保护电路(400)、电阻(R14)的一端连接，电阻(R14)分别与二极管(D5)的正极、信号输入端(IB)、二极管(D6)的负极连接，二极管(D6)的正极接地。

所述过温保护电路(400)包括电阻(R17-R29)、晶体管(NPN9-NPN15)、晶体管(PNP3-PNP7)和反向逻辑电路(INV3)，电源(VCC)分别与电阻(R21)一端、电阻(R22)一端、电阻(R23)一端、电阻(R27)一端、晶体管(PNP7)发射极连接，电阻(R21)另一端与晶体管(PNP3)的发射极连接，电阻(R22)另一端与晶体管(PNP4)的发射极连接，电阻(R23)另一端与晶体管(PNP5)的发射极连接，晶体管(PNP3)的基极分别与晶体管(PNP4)的基极、晶体管(NPN13)的集电极、晶体管(PNP6)的发射极、晶体管(PNP5)的基极连接，晶体管(PNP3)的集电极与晶体管(NPN11)的集电极连接，晶体管(NPN11)的基极分别与晶体管(NPN11)的发射极、晶体管(NPN12)的基极连接，晶体管(NPN11)的发射极分别与电阻(R19)的一端、电阻(R20)的一端、晶体管(NPN10)的集电极、晶体管(NPN9)的集电极连接，晶体管(NPN9)的发射极接地，晶体管(NPN9)的基极与电阻(R17)连接；晶体管(PNP4)的集电极分别与晶体管(NPN13)的基极、晶体管(PNP6)的基极、晶体管(NPN12)的集电极连接，晶体管(NPN12)的发射极与电阻(R19)的另一端连接，晶体管(NPN13)的发射极与电阻(R20)的另一端连接，晶体管(NPN10)的基极与电阻(R18)连接，晶体管(NPN10)和晶体管(PNP6)的发射极均接地；晶体管(PNP5)的集电极分别与晶体管(NPN14)的基极、电阻(R24)的一端连接，电阻(R24)的另一端分别与电阻(R25)的一端、晶体管(NPN15)的集电极连接，电阻(R25)的另一端接地；电阻(R27)的另一端分别与电阻(R28)的一端、电阻(R26)的一端连接，电阻(R28)的另一端与晶体管(PNP7)的基极连接，电阻(R26)的另一端与晶体管(NPN14)的集电极连接，晶体管(NPN14)的发射极接地；晶体管(NPN15)的基极与反向逻辑电路(INV3)的一端连接，晶体管(NPN15)的发射极接地；反向逻辑电路(INV3)的另一端分别与晶体管(PNP7)的集电极、电阻(R29)的一端连接，电阻(R29)的另一端接地。

所述直流电机驱动电路(300)芯片封装在一个SOP8或DIP8的塑料封装中。

所述的二极管(D3)和二极管(D4)为箝位二极管。

所述的二极管(D1)、二极管(D2)、二极管(D5)、二极管(D6)为ESD保护二极管。

本发明将H桥式驱动结构集成在一块芯片上，并且增加有控制电路，有效的保护了电路；增加温度保护功能，可有效防止电路由于温度过高而损坏；具有可有效降低电路损耗；可有效抑制感性负载带来的反向击穿电压脉冲等有益效果。

本发明是一种单片H桥式带温度保护玩具锁具直流电机驱动电路，通过高度集成减少外围元器件数，增加控制功能以及各种保护功能，具有三种输出状态：正转、反转及高阻状态。

本发明的优点有：1、将H桥式驱动结构集成在一块芯片上，并且增加有控制电路，即使在输入信号同时为高的情况下，也不会出现电源到地的通路，有效的保护了电路；2、增加温度保护功能，当电路温度达到设定值时，将输入控制信号关断，电路停止工作；当温度降低到设定值时，温度保护功能取消，电路重新工作；该温度保护功能可有效防止电路由于温度过高而损坏；3、控制电路还能有效抑制当输入信号切换时功率管出现共态导通的情况，可有效降低电路损耗；4、输出功率管部分设计有箝位二极管，可有效抑制感性负载带来的反向击穿电压脉冲；5、在电路输入端设计有ESD保护结构，有效防止静电对芯片造成损害；6、该芯片封装在一个SOP8或DIP8的塑料封装中，大大降低了电路控制板的成本以及电路板加工复杂度。

附图说明

图1是背景技术小电流马达驱动电路原理图；图1中100表示控制器，200表示直流马达。

图2是背景技术大电流马达驱动电路原理图；图2中100表示控制器，200表示直流马达。

图3是本发明的直流电机驱动电路图；图3中100表示控制器，200表示直流马达，300表示直流电机驱动电路，C1表示瓷片电容。

图4是本发明的直流电机驱动电路300的电路图，图4中INV1、INV2为第一、第二反向逻辑电路，400为过温保护电路，401为第一前级驱动电路，402为第二前级驱动电路。

图5是图4中过温保护电路400电路图；图5中INV3为反向逻辑电路。

图6是本发明直流电机驱动电路输入输出逻辑图。

具体实施方式

如图3所示，带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，包括直流电机驱动电路(300)，所述直流电机驱动电路(300)有八个引脚，八个引脚包括：两个用于输入控制器(100)控制信号的信号输入端(IA、IB)，两个电源端(VCC)，两个模拟接地端(GND)，两个连接直流电机(200)的输出端(OA、OB)；在两个信号输出端(OA、OB)之间并联连接有瓷片电容(C1)。所述直流电机驱动电路(300)芯片封装在一个SOP8或DIP8的塑料封装中。所述的二极管(D3)和二极管(D4)为箝位二极管。所述的二极管(D1)、二极管(D2)、二极管(D5)、二极管(D6)为ESD保护二极管。

图3为本发明的一种具体实现形式，图3中的300即是本发明提供的单片H桥式带温度保护玩具（锁具）直流电机驱动电路。

如图4所示，所述直流电机驱动电路(300)包括电阻(R1-R16)、二极管(D1-D6)、功率管(NPN3-NPN6)、晶体管(NPN1-NPN2)、晶体管(NPN7-NPN8)、晶体管(PNP1-PNP2)、第一前级驱动(401)、第二前级驱动(402)、第一反向逻辑电路(INV1)、第二反向逻辑电路(INV2)和过温保护电路(400)，电源端(VCC)分别与二极管(D1)的负极、电阻(R6)的一端、晶体管(PNP1)的发射极、功率管(NPN5)的集电极、二极管(D3)的负极、二极管(D4)的负极、功率管(NPN6)的集电极、晶体管(PNP2)的发射极、电阻(R9)的一端、二极管(D5)的负极连接，二极管(D1)的正极分别与信号输入端(IA)、电阻(R1)一端、二极管(D2)负极连接，二极管(D2)正极接地；电阻(R6)的另一端分别与电阻(R7)一端、电阻(R8)一端连接，电阻(R7)另一端与第二反向逻辑电路((INV2)的一管脚连接，电阻(R8)的另一端与晶体管(PNP1)的基极连接，晶体管(PNP1)的集电极与功率管(NPN5)的基极连接，功率管(NPN5)的发射极分别与二极管(D3)的正极、信号输出端(OB)、功率管(NPN3)的集电极连接；二极管(D4)的正极分别与功率管(NPN6)的发射极、信号输出端(OA)、功率管(NPN4)的集电极连接，功率管(NPN6)的基极与晶体管(PNP2)的集电极连接，晶体管(PNP2)的基极与电阻(R11)的一端连接，电阻(R11)的另一端分别与电阻(R9)的另一端、电阻(R10)的一端连接，电阻(R10)的另一端与第一反向逻辑电路((INV1)的一管脚连接；电阻(R1)的另一端分别与电阻(R2)的一端、过温保护电路(400)连接，电阻(R2)的另一端分别与电阻(R3)的一端、电阻(R4)的一端连接，电阻(R4)的另一端与晶体管(NPN1)的基极连接，晶体管(NPN1)的发射极接地，电阻(R3)的另一端分别与前级驱动电路一(401)的一端、晶体管(NPN8)的集电极连接，晶体管(NPN8)的发射极接地，晶体管(NPN8)基极与电阻(R16)的一端连接，电阻(R16)的另一端与电阻(R15)的一端同时与过温保护电路(400)连接；前级驱动电路一(401)的另一端分别与第一反向逻辑电路((INV1)的二脚、功率管(NPN3)的基极、晶体管(NPN2)的集电极连接，晶体管(NPN2)的基极与电阻(R5)一端连接，晶体管(NPN2)的发射极、功率管(NPN3)的发射极、功率管(NPN4)的发射极均接地；功率管(NPN4)的基极分别与第二反向逻辑电路((INV2)的二脚、晶体管(NPN1)的集电极、前级驱动电路二(402)的一端连接，前级驱动电路二(402)的另一端分别与晶体管(NPN7)的集电极、电阻(R12)的一端连接，晶体管(NPN7)的基极与电阻(R15)的另一端连接，晶体管(NPN7)的发射极接地，电阻(R12)的另一端分别与电阻(R5)的另一端、电阻(R13)的一端连接，电阻(R13)的另一端分别与过温保护电路(400)、电阻(R14)的一端连接，电阻(R14)分别与二极管(D5)的正极、信号输入端(IB)、二极管(D6)的负极连接，二极管(D6)的正极接地。

如图5所示，所述过温保护电路(400)包括电阻(R17-R29)、晶体管(NPN9-NPN15)、晶体管(PNP3-PNP7)和反向逻辑电路(INV3)，电源(VCC)分别与电阻(R21)一端、电阻(R22)一端、电阻(R23)一端、电阻(R27)一端、晶体管(PNP7)发射极连接，电阻(R21)另一端与晶体管(PNP3)的发射极连接，电阻(R22)另一端与晶体管(PNP4)的发射极连接，电阻(R23)另一端与晶体管(PNP5)的发射极连接，晶体管(PNP3)的基极分别与晶体管(PNP4)的基极、晶体管(NPN13)的集电极、晶体管(PNP6)的发射极、晶体管(PNP5)的基极连接，晶体管(PNP3)的集电极与晶体管(NPN11)的集电极连接，晶体管(NPN11)的基极分别与晶体管(NPN11)的发射极、晶体管(NPN12)的基极连接，晶体管(NPN11)的发射极分别与电阻(R19)的一端、电阻(R20)的一端、晶体管(NPN10)的集电极、晶体管(NPN9)的集电极连接，晶体管(NPN9)的发射极接地，晶体管(NPN9)的基极与电阻(R17)连接；晶体管(PNP4)的集电极分别与晶体管(NPN13)的基极、晶体管(PNP6)的基极、晶体管(NPN12)的集电极连接，晶体管(NPN12)的发射极与电阻(R19)的另一端连接，晶体管(NPN13)的发射极与电阻(R20)的另一端连接，晶体管(NPN10)的基极与电阻(R18)连接，晶体管(NPN10)和晶体管(PNP6)的发射极均接地；晶体管(PNP5)的集电极分别与晶体管(NPN14)的基极、电阻(R24)的一端连接，电阻(R24)的另一端分别与电阻(R25)的一端、晶体管(NPN15)的集电极连接，电阻(R25)的另一端接地；电阻(R27)的另一端分别与电阻(R28)的一端、电阻(R26)的一端连接，电阻(R28)的另一端与晶体管(PNP7)的基极连接，电阻(R26)的另一端与晶体管(NPN14)的集电极连接，晶体管(NPN14)的发射极接地；晶体管(NPN15)的基极与反向逻辑电路(INV3)的一端连接，晶体管(NPN15)的发射极接地；反向逻辑电路(INV3)的另一端分别与晶体管(PNP7)的集电极、电阻(R29)的一端连接，电阻(R29)的另一端接地。

下面根据图1-6对本发明的原理进行说明：

该驱动电路输入端兼容TTL/CMOS电平，具有良好的抗干扰性；通过调整前级驱动以及功率管的面积，可获得相应的驱动能力；内置的过温保护功能当电路温度达到设定值时，将输入控制信号关断，电路停止工作。当温度降低到设定值时，温度保护功能取消，电路重新工作。该温度保护功能可有效防止电路由于温度过高而损坏；内置的钳位二极管能释放感性负载的反向冲击电流。

IA、IB与OA、OB的逻辑关系如图6所示，本发明的带温度保护玩具（锁具）直流电机驱动电路300具体实现电路如图4所示。当输入信号IA=L、IB=L时，晶体管NPN1、NPN2关断，前级驱动电路1输出端A为低电平，前级驱动2的输出端B为低电平，从而使晶体管NPN3、NPN4、NPN5、NPN6也处于关断状态，输出信号OA、OB为高阻状态；当输入信号IA=H、IB=H时，晶体管NPN1、NPN2导通，将A、B两点电位拉低，功率晶体管NPN3、NPN4、NPN5、NPN6关断，输出信号OA、OB为高阻状态；当输入信号IA=H、IB=L时，NPN2管关断，对A点电位无影响，NPN1管导通，将B点电位拉低，前级驱动2输出端B点为低电平，NPN4、PNP1、NPN5管关断。前级驱动1输出端A为高电平，NPN3、PNP2、NPN13管导通。当OA、OB两个端点间接有玩具（锁具）直流电机M时，驱动玩具（锁具）直流电机转动，电流流向如图中箭头i2所示；相反，当输入信号IA=L、IB=H时，电流流向如图中箭头i1所示，驱动玩具（锁具）直流电机M向相反的方向转动。通过输入信号的改变，实现对玩具（锁具）直流电机正反转的控制。

过温保护电路如图5所示，工作原理为：当输入信号IA、IB至少有一个为高时，过温保护电路开始工作。输入信号IA、IB至少有一个为高时，节点C、D至少有一个为高，将节点F电位拉低，R23、PNP5、PNP6、NPN13、R20构成过温保护内恒流源的启动支路。由于PNP3、PNP4管的镜像作用使NPN23、NPN24管集电极电流近似相等，设置NPN11、NPN12管的发射极面积比为N:1，则可得

V_BENPN11-V_BENPN12=V_Tln^N

i3= (V_BENPN24-V_BENPN23)/R31= V_Tln^N/R31

其中V_T常温下约为26mV，该参数为正温度系数，温度每升高1℃，V_T大约升高0.087mV，这样可得到正温度系数电流i3。PNP5管镜像PNP3管集电极电流，可得到PNP5管集电极电流等于PNP3管集电极电流，即i4=i3。当温度较低，电路正常工作时，电压V_D约为400mV，NPN14、PNP7管关断，输出节点E为低电平，对输入控制信号没有影响，电路正常工作。同时NPN15管导通，节点G电压为V_G=i4×R24；当温度升高，电流i4缓慢升高，则电压V_G缓慢升高，同时NPN14管的基极发射极电压V_BE随着温度升高逐步下降，下降幅度约为2mV/℃,当节点电压V_G达到NPN14管基极发射极开启电压时，NPN14、PNP7管导通，输出节点E为高电平，将输入控制信号拉低，输出端OA、OB为高阻状态，驱动电路停止工作。过温保护功能还设置有迟滞特性，当电路进入过温保护状态后，节点E为高电平， NPN15管关断，节点D电压为V_G=i4×(R24+R25)，此时温度必须降低到使V_G=i4×(R24+R25)小于NPN14的开启电压，电路才恢复正常工作状态，该迟滞的设置避免了短路在温度保护点附近出现振荡情况，同时又使电路在温度降下来后，具有自恢复功能。

防止共态导通功能原理：当输入信号IA=H、IB=L时，NPN3、NPN6形成的通路驱动马达带温度保护玩具（锁具）直流电机转动。当输入信号向IA=L、IB=H切换瞬间，IB信号通过NPN2快速将A点电位拉低，将NPN3管关断，再通过控制A点电位使NPN5导通，防止了NPN3与NPN5同时处于导通状态，出现电源到地的短路，防止电源损坏，同时也有效降低了在信号切换时功率的损耗。

由于玩具（锁具）直流电机内部为线圈，属于感性负载，在输入信号快速切换时，玩具（锁具）直流电机线圈电流快速改变方向将产生电压过冲。该电路内部设计有两个箝位二极管D3、D4，利用二极管的正向导通压降进行钳位，避免出现瞬时电压过冲，从而保护芯片。

该电路在输入端设计有ESD保护二极管D1、D2、D5、D6，可有效防止静电保护芯片。

最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims

1.带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：包括直流电机驱动电路(300)，所述直流电机驱动电路(300)有八个引脚，八个引脚包括：两个用于输入控制器(100)控制信号的信号输入端(IA、IB)，两个电源端(VCC)，两个模拟接地端(GND)，两个连接直流电机(200)的输出端(OA、OB)；在两个信号输出端(OA、OB)之间并联连接有瓷片电容(C1)。

2.如权利要求1所述带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述直流电机驱动电路(300)包括电阻(R1-R16)、二极管(D1-D6)、功率管(NPN3-NPN6)、晶体管(NPN1-NPN2)、晶体管(NPN7-NPN8)、晶体管(PNP1-PNP2)、第一前级驱动(401)、第二前级驱动(402)、第一反向逻辑电路(INV1)、第二反向逻辑电路(INV2)和过温保护电路(400)，电源端(VCC)分别与二极管(D1)的负极、电阻(R6)的一端、晶体管(PNP1)的发射极、功率管(NPN5)的集电极、二极管(D3)的负极、二极管(D4)的负极、功率管(NPN6)的集电极、晶体管(PNP2)的发射极、电阻(R9)的一端、二极管(D5)的负极连接，二极管(D1)的正极分别与信号输入端(IA)、电阻(R1)一端、二极管(D2)负极连接，二极管(D2)正极接地；电阻(R6)的另一端分别与电阻(R7)一端、电阻(R8)一端连接，电阻(R7)另一端与第二反向逻辑电路((INV2)的一管脚连接，电阻(R8)的另一端与晶体管(PNP1)的基极连接，晶体管(PNP1)的集电极与功率管(NPN5)的基极连接，功率管(NPN5)的发射极分别与二极管(D3)的正极、信号输出端(OB)、功率管(NPN3)的集电极连接；二极管(D4)的正极分别与功率管(NPN6)的发射极、信号输出端(OA)、功率管(NPN4)的集电极连接，功率管(NPN6)的基极与晶体管(PNP2)的集电极连接，晶体管(PNP2)的基极与电阻(R11)的一端连接，电阻(R11)的另一端分别与电阻(R9)的另一端、电阻(R10)的一端连接，电阻(R10)的另一端与第一反向逻辑电路((INV1)的一管脚连接；电阻(R1)的另一端分别与电阻(R2)的一端、过温保护电路(400)连接，电阻(R2)的另一端分别与电阻(R3)的一端、电阻(R4)的一端连接，电阻(R4)的另一端与晶体管(NPN1)的基极连接，晶体管(NPN1)的发射极接地，电阻(R3)的另一端分别与前级驱动电路一(401)的一端、晶体管(NPN8)的集电极连接，晶体管(NPN8)的发射极接地，晶体管(NPN8)基极与电阻(R16)的一端连接，电阻(R16)的另一端与电阻(R15)的一端同时与过温保护电路(400)连接；前级驱动电路一(401)的另一端分别与第一反向逻辑电路((INV1)的二脚、功率管(NPN3)的基极、晶体管(NPN2)的集电极连接，晶体管(NPN2)的基极与电阻(R5)一端连接，晶体管(NPN2)的发射极、功率管(NPN3)的发射极、功率管(NPN4)的发射极均接地；功率管(NPN4)的基极分别与第二反向逻辑电路((INV2)的二脚、晶体管(NPN1)的集电极、前级驱动电路二(402)的一端连接，前级驱动电路二(402)的另一端分别与晶体管(NPN7)的集电极、电阻(R12)的一端连接，晶体管(NPN7)的基极与电阻(R15)的另一端连接，晶体管(NPN7)的发射极接地，电阻(R12)的另一端分别与电阻(R5)的另一端、电阻(R13)的一端连接，电阻(R13)的另一端分别与过温保护电路(400)、电阻(R14)的一端连接，电阻(R14)分别与二极管(D5)的正极、信号输入端(IB)、二极管(D6)的负极连接，二极管(D6)的正极接地。

3.如权利要求2所述带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述过温保护电路(400)包括电阻(R17-R29)、晶体管(NPN9-NPN15)、晶体管(PNP3-PNP7)和反向逻辑电路(INV3)，电源(VCC)分别与电阻(R21)一端、电阻(R22)一端、电阻(R23)一端、电阻(R27)一端、晶体管(PNP7)发射极连接，电阻(R21)另一端与晶体管(PNP3)的发射极连接，电阻(R22)另一端与晶体管(PNP4)的发射极连接，电阻(R23)另一端与晶体管(PNP5)的发射极连接，晶体管(PNP3)的基极分别与晶体管(PNP4)的基极、晶体管(NPN13)的集电极、晶体管(PNP6)的发射极、晶体管(PNP5)的基极连接，晶体管(PNP3)的集电极与晶体管(NPN11)的集电极连接，晶体管(NPN11)的基极分别与晶体管(NPN11)的发射极、晶体管(NPN12)的基极连接，晶体管(NPN11)的发射极分别与电阻(R19)的一端、电阻(R20)的一端、晶体管(NPN10)的集电极、晶体管(NPN9)的集电极连接，晶体管(NPN9)的发射极接地，晶体管(NPN9)的基极与电阻(R17)连接；晶体管(PNP4)的集电极分别与晶体管(NPN13)的基极、晶体管(PNP6)的基极、晶体管(NPN12)的集电极连接，晶体管(NPN12)的发射极与电阻(R19)的另一端连接，晶体管(NPN13)的发射极与电阻(R20)的另一端连接，晶体管(NPN10)的基极与电阻(R18)连接，晶体管(NPN10)和晶体管(PNP6)的发射极均接地；晶体管(PNP5)的集电极分别与晶体管(NPN14)的基极、电阻(R24)的一端连接，电阻(R24)的另一端分别与电阻(R25)的一端、晶体管(NPN15)的集电极连接，电阻(R25)的另一端接地；电阻(R27)的另一端分别与电阻(R28)的一端、电阻(R26)的一端连接，电阻(R28)的另一端与晶体管(PNP7)的基极连接，电阻(R26)的另一端与晶体管(NPN14)的集电极连接，晶体管(NPN14)的发射极接地；晶体管(NPN15)的基极与反向逻辑电路(INV3)的一端连接，晶体管(NPN15)的发射极接地；反向逻辑电路(INV3)的另一端分别与晶体管(PNP7)的集电极、电阻(R29)的一端连接，电阻(R29)的另一端接地。

4.如权利要求1所述带温度保护的玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：直流电机驱动电路(300)芯片封装在一个SOP8或DIP8的塑料封装中。

5.根据权利要求2所述的带温度保护玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述的二极管(D3)和二极管(D4)为箝位二极管。

6.根据权利要求2所述的带温度保护玩具锁具直流电机驱动集成电路，其特征在于：所述的二极管(D1)、二极管(D2)、二极管(D5)、二极管(D6)为ESD保护二极管。