能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜
技术领域
本发明涉及一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,属于太阳能电池制造领域。
背景技术
近来,由于PID效应(potentialinduceddegradation)而引发的光伏电池和组件的可靠性问题得到日益重视。各公司都致力于开发PID-free(不受PID效应影响的)的电池和光伏组件。PID效应最早于2005年由Sunpower公司在n型电池中发现。组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量的电荷聚集在电池片表面,使得电池表面的钝化效果恶化,导致FF、Jsc、Voc降低,使组件功率急剧下降,组件性能低于设计标准。对于目前大规模生产的P型太阳电池,当组件在负偏压下工作时,很大程度上将发生PID失效。对于PID效应的相关测试标准,目前国际上还没有正式规定。对于P型光伏组件,目前较通用的PID测试是在湿热环境中对组件施加600-1000V的负电压,环境温度为60℃,湿度为85%,测试时间为96h。组件最终的最大输出功率衰减比例不超过5%且满足外观要求才能判定为PID合格。
传统工艺的P型光伏组件基本都存在PID失效的问题。为了有效地预防PID效应,可以从电池、组件和系统三个方面来解决。从电池端来看,衬底材料的质量和电阻率、发射极的方阻和减反膜的性能都对PID起着重要作用,其中减反膜是一个关键影响因素。目前通用的折射率为2.0-2.1的SiNx减反膜不能满足PID-free的要求,容易引起PID失效。
发明内容
本发明的目的是提供一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜。
实现本发明目的的第一种技术方案是:一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,该钝化减反膜的底层为钝化减反层SiNx,折射率为2.0-2.1,厚度为70-80nm;该钝化减反膜的顶层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm。
实现本发明目的的第二种技术方案是:一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,该钝化减反膜的底层为钝化层SiNx,折射率为2.2-2.3,厚度为9-11nm;该钝化减反膜的中间层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm;该钝化减反膜的顶层为减反层SiNx层,折射率为2.0-2.1,厚度为60-70nm。
采用了上述技术方案后,本发明在SiNx减反膜中引入非晶硅(a:Si),由于非晶硅具有比SiNx优越的导电性,可以有效的将外来电荷导走,防止电荷堆积而引起PID失效。通过对SiNx和非晶硅的折射率与厚度的匹配设计,可以得到优化的电学性能,可从电池端有效地预防PID效应。本发明的方法基于目前的传统电池工艺,只改变减反膜的成分和厚度组合,能与目前的电池工艺兼容,易于实现。
本发明所述的钝化减反膜,适用于传统P型电池,以及除传统工艺外的先进电池工艺,比如背钝化电池,EWT,MWT电池,N型IBC电池等。
附图说明
图1为本发明的第一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜的结构示意图;
图2为图1中的太阳电池钝化减反膜使用在传统P型太阳能电池结构上的示意图;
图3为本发明的第二种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜的结构示意图;
图4为图3中的太阳电池钝化减反膜使用在传统P型太阳能电池结构上的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例,对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
如图1所示,一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,该钝化减反膜的底层为钝化减反层1,采用SiNx材料制成,折射率为2.0-2.1,厚度为70-80nm;该钝化减反膜的顶层为导电层2,即非晶硅层(a:Si),厚度为3-10nm。
该太阳电池钝化减反膜的制备方法包括如下步骤:
a、将原始硅片进行预处理,该预处理包括传统电池工艺的前清洗、扩散和后清洗工艺;
b、用PECVD方法在扩散面镀减反膜,其底层为钝化减反层SiNx,折射率为2.0-2.1,厚度为70-80nm;顶层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm;
c、按照传统电池工艺印刷背电极,铝背场和前电极,并烧结形成良好的金属接触。
图2为这种结构的钝化减反膜使用在传统P型太阳能电池结构上的示意图。
实施例二
如图3所示,一种能抗PID效应的太阳电池钝化减反膜,该钝化减反膜的底层为钝化层1,采用SiNx材料制成,折射率为2.2-2.3,厚度为9-11nm;该钝化减反膜的中间层为导电层2,即非晶硅层(a:Si),厚度为3-10nm;该钝化减反膜的顶层为减反层3,采用SiNx材料制成,折射率为2.0-2.1,厚度为60-70nm。
该太阳电池钝化减反膜的制备方法包括如下步骤:
a、将原始硅片进行预处理,该预处理包括传统电池工艺的前清洗、扩散和后清洗工艺;
b、用PECVD方法在扩散面镀减反膜,其底层为钝化层SiNx,折射率为2.2-2.3,厚度为9-11nm;中间层为导电层非晶硅层,厚度为3-10nm;顶层为减反层SiNx层,折射率为2.0-2.1,厚度为60-70nm;
c、按照传统电池工艺印刷背电极,铝背场和前电极,并烧结形成良好的金属接触。
图4为这种结构的钝化减反膜使用在传统P型太阳能电池结构上的示意图。
本发明的工作原理如下:本发明在SiNx减反膜中引入非晶硅(a:Si),由于非晶硅具有比SiNx优越的导电性,可以有效的将外来电荷导走,防止电荷堆积而引起PID失效。通过对SiNx和非晶硅的折射率与厚度的匹配设计,可以得到优化的电学性能,因此可从电池端有效地预防PID效应。本发明的方法基于目前的传统电池工艺,只改变减反膜的成分和厚度组合,能与目前的电池工艺兼容,易于实现。
本发明所述的钝化减反膜,适用于传统P型电池,以及除传统工艺外的先进电池工艺,比如背钝化电池,EWT,MWT电池,N型IBC电池等。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。