CN103018985B - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板，包括显示区域和具有多个辅助像素单元dummy？piexl的非显示区域，还包括：与dummy？piexl的公共电极电性连接的公共电极信号线；为dummy？piexl的像素电极提供电位信号的像素信号单元。另外，本发明提供了一种包括上述阵列基板的显示装置。上述阵列基板的非显示区域的Dummy？Piexl中，通过像素信号单元对像素电极的电位进行控制，使像素电极上的电位稳定，进而使像素电极与公共电极之间形成的电场稳定，实现对液晶层内液晶分子转向的控制，控制光线在液晶层内的转向，减少非显示区域射向显示区域的光线，从而减少非显示区域边缘的漏光现象，提高液晶显示装置的显示质量。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

如图1和图2所示，液晶显示装置的显示面板包括阵列基板01，彩膜基板02及夹设于其间的液晶层05。在显示面板的显示区域03内，可以通过控制液晶的偏转对来自背光模组的光进行调制，实现其显示功能；显示面板的非显示区域，可以通过位于彩膜基板02侧边的黑矩阵04实现对周边入射光的遮挡，黑矩阵04的边缘一般与显示区域03对齐。在阵列基板的设计中，各种设备在其动作起始端和动作终端的均一性较差，而在其动作中间段的均一性较好，为了保证显示区域03内各个像素单元的工艺的均一性，通常需要在靠近显示区域03的非显示区域06的空白区域内设置辅助像素单元（DummyPiexl）区。

如图2及图3所示，DummyPiexl的设计基本与显示区域03内的像素单元结构基本一致，在此不作赘述，但通常DummyPiexl区中的TFT器件会被去除。现有技术中，在阵列基板的设计中，DummyPiexl内像素电极011的电位没有进行控制，像素电极011在周边一些电极结构（如栅极07、数据线08等）影响下，像素电极011内的电位变化无常，导致像素电极011与公共电极010之间形成的电场紊乱，无法对DummyPiexl区液晶层05中液晶分子的旋转方向进行控制，射入的光线经过dummypiexl区的液晶层05后，光线的传播方向杂乱无章，其中部分光线可能会进入显示区域03，影响处于显示区域03边缘的像素单元的显示，从而导致边缘漏光，影响液晶显示装置的显示质量。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板的非显示区域内，DummyPiexl中的像素电极的电位可控，提高液晶显示装置的显示质量。

本发明还提供了一种具有上述阵列基板的液晶显示装置，该液晶显示装置的显示质量较高。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种阵列基板，包括显示区域和具有多个辅助像素单元dummypiexl的非显示区域，还包括：

与DummyPiexl的公共电极电性连接的公共电极信号线；

为DummyPiexl的像素电极提供电位信号的像素信号单元。

优选地，所述像素信号单元为薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关的漏极与DummyPiexl的像素电极电性连接，源极与数据线电性连接。

优选地，所述数据线与所述公共电极信号线电位相等。

优选地，所述数据线与所述公共电极信号线电性连接。

优选地，所述像素信号单元包括：

所述像素电极延伸出的连接部，所述连接部与栅极电性连接。

优选地，所述栅极与所述公共电极信号线的电位相同。

优选地，所述栅极与所述公共电极信号线电性连接。

优选地，所述栅极与所述公共电极信号线同层设置。

优选地，所述公共电极与所述像素电极设置于阵列基板，所述像素信号单元为设置于公共电极的金属层与像素电极的金属层之间的过孔，以及填充于所述过孔内的连接柱，所述连接柱的一端与公共电极的金属层电性连接，另一端与像素电极的金属层电性连接。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任一种阵列基板。

本发明提供的阵列基板，包括显示区域和具有多个辅助像素单元dummypiexl的非显示区域，还包括：

与空置像素的公共电极电性连接的公共电极信号线；

为空置像素的像素电极提供电位信号的像素信号单元。

本发明提供的上述阵列基板，其非显示区域中的DummyPiexl中，可以通过像素信号单元对像素电极的电位进行控制，使像素电极上的电位稳定，进而使像素电极与公共电极之间形成的电场稳定，实现对液晶层内液晶分子转向的控制，控制光线在液晶层内的转向，减少非显示区域射向显示区域的光线，从而减少非显示区域边缘的漏光现象，提高液晶显示装置的显示质量。

另外，本发明提供了一种显示装置，包括上述技术方案中的阵列基板。该显示装置具有较高的显示质量。

附图说明

图1为现有技术中阵列基板的正面示意图；

图2为图1中所示阵列基板的A-A向结构示意图；

图3为现有技术中的阵列基板中DummyPiexl的结构示意图；

图4为本发明提供的阵列基板的正面示意图；

图5为本发明提供的阵列基板中DummyPiexl的一种结构示意图。

图中主要元件符号说明：

01，阵列基板；02，彩膜基板；03、3，显示区域；04，黑矩阵；05，液晶层；06、6，非显示区域；61，DummyPiexl；07、7，栅极；08、8，数据线；010、10，公共电极；011、11，像素电极；111，连接部；12，公共电极信号线。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的技术方案一提供的阵列基板，包括显示区域和具有多个辅助像素单元dummypiexl的非显示区域，还包括：

与DummyPiexl的公共电极电性连接的公共电极信号线；

为DummyPiexl的像素电极提供电位信号的像素信号单元。

具体在显示过程中，上述阵列基板的非显示区域中的DummyPiexl中，可以通过像素信号单元对像素电极的电位进行控制，使像素电极上的电位稳定，进而使像素电极与公共电极之间形成的电场稳定，实现对液晶层内液晶分子转向的控制，控制光线在液晶层内的转向，减少非显示区域射向显示区域的光线，从而减少非显示区域边缘的漏光现象，提高液晶显示装置的显示质量。

作为本发明的技术方案二，在技术方案一的基础上，本技术方案提供了上述像素信号单元的一种具体的实现方式，优选地，上述像素信号单元为薄膜晶体管开关，所述薄膜晶体管开关的漏极与DummyPiexl的像素电极电性连接，源极与数据线电性连接。栅极通入高电平之后，薄膜晶体管开关打开，源极和漏极连通，进而可以通过数据线对像素电极的电位进行控制。

作为本发明的技术方案三，在技术方案二的基础上，为使上述阵列基板非显示区域处于长黑状态，优选地，所述数据线与所述公共电极信号线电位相等。

作为本发明的技术方案四，技术方案三中提到的所述数据线与所述公共电极信号线电位相等可以通过本方案提供的结构实现，具体地，所述数据线与所述公共电极信号线电性连接。数据线与公共电极信号线电性连接，则数据线上的电位与公共电极信号线的电位相同。

作为本发明的技术方案五，本技术方案提供了上述像素信号单元的另一种具体的实现方式，具体的，所述像素信号单元包括：

所述像素电极延伸出的连接部，所述连接部与栅极电性连接。

像素电极与栅极电性连接，则可以通过栅极控制像素电极的电位。

作为本发明的技术方案六，在技术方案五的基础上，为使上述阵列基板非显示区域处于长黑状态，优选地，所述栅极与所述公共电极信号线的电位相同。

作为本发明的技术方案七，技术方案六中提到的所述栅极与所述公共电极信号线电位相等可以通过本方案提供的结构实现，具体地，所述栅极与所述公共电极信号线电性连接。

作为本发明的技术方案八，在技术方案七的基础上，为便于阵列基板的制备，优选地，所述栅极与所述公共电极信号线同层设置。

作为本发明的技术方案九，本技术方案提供了上述像素信号单元的另一种具体的实现方式，具体的，所述公共电极与所述像素电极设置于阵列基板，所述像素信号单元为设置于公共电极的金属层与像素电极的金属层之间的过孔，以及填充于所述过孔内的连接柱，所述连接柱的一端与公共电极的金属层电性连接，另一端与像素电极的金属层电性连接。

作为本发明的技术方案十，本技术方案提供了一种显示装置，包括技术方案一至技术方案九提供的任一种阵列基板。

上述仅仅提供了本发明的几种优选技术方案，下面结合一些优选实施方式对上述技术方案进行具体描述，以便于本领域技术人员对上述技术方案的理解。

实施例一

如图4所示，本实施例提供的阵列基板，包括显示区域3和具有多个DummyPiexl61的非显示区域6，还包括：

与DummyPiexl61的公共电极电性连接的公共电极信号线12；

为DummyPiexl61的像素电极提供电位信号的像素信号单元。

其中，DummyPiexl61的公共电极10如图5中所示，DummyPiexl61的像素电极11如图5中所示。

具体在显示过程中，上述阵列基板的非显示区域6中的DummyPiexl61中，可以通过像素信号单元对像素电极11的电位进行控制，使像素电极11上的电位稳定，进而使像素电极11与公共电极10之间形成的电场稳定，实现对液晶层内液晶分子转向的控制，控制光线在液晶层内的转向，减少非显示区域6射向显示区域3的光线，从而减少非显示区域6边缘的漏光现象，提高液晶显示装置的显示质量。

优选实施方式一，在上述方案一的基础上，本技术方案提供了上述像素信号单元的一种具体的实现方式，优选地，上述像素信号单元可以为薄膜晶体管开关，薄膜晶体管开关的漏极与DummyPiexl61的像素电极11电性连接，源极与数据线8电性连接。栅极7通入高电平之后，薄膜晶体管开关打开，源极和漏极连通，将数据线8与像素电极11电性连接，通过数据线8控制像素电极11的电位；公共电极信号线12控制公共电极10电位，数据线8控制像素电极11的电位，从而可以控制公共电极10与像素电极11之间产生的电场，对DummyPiexl61液晶层内液晶分子的转向进行控制，减少非显示区域6射向显示区域3的光线。

在优选实施方式一的基础上，优选，为最大限度地减少非显示区域6内的光线射入显示区域3内，对显示区域3的显示造成的影响，可以使阵列基板的非显示区域6内的DummyPiexl61处于长黑状态，优选地，可以使上述数据线8与上述公共电极信号线12的电位相等。数据线8和公共电极信号线12的电位相等，则像素电极11与公共电极10在通电后电位相同，液晶分子按初始方向排列，不发生旋转，即使非显示区域6内的光线射入显示区域3中也不能通过下偏光片，减小对显示区域3的显示造成影响。

具体的，上述数据线8与上述公共电极信号线12电位相等可以通过下述结构实现：如图4所示，上述数据线8与上述公共电极信号线12电性连接。数据线8与公共电极信号线12电性连接，则数据线8上的电位与公共电极信号线12的电位相同。

优选实施方式二，优选实施方式提供了上述像素信号单元的另一种具体的实现方式，具体的，如图5所示，上述像素信号单元包括：

像素电极11延伸出的连接部111，连接部111与栅极7电性连接。

通过栅极7控制像素电极11的电位，也可以使像素电极11与公共电极10之间形成的电场稳定，实现对液晶层内液晶分子转向的控制，控制光线在液晶层内的转向，减少非显示区域6射向显示区域3的光线，从而减少非显示区域6边缘的漏光现象，提高液晶显示装置的显示质量。

同理，为最大限度地减少非显示区域6内的光线射入显示区域3内，对显示区域3的显示造成的影响，可以使阵列基板的非显示区域6内的DummyPiexl61处于长黑状态，优选地，栅极7与公共电极信号线12的电位相同。

具体地，栅极7与公共电极信号12之间的电位相等可通过下述方案实现：栅极7与公共电极信号线12电性连接。

优选地，为便于阵列基板的制备，上述栅极7与公共电极信号线12同层设置。

上述实施例一及其优选实施方式中提供的阵列基板可以为H-ADS模式、ADS模式以及TN模式。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（pushMura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

实施例二

本实施例提供了上述像素信号单元的另一种具体的实现方式，具体的，公共电极10与像素电极11设置于阵列基板，像素信号单元为设置于公共电极10的金属层与像素电极11的金属层之间的过孔，以及填充于过孔内的连接柱，连接柱的一端与公共电极10的金属层电性连接，另一端与像素电极11的金属层电性连接。即，直接将像素电极11与公共电极10通过过孔电性连接，可以保证像素电极11电位的稳定，同时使像素电极11与公共电极之间电位相同，保证非显示区域6的长黑状态。

上述提到的连接柱可以为在形成像素电极11时直接溅射入过孔中的透明ITO材料，也可以为单独填充的导电金属材料，如铜、铝、钼以及其导电金属氧化物以及合金等。

本实施例提供的阵列基板可以适用于H-ADS模式和ADS模式。

实施例三

本实施例提供了一种显示装置，包括实施例一及其优选实施方式、实施例二提供的任一种阵列基板。该显示装置的显示质量较高。该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、PAD等显示装置。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (5)

1.一种阵列基板，包括显示区域和具有多个辅助像素单元DummyPiexl的非显示区域，其特征在于，还包括：

与DummyPiexl的公共电极电性连接的公共电极信号线；

为DummyPiexl的像素电极提供电位信号的像素信号单元，所述像素信号单元包括所述像素电极延伸出的连接部，所述连接部与栅极电性连接；

所述公共电极与所述像素电极设置于阵列基板，所述像素信号单元为设置于公共电极的金属层与像素电极的金属层之间的过孔，以及填充于所述过孔内的连接柱，所述连接柱的一端与公共电极的金属层电性连接，另一端与像素电极的金属层电性连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极信号线的电位相同。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极信号线电性连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极信号线同层设置。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的阵列基板。