CN103012456B - 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法 - Google Patents

一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103012456B
CN103012456B CN201210552315.8A CN201210552315A CN103012456B CN 103012456 B CN103012456 B CN 103012456B CN 201210552315 A CN201210552315 A CN 201210552315A CN 103012456 B CN103012456 B CN 103012456B
Authority
CN
China
Prior art keywords
constant pressure
pressure funnel
warmed
reaction
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210552315.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103012456A (zh
Inventor
陈维
张学超
陈田安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
YANTAI DEBANG ADVANCED SILICON MATERIALS CO Ltd
Original Assignee
YANTAI DEBANG ADVANCED SILICON MATERIALS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by YANTAI DEBANG ADVANCED SILICON MATERIALS CO Ltd filed Critical YANTAI DEBANG ADVANCED SILICON MATERIALS CO Ltd
Priority to CN201210552315.8A priority Critical patent/CN103012456B/zh
Publication of CN103012456A publication Critical patent/CN103012456A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103012456B publication Critical patent/CN103012456B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，包括以下步骤：使酰氧基硅烷、羧酸与烃氧基硅烷在有机溶剂和酸性催化剂存在下进行脱酯缩合反应制备缩合产物；对生成的缩合产物进行水洗、干燥和除溶剂得有机硅低聚体。本发明在整个过程中避免了水的参与，反应更易于控制，不易形成凝胶或环体，从而最大限度地降低了制备过程中的烃氧基硅烷本身的缩聚、环化反应。

Description

一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法
技术领域
本发明涉及一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，属于化学领域。
背景技术
目前，广泛研究的用于大功率LED的苯基硅树脂封装材料主要为加成型硅树脂，即在铂催化剂存在下由硅乙烯基和硅氢进行加成反应来进行交联固化。由于使用的苯基硅树脂的折射率普遍较高（>1.40），采用低折射率有机硅低聚体对其进行交联，往往由于折射率的差异造成体系相容性差，无法得到透明性好的混合物。另外，低折射率的有机硅低聚体的沸点普遍较低，因而在加热固化过程中易于蒸发而造成当量比损失。因而，在大功率LED所使用的高折射率有机硅封装材料体系中，需采用高折射率硅树脂专用的有机硅低聚体，其特点是在有机硅低聚体分子结构中含有一定量的苯基，从而其折射率与苯基硅树脂相匹配，且沸点较高，不易在加热固化过程中发生挥发。
如美国专利US2877256和US2831010披露的，将含苯基氯硅烷与氢二甲基氯硅烷或乙烯基二甲基氯硅烷搅拌下加入到大量的水中，以得到对应的官能性封端的有机硅低聚体，水洗除去生成的盐酸废水，再对产物进行蒸馏得到目标产物。这种方法的缺点是生成大量的酸性废水，且较难以控制水解缩合反应速度，从而生成的目标产物产率较低，得到较多的更高聚合度的难于挥发的树脂成分。
另一种方法，如CN101213257A所披露的，是由苯基三甲氧基硅烷和四甲基二硅氧烷在三氟甲烷磺酸催化下，首先加水进行水解，再加醋酸进一步缩合，得到含苯基的硅氢基低聚硅氧烷。与氯硅烷水解法相比，其聚合速率较为可控，从而利于制备结构较明确、产率较高的有机硅低聚体。然而这种方法步骤多，操作繁琐，需使用过量的二硅氧烷单体以降低苯基单体自身的缩聚及环化反应。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，本发明在整个过程中避免了水的参与，从而最大限度地降低了制备过程中的烃氧基硅烷本身的缩聚、环化反应，通过对投料量的控制，实现了对有机硅低聚体的结构的精确设计。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，包括：
(i)使物质的量为m的式的酰氧基硅烷、物质的量为n的式的羧酸和物质的量为p的式R5 aSi[OR6]4-a的烃氧基硅烷在有机溶剂和酸性催化剂存在下进行脱酯缩合反应，制备式[R1R2R3SiO1/2]b[R5 aSiO(4-a)/2]c的缩合产物，其中，
R1、R2、R3为氢原子、烃基或取代的烃基中的一种或几种；
R4、R6为烷基或环烷基；
R5为烃基，且至少有一种R5为苯基；
m>0，n≥0，p>0，a=1或2，b为结构单元[R1R2R3SiO1/2]的物质的量的分数，c为结构单元[R5 aSiO(4-a)/2]的物质的量的分数，0<b<1，0<c<1，且 m p ( 4 - a ) = b c , n &GreaterEqual; p ( 4 - a ) - m 2 ;
(ii)将(i)得到的缩合产物水洗、干燥和除溶剂，即得有机硅低聚体。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，步骤(i)中所述的缩合产物指粘度低于1000mPa·s的带有反应性基团的小分子有机硅聚合物；
进一步，所述R1、R2、R3所代表的烃基具有1～10个C原子，优选为1～6个C原子，更优选为1～4个C原子。当R1、R2、R3所代表的烃基包含至少三个碳原子的非环烃基基团时，具有或不具有支化或非支化的结构。烃基包括：烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；芳基，例如苯基和萘基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；芳烷基，例如苄基和苯乙基；链烯基，例如乙烯基、烯丙基和丙烯基；芳烯基，例如苯乙烯基和苯丙烯基；炔基，例如乙炔基和丙炔基。
进一步，所述R1、R2、R3所代表的取代烃基包括-F、-Cl、-Br、-I、-OH、-OR7、-OCH2CH2OR8、-CO2R8、-OC(＝O)R7、-C(＝O)NR8 2，其中，R7为C1～C8烃基，R8为R7或-H，R8所代表的烃基具有1～8个C原子，优选为具有3～6个C原子，当R8包含至少3个C原子的非环烃基基团时，具有或不具有支化或非支化的结构。R8所代表的烃基包括：支化或非支化的烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基和辛基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；苯基；烷芳基，例如甲苯基和二甲苯基；芳烷基，例如苄基和苯乙基；链烯基，例如乙烯基、烯丙基和丙烯基；芳烯基，例如苯乙烯基；炔基，例如乙炔基和丙炔基。所述取代烃基不会妨碍本发明有机硅低聚体的形成。
进一步，R4、R6所代表的烷基或环烷基，具有1～10个C原子，优选为1～6个C原子，更优选为1～4个C原子。当R4、R6包含至少三个碳原子的烷基基团时，具有或不具有支化或非支化的结构。烷基或环烷基基团包括：烷基，例如甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1，1-二甲基乙基、戊基、1-甲基丁基、1-乙基丙基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1，2-二甲基丙基、2，2-二甲基丙基、己基、庚基、辛基、壬基和癸基；环烷基，例如环戊基、环己基和甲基环己基；
进一步，所述酰氧基硅烷为一种或两种以上的酰氧基硅烷的混合物，所述两种以上的酰氧基硅烷各自具有式所示的结构，其中，R1、R2、R3如上所描述和列举，酰氧基硅烷包括：
其中，Me为甲基、Et为乙基、Ph为苯基。
进一步，所述式的羧酸包括甲酸、乙酸、正丙酸、正丁酸、异丙酸、异丁酸、正戊酸、正已酸、正庚酸中的一种。
羧酸并非是必要的反应原料，在有些情况下，设计所有的酰氧基与烷氧基完全脱酯反应时，可以不加入羧酸。而在有些情况下，由于有过量的烷氧基未反应，此时需加入羧酸以进一步提高聚合度，消除未反应的烷氧基。羧酸的加入顺序没有特别的规定，可以与酰氧基硅烷一起混合加入，也可以在酰氧基硅烷与烷氧基硅烷反应完成后加入。
进一步，所述烃氧基硅烷为一种或二种以上烃氧基硅烷的混合物，且至少一种烃氧基硅烷含有至少一个苯基，所述烃氧基硅烷的混合物中不同的烃氧基硅烷各自具有式R5 aSi[OR6]4-a的结构，其中，R5和下标a如上所描述和列举，烃氧基硅烷的制备方法在本领域中是公知的，式R5 aSi[OR6]4-a的烃氧基硅烷包括：PhSi(OMe)3、HSi(OMe)3、MeSi(OMe)3、ViSi(OMe)3、EtSi(OMe)3、PhSi(OEt)3、HSi(OEt)3、MeSi(OEt)3、ViSi(OEt)3、EtSi(OEt)3、PhMeSi(OMe)2、HMeSi(OMe)2、Me2Si(OMe)2、ViMeSi(OMe)2、EtMeSi(OMe)2、PhMeSi(OEt)2、HMeSi(OEt)2、Me2Si(OEt)2、ViMeSi(OEt)2、EtMeSi(OEt)2、Ph2Si(OMe)2、Ph2Si(OEt)2。所述烃氧基硅烷优选为苯基三烃氧基硅烷、甲基苯基二烃氧基硅烷、二苯基二烃氧基硅烷中的一种；
进一步，所述有机溶剂为一种或两种以上有机溶剂的混合物；
进一步，所述有机溶剂为在本发明反应条件下不与酰氧基硅烷、烃氧基硅烷反应、且与本发明原料物及有机硅低聚体产物混溶的非质子性有机溶剂；
进一步，所述有机溶剂为芳烃、烷烃或醇；所述芳烃为苯、甲苯、乙基苯或二甲苯；所述烷烃为C5～C12的直链、支链或环状烷烃；所述醇为R6OH，其中R6如上所描述和列举。
进一步，所述有机溶剂包括：饱和的脂肪族烃，例如正戊烷、己烷、正庚烷、异辛烷和十二烷；环状脂肪族烃，例如环戊烷和环己烷；芳香族烃，例如苯、甲苯、二甲苯和均三甲苯；环状醚，例如四氢呋喃、二氧六环；酮类，例如甲基异丁基酮；卤代烷烃，例如三氯乙烷；卤代芳香族烃，例如溴苯和氯苯；以及醇类，如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丁醇、1，1-二甲基-1-乙醇、戊醇、己醇、环己醇、庚醇、辛醇。
进一步，所述有机溶剂的加入量为反应混合物的总质量的0～500%，优选为10～400%，更优选为30～200%。
采用上述进一步方案的有益效果是加入有机溶剂稀释产物，使其密度比水小，从而有利于对其进行水洗和分液操作。较少量的溶剂不能明显地降低产物的密度，从而造成分液时油-水界面模糊，而有机溶剂量过多时，则会在蒸除溶剂时带来麻烦。
进一步，所述酸性催化剂为一种或几种酸性催化剂的混合物，所述酸性催化剂的加入量为反应混合物的总质量的1‰～1%，包括：有机或无机的强质子酸，例如磷酸、硫酸、对甲基苯磺酸、三氟甲磺酸或三氟乙酸。
采用上述进一步方案的有益效果是酸性催化剂是用来促进酰氧基硅烷和烃氧基硅烷之间的脱酯缩合反应，提高反应速度和效率，而不使用催化剂的反应几乎不反应或反应很慢。
进一步，步骤（i）中，将酰氧基硅烷滴加到有机溶剂、酸性催化剂、羧酸和烃氧基硅烷的混合物中或将烃氧基硅烷滴加到有机溶剂、酸性催化剂、酰氧基硅烷和羧酸的混合物中。
本发明制备的有机硅低聚体如式[R1R2R3SiO1/2]b[R5 aSiO(4-a)/2]c所表示的平均结构组成，其中R1、R2、R3、R5如上所描述和列举，下标b，c的值为0.01～1，优选为0.2～0.8，更优选为0.3～0.6，有机硅低聚体实例包括：(HMe2SiO1/2)2/3(PhMeSiO2/2)1/3、(ViMe2SiO1/2)2/3(PhMeSiO2/2)1/3、(HMe2SiO1/2)3/4(PhMeSiO2/2)1/4、(ViMe2SiO1/2)3/4(PhMeSiO2/2)1/4、(HMe2SiO1/2)2/3(PhSiO3/2)1/3、(HMe2SiO1/2)1/2(Ph2SiO2/2)1/2、(HMe2SiO1/2)1/2(PhMeSiO2/2)1/2、(HMe2SiO1/2)1/4(MePhSiO2/2)1/4(PhSiO3/2)1/2、(ViMe2SiO1/2)1/4(MePhSiO2/2)1/4(PhSiO3/2)1/2.
进一步，步骤（i）中，所述酰氧基硅烷和烃氧基硅烷的反应温度为10～100℃，优选在40～70℃。
反应时间取决于几个因素，包括酰氧基硅烷和烃氧基硅烷的结构以及反应温度。
进一步，步骤（i）中，所述酰氧基硅烷和烃氧基硅烷的摩尔比为0～3，优选为0.5～3，更优选为1～3，进一步优选为2～3。
进一步，步骤(ii)中，水洗是通过将包含缩合产物的有机相与水相分离而从反应混合物中回收反应产物，所述分液方法以水洗并分液3～5次，检测洗后水溶液的酸性直到pH值在6～7；
采用上述进一步方案的有益效果是水洗缩合产物是为了将体系中的酸性离子成分洗除，以保证不影响所适用的加成型树脂配方的整体热稳定性。已知的是，有机硅配方体系中残存有离子性物质，如酸、碱、盐，均易降低其热稳定性。
进一步，步骤(ii)中所述除溶剂采用旋转蒸发方法或减压除溶剂方法；
本发明的有益效果是：
本发明利用已知的反应简便地制备酰氧基硅烷，并独创性地使用官能化的单酰氧基硅烷作为反应原料，通过酰氧基硅烷、羧酸与烃氧基硅烷在有机溶剂和酸性催化剂存在下进行脱酯缩合反应，在整个过程中避免了水的参与，反应更易于控制，不易形成凝胶或环体。从而最大限度地降低了制备过程中的烃氧基硅烷本身的缩聚、环化反应。另外，通过对投料量的控制，实现了对低聚硅氧烷的结构的精确设计。
利用本发明的方法可制备各种结构的具有折射率大于1.40的含一定苯基量的有机硅低聚体。本发明所使用的原料为价格低廉的容易得到的工业原料。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
参照合成例1、2是为了说明本发明所使用的酰氧基硅烷的合成方法。
参照合成例1：乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷
向配以氮气进气口、温度计、磁力搅拌和低温冷凝管（-10℃）的500mL三口瓶中，加入120g冰醋酸，升温到120℃，在搅拌并通氮气条件下，经2小时向反应瓶中以恒压漏斗滴加241g三甲基氯硅烷，反应放出的HCl气体以NaOH溶液吸收。滴加完毕后，继续搅拌并以氮气吹洗1小时，冷却至室温后，向反应瓶中分三次加入6g醋酸钾，搅拌1小时，经检验，氯硅烷已经完全转化。将反应液过滤，滤液减压蒸馏得乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷256g，产率89%。
参照合成例2：氢二甲基乙酰氧基硅烷
向配以氮气进气口、温度计、磁力搅拌和低温冷凝管（-10℃）的500mL三口瓶中，加入120g冰醋酸，升温到90℃，在搅拌并通氮气条件下，经2小时向反应瓶中以恒压漏斗滴加241g三甲基氯硅烷，反应放出的HCl气体以NaOH溶液吸收。滴加完毕后，继续搅拌并以氮气吹洗1小时，冷却至室温后，向反应瓶中分三次加入6g醋酸钾，搅拌1小时，经检验，氯硅烷已经完全转化。将反应液过滤，滤液减压蒸馏得氢二甲基乙酰氧基硅烷179g，产率76%。
实施例1
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加91.15g甲基苯基二甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体。冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色透明液体130.07g，产率96.2%。
实施例2
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入144.25g乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加91.15g甲基苯基二甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体。冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色透明液体153.89g，产率95.4%.
实施例3
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入141.85g氢二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加79.32g苯基三甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体。冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体128.45g，产率97.1%。
实施例4
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入173.10g乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.5g浓度为98%的硫酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加79.32g苯基三甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，蒸馏除去低沸点液体。冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体155.13g，产率94.8%。
实施例5
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入99.15g苯基三甲氧基硅烷，200mL甲苯和0.5g浓度为98%的硫酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷，滴加完毕后，再向反应体系中滴加30.11g冰醋酸，并继续搅拌反应1小时，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体128.58g，产率97.6%。
实施例6
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的1000mL三口瓶中，依次加入244.36g二苯基二甲氧基硅烷，400mL甲苯和0.25g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷和40.02g冰醋酸的混合物，滴加完毕后继续搅拌反应1小时。冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体247.90g，产率93.4%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加91.15g甲基苯基二甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色透明液体130.07g，产率96.2％，
2.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入144.25g乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加91.15g甲基苯基二甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色透明液体153.89g，产率95.4％，
3.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入141.85g氢二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.1g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加79.32g苯基三甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体128.45g，产率97.1％，
4.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入173.10g乙烯基二甲基乙酰氧基硅烷，200mL甲苯和0.5g浓度为98％的硫酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加79.32g苯基三甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应1小时，蒸馏除去低沸点液体，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体155.13g，产率94.8％，
5.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入99.15g苯基三甲氧基硅烷，200mL甲苯和0.5g浓度为98％的硫酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷，滴加完毕后，再向反应体系中滴加30.11g冰醋酸，并继续搅拌反应1小时，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体128.58g，产率97.6％，
6.一种大功率LED封装用有机硅低聚体的制备方法，其特征在于，包括：
向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的1000mL三口瓶中，依次加入244.36g二苯基二甲氧基硅烷，400mL甲苯和0.25g三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30分钟向反应瓶中以恒压漏斗滴加118.21g氢二甲基乙酰氧基硅烷和40.02g冰醋酸的混合物，滴加完毕后继续搅拌反应1小时，冷却至室温后，以去离子水洗至中性，旋蒸得到结构如下式所示的无色液体247.90g，产率93.4％，
CN201210552315.8A 2012-12-18 2012-12-18 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法 Expired - Fee Related CN103012456B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210552315.8A CN103012456B (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210552315.8A CN103012456B (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103012456A CN103012456A (zh) 2013-04-03
CN103012456B true CN103012456B (zh) 2015-11-18

Family

ID=47961608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210552315.8A Expired - Fee Related CN103012456B (zh) 2012-12-18 2012-12-18 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103012456B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103387586B (zh) * 2013-07-24 2015-09-30 山东省科学院新材料研究所 一种端乙烯基硅氧烷的制备方法
CN103554169B (zh) * 2013-10-29 2016-03-16 烟台德邦先进硅材料有限公司 一种用于uv固化树脂的有机硅丙烯酸酯和有机硅甲基丙烯酸酯单体的制备方法
CN104449551B (zh) * 2014-11-18 2016-05-11 烟台德邦先进硅材料有限公司 一种高折耐黄变led封装硅胶

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070299165A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Phenyl-containing silicone epoxy formulations useful as encapsulants for LED applications
CN101213257A (zh) * 2005-06-28 2008-07-02 陶氏康宁东丽株式会社 可固化的有机基聚硅氧烷树脂组合物和由其模塑的光学部件
CN100465233C (zh) * 2003-12-02 2009-03-04 陶氏康宁东丽株式会社 可加成固化的有机聚硅氧烷树脂组合物和光学材料
WO2009097252A1 (en) * 2008-01-28 2009-08-06 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Divinylsilane-terminated aromatic ether-aromatic ketone-containing compounds
CN101814571A (zh) * 2009-02-24 2010-08-25 信越化学工业株式会社 用有机硅树脂密封的光半导体装置
CN101993539A (zh) * 2009-08-21 2011-03-30 信越化学工业株式会社 有机聚亚甲基硅以及有机聚亚甲基硅组成物

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100465233C (zh) * 2003-12-02 2009-03-04 陶氏康宁东丽株式会社 可加成固化的有机聚硅氧烷树脂组合物和光学材料
CN101213257A (zh) * 2005-06-28 2008-07-02 陶氏康宁东丽株式会社 可固化的有机基聚硅氧烷树脂组合物和由其模塑的光学部件
US20070299165A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Phenyl-containing silicone epoxy formulations useful as encapsulants for LED applications
WO2009097252A1 (en) * 2008-01-28 2009-08-06 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Divinylsilane-terminated aromatic ether-aromatic ketone-containing compounds
CN101814571A (zh) * 2009-02-24 2010-08-25 信越化学工业株式会社 用有机硅树脂密封的光半导体装置
CN101993539A (zh) * 2009-08-21 2011-03-30 信越化学工业株式会社 有机聚亚甲基硅以及有机聚亚甲基硅组成物

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LED封装用高分子材料的研究进展;杨育农等;《合成材料老化与应用》;20100915;第39卷(第3期);第29-32页 *
发光二极管封装用有机硅材料(一);黄文润;《有机硅材料》;20081127;第22卷(第5期);第315-324页 *
发光二极管封装用有机硅材料(二);黄文润;《有机硅材料》;20081127;第22卷(第6期);第382-388页 *
有机硅灌封材料的研究进展;章坚;《应用科技》;20090421;第17卷(第8期);第15-17页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN103012456A (zh) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103554169B (zh) 一种用于uv固化树脂的有机硅丙烯酸酯和有机硅甲基丙烯酸酯单体的制备方法
CN103627002B (zh) 一种双端双羟烃基聚二甲基硅氧烷的制备方法
CN105802532A (zh) 一种硅硼增粘剂及其制备方法和在双组份led封装胶中的应用
CN102643304B (zh) 一种笼型苯基聚倍半硅氧烷的制备方法
CN102245674B (zh) 倍半硅氧烷树脂
CN103739848A (zh) 加成型有机硅封装胶用增粘剂及其制备方法
CN103242532B (zh) 一种环保无溶剂液体硅树酯的制备方法
CN104892942A (zh) 一种加成型有机硅橡胶用增粘剂及制备方法
CN109824903B (zh) 一种高折射率含硼有机硅增粘剂及其制备方法
CN103012456B (zh) 一种大功率led封装用有机硅低聚体的制备方法
CN102702531A (zh) 一种苯基聚硅氧烷的制备方法
CN103012798A (zh) 一种甲基苯基乙烯基硅树脂的制备方法
CN105254661A (zh) 八酚羟基笼形低聚多面体倍半硅氧烷及其制备方法
CN106008983A (zh) 一种硅硼增粘剂及其制备方法和用途
CN104448323A (zh) 一种星形梳状聚醚有机硅共聚物及其制备方法
CN101121724B (zh) 一种3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷的制备方法
Rabanzo-Castillo et al. Catalytic synthesis of oligosiloxanes mediated by an air stable catalyst,(C6F5) 3B (OH2)
CN107021976B (zh) 一种四甲基二氢基二苯基三硅氧烷的制备方法
CN101781328A (zh) 一种环硅氧烷的制备方法
CN103087320A (zh) 一种端羟基聚甲基苯基硅油的制备方法
Pramanik et al. Dehydrogenative Silylation of Alcohols Under Pd‐Nanoparticle Catalysis
CN109111573A (zh) 一种铂负载有机硅改性富勒烯及其制备方法和用途
CN113105632A (zh) 一种超枝化有机硅改性环氧树脂及其制备方法与应用
CN103030812B (zh) 一种改性苯基倍半硅氧烷及其制备方法
CN101503422B (zh) 一种甲基苯基环硅氧烷混合物的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20151118

Termination date: 20161218

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee