CN103001119B - 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 - Google Patents
一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103001119B CN103001119B CN201110274959.0A CN201110274959A CN103001119B CN 103001119 B CN103001119 B CN 103001119B CN 201110274959 A CN201110274959 A CN 201110274959A CN 103001119 B CN103001119 B CN 103001119B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- layer
- chip
- sic substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。该SiC衬底倒装激光器芯片制作包括一常规激光器芯片结构，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；包括一SiC衬底，衬底的底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过SiC衬底的金属键合层与SiC衬底键合在一起；常规激光器芯片去除原衬底后的缓冲层蒸镀有N电极金属层，制成的SiC衬底激光器N极在上、P极在下。与传统激光器相比，本发明的基于SiC衬底的倒装激光器芯片具有散热性好、稳定性好、寿命长等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法，属于激光器芯片技术领域。
背景技术
半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、易于调制及价格低廉等诸多优点，在工业、医学和军事领域得到了广泛的应用。在半导体大功率激光器的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率，这些器件的电光转换效率为40％-50％，即所输入的电能50％-60％都转换为热能。为了良好散热，常将芯片焊接到具有高导热率的金属热沉上。由于激光器管芯和热沉的热膨胀系数不一致，温度变化将导致热应力的产生和激光器芯片翘曲变形，若热应力过大甚至会造成结合层开裂、管芯断裂等问题，半导体激光器散热问题解决会直接关系到激光器的使用寿命，导致激光器有源区温度的迅速提高，从而引起激光器的光学灾变，甚至烧毁半导体激光器，严重影响了器件的可靠性和寿命。
CN1770575A(200410088729.5)公开了一种利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法，包括：在衬底上依次外延生长电极接触层，光限制层，波导层，发光有源区，波导层，光限制层和电极接触层；刻蚀电极接触层，制备P型欧姆接触电极；将衬底减薄；将激光器管芯分割；利用倒装焊技术将分割好的氮化镓基激光器管芯的P型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯P电极大小相对应的金属焊料层以及管芯的N型欧姆接触电极层和支撑体上与管芯N电极大小相对应的金属焊料层焊接在一起；在管芯P电极的相应位置，从支撑体的背面开孔直到二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，形成P型电极引出孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀金属层，引出管芯的P型电极，形成一个倒装的氮化镓基激光器的管芯。该专利是将正装结构的常规氮化镓基激光器管芯分割后通过金属焊料焊接在一支撑体上，然后引出电极，相当于将一常规激光器管芯倒装焊接在支撑体上。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。
术语说明：
MOCVD：金属有机化合物气相沉积。
COD：光学灾变性损坏(Catastrophic Optical Damage)，是指半导体激光器在高光功率密度下工作时，由于端面各种界面态的非辐射复合引起端面局部温升烧毁谐振镜面，从而使器件突然失效的现象。
本发明的技术方案如下：
一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片，包括：
a、常规激光器芯片，芯片结构从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；
b、一SiC衬底，该SiC衬底底面镀有金属欧姆接触层，另一面镀有金属键合层；
所述常规激光器芯片的金属欧姆接触层通过所述SiC衬底上的金属键合层键合在一起；去除衬底后的常规激光器芯片缓冲层面蒸镀有电极金属层。
所述常规激光器芯片结构为垂直结构或平面结构。
根据本发明优选的，所述SiC衬底的金属键合层选自TiAu、Au、AuSn、NiAu、Ag或In；其中优选的，所述SiC衬底的金属键合层的厚度为0.5μm-3μm；所述SiC衬底的金属欧姆接触层选自NiAu、TiAu、GeAu或CrAu；其中优选的，所述金属欧姆接触层厚度为0.5μm-3μm。
根据本发明优选的，所述的常规激光器芯片的衬底选自Al2O3、GaN、Si、InP或GaAs衬底中的任意一种。所述常规激光器芯片的电流阻挡层选自SiO2、SiN4或Al2O3；其中优选的，所述电流阻挡层的厚度为100nm-500nm。所述常规激光器芯片的金属欧姆接触层选自NiAu、TiAu、GeAu或CrAu；其中优选的，所述金属欧姆接触层厚度为0.5μm-3μm。
根据本发明优选的，所述常规激光器结构选用氧化物条形结构或脊型结构。其余未特别限定的均按现有常规激光器结构的技术进行选材定尺寸。
根据本发明，最优选的，一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片，包括：
a、常规激光器芯片，芯片结构从下到上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaAs欧姆接触层，厚度为250-300nm的SiO2电流阻挡层、厚度为2～3μm的NiAu金属欧姆接触层；
b、一SiC衬底，该SiC衬底底面镀有NiAu欧姆接触层，厚度为2～3μm；另一面镀有TiAu金属键合层，厚度为1～1.5μm；
所述常规激光器芯片的NiAu金属欧姆接触层通过所述SiC衬底上的金属键合层键合在一起；去除GaAs衬底后的常规激光器芯片面蒸镀有NiAu电极金属层，厚度为2～3μm；该NiAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极。
根据本发明，一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片的制作方法，步骤如下：
(1)常规激光器芯片的制备
按常规MOCVD外延生长方法，在衬底上生长激光器芯片外延层，从下到上依次包括衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层，常规工艺制备激光器管芯，包括电流阻挡层、金属欧姆接触层。
(2)将SiC衬底底面蒸镀金属欧姆接触层，另一面蒸镀金属键合层；
(3)将步骤(1)制备的常规激光器芯片金属欧姆接触层与步骤(2)制备的SiC衬底的金属键合层键合在一起；
(4)去除常规激光器芯片的衬底，在去除衬底的激光器芯片一面蒸镀电极金属层，此电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面金属欧姆接触层作为激光器芯片的P电极，形成一个倒装的激光器芯片。也称SiC基倒装激光器芯片。
上述步骤(4)中所述的去除衬底，可通过剥离、研磨、湿法腐蚀、刻蚀等现有任一种通用方法实现。
由于SiC衬底具有高热导率，且SiC材料和III-V族材料有较好的应力匹配，得到器件的结晶性能好、缺陷密度低，因此本发明制备的基于SiC衬底的倒装激光器芯片克服了传统激光器芯片的散热、失配等问题，提高了器件的性能和寿命。
本发明是通过键合和去除原有衬底，形成一倒装的激光器结构，与常规激光器芯片结构P、N刚好相反，是一种真正意义上的倒装激光器芯片结构。
利用本发明的芯片制作的SiC基倒装激光器可以大大提高激光器热传导速率，改善散热效果，并且SiC材料和III-V族材料有较好的应力匹配，得到器件的结晶性能好、缺陷密度低，提高器件的性能和寿命。
附图说明
图1是实施例1的常规激光器芯片结构示意图。
图2是实施例1蒸镀金属欧姆接触层和金属键合层后的SiC衬底结构示意图。
图3是实施例1常规激光器芯片与SiC衬底键合示意图。
图4是实施例1的产品倒装激光器芯片结构示意图。
图5是常规GaAs衬底0.5W激光器芯片COD曲线，a代表COD曲线，b代表电压曲线，c代表电源转换效率曲线。
图6是本发明制备的SiC衬底0.5W激光器芯片COD曲线，a代表COD曲线，b代表电压曲线，c代表电源转换效率曲线。
图中：1、GaAs衬底，2、GaAs缓冲层，3、N限制层，4、有源区，5、P限制层，6、GaAs欧姆接触层，7、SiO2电流阻挡层，8、NiAu金属欧姆接触层，9、NiAu欧姆接触层，10、SiC衬底，11、TiAu金属键合层，12、NiAu电极金属层。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步说明，但不限于此。
实施例1：
制备的SiC衬底倒装激光器N电极在上，P电极在下。在本实施例中，常规激光器芯片衬底选用GaAs衬底，所述激光器结构选用氧化物条形结构。
一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片，产品结构如图4所示。包括：
a、常规激光器芯片，芯片结构从下到上依次包括：GaAs衬底1、GaAs缓冲层2、N限制层3、有源区4、P限制层5、GaAs欧姆接触层6、SiO2电流阻挡层7、NiAu金属欧姆接触层8；
b、一SiC衬底10，该SiC衬底10底面镀有NiAu欧姆接触层9，另一面镀有TiAu金属键合层11；
所述常规激光器芯片的NiAu金属欧姆接触层8通过所述SiC衬底10上的金属键合层11键合在一起；去除GaAs衬底1后的常规激光器芯片面蒸镀有NiAu电极金属层12，此NiAu电极金属层12作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层9作为激光器芯片的P电极。
制备步骤如下：
(1)采用常规MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积)工艺在GaAs衬底1上生长红色激光器外延层，从下到上依次包括：GaAs缓冲层2、N限制层3、有源区4、P限制层5、GaAs欧姆接触层6；制备常规红色激光器芯片结构，包括SiO2电流阻挡层7厚度为300nm、NiAu金属欧姆接触层8，如图1所示。
(2)将SiC衬底10底面蒸镀NiAu欧姆接触层9，另一面蒸镀TiAu金属键合层11，厚度分别为2μm和1.5μm，如图2所示；
(3)将制备的常规激光器芯片NiAu金属欧姆接触层8与TiAu金属键合层11通过键合技术键合在一起，如图3所示；
(4)通过湿法腐蚀去除激光器GaAs衬底1，腐蚀液配比为双氧水、氨水和水的体积比为1∶3∶3，腐蚀干净后用去离子水清洗；然后在去除衬底的激光器芯片上蒸镀NiAu电极金属层12，厚度为2μm，此NiAu电极金属层12作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层9作为激光器芯片的P电极，如图4所示，至此SiC衬底倒装激光器制备完成。激光器芯片COD曲线如图6所示。
实施例2：
SiC衬底倒装激光器，N电极在上，P电极在下。如实施例1所述，所不同的是：
所述常规激光器芯片衬底选用GaN衬底，所述激光器结构选用氧化物条形结构。
所述电流阻挡层选自SiN4；所述金属键合层选自Au；所述金属欧姆接触层选自CrAu；所述电极金属层选自GeAu。
所述金属键合层的厚度为3μm；所述电极金属层厚度为3μm。
一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片，产品结构包括：
a、常规激光器芯片，芯片结构从下到上依次包括：GaN衬底、GaN缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaN欧姆接触层、SiN4电流阻挡层、CrAu金属欧姆接触层；
b、一SiC衬底，该SiC衬底底面镀有NiAu欧姆接触层，另一面镀有Au金属键合层；
所述常规激光器芯片的CrAu金属欧姆接触层通过所述SiC衬底上的Au金属键合层键合在一起；去除GaN衬底后的常规激光器芯片面蒸镀有GeAu电极金属层，此GeAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极。
制备步骤如下：
(1)采用常规MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积)工艺在GaN衬底上生长蓝色激光器外延层，从下到上依次包括：GaN缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaN欧姆接触层；制备常规蓝色激光器芯片结构，包括SiN4电流阻挡层、CrAu金属欧姆接触层。
(2)将SiC衬底底面蒸镀NiAu欧姆接触层，另一面蒸镀Au金属键合层，厚度分别为2μm和3μm；
(3)将制备的常规激光器芯片CrAu金属欧姆接触层与Au金属键合层通过键合技术键合在一起；
(4)通过湿法腐蚀去除激光器GaN衬底，腐蚀液配比为氢氟酸和水的体积比为1∶20，腐蚀干净后用去离子水清洗；然后在去除衬底的激光器芯片上蒸镀GeAu电极金属层，厚度为3μm，此GeAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极，至此SiC衬底倒装激光器制备完成。
性能测试：
对常规GaAs衬底0.5W激光器芯片和本发明实施例1制备的SiC衬底0.5W激光器芯片在室温25℃、连续电流下按常规方法进行测试。如图5和图6分别为常规GaAs衬底0.5W激光器芯片和本发明实施例1的SiC衬底0.5W激光器芯片COD曲线，图5中a线和图6中a线可看出常规激光器芯片在电流小于1.6A时就出现COD现象，而本发明实施例1的激光器芯片在电流大于2A时依然未有COD现象。另外分别对其进行10000小时的老化，常规激光器芯片老化后功率衰减7％，本发明制备的激光器芯片老化后仅衰减4％。
本发明制备的SiC衬底倒装激光器，由于SiC衬底具有高热导率，且SiC材料和III-V族材料有较好的应力匹配，得到器件的结晶性能好、缺陷密度低，克服了传统激光器芯片的散热、失配等问题，提高了器件的性能和寿命。
Claims (2)
1.一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片的制作方法，步骤如下：
（1）采用常规MOCVD工艺在GaAs衬底上生长红色激光器外延层，从下到上依次包括：GaAs缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaAs欧姆接触层；制备常规红色激光器芯片结构，包括厚度为300nm的SiO2电流阻挡层、NiAu金属欧姆接触层；
（2）将SiC衬底底面蒸镀NiAu欧姆接触层，另一面蒸镀TiAu金属键合层，厚度分别为2μm和1.5μm；
（3）将步骤（1）制备的常规激光器芯片NiAu金属欧姆接触层与步骤（2）制得的TiAu金属键合层通过键合技术键合在一起；
（4）通过湿法腐蚀去除激光器GaAs衬底，腐蚀液配比为双氧水、氨水和水的体积比为1：3：3，腐蚀干净后用去离子水清洗；然后在去除衬底的激光器芯片上蒸镀NiAu电极金属层，厚度为2μm，此NiAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极，至此SiC衬底倒装激光器制备完成。
2.一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片的制作方法，步骤如下：
（1）采用常规MOCVD工艺在GaN衬底上生长蓝色激光器外延层，从下到上依次包括：GaN缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、GaN欧姆接触层；制备常规蓝色激光器芯片结构，包括SiN4电流阻挡层、CrAu金属欧姆接触层；
（2）将SiC衬底底面蒸镀NiAu欧姆接触层，另一面蒸镀Au金属键合层，厚度分别为2μm和3μm；
（3）将制备的常规激光器芯片CrAu金属欧姆接触层与步骤（2）制得的Au金属键合层通过键合技术键合在一起；
（4）通过湿法腐蚀去除激光器GaN衬底，腐蚀液配比为氢氟酸和水的体积比为1:20，腐蚀干净后用去离子水清洗；然后在去除衬底的激光器芯片上蒸镀GeAu电极金属层，厚度为3μm，此GeAu电极金属层作为激光器芯片的N电极，SiC衬底底面NiAu欧姆接触层作为激光器芯片的P电极，至此SiC衬底倒装激光器制备完成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110274959.0A CN103001119B (zh) | 2011-09-16 | 2011-09-16 | 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110274959.0A CN103001119B (zh) | 2011-09-16 | 2011-09-16 | 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103001119A CN103001119A (zh) | 2013-03-27 |
| CN103001119B true CN103001119B (zh) | 2015-06-24 |
Family
ID=47929396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110274959.0A Active CN103001119B (zh) | 2011-09-16 | 2011-09-16 | 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103001119B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016120685A1 (de) * | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und Halbleiterlaser |
| CN108305918B (zh) | 2017-01-12 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 |
| CN108718030B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-07-06 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 | 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 |
| CN111073649A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-28 | 中国科学院半导体研究所 | 用于二次外延预处理的腐蚀液、其制备方法及预处理方法 |
| CN111934186B (zh) * | 2020-08-06 | 2021-06-15 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种判断半导体激光器芯片光学灾变类型的方法 |
| CN113113838B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-12-23 | 武汉华工正源光子技术有限公司 | 集成激光器件及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574518A (zh) * | 2003-05-09 | 2005-02-02 | 夏普株式会社 | 制造半导体激光装置的方法 |
| CN1619844A (zh) * | 2004-01-26 | 2005-05-25 | 金芃 | GaN基LED倒扣焊组合和灯具及晶片水平的倒扣焊工艺 |
| CN1770575A (zh) * | 2004-11-01 | 2006-05-10 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 |
-
2011
- 2011-09-16 CN CN201110274959.0A patent/CN103001119B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1574518A (zh) * | 2003-05-09 | 2005-02-02 | 夏普株式会社 | 制造半导体激光装置的方法 |
| CN1619844A (zh) * | 2004-01-26 | 2005-05-25 | 金芃 | GaN基LED倒扣焊组合和灯具及晶片水平的倒扣焊工艺 |
| CN1770575A (zh) * | 2004-11-01 | 2006-05-10 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103001119A (zh) | 2013-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103001119B (zh) | 一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法 | |
| US9082934B2 (en) | Semiconductor optoelectronic structure with increased light extraction efficiency | |
| CN110085518B (zh) | 一种选择性电化学方法剥离的可转移GaN薄膜及其器件的制备方法 | |
| CN101661985B (zh) | 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法 | |
| CN103305909B (zh) | 一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法 | |
| CN102222734B (zh) | 一种倒置太阳能电池制作方法 | |
| TWI405257B (zh) | 分離基板與半導體層的方法 | |
| US10840419B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and manufacture method therefore | |
| CN103140946A (zh) | 制造GaN基半导体器件的方法 | |
| CN110783170B (zh) | 一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法 | |
| CN104078837B (zh) | 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件及制作方法 | |
| CN102569537B (zh) | 一种垂直结构发光二极管芯片的制造方法 | |
| CN102067345A (zh) | 用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法 | |
| CN101997068A (zh) | 一种制备GaN基LED的方法 | |
| US7053417B2 (en) | Semiconductor led device and producing method | |
| JP6017035B2 (ja) | 金属拡散を防止する保護層付きの複合基板 | |
| CN110600470B (zh) | 一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法 | |
| CN102842850A (zh) | 双面散热的高效大功率半导体激光器 | |
| CN106328774A (zh) | 一种GaN薄膜的外延生长方法及应用 | |
| CN203205703U (zh) | 一种GaN基蓝绿光激光二极管器件 | |
| CN105047769A (zh) | 一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法 | |
| CN108718030B (zh) | 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 | |
| KR100663321B1 (ko) | 수직전극형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| TWI427821B (zh) | Method for fabricating planar conduction type light emitting diodes with thermal guide substrate | |
| KR20060057855A (ko) | ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 261061 Weifang high tech Zone, Jin Road, No. 9, No. Patentee after: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 261061 Weifang high tech Zone, Jin Road, No. 9, No. Patentee before: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20151123 Address after: Tianchen Avenue high tech Zone of Ji'nan City, Shandong Province, No. 1835 250101 Patentee after: Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd. Address before: 261061 Weifang high tech Zone, Jin Road, No. 9, No. Patentee before: SHANDONG INSPUR HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tianchen Avenue high tech Zone of Ji'nan City, Shandong Province, No. 1835 250101 Patentee after: SHANDONG HUAGUANG OPTOELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: Tianchen Avenue high tech Zone of Ji'nan City, Shandong Province, No. 1835 250101 Patentee before: Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd. |