CN103000771B - 发光二极管的制造方法 - Google Patents

发光二极管的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103000771B
CN103000771B CN201110275572.7A CN201110275572A CN103000771B CN 103000771 B CN103000771 B CN 103000771B CN 201110275572 A CN201110275572 A CN 201110275572A CN 103000771 B CN103000771 B CN 103000771B
Authority
CN
China
Prior art keywords
convex surface
cover layer
emitting diode
electrode
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201110275572.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103000771A (zh
Inventor
林新强
曾文良
陈立翔
罗杏芬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongshan Bright Lighting Technology Co Ltd
Original Assignee
Scienbizip Consulting Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Scienbizip Consulting Shenzhen Co Ltd filed Critical Scienbizip Consulting Shenzhen Co Ltd
Priority to CN201110275572.7A priority Critical patent/CN103000771B/zh
Priority to TW100134263A priority patent/TWI425683B/zh
Priority to US13/569,120 priority patent/US20130069101A1/en
Publication of CN103000771A publication Critical patent/CN103000771A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103000771B publication Critical patent/CN103000771B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管的制造方法，该制造方法包括步骤：提供引脚结构包括隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极分别包括第一凸面和第二凸面；在引脚结构的第一凸面和第二凸面上分别覆盖第一覆盖层及第二覆盖层；提供模具具有包覆该引脚结构的腔体，该模具部分贴合于该引脚结构；往模具所形成的腔体内注塑流体材料形成基座，该流体材料在注塑过程中避开第一覆盖层及第二覆盖层；移除模具；移除该第一覆盖层及第二覆盖层；将发光芯片电连接至第一凸面及第二凸面；及在发光芯片上覆盖封装层。通过以上步骤制成的发光二极管由于搭载芯片的第一凸面、第二凸面光滑无毛边的表面，能有效提高封装过程中产品的良率。

Description

发光二极管的制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。LED通常包括基座、与基座结合的二电极、固定在基座上并连接二电极的发光芯片以及封装芯片的封装体。发光二极管的基座通常是通过注塑等方式成型在电极上的。然而，现有的LED在成型过程当中由于制程原因容易在电极表面形成毛边，影响到后续芯片在电极表面的打线过程，直接降低下游厂商生产发光二极管的良率，导致封装成本增高。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种有效防止毛边的发光二极管的制造方法。
一种发光二极管的制造方法，该制造方法包括步骤：提供引脚结构，该引脚结构包括隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极分别包括第一凸面和第二凸面；在引脚结构的第一凸面和第二凸面上分别覆盖第一覆盖层及第二覆盖层；提供模具，该模具具有包覆该引脚结构的腔体，该模具部分贴合于该引脚结构；往模具所形成的腔体内注塑流体材料形成基座，该流体材料在注塑过程中避开第一覆盖层及第二覆盖层；移除模具；移除该第一覆盖层及第二覆盖层以暴露出第一凸面及第二凸面；将发光芯片电连接至第一凸面及第二凸面；及在发光芯片上覆盖封装层。
通过以上步骤制成的发光二极管由于搭载芯片的第一凸面、第二凸面在注塑过程中被覆盖层所保护，因此在去除覆盖层之后可形成光滑无毛边的表面，能有效提高封装过程中产品的良率，降低封装成本。
附图说明
图1是本发明发光二极管的制造方法的第一步骤。
图2是本发明发光二极管的制造方法的第二步骤。
图3是本发明发光二极管的制造方法的第三步骤。
图4是本发明发光二极管的制造方法的第四步骤。
图5是本发明发光二极管的制造方法的第五步骤。
图6是本发明发光二极管的制造方法的第六步骤。
图7是图6中发光二极管半成品的俯视图。
图8是本发明发光二极管的制造方法的第七步骤。
图9是经过图1-8的步骤制造完成的发光二极管。
主要元件符号说明
10 引脚结构
100 发光二极管
11 第一电极
12 第二电极
13 第一凸起
14 第二凸起
15 第一凸面
16 第二凸面
17 第一覆盖层
18 第二覆盖层
19 覆盖层
20 模具
21 底模
22 顶模
23、24、27、28 凹槽
230 内壁
30 基座
40 芯片
41 导线
50 封装结构
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1-9，示出了本发明发光二极管100的制造方法，其主要包括如下各个步骤：
步骤一：如图1所示，提供一引脚结构10，该引脚结构10由金属或者ITO（氧化铟锡）等导电率高的材料制成，其包括一第一电极11以及一第二电极12。第一电极11大体呈一“匸”字型，其先由右往左水平延伸出一段位于下端的水平段，然后竖直向上延伸出一垂直段后再由左向右延伸出一位于上端的水平段，该位于上端的水平段再继续延伸形成一第一凸起13。该第一凸起13大致呈一梯形，其向上凸伸出一水平的第一凸面15。第二电极12具有大致与第一电极11对称的结构，其先由左往右水平延伸的水平段，然后竖直向上延伸一垂直段后再由右向左延伸出一位于上端的水平段，该位于上方的水平段继续延伸形成一第二凸起14。该第二凸起14向上延伸出一水平的第二凸面16。第一电极11与第二电极12垂直高度相等，且其二者延伸的第一凸起13和第二凸起14高度相等。即，第一凸面15与第二凸面16处于同一水平面上。第二电极12的水平宽度比第一电极11略短，第二凸面16也比第一凸面15的水平宽度略短。
步骤二：如图2所示，提供一覆盖层19于第一凸起13和第二凸起14上。覆盖层19可以为光阻或者高分子化合物制成。该覆盖层19的一部分完全覆盖第一凸面15形成第一覆盖层17，另一部分完全覆盖第二凸面16形成第二覆盖层18。第一覆盖层17和第二覆盖层18的相对两侧顺着第一凸起13及第二凸起14的从第一凸面15和第二凸面16两侧延伸的斜边的倾斜方向而形成一梯形状的截面。
步骤三，如图3所示，提供一模具20用以包覆该引脚结构10。该模具20由底模21和顶模22两部分组成，其底模21包含一凹槽23以承载该引脚结构10的下端，该凹槽23的大小能刚好收容第一电极11以及第二电极12的下端水平部分及竖直向上延伸的部分。当该引脚结构10搭载在模具20的该凹槽23中，凹槽23的内壁230与该引脚结构10的下端及竖直向上延伸段贴合。并且，该凹槽23的内壁230的侧边界高度与该引脚结构10的高度相等。也即是说，该凹槽23的的凹陷深度等于第一电极11的底面到第一凸面15的顶面的垂直距离。顶模22用以覆盖该引脚结构10的上端，包含两个凹槽27、28用以收容覆盖在第一凸面15和第二凸面16上面的第一覆盖层17和第二覆盖层18。该两个凹槽27、28形成的空间大于或等于该第一凸起13和第二凸起14的第一覆盖层17及第二覆盖层18的体积，凹槽27对应于第一凸起13，凹槽28对应于第二凸起14。在本实施方式中，凹槽27、28的截面形状优选为与第一覆盖层17、第二覆盖层18的截面形状相似的梯形。凹槽27、28的截面所呈梯形的底边和底角对应与第一覆盖层17、第二覆盖层18的截面所呈梯形的底边和底角相等。凹槽27、28的深度大于第一覆盖层17及第二覆盖层18的厚度。顶模22的除凹槽27、28之外还包含一环形凹槽24。该凹槽24对应于第一电极11以及第二电极12的位于上端的水平段。该凹槽24的形状根据发光二极管100设计的基座30的形状设计。将模具20的顶模22和底模21扣合，将该引脚结构10包覆于其中。模具20的凹槽24与引脚结构10之间还存在空隙。
步骤四，如图4所示，通过注塑一流体材料形成一基座30包覆该引脚结构10。该流体材料填满该引脚结构10中间包覆的部分以及其上端避开第一凸面15和第二凸面16的外露部分以及该模具20的凹槽24。由于第一覆盖层17和第二覆盖层18紧密覆盖在第一凸面15和第二凸面16上，所以该流体材料不会流到该第一凸面15和第二凸面16上。又由于模具20的设置，该流体材料基本不流入该模具20与该第一覆盖层17以及第二覆盖层18之间的间隙。该流体材料填满该模具20包覆的空腔后经过处理变成固体而成型基座30。
步骤五，如图5所示，移除该模具20。由于该基座30填满该引脚结构10的内部以及覆盖其表面，也即是该引脚结构10上端除第一凸面15和第二凸面16外的其他部分全部被基座30覆盖，因此该引脚结构10与该基座30具有高密合度。该基座30由模具20的凹槽24形成的环状部分围绕该第一覆盖层17和第二覆盖层18。基座30还可进一步在其环状部分的内表面以及第一凸面15和第二凸面16之间的部分上覆盖一层高反射率材料形成反射层。
步骤六，如图6-7所示，通过蚀刻、洗涤或光照等方式去除第一覆盖层17和第二覆盖层18，使第一凸面15和第二凸面16外露。第一凸面15与该第二凸面16与基座30的内凹表面处于同一水平高度。基座30的内凹表面没有覆盖该第一凸面15和第二凸面16，其他区域均由基座30覆盖。由于该第一凸面15和第二凸面16在形成基座30的过程中由第一覆盖层17和第二覆盖层18保护，该流体材料并不会漫延至该第一凸面15和第二凸面16，因此去除第一覆盖层17和第二覆盖层18后的第一凸面15和第二凸面16光滑无毛边。
步骤七，如图8所示，在第一凸面15上搭载一发光芯片40，发光芯片40与第一凸面15形成电性连接，并通过导线41电连接至第二凸面16。也即是该芯片40的两个电极分别与第一电极11和第二电极12形成电性连接。由于覆盖在第一凸面15和第二凸面16附近的基座30上均镀有反射膜，故当发光芯片40通电对外发光时，基座30提供多方位的反射。又由于第一凸面15和第二凸面16为光滑无毛边的表面，故芯片40能稳固地搭载在第一凸面15上，导线41能够可靠地焊接于第二凸面16上。
步骤八，如图9所示，在芯片40表面覆盖封装结构50而成型发光二极管100。该封装结构50填满基座30的内凹表面。该封装结构50还可包含有荧光粉。
通过以上步骤制成的发光二极管100由于其基座30与导电结构，即引脚结构10的高密合度可具有良好的封装密合度。并且由于芯片40搭载的第一凸面15、第二凸面16光滑无毛边，能有效提高封装过程中产品的良率。

Claims (10)

1.一种发光二极管的制造方法，该制造方法包括步骤：
提供引脚结构，该引脚结构包括隔开的第一电极及第二电极，第一电极及第二电极分别包括第一凸面和第二凸面；
在引脚结构的第一凸面和第二凸面上分别覆盖第一覆盖层及第二覆盖层；
提供模具，该模具具有包覆该引脚结构的腔体以及收容所述第一覆盖层及所述第二覆盖层的凹槽，该模具部分贴合于该引脚结构；
往模具所形成的腔体内注塑流体材料形成基座，该流体材料在注塑过程中避开第一覆盖层及第二覆盖层；
移除模具；
移除该第一覆盖层及第二覆盖层以暴露出第一凸面及第二凸面；
将发光芯片电连接至第一凸面及第二凸面；及
在发光芯片上覆盖封装层。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该第一电极包括水平段及自该水平段向上凸伸的第一凸起，该第二电极包括水平段及自该水平段向上凸伸的第二凸起。
3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该第一凸面和第二凸面分别位于该第一凸起与第二凸起上。
4.如权利要求3所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该第一覆盖层完全覆盖该第一凸面，该第二覆盖层完全覆盖第二凸面。
5.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：第一电极还包括自其水平段向下延伸的垂直段及自该垂直段水平延伸的另一水平段，该第二电极还包括自其水平段向下延伸的垂直段及自该垂直段水平延伸的另一水平段。
6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该模具由第一部分和第二部分组成，其第一部分包含一凹槽承载该引脚结构，在注塑流体过程中该凹槽的内壁与该第一电极及第二电极的垂直段及另一水平段贴附。
7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该模具的第二部分至少包含两凹槽用于收容该引脚结构的第一凸面和第二凸面上的第一覆盖层和第二覆盖层。
8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该两凹槽的形成的空间大于或等于该第一凸面和第二凸面上的覆盖层的体积。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：该模具的第二部分还包含环形凹槽，流体材料在注塑成型后生成一环状部分围绕该第一凸面和第二凸面。
10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：在该环状部分内表面覆盖一层高反射率材料形成反射层。
CN201110275572.7A 2011-09-16 2011-09-16 发光二极管的制造方法 Expired - Fee Related CN103000771B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110275572.7A CN103000771B (zh) 2011-09-16 2011-09-16 发光二极管的制造方法
TW100134263A TWI425683B (zh) 2011-09-16 2011-09-23 發光二極體的製造方法
US13/569,120 US20130069101A1 (en) 2011-09-16 2012-08-07 Method for manufacturing led and led obtained thereby

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110275572.7A CN103000771B (zh) 2011-09-16 2011-09-16 发光二极管的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103000771A CN103000771A (zh) 2013-03-27
CN103000771B true CN103000771B (zh) 2015-03-18

Family

ID=47879820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110275572.7A Expired - Fee Related CN103000771B (zh) 2011-09-16 2011-09-16 发光二极管的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130069101A1 (zh)
CN (1) CN103000771B (zh)
TW (1) TWI425683B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100487933C (zh) * 2006-02-23 2009-05-13 宏齐科技股份有限公司 发光二极管的封装结构及其封装方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1197469A (ja) * 1997-09-17 1999-04-09 Shinko Electric Ind Co Ltd プリモールドパッケージの製造方法
US6610598B2 (en) * 2001-11-14 2003-08-26 Solidlite Corporation Surface-mounted devices of light-emitting diodes with small lens
KR100731677B1 (ko) * 2006-04-21 2007-06-22 서울반도체 주식회사 표면처리된 수지 봉지재를 갖는 발광 다이오드 패키지제조방법 및 그것에 의해 제조된 패키지
JP5180690B2 (ja) * 2008-06-06 2013-04-10 アピックヤマダ株式会社 Ｌｅｄチップ実装用基板の製造方法、ｌｅｄチップ実装用基板のモールド金型、ｌｅｄチップ実装用基板、及び、ｌｅｄ
KR101498682B1 (ko) * 2008-08-20 2015-03-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100487933C (zh) * 2006-02-23 2009-05-13 宏齐科技股份有限公司 发光二极管的封装结构及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI425683B (zh) 2014-02-01
TW201314954A (zh) 2013-04-01
CN103000771A (zh) 2013-03-27
US20130069101A1 (en) 2013-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100998233B1 (ko) 슬림형 ｌｅｄ 패키지
TWI466336B (zh) 發光二極體製造方法
KR100757196B1 (ko) 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
JP2013125776A (ja) リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
CN102738351B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法
JP2014082453A (ja) 発光装置の製造方法
TWI443875B (zh) Led封裝結構的製作方法
KR101374898B1 (ko) 계면 분리를 줄인 ｌｅｄ 패키지
JP2013138204A (ja) 発光ダイオードの製造方法
TWI482318B (zh) 發光二極體及其封裝結構
US20130015490A1 (en) Led and method for manufacturing the same
CN109920903B (zh) 一种led器件及背光模组
CN102810618B (zh) 半导体封装结构
CN103000771B (zh) 发光二极管的制造方法
KR101202169B1 (ko) 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지 제조방법
JPH0563242A (ja) 発光ダイオード用リードフレーム及び発光ダイオードランプ
US8334175B1 (en) Manufacturing method of LED package structure
TWI455370B (zh) 發光二極體的製作方法
TWI440225B (zh) 發光二極體的製造方法
TWI538256B (zh) 發光二極體的製造方法
CN103378262B (zh) 发光二极管及其封装方法
TWI543412B (zh) 發光二極體及其製造方法
CN203250781U (zh) 一种led封装结构
KR20110126096A (ko) 다중 몰딩부재를 갖는 발광 다이오드 패키지
TWI459598B (zh) 半導體封裝製造方法及其封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SCIENBIZIP CONSULTING (SHENZHEN) CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ZHANJING TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.

Effective date: 20150121

Free format text: FORMER OWNER: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY INC.

Effective date: 20150121

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150121

Address after: 518109 Guangdong province Shenzhen city Longhua District Dragon Road No. 83 wing group building 11 floor

Applicant after: SCIENBIZIP CONSULTING (SHEN ZHEN) CO., LTD.

Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Street tabulaeformis Industrial Zone tenth east two Ring Road No. two

Applicant before: Zhanjing Technology (Shenzhen) Co., Ltd.

Applicant before: Advanced Optoelectronic Technology Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CB03 Change of inventor or designer information
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Wang Ye

Inventor after: Lin Xinqiang

Inventor after: Zeng Wenliang

Inventor after: Chen Lixiang

Inventor after: Luo Xingfen

Inventor before: Lin Xinqiang

Inventor before: Zeng Wenliang

Inventor before: Chen Lixiang

Inventor before: Luo Xingfen

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170511

Address after: 528400, the ancient town of Guangdong, Zhongshan Province, Cao Di, Sha Industrial Zone, building fourth, fifth

Patentee after: Zhongshan bright lighting technology Co., Ltd.

Address before: 518109 Guangdong province Shenzhen city Longhua District Dragon Road No. 83 wing group building 11 floor

Patentee before: SCIENBIZIP CONSULTING (SHEN ZHEN) CO., LTD.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150318

Termination date: 20170916