CN103000668A - 一种高耐压肖特基芯片 - Google Patents

一种高耐压肖特基芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN103000668A
CN103000668A CN2012105775271A CN201210577527A CN103000668A CN 103000668 A CN103000668 A CN 103000668A CN 2012105775271 A CN2012105775271 A CN 2012105775271A CN 201210577527 A CN201210577527 A CN 201210577527A CN 103000668 A CN103000668 A CN 103000668A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon oxide
oxide layer
schottky
thickness
polysilicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012105775271A
Other languages
English (en)
Inventor
关仕汉
吕新立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zibo Micro Commerical Components Corp
Original Assignee
Zibo Micro Commerical Components Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zibo Micro Commerical Components Corp filed Critical Zibo Micro Commerical Components Corp
Priority to CN2012105775271A priority Critical patent/CN103000668A/zh
Publication of CN103000668A publication Critical patent/CN103000668A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

一种高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（4）、紧靠肖特基界面（4）下方的多晶硅（2）、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N-EPI（5）和N型基片N+Substrate（6），其特征在于：多晶硅（2）外的氧化硅层的底部氧化硅层（7）厚度大于边部氧化硅层（3）厚度。由于氧化硅底部厚度较现有技术氧化硅底部厚度厚，因而在沟槽底部弯角地方电场的反向电压得到疏解所以产品反向耐压可以提高15—30%。

Description

一种高耐压肖特基芯片
技术领域
一种高耐压肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。具体涉及一种高耐压Schottky N通道肖特基芯片。
背景技术
传统肖特基芯片，多晶硅外部的沟槽氧化硅层的厚度一致，如图2所示，在沟槽底部弯角的地方容易发生电力击穿，所以肖特基芯片反向耐压较低，不能满足高耐压或降低正向压降的要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种可以提高肖特基芯片反向耐压或降低正向压降的高耐压肖特基芯片。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该一种高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层、顶部金属层下方的肖特基界面、紧靠肖特基界面下方的多晶硅、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N-EPI和N型基片N+Substrate，其特征在于：多晶硅外的氧化硅层的底部氧化硅层厚度大于边部氧化硅层厚度。
所述的底部氧化硅层厚度为边部氧化硅层厚度的2-5倍。
与现有技术相比，本发明的一种高耐压肖特基芯片所具有的有益效果是：
本发明的沟槽氧化硅层底部厚度较现有技术沟槽氧化硅层底部厚度厚，因而在沟槽底部弯角地方电场的反向电压得到疏解所以产品反向耐压可以提高15-30%；或可以保持原有的反向电压要求，但是提高N-EPI外延的掺杂浓度从而降低导通正向电流时的压降VF，从而提升正向导通的效率。
上述描述的是N通道高耐压肖特基芯片，可以把N与P互换，则可适用在P通道高耐压肖特基芯片的结构并达到相应的效果。
附图说明
图1是底部较厚氧化硅层的肖特基架构示意图。
图2是现有技术肖特基架构示意图。
其中：1、顶部金属层  2、多晶硅   3、边部氧化硅层  4、肖特基界面  5、N型外延层 N-EPI   6、N型基片N+ Substrate    7、底部氧化硅层。  
具体实施方式
图1是本发明的最佳实施例。下面结合附图1对本发明的一种高耐压肖特基芯片做进一步描述。
本高耐压肖特基芯片，由顶部金属层1、多晶硅2、边部氧化硅层3、肖特基界面4、N型外延层N-EPI5、N型基片N+ Substrate6和底部氧化硅层7组成。N型基片N+Substrate6为重掺N型衬底。从下部往上依次为：N型基片N+Substrate6、N型外延层N-EPI 5 、底部氧化硅层7、多晶硅2、边部氧化硅层3、肖特基界面4和顶部金属层1，多晶硅2外的氧化硅层底部氧化硅层7的厚度大于边部氧化硅层3的厚度。所述的底部氧化硅层7厚度为边部氧化硅层3厚度的2-5倍。
如底部氧化硅层7厚度为边部氧化硅层3厚度的2倍，产品反向耐压可以提高15%；
底部氧化硅层7厚度为边部氧化硅层3厚度的3倍，产品反向耐压可以提高20%；
底部氧化硅层7厚度为边部氧化硅层3厚度的5倍，产品反向耐压可以提高30%。
本发明在肖特基二极管芯片制作中，将芯片沟槽底部的氧化硅层加厚，再进行多晶硅的填充从而有效防止沟槽底部弯角的地方发生电力击穿，产品反向耐压得以提高。或可以保持原有的反向电压要求，降低导通正向电流时的压降VF。
本发明主要解决肖特基沟槽底部弯角地方容易击穿造成反向电压低的问题。本发明把肖特基原来的氧化硅层底部加厚，使电场在反向电压得到疏解，所以反向耐压可以提高。或可以保持原有的反向电压要求，但是提高N-EPI外延的掺杂浓度从而降低导通正向电流时的压降VF，从而提升正向导通的效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (2)

1.一种高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（4）、紧靠肖特基界面（4）下方的多晶硅（2）、多晶硅外的氧化硅层、下部的N型外延层N-EPI（5）和N型基片N+ Substrate（6），其特征在于：多晶硅（2）外的氧化硅层的底部氧化硅层（7）厚度大于边部氧化硅层（3）厚度。
2.根据权利要求1所述的一种高耐压肖特基芯片，其特征在于：所述的底部氧化硅层（7）厚度为边部氧化硅层（3）厚度的2-5倍。
CN2012105775271A 2012-12-27 2012-12-27 一种高耐压肖特基芯片 Pending CN103000668A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105775271A CN103000668A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种高耐压肖特基芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105775271A CN103000668A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种高耐压肖特基芯片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103000668A true CN103000668A (zh) 2013-03-27

Family

ID=47929034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012105775271A Pending CN103000668A (zh) 2012-12-27 2012-12-27 一种高耐压肖特基芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103000668A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110352498A (zh) * 2017-02-27 2019-10-18 株式会社田村制作所 沟槽mos型肖特基二极管

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050161758A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Davide Chiola Schottky with thick trench bottom and termination oxide and process for manufacture
CN101371337A (zh) * 2005-01-14 2009-02-18 国际整流器公司 具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基势垒二极管
CN203165900U (zh) * 2012-12-27 2013-08-28 淄博美林电子有限公司 一种高耐压肖特基芯片

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050161758A1 (en) * 2004-01-27 2005-07-28 Davide Chiola Schottky with thick trench bottom and termination oxide and process for manufacture
CN101371337A (zh) * 2005-01-14 2009-02-18 国际整流器公司 具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基势垒二极管
CN203165900U (zh) * 2012-12-27 2013-08-28 淄博美林电子有限公司 一种高耐压肖特基芯片

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110352498A (zh) * 2017-02-27 2019-10-18 株式会社田村制作所 沟槽mos型肖特基二极管
CN110352498B (zh) * 2017-02-27 2022-10-11 株式会社田村制作所 沟槽mos型肖特基二极管

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102214678B (zh) 一种功率半导体器件的3d-resurf结终端结构
US8736012B2 (en) Trenched semiconductor structure
CN103426910B (zh) 功率半导体元件及其边缘终端结构
CN103117302A (zh) Fs型igbt器件的背面结构
KR200470298Y1 (ko) 쇼트키 다이오드의 종단 영역 트렌치 구조
CN203165900U (zh) 一种高耐压肖特基芯片
CN103035674B (zh) 射频横向双扩散场效应晶体管及其制造方法
CN202307905U (zh) 具有高反向阻断性能肖特基二极管
CN103000668A (zh) 一种高耐压肖特基芯片
CN104900526A (zh) Vdmos的制造方法和vdmos
CN208422922U (zh) 一种优化开关速度的沟槽栅超结半导体器件
CN203165902U (zh) 一种高效率、高耐压肖特基芯片
CN103022090A (zh) 一种高效率、高耐压肖特基芯片
CN103730355B (zh) 一种超结结构的制造方法
CN101834208A (zh) 一种低导通电阻的功率mos场效应管及制造方法
CN104616986A (zh) 一种快恢复二极管的制备方法
CN108538925A (zh) 一种碳化硅结势垒肖特基二极管
CN203179895U (zh) 一种具有场截止结构的igbt
CN204067367U (zh) 功率半导体器件
CN204011433U (zh) 功率半导体器件
CN202058737U (zh) 具有p埋层的横向沟道soi ligbt器件单元
CN207217548U (zh) 具有局部p型帽层的晶体管器件
CN102169893B (zh) 一种具有p埋层的横向沟道soi ligbt器件单元
CN203707138U (zh) Mosfet功率器件的终端结构
CN203055917U (zh) 一种高效率肖特基芯片

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130327