CN102998553A - 用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法和装置 - Google Patents
用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法和装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法和装置,其中,该方法包括:确定第一中间集组,每个中间集均包含电子元件的第一数量的操作参数的组合;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包括相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得第二组为多个集的集合的子集,每个集均包含相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合。
Description
技术领域
本发明涉及用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法和装置。
背景技术
当在电子元件的制造期间或之后对电子元件进行测试时,测试程序可能会涉及到极端测试(corner testing)。在极端测试期间,被测器件(DUT)在其几个操作参数同时处于极限水平的情形下,即使各个操作参数的每个值均处于该操作参数的特定范围内,而针对其可操作性被进行测试。因此,极端状况与仅在几个操作参数值处于其额定范围的“边缘”时(即,几个操作参数采用其对应的最小额定值或最大额定值(极限值)时)才会出现的问题或情况相对应。极端状况的再现、测试和最优化通常更加困难和昂贵,因为它们要求多个操作参数的极限配置。除此之外,由于某些生产商认为其产品同时在多个极限设置下操作的机会非常小,所以他们往往不愿意对极端状况进行彻底测试。
极端测试通常用在半导体器件的前硅(pre-Si)和后硅(post-Si)验证中,以确保DUT在规格、工艺变化和正常条件的其他偏差所带来的所有限制下的功能。这些测试面临上述问题,另外,由于操作参数的数量一般较大,它们会消耗大量珍贵的测试时间。100%覆盖所有极端状况的穷举或完全测试涉及到对最小和最大操作参数的所有可能组合下的器件进行测试和/或模拟。这种测试和/或模拟的数量随着验证空间的大小,即,器件的所考虑的操作参数的数量而按指数增加,因此,测试和/或模拟时间也随之增加。毫无疑问,不完全测试可缩短测试时间,但这会导致检测不到应用故障。蒙特卡罗测试会对整个验证空间进行探测,但仅能针对无限数量的试运行和/或模拟运行实现所有极端状况的100%(平均)覆盖。
发明内容
各个实施方式均提供了一种用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,该方法可产生用于大量(例如,1至100个)极端状况或极端条件的压缩极端测试,从而可确保在可行测试时间内100%覆盖前硅和/或后硅模拟中的极端状况或极端条件。
根据各个实施方式,提供了一种用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法。该方法可包括:确定第一中间集组,每个中间集均包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数均可具有多个参数值;确定第二参考集组,其中,第二组包含多个集的集合,每个集均包括相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得第二集为多个集的集合的子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量的。
附图说明
在附图中,在所有不同的视图中,相同的参考符号一般表示相同的部分。附图不一定按比例绘制,而通常强调对本发明的原理进行图解说明。在以下说明中,参考以下附图对本发明的各个实施方式进行说明,在附图中:
图1示出了根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数的测试集的方法的流程图;
图2示出了根据各个实施方式的穷举极端测试(exhaustive corner test)和压缩极端测试(compressed corner test)的测试时间的比较;
图3示出了算法的阶数与输入参数的相关性;以及
图4A和图4B示出了包含在通过根据各个实施方式的方法生成的测试列表中的试运行测试的数量的相对减少。
具体实施方式
以下详细说明参考了附图,附图通过图解的方式示出了用于确定电子元件的操作参数的测试集的方法和装置的各个实施方式的具体细节。
本文使用的单词“示例性”用于意指“作为示例、实例或例证”。本文描述为“示例性”的任何实施方式或设计并非一定被理解为比其他实施方式或设计优选或有利。
根据用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法的各个实施方式,可生成用于一指定组的极端状况或极端条件和用于指定压缩状况或条件的一组极端测试,其中,在可行测试和/或模拟时间内,所述组中的极端测试的数量可被最小化,极端状况的覆盖率可被最大化。在以下说明中,术语“测试”应实现实际的后硅(后时代硅)硬件测试以及前硅(前时代)模拟。
上文使用的术语“压缩”可表示:将包括所有可能的极端状况或极端条件的测试的穷举极端测试减少至一组减少的或压缩的极端状况或极端条件(可在最后进行测试),并提供充足的关于极端状况或极端条件下的DUT的特性的信息。
下文将根据图1所示的流程图100对根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数的测试集的方法进行说明。另外,主要是为了更好的理解,将提供示例的情况。然而,应指出的是,该示例情况仅为多个可能的方案之一,因此,其说明不以限制的方式布局。
根据各个实施方式,用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法可从步骤102开始,在该步骤中,可确定压缩参数d和要检查的操作参数,所选操作参数的数量为D。操作参数可自由地选择,并且可与电子器件的操作参数对应,其中,制造商希望关于这些操作参数在极端条件或极端状况下对电子器件的影响进行细察。压缩参数d可与可被穷举极端测试中的各个极端条件细分成的每个子极端条件(subcorner condition)或子极端状况的维度相对应。
换句话说,穷举极端测试中例如包括具有特定特异值(例如,最小值和最大值)的D=4个操作参数的极端状况可被细分为六个二维极端条件,六为从一组D=4个元素(其阶数不具有相关性)中抽取的d=2个元素的组合数。组合数与二项式系数D选d相对应,在该示例中为4选2,等于6。因此,极端压缩参数d可示意性地被视为可被穷举极端测试中的极端状况或极端条件细分成的子极端的任一个的维度。
一般来说,每个操作参数均可具有k个不同参数值。典型地,数量k可等于2,各个操作参数均可采用两个操作参数值,例如,最小(额定)操作参数值和最大(额定)操作参数值。然而,k还可等于任何其他数量,例如,k=3,使得除最大值和最小值之外,标称的操作参数还可进一步由各个操作参数值采用。
下文所示的表1中,列出了电子器件的四个操作参数的示例集,其将作为本说明中的示例。在该示例中,D=4个操作参数可针对穷举极端测试选择,其例如可与电源电压Vdd、频率f、温度T和信号输入电平Vin对应。在其他实施方式中,还可使用任何其他合适参数。此外,在各个实施方式中,可使用任意数量的操作参数,例如,四个以上,例如,五个、六个、七个、八个、九个、十个、十一个以上。此外,应强调的是,如下文结合图1所表明的,使用根据各个实施方式的方法的优点可随着操作参数的数量的增加而增加。在参数数量较小的情况下,例如,D=4,可在不借助算法的情况下找出确定穷举极端测试中的压缩测试的解决方法。在用作本说明的示例的所选方案中,为了便于图解,选择了较小数量的操作参数D=4。这四个参数在表1的第一列中列出。然而,由于操作参数的选择是随机的,下文将使用列于表1的第二列中的一般化操作参数。在表1的第三列中,给出了每个实际操作参数的示例性最小值,并且在第四列中,列出了将在下文使用的它们的一般化最小值。从表1的第三列与第四列的比较中可以看出,操作参数的最小值可抽象地由“0”表示。在表1的第五列中列出了每个实际操作参数的最大值,在第六列中列出了将在下文使用的其一般化最大值。从表1的第五列与第六列的比较中可以看出,操作参数的最大值可抽象地由“1”表示。如已经提及的,还可使用除最大额定值和最小额定值之外的任何其他恒定值。在该示例中,每个操作参数可采用k=2个操作参数值,在这种情况下,这两个操作参数值可为对应的最大(额定)操作参数值和最小(额定)操作参数值。一般化操作参数结合一般化最小值和一般化最大值的使用使得穷举极端测试的压缩能够更容易和有效地以矩阵的方式表达和解决。
表1:所关注的示例性操作参数
在压缩参数d和要考虑的给定电子元件的操作参数建立之后,可开始生成目标列表(hitlist)的过程。以下过程,即,104、106和110可同时进行或顺次地进行。在104中,可建立基于D个所选操作参数的穷举极端测试列表。该穷举测试列表(例如,极端测试列表)可包含取得测试条件(例如,作为极端条件)的资格的操作参数值的所有可能组合。由于D个操作参数中的每一个均可采用其k个操作参数值中的任一个,所以穷举极端测试中试运行的数量与kD相对应。穷举极端测试可由具有D个列和kD个行的矩阵来表示,每一列均代表一个操作参数,每一行均代表具有每个操作参数的操作参数值的不同组合的试运行。在表2中,示出了以D=4个操作参数(对比表1)为示例情况的穷举极端测试。可以看出,存在在穷举测试中将覆盖的kD=24=16个不同的极端状况或极端条件。该示例中的穷举测试矩阵包括表2构成的阵列,而不包括第一行和第一列(因为它们仅用于标记)。毫无疑问,表2的内容会随着不同数量的测试条件,例如,随着不同数量的极端条件和/或考虑的不同数量的操作参数而变化。
测试数量 | A的值 | B的值 | C的值 | D的值 |
1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
2 | 0 | 0 | 0 | 1 |
3 | 0 | 0 | 1 | 0 |
4 | 0 | 0 | 1 | 1 |
5 | 0 | 1 | 0 | 0 |
6 | 0 | 1 | 0 | 1 |
7 | 0 | 1 | 1 | 0 |
8 | 0 | 1 | 1 | 1 |
9 | 1 | 0 | 0 | 0 |
10 | 1 | 0 | 0 | 1 |
11 | 1 | 0 | 1 | 0 |
12 | 1 | 0 | 1 | 1 |
13 | 1 | 1 | 0 | 0 |
14 | 1 | 1 | 0 | 1 |
15 | 1 | 1 | 1 | 0 |
16 | 1 | 1 | 1 | 1 |
表2:示例性穷举极端测试列表
如表2所示,对于所选的仅D=4个操作参数,其中,每个操作参数均可采用k=2个操作参数值,表(或矩阵)已经包含16个单独的试运行。将在穷举极端测试中进行的试运行的数量随着所选择的操作参数的数量D而按指数增加,并且对于D大于或等于6的情况而变得大到无法实施,使得穷举极端测试由此由于例如测试时间量的原因而实际上并不适用于电子元件。
在108中,可确定与由D个所选操作参数所跨越的参数空间有关的子极端组合。这些子极端组合可具有d个维度,并且它们可与包括D个操作参数中的d个操作参数的不同组合相对应。因此,如前所述,D个操作参数形成的可能子极端组合的数量为(D选d)。子极端组合可由具有d个列和(D选d)个行的矩阵表示,每一列代表子极端组合的d个操作参数之一,每一行代表包括在子极端中的d个操作参数的不同组合。
返回到示例情况,(D选d)=(4选2)=6个不同子极端组合可基于4个所选操作参数来形成。在表3中,列出了对指定示例中的子极端组合进行定义的六对操作参数。这里,各个子极端的第一操作参数和第二操作参数的阶数是不相关的,使得它们可在不对所述方法产生影响的情况下切换。表3可被视为一个矩阵(如果省略表3的第一行和第一列),两列中的每一列均代表各个子极端组合的操作参数,每一行均代表六个子极端组合中的不同的一个。
子极端 | 第一操作参数 | 第二操作参数 |
1 | A | B |
2 | A | C |
3 | A | D |
4 | B | C |
5 | B | D |
6 | C | D |
表3:子极端组合的示例性集
在110中,可识别一般的子极端。一般的子极端可与子极端组合中的操作参数值的组合相对应。步骤108中识别的每个子极端组合可在对应的操作参数均采用其k个操作参数值之一时生成子极端。通过将一般子极端映射于在108中定义的每个子极端组合上,可基于各个子极端组合建立kd个子极端。在各个实施方式中,假定每个操作参数均具有相同的可采用的操作参数值的数量k。然而,可选地,不同的操作参数可具有不同数量的可采用的操作参数。例如,D个操作参数之一可具有3个操作参数值,而所有其他的D-1个操作参数可具有2个操作参数值。在常规情况下,所有操作参数具有相同数量的k个操作参数值,代表一般子极端的矩阵可包括d个列和kd个行,每一列代表d个操作参数之一,每一行代表不同的一般子极端。
在D=4个操作参数均具有k=2个操作参数值而压缩参数选为d=2(同时表示子极端的维度)的示例性方案中,存在kd=22=4个一般子极端,即,如表4所示的,将最小(额定)操作参数值和最大(额定)操作参数值成对设置的四种可能性。同样,通过省略表4的第一行和第一列,可获得对应的矩阵表示。应注意的是,在这种情况下,所述组合实际上可以为排列,因为第一操作参数(例如,A)采用最小操作参数值、第二操作参数(例如,B)采用最大操作参数值的情况与第一操作参数(例如,A)采用最大操作参数值、第二操作参数(例如,B)采用最小操作参数值的情况不同。
子极端 | 第一操作参数 | 第二操作参数 |
1 | 0 | 0 |
2 | 0 | 1 |
3 | 1 | 0 |
4 | 1 | 1 |
表4:一般子极端的示例性集
在114中,可生成目标列表。目标列表可为表格或矩阵,包含关于穷举极端测试中的哪个试运行覆盖哪个子极端的信息。该目标列表可基于前几个步骤的结果,即,104中获得的穷举测试列表、108中获得的子极端组合和110中获得的一般子极端。
在114中生成目标列表之前,可在104之后进行最优化106和/或在110之后进行最优化112,其中,两个最优化步骤都为可选步骤。两个最优化过程可相同,并且,如数字所示的,可依赖于在104和/或110中需要考虑的测试的最小可选数量为以下公式的事实。
应注意的是,该公式仅给出了压缩测试中的测试数量的近似值,不会在压缩测试中生成各个测试或试运行。
因此,为了降低目标列表生成的阶乘复杂度,可仅评估nopt个测试或可仅使用nopt个子极端组合来用于进一步计算。换句话说,在106中,可仅从包含在穷举极端测试列表(参考表2)中的kD个测试中随机选择nopt并考虑将其用于进一步的计算,和/或在112中,可仅从(D选d)个子极端组合中随机选择nopt个子极端组合,并考虑将其用于进一步的计算。最优化过程106和112简化了整个算法,并将其复杂度降低到O(D)(O()表示数学中常用的大O符号)。最优化步骤106和112的包含可对最优化解决方案提供很好的近似,然而,仅对极端状况或极端条件的100%(平均)覆盖进行近似。与最优解决方案相比,两个最优化步骤一般要多进行20%更大数量的测试。
在D=4个操作参数均具有k=2个操作参数值而压缩参数选为d=2的示例性方案中,最佳数量nopt等于6。因此,在最优化过程106中,可从穷举测试列表(参考表2)的16个试运行中选择6个并对其进行评估。
在114中生成的目标列表可以为使每个子极端,即,子极端组合互相关联的矩阵或表格,其中,各个子极端的每个操作参数通过穷举极端测试列表中的测试而采用k个可能操作参数值之一。因此,该矩阵可具有kd个列和kd(D选d)个行,其中,每行可代表不同的子极端,并且可包含其中包含各个子极端的对应穷举测试列表中的试运行。目标列表可为整个算法的计算复杂度的主要驱动者,计算复杂性可通过上述最优化过程106和112而降低,这可基于可确定哪个目标列表而有效地减少数据量。
在D=4个操作参数均具有k=2个操作参数值而压缩参数被选为d=2的示例性方案中,存在kd(D选d)=4·6=24个不同的子极端。换句话说,分别具有4个一般的子极端(参考表4)的6个不同子极端组合(参考表3)产生了24个不同的子极端。在表5中,仅示出了表示目标列表的表格(或矩阵)的前五个条目和最后一个条目。在表5的第一行中列出了穷举极端测试列表(参考表2)中包含具有最小值(由A[0]表示)的参数A与具有最小值(由B[0]表示)的参数B的组合的所有试运行。在表5的第二行中,列出了穷举极端测试列表(参考表2)中包含具有最小值(由A[0]表示)的参数A与具有最大值(由B[1]表示)的参数B的组合的所有试运行。在表5的第三行中,列出了穷举极端测试列表(参考表2)中包含具有最大值(由A[1]表示)的参数A与具有最小值(由B[0]表示)的参数B的组合的所有试运行。在表5的第四行中,列出了穷举极端测试列表(参考表2)中包含具有最大值(由A[1]表示)的参数A与具有最大值(由B[1]表示)的参数B的组合的所有试运行。目标列表表格(如果用于标记的第一行和第一列省略,则为矩阵)的前四行覆盖了可从操作参数A和B(参考表3的第一行)的子极端组合中获得的所有可能子极端。与此相似,接下来的四行(仅示出了两行)覆盖了可从操作参数A和C(参考表3的第一行)的子极端组合中获得的所有可能子极端。注意,这仅为目标列表矩阵(或表格)的多个可能实例之一,所述目标列表矩阵(或表格)并不限于该形式,因为极端组合的子组的排序或子极端组合内的子极端的排序是随机的,因此可自由进行选择。
表5:示例性目标列表
114中生成的目标列表用于将在下文所述的选择过程。一般来说,可基于目标列表而进行的选择过程目的在于从穷举测试列表(参考表2)中选择多个试运行,使得目标列表中包含的所有子极端由所选试运行覆盖。下文中,将对实施选择过程的两种示例性方式进行说明。
在118中,可从穷举测试列表中选择第一试运行,并置于结果列表中。然后,可从目标列表中移除包含在选择的第一试运行中的所有子极端。该程序可重复进行,直到所有子极端都被“选中”。换句话说,可选择穷举测试列表中的试运行并将其置于结果列表中,并可从目标列表中移除包含在该试运行中的子极端,直到包含在结果列表中的试运行覆盖了所有子极端。换句话说,原始穷举测试列表可通过从穷举测试列表中选择多个第一试运行以缩减方式被压缩成结果列表,使得所有子极端可由包含在结果列表中的试运行达到。可选地,穷举极端测试列表中的试运行可随机选择。即,代替选择列在穷举测试列表中的多个第一试运行,可随机地选择穷举极端测试列表中的试运行。在每次随机选择试运行之后,该试运行中包含的子极端可从目标列表中移除。最后,在120中,可获得结果测试列表,这可构成DUT的最优化极端测试的基础。
可选最优化116可在118中进行压缩之前进行。在116中,原始穷举极端测试列表(对比表2)可关于行进行随意序列改变。穷举测试列表的行的序列改变可破坏穷举极端测试列表的对称性,由此提高了整个算法的效率,例如,降低了所需的运行时间。穷举极端测试列表的对称性可导致尺寸测试列表出现最坏情况,即,结果测试列表的试运行数量大于最佳结果测试列表中包含的试运行的数量。
可选地,穷举测试列表的压缩过程可同样通过选择性压缩而在122中进行。在选择性压缩过程中,可从穷举测试列表中选择任何试运行。然后,该试运行可从穷举测试列表中移除,并被置于结果列表中,该试运行覆盖的子极端可从目标列表中移除。随后,可对保留在穷举测试列表中的每个试运行的子极端的选中数量进行识别,因此,可从覆盖仍保留在目标列表中的最大数量的子极端的穷举极端测试列表中选择试运行,并将其添加到结果列表中,该试运行选中的子极端可从目标列表中移除。该过程还可重复进行,直到所有子极端从目标列表中移除。这里,术语“选择性压缩”表示选择性压缩过程的每个步骤,从穷举测试列表中选择最佳试运行,即,包含或包括仍保留在目标列表中的最大数量的子极端的试运行。如上所述,刚刚描述的算法如果与可在目标列表的准备过程中进行的最优化106和112结合使用,其计算速度可加快。最后,在所有子极端都从目标列表中移除之后,在步骤124中获得结果测试列表。
表6示出了可由用于根据各个实施方式确定电子元件的操作参数值的测试集的方法获得的穷举测试列表(参考表2)的示例性试运行集。表6所示的结果列表基于D=4个操作参数的示例方案,每个操作参数均具有k=2个操作参数值,压缩参数被选为d=2。可以看出,为了进行覆盖所有可能的二维(d=2)子极端的极端测试,可仅需要6个测试或试运行。实际上,如果试运行的数量超过6,穷举测试则不实用。因此,通过根据各个实施方式的方法和装置,可将穷举极端测试中的大数量测试减少(或“压缩”)成试运行的试运行的结果列表或结果集中的小数量测试。
测试数量 | A的值 | B的值 | C的值 | D的值 |
1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
2 | 0 | 1 | 1 | 1 |
3 | 1 | 0 | 0 | 1 |
4 | 1 | 1 | 1 | 0 |
5 | 0 | 0 | 1 | 0 |
6 | 0 | 1 | 0 | 0 |
表6:极端压缩之后的示例性结果列表
压缩的概念可通过启发式求解法来理解,即,具有极限值的小数量的操作参数,例如,两个参数可足以触发器件的故障特性。该假设可被视为将极端状况或极端条件分成子极端的促动因素。
在图2的图表200中,由曲线208表示的穷举测试的测试时间与由曲线206表示的压缩测试的测试时间相比较。x轴202表示操作参数的数量D,y轴204表示单位为毫秒的测试时间。对于基于图1中的图表100中的120或124中获得的结果测试列表中包含的试运行的压缩测试,假定DUT的压缩系数为d=4。进一步假定单个试运行(模拟或实际测量)需要1毫秒。两个图表的比较示出了穷举测试的测试时间随着操作参数数量的增加而按指数(注意,y轴202的对数标度)增加,而通过根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法所确定的压缩测试的测试时间约直线上升到D=4,随后针对较大的D,即,D>4而呈现出饱和。对于(例如)D=14的情况,压缩测试消耗的时间比对应的穷举测试约少20倍。
在图3中,示出了根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法的一般促动因素。图3中的图表300示出了用于基于图表300的x轴302表示的压缩参数d压缩图表300的y轴304表示的穷举极端测试的算法的计算阶的相关性。算法阶数表示识别图1的流程图100的108中的子极端组合时要考虑的可能组合的数量。第一曲线306代表将D=8作为操作参数数量的算法的阶数,第二曲线308代表将D=9作为操作参数数量的算法的阶数,第三曲线310代表将D=10作为操作参数数量的算法的阶数。可明显看出的是,算法的阶数随着要考虑的操作参数的数量的增加而增大。然而,压缩参数d的增大对其的影响较大。可以看出,对于给定数量的操作参数D,每个曲线的最大值快速增加。总体来说,对于操作参数的数量小于10的情况,算法的阶数可达到超过106的值。可以看出,选自包含D个操作参数的预定操作参数集的d个操作参数的可能组合的数量的阶数为
由于该项的指数部分持续增加,可以推断出,基本造成第二曲线308和第三曲线310中的明显最大值的主要因素实际上为二项式系数,如上所解释的,该二项式系数在图1的流程图100的108中起作用,图1表示根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法。
在图4A和图4B中示出了包含在通过根据各个实施方式的用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法而生成的测试列表中的试运行的数量与包含在穷举测试列表中的试运行的数量的比较。在图4A所示的图表400和图4B所示的图表408中,x轴402表示操作参数的数量D,y轴404表示压缩参数,即,子极端的维度。图4A中的z轴406表示在图1的流程图100中的步骤120中的结果列表中包含的试运行相对于穷举测试列表中包含的测试的总数量的相对减少,其中,可在最优化116中进行原始穷举测试矩阵(或列表)关于行的十次随机排列。图4B中的z轴406表示最佳结果列表中包含的试运行的最佳数量nopt关于穷举测试列表中包含的测试的总数量的相对减少。在每个条状图中,各个条状的高度表示针对各个数量D的操作参数和各个压缩参数d获得的结果测试列表中的试运行的数量的相对减少。从两个图表中的对应条状的高度的比较(图4B的图表408中条状的高度小于图4A的图表400中条状的高度)中可以看出,图4B的图表408中基于最佳数量的试运行的总压缩比优于图4A的图表400中的压缩比。在两个图表的对角线上,由于算法在这些情况下的不适用性,相对缩减因子(relative reduction factor)等于1。在对角线上,压缩参数d等于操作参数的总数量D,即,子极端的维度与穷举测试列表中的极端或极端状况的维度相等。在所有其他情况下,可以观察出,与相应穷举极端测试列表中包含的试运行的数量相比,在压缩极端测试中进行的试运行的数量大大减少。压缩参数d越小,可实现的减少程度越大。对于半导体器件的测试,通常的压缩参数例如为2至6,但也可采用其他数量。
在另一示例性情况下,具有k=2个操作参数值、压缩系数为d=4的D=19个操作参数的压缩测试列表可包括118个试运行,而不是穷举测试列表中包括的219=524288个试运行。因此,压缩测试列表可包括要执行的合理数量的试运行,并可允许达到在可行的测试或模拟时间量内覆盖近100%的极端状况。
根据该实施方式的一个实现方式,可提供用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,其中,该方法可包括:确定第一中间集组,每个中间集均包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数可具有多个参数值;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包括相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得第二组为多个集的集合的子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,每个参数可具有多个参数值。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,多个参数值的至少一个参数值可与最小额定值或最大额定值对应。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,所述一组预定集可包含预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,所述一组预定集可包含预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合中的随机选择组合。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,所述第一组可包含选自预定参数集中的第一数量的参数的所有可能组合。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,所述第一组可包含从预定参数集选择的第一数量的参数的所有可能组合中的随机选择组合。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,所述电子元件可包括半导体器件。所述半导体器件一般可包括在半导体上实施的各种电子电路,例如,微处理器、基于芯片的控制器。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,每个参数可选自:电源电压、输入电压、输入电压频率、控制电压、频率、器件温度、输入阻抗、输出阻抗。但是,也可考虑各种其他参数,因为可选择参数的参数组仅取决于电子元件。
根据所述方法的实施方式的另一实现方式,其中,从一组预定集中选择第二数量的测试集的步骤可重复进行,直到来自第二组的所有参考集都包括在多个集内,所述多个集的每集包括当前为止所选的各个测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合。
根据进一步的各个实施方式,可提供用于测试电子元件的方法,所述方法包括:进行用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,所述方法包括:确定第一中间集组,每个中间集均包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数可具有大量参数值;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集包括各个中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使第二集为多个集的集合的子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量;执行测试程序,其中,在测试程序期间使用根据所选测试集的参数值的组合。
根据进一步的各个实施方式,可提供用于确定电子元件的操作参数值的测试集的装置。所述装置包括:处理器,用于确定电子元件的操作参数的测试集,所述处理器被构造为:确定第一中间集组,每个中间集包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数可具有大量参数值;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集包括相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得第二组为多个集的集合子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量;以及,数据存储电路,用于存储由处理器确定的测试集。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,每个参数可具有多个参数值。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,多个参数值中的至少一个参数值可对应于最小额定值或最大额定值。
根据所述装置该实施方式的另一实现方式,所述一组预定集可包含预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,所述一组预定集可包含预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合中的随机选择组合。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,所述第一组可包含选自预定参数集中的第一数量的参数的所有可能组合。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,所述第一组可包含选自预定参数集中的第一数量的参数的所有可能组合中的随机选择组合。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,所述电子元件可包括半导体器件。所述半导体器件通常可包括在半导体上实施的各种电子电路,例如,微处理器、基于芯片的控制器。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,每个参数可选自一个组,该组包含:电源电压、输入电压、输入电压频率、控制电压、频率、器件温度、输入阻抗、输出阻抗。然而,也可考虑各种其他参数,因为可选择参数的参数组仅取决于电子元件。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,所述处理器可被构造为重复进行从一组预定集中选择第二数量的测试集的步骤,直到来自第二组的所有参考集都包括在多个集内,所述多个集的每个集均包括当前为止所选的各个测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合。
根据进一步的各个实施方式,可提供一种用于测试电子元件的装置,该装置包括:控制器,用于对电子元件进行测试,所述控制器用于:进行用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,所述方法包括:确定第一中间集组,每个中间集包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数可具有大量参数值;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每集包括相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使第二集为多个集的集合子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量;执行测试程序,其中,在测试程序期间使用根据所选测试集的参数值的组合,其中,所述控制器可进一步被构造为根据所选测试集生成与参数值对应的信号;以及,接口,其中,所述接口可与测试中的电子元件连接,并用于输出接收自控制器的输出信号。
根据该实施方式的另一实现方式,所述装置可进一步包括:一种用于确定电子元件的操作参数的测试集的装置,所述装置包括:处理器,用于确定电子元件的操作参数值的测试集,所述处理器用于:确定第一中间集组,每个中间集包含第一数量的参数的组合,所述第一数量的参数选自包含预定数量的参数的预定参数集,其中,所述参数表示电子元件的操作参数,每个参数均可具有大量参数值;确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包括各个中间集的参数的参数值的所有可能组合;从一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集包括预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得第二集为多个集的集合子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于第三组内的测试集的第二数量;以及数据存储电路,用于存储由处理器确定的测试集。
根据所述装置的实施方式的另一实现方式,电子元件可包括半导体器件。
尽管上文参考具体实施方式对本发明进行了特别展示和说明,但本领域的技术人员应理解的是,在不背离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下,在本文中可对其形式和细节进行各种改变。因此,本发明的范围由所附权利要求表示,并由此旨在包含权利要求的等价物的意义和范围内的所有改变。
Claims (25)
1.一种用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,所述方法包括:
确定第一中间集组,每个中间集均包括从包含预定数量的参数的预定参数集选择的第一数量的参数的组合,其中,所述参数表示所述电子元件的操作参数,并且每个参数均可以具有大量参数值;
确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包含相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;
在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包含来自所述预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得所述第二组为多个集的集合的子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于所述第三组内的测试集的所述第二数量。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述每个参数均具有多个参数值。
3.根据权利要求2所述的方法,
其中,所述多个参数值中的每个的多个参数值中的至少一个对应于最小额定值或最大额定值。
4.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述一组预定集包含所述预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合。
5.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述一组预定集包含来自所述预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合中的随机选择组合。
6.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述第一组包含从所述预定参数集中选择的所述第一数量的参数的所有可能组合。
7.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述第一组包含从所述预定参数集中选择的所述第一数量的参数的所有可能组合中的随机选择组合。
8.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述电子元件包括半导体器件。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中,每个参数均可以选自包括以下项的组:
电源电压;
输入电压;
输入电压频率;
控制电压;
控制电压频率;
器件温度;
输入阻抗;
输出阻抗。
10.根据权利要求1所述的方法,
其中,重复进行在所述一组预定集中选择所述第二数量的测试集的步骤,直到来自所述第二组的所有参考集都包括在所述多个集内,每个集均包含当前为止所选的各个测试集的所有参数的所述第一数量的参数值的所有可能组合。
11.一种用于测试电子元件的方法,所述方法包括:
执行用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,所述方法包括:
确定第一中间集组,每个中间集均包括从包含预定数量的参数的预定参数集选择的第一数量的参数的组合,其中,所述参数表示所述电子元件的操作参数,并且每个参数均可以具有大量参数值;
确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包含相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;
在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包含所述预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得所述第二组为多个集的集合的子集,每个集均包含相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于所述第三组内的测试集的所述第二数量;以及
执行测试程序,其中,在所述测试程序期间使用根据所选测试集的参数值的组合。
12.一种用于确定电子元件的操作参数值的测试集的装置,所述装置包括:
处理器,被构造为确定电子元件的操作参数的测试集,所述处理器被构造为:
确定第一中间集组,每个中间集均包括从包含预定数量的参数的预定参数集选择的第一数量的参数的组合,其中,所述参数表示所述电子元件的操作参数,每个参数均可以具有大量参数值;
确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包含相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;
在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包含所述预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得所述第二组为多个集的集合的子集,每个集均包含相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于所述第三组内的测试集的所述第二数量;以及
数据存储电路,被构造为存储由所述处理器确定的所述测试集。
13.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述每个参数均具有多个参数值。
14.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述多个参数值中的每个的多个参数值中的至少一个对应于最小额定值或最大额定值。
15.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述一组预定集包含所述预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合。
16.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述一组预定集包含来自所述预定参数集中的所有参数的预定数量的参数值的所有可能组合中的随机选择组合。
17.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述第一组包含从所述预定参数集中选择的所述第一数量的参数的所有可能组合。
18.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述第一组包含从所述预定参数集中选择的所述第一数量的参数的所有可能组合中的随机选择组合。
19.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述电子元件包括半导体器件。
20.根据权利要求19所述的装置,
其中,所述每个参数均可选自包括以下项的组:
电源电压;
输入电压;
输入电压频率;
控制电压;
控制电压频率;
器件温度;
输入阻抗;
输出阻抗。
21.根据权利要求12所述的装置,
其中,所述处理器被构造为重复进行在所述一组预定集中选择所述第二数量的测试集,直到来自所述第二组的所有参考集都包括在所述多个集内,其中,每个集均包含当前为止所选的各个测试集的所有参数的所述第一数量的参数值的所有可能组合。
22.一种用于测试电子元件的装置,所述装置包括:
控制器,被构造为执行电子元件的测试,所述控制器被构造为:
执行用于确定电子元件的操作参数值的测试集的方法,所述方法包括:
确定第一中间集组,每个中间集均包括从包含预定数量的参数的预定参数集选择的第一数量的参数的组合,其中,所述参数表示所述电子元件的操作参数,每个参数均可以具有大量参数值;
确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包含相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;
在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包含来自所述预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得所述第二组为多个集的集合的子集,每个集均包含相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于所述第三组内的测试集的所述第二数量;以及
执行测试程序,其中,在所述测试程序期间使用根据所选测试集的参数值的组合。
其中,所述控制器进一步被构造为根据所述所选测试集生成与参数值相对应的信号;
接口,其中,所述接口可与所述被测电子元件连接,并被构造为输出从所述控制器接收的信号。
23.根据权利要求22所述的装置,还包括:
用于确定电子元件的操作参数的测试集的装置,所述装置包括:
处理器,被构造为确定电子元件的操作参数值的测试集,所述处理器被构造为:
确定第一中间集组,每个中间集均包含从包含预定数量的参数的预定参数集选择的第一数量的参数的组合,其中,所述参数表示所述电子元件的操作参数,每个参数均可以具有大量参数值;
确定第二参考集组,其中,所述第二组包含多个集的集合,每个集均包含相应中间集的参数的参数值的所有可能组合;
在一组预定集中选择具有第二数量的测试集的第三组,其中,每个预定集均包含来自所述预定参数集中的所有参数的参数值的不同组合,使得所述第二组为多个集的集合的子集,每个集均包括相应测试集的所有参数的第一数量的参数值的所有可能组合,其中,所述集的数量等于所述第三组内的测试集的所述第二数量;以及
数据存储电路,被构造为存储由所述处理器确定的所述测试集。
24.根据权利要求22所述的装置,
其中,所述电子元件包括半导体器件。
25.根据权利要求23所述的装置,
其中,所述电子元件包括半导体器件。
Applications Claiming Priority (2)
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---|---|---|---|
US13/228,504 US8868371B2 (en) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | Method and device for determining test sets of operating parameter values for an electronic component |
US13/228,504 | 2011-09-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Country Status (3)
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---|---|
US (2) | US8868371B2 (zh) |
CN (1) | CN102998553B (zh) |
DE (1) | DE102012108407A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103576071A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种精确表征功率晶体管匹配特性的方法 |
CN107408522A (zh) * | 2014-12-03 | 2017-11-28 | 科磊股份有限公司 | 使用高维变量选择模型确定关键参数 |
CN107579012A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 格罗方德半导体公司 | 用于工艺感知维度目标的先进工艺控制 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150051869A1 (en) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | International Business Machines Corporation | Method for relating test time and escape rate for multivariate issue |
US11164551B2 (en) | 2019-02-28 | 2021-11-02 | Clifford W. Chase | Amplifier matching in a digital amplifier modeling system |
CN114113099A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 自动化调整电子设备的方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267881A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Advantest Corp | 半導体デバイスシミュレート装置及びそれを用いた半導体試験用プログラムデバッグ装置 |
US20020065624A1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-05-30 | Ralf Arnold | Method for testing a program-controlled unit by an external test device |
CN1784609A (zh) * | 2003-02-14 | 2006-06-07 | 爱德万测试株式会社 | 开发半导体集成电路测试程序的方法和构造 |
CN101084446A (zh) * | 2004-12-21 | 2007-12-05 | 泰拉丁公司 | 用于生成测试半导体器件的信号的方法和系统 |
CN101311738A (zh) * | 2007-05-21 | 2008-11-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 可靠性测试分析方法及其参数估计方法 |
CN101344898A (zh) * | 2007-07-11 | 2009-01-14 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体集成电路的生产方法、设计方法和设计系统 |
CN101359015A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测半导体器件的方法及装置 |
CN101894219A (zh) * | 2010-07-23 | 2010-11-24 | 北京航空航天大学 | 系统结构、功能和性能综合测试覆盖定量分析方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004045204A1 (de) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Hitex Development Tools Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Testen eines elektronischen Bauteils |
US7397259B1 (en) * | 2007-04-17 | 2008-07-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for statistical CMOS device characterization |
US9002673B2 (en) * | 2010-06-16 | 2015-04-07 | Broadcom Corporation | Simultaneous testing of semiconductor components on a wafer |
-
2011
- 2011-09-09 US US13/228,504 patent/US8868371B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-10 CN CN201210333550.6A patent/CN102998553B/zh active Active
- 2012-09-10 DE DE102012108407A patent/DE102012108407A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-09-25 US US14/495,962 patent/US9411008B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000267881A (ja) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Advantest Corp | 半導体デバイスシミュレート装置及びそれを用いた半導体試験用プログラムデバッグ装置 |
US20020065624A1 (en) * | 2000-08-24 | 2002-05-30 | Ralf Arnold | Method for testing a program-controlled unit by an external test device |
CN1784609A (zh) * | 2003-02-14 | 2006-06-07 | 爱德万测试株式会社 | 开发半导体集成电路测试程序的方法和构造 |
CN101084446A (zh) * | 2004-12-21 | 2007-12-05 | 泰拉丁公司 | 用于生成测试半导体器件的信号的方法和系统 |
CN101311738A (zh) * | 2007-05-21 | 2008-11-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 可靠性测试分析方法及其参数估计方法 |
CN101344898A (zh) * | 2007-07-11 | 2009-01-14 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体集成电路的生产方法、设计方法和设计系统 |
CN101359015A (zh) * | 2007-07-30 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 检测半导体器件的方法及装置 |
CN101894219A (zh) * | 2010-07-23 | 2010-11-24 | 北京航空航天大学 | 系统结构、功能和性能综合测试覆盖定量分析方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
李瑞娟: "基于蚁群算法的最小电路测试集生成算法", 《柳州职业技术学院学报》 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103576071A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种精确表征功率晶体管匹配特性的方法 |
CN103576071B (zh) * | 2013-11-22 | 2016-03-16 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种精确表征功率晶体管匹配特性的方法 |
CN107408522A (zh) * | 2014-12-03 | 2017-11-28 | 科磊股份有限公司 | 使用高维变量选择模型确定关键参数 |
CN107408522B (zh) * | 2014-12-03 | 2020-12-29 | 科磊股份有限公司 | 使用高维变量选择模型确定关键参数 |
US11456194B2 (en) | 2014-12-03 | 2022-09-27 | Kla-Tencor Corporation | Determining critical parameters using a high-dimensional variable selection model |
CN107579012A (zh) * | 2016-07-05 | 2018-01-12 | 格罗方德半导体公司 | 用于工艺感知维度目标的先进工艺控制 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102012108407A1 (de) | 2013-03-14 |
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