CN102970021A - 一种电流源晶体管偏置电压调节器 - Google Patents

一种电流源晶体管偏置电压调节器 Download PDF

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Abstract

一种电流源晶体管偏置电压调节器,其偏置控制回路形成一个稳压器,为线性电路中的双极电流源晶体管的集电极提供偏置电压。偏置回路通过保持几个晶体管的基极-发射极电压相同或相关以实现上述功能。通过适当大小的晶体管发射极面积,回路将提供相互关联的晶体管偏置电压。偏置回路可以在低于1伏的电压下工作,并且即使没有补偿电容也是稳定的。

Description

一种电流源晶体管偏置电压调节器
技术领域
本发明涉及一种稳压电路,特别是涉及到控制电流源晶体管的偏置控制回路。
背景技术
线性电路以偏置双极晶体管的形式利用电流源。而提供恒定电流需要精确控制晶体管的基极-发射极电压。
发明内容
本发明的目的是为双极电流源提供偏置回路。
本发明的特点是有一个控制回路,它包含多个电流路径,其电流比由相关晶体管的基极-发射极电压决定。
对比文献,发明专利:具有可调节管体偏置和供电电路的集成电路,申请号:200810175640.0
本发明的技术解决方案
电流源晶体管偏置电压调节器的偏置控制回路形成一个稳压器,为线性电路中的双极电流源晶体管的集电极提供偏置电压。偏置回路通过保持几个晶体管的基极-发射极电压相同或相关以实现上述功能。通过适当大小的晶体管发射极面积,循环将提供相互关联的晶体管偏置电压。
根据下面更详细的描述和附图说明,本发明的目的和特点将更容易被理解。
附图说明
图1为根据本发明得到的一种具体的电流源晶体管偏置电压调节器的原理图,其中包括晶体管和电阻
Figure BSA00000813894300012
。控制回路与晶体管(二极管)Q1,Q2和电阻R1互连。
具体实施方式
晶体管Q1是一个基极和集电极短路的PNP双极晶体管,因此其作用相当于一个二极管,并且它与场效应晶体管Q2串联接在电压输入端(Vin)和电压输出端(Vout)之间。电阻R1与作为二极管的晶体管Q1和作为电阻的晶体管Q2的公共端相连,它们的作用只有在初始启动条件下是必要的,并为PNP晶体管Q6,Q7和Q8提供基极偏压。此后,基极偏压由晶体管Q3提供。
晶体管Q8和电阻R3,电阻R4串联在Vin端和Vout端之间。晶体管Q6和Q7的发射极通过电阻R2和R3连接到Vin端。因此,晶体管Q6和Q7有相同的基极-发射极电压,从而这两个晶体管工作在相同的电流下。
晶体管Q6的集电极连接到NPN晶体管Q4的集电极,晶体管Q4的发射极连接到Vout端。NPN晶体管Q5的基极-集电极短路并连接到晶体管Q7的集电极,晶体管Q5的发射极通过电阻R4连接到Vout端。晶体管Q5和Q4的发射极面积比为10∶1。因此,如果晶体管Q4和Q5工作在相等电流下,他们的基极-发射极电压将产生约60毫伏的压差,而这个压差将表现在晶体管Q5的发射极。流经晶体管Q5和流经晶体管Q8的电流之和等于流经电阻R4的电流,并且电阻R4两端的压降必须大约为60毫伏。具体地,若电阻R2等于1.2kΩ并且电阻R4等于267Ω,流经晶体管Q6和Q7的电流将分别为25微安,而流经晶体管Q8的电流为200微安。晶体管Q6和Q8,晶体管Q7和Q8的电流比由电阻R2的值决定。
一旦晶体管偏置并且电流建立了一个稳定的状态,偏置回路将为PNP电流源晶体管提供一个稳定的基极偏置电压。偏置回路可在低于1伏时工作,并且由于R2的存在,回路即使没有补偿电容也是稳定的。
尽管本发明通过一个具体的例子被描述,但这个例子只是为了说明本发明,而不应限制本发明。只要没有脱离本发明的本质并且符合权利要求中的定义,在上述例子上做适当修改仍属本发明范畴。

Claims (6)

1.一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第一个双极晶体管有一个集电极,一个基极和一个发射极,并且它的发射极连接到第一根电压线;第二个双极晶体管和第三个双极晶体管分别有一个集电极,一个基极和一个发射极,第一个电阻的一端连接到上述第一个晶体管的发射极并且另一端连接到第二和第三个晶体管的发射极;第四个双极晶体管有一个集电极,一个基极和一个发射极,并且它的集电极连接到上述第一,第二和第三个晶体管的基极,发射极连接到第二根电压线;第五个双极晶体管有一个集电极,一个基极和一个发射极,并且它的集电极连接到上述第二个晶体管的集电极和第四个晶体管的基极,发射极连接到上述第二根电压线;第一个二极管有两个端口,其中一个端口连接到上述第五个晶体管的基极和第三个晶体管集电极,另一个端口连接到上述第一个晶体管的集电极;第二个电阻的一端连接到上述二极管的另一个端口和第一个晶体管的集电极,另一端连接到第二根电压线,通过上述第一个晶体管的电流由第一根电压线和第二个电阻决定,通过第二和第三个晶体管的电流由上述第一个电阻决定。
2.根据权利要求1所述的一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第一个二极管由第六个双极晶体管构成,它有一个集电极,一个基极和一个发射极,并且其集电极和基极短路。
3.根据权利要求2所述的一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第六个晶体管的发射极面积比第五个晶体管的发射极面积大,并且第六个晶体管的基极-发射极电压与第五个晶体管的基极-发射极电压有差异并通过上述第二个电阻表现。
4.根据权利要求1所述的一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第三个电阻连接在第一,第二和第三个晶体管的基极与一个电势间以提供初始启动电压。
5.根据权利要求4所述的一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第二个二极管和第四个电阻串连并且连接在上述第一根电压线和第二根电压线之间,上述第三个电阻连接在第二个二极管和第四个电阻的公共端与第一个,第二个和第三个晶体管的基极公共端之间,以在电路初始启动阶段为上述晶体管提供偏置电压。
6.根据权利要求1所述的一种电流源晶体管偏置电压调节器,其特征是:第一个晶体管的发射极与第一根电压线间连接一个电阻。
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US4567444A (en) * 1983-05-26 1986-01-28 Sony Corporation Current mirror circuit with control means for establishing an input-output current ratio
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CN203193600U (zh) * 2012-11-29 2013-09-11 苏州硅智源微电子有限公司 一种电流源晶体管偏置电压调节器

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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