CN102969321B - 相机模块的制造方法 - Google Patents
相机模块的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102969321B CN102969321B CN201110461196.0A CN201110461196A CN102969321B CN 102969321 B CN102969321 B CN 102969321B CN 201110461196 A CN201110461196 A CN 201110461196A CN 102969321 B CN102969321 B CN 102969321B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lenses
- dry film
- described multiple
- film pattern
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
本发明提供一种相机模块的制造方法,上述相机模块的制造方法提供多个透镜组;于上述多个透镜组上形成一干膜层;图案化上述干膜层,以形成多个干膜图案,分别贴附上述多个透镜组;分离上述多个透镜组;将上述多个透镜组分离出来的一透镜组接合至一图像感测装置芯片;移除上述透镜组上的上述干膜图案。本发明实施例提供的相机模块的制造方法利用一干膜层做一保护薄膜,以避免透镜组的孔径于后续工艺期间涂布材料覆盖。上述干膜层于将透镜组晶片分离为各自独立的透镜组之前,利用晶片级光刻工艺形成。因此,于晶片级工艺时使用干膜层的上述制造方法可有高产率。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用晶片级光刻工艺涂布干膜层的相机模块的制造方法。
背景技术
公知相机模块工艺是将透镜堆叠至其上具有光学元件的一基板,然后,将与透镜堆叠的上述基板切割,且分离出数个独立的相机模块单元。在公知相机模块的工艺期间,相机模块的良率会因为用于透镜模块的透镜组的保护膜的移除步骤会伤害光学透镜的孔径而降低。
在此技术领域中,有需要一种具有不会伤害光学透镜的孔径的相机模块的制造方法,以改善上述缺点。
发明内容
有鉴于此,为解决现有技术的缺陷,本发明一实施例提供一种相机模块的制造方法,包括提供多个透镜组;于上述多个透镜组上形成一干膜层;图案化上述干膜层,以形成多个干膜图案,分别贴附上述多个透镜组;分离上述多个透镜组;将上述多个透镜组分离出来的一透镜组接合至一图像感测装置芯片;移除上述透镜组上的上述干膜图案。
本发明另一实施例提供一种相机模块的制造方法,包括提供一第一晶片,其上具有多个第一透镜元件;于上述第一晶片上形成一第一间隙元件,以将上述多个第一透镜元件彼此隔开,以形成多个透镜组,上述多个透镜组由位于上述第一晶片两侧的上述多个第一透镜元件和上述第一间隙元件构成;于上述第一间隙元件上形成一干膜层;图案化上述干膜层,以形成多个干膜图案,分别贴附上述多个透镜组;分离上述多个透镜组;将上述多个透镜组分离出来的一透镜组接合至一图像感测装置芯片;移除上述透镜组上的上述干膜图案。
本发明又另一实施例提供一种相机模块的制造方法,包括提供一第一晶片,其上具有多个第一透镜元件;于上述第一晶片上形成一第一间隙元件,以将上述多个第一透镜元件彼此隔开,以形成多个透镜组;将一第二晶片接合至上述第一晶片,其中上述第二晶片具有多个第二透镜元件,对齐于上述多个第一透镜元件;于上述第二晶片上形成一第二间隙元件,以将上述多个第二透镜元件彼此隔开,以形成多个透镜组,上述多个透镜组由位于上述第一晶片两侧的上述多个第一透镜元件、位于上述第二晶片两侧的上述多个第二透镜元件、上述第一间隙元件和上述第二间隙元件构成;于上述第二间隙元件上形成一干膜层;图案化上述干膜层,以形成多个干膜图案,分别贴附上述多个透镜组;分离上述多个透镜组;将上述多个透镜组分离出来的一透镜组接合至一图像感测装置芯片;移除上述透镜组上的上述干膜图案。
本发明实施例提供的相机模块的制造方法利用一干膜层做一保护薄膜,以避免透镜组的孔径于后续工艺期间被例如电磁干扰(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆盖。上述干膜层于将透镜组晶片分离为各自独立的透镜组之前,利用晶片级光刻工艺形成。因此,于晶片级工艺时使用干膜层的上述制造方法可有高产率。
附图说明
图1a-图1c、图2a-图2b、图3a-图3b和图4-图9为本发明实施例的相机模块的制造方法的剖面图或俯视图。
【主要附图标记说明】
200a~第二晶片;
200b~第一晶片;
202a~第二透镜元件;
202b~第一透镜元件;
203a~第二间隙元件;
203b~第一间隙元件;
204~干膜层;
204a~干膜图案;
210~图像感测装置芯片;
212~弹性薄膜;
213~载板;
214~胶;
216~焊球;
218~顶面;
220~粘着剂;
222~金属层;
224~遮光层;
230~保护层。
具体实施方式
以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例,作为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中,相似或相同的部分皆使用相同的附图标记。且在附图中,实施例的形状或是厚度可扩大,并以简化或是方便标示。再者,附图中各元件的部分将以分别描述说明之,值得注意的是,图中未示出或描述的元件,为所属技术领域中普通技术人员所知的形式,另外,特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式,其并非用以限定本发明。
图1a-图1c、图2a-图2b、图3a-图3b和图4-图9为本发明实施例的相机模块的制造方法的剖面图或俯视图。本发明实施例的相机模块的制造方法是利用一干膜以避免一光学透镜组在后续工艺期间被例如电磁干扰(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆盖。
图1a为本发明一实施例的透镜组,上述透镜组由位于单一晶片上的透镜元件构成。
请参考图1a,提供一第一晶片200b,其上具有多个第一透镜元件202b。然后,于第一晶片200b上形成一第一间隙元件203b,以将第一透镜元件202b彼此隔开。位于该第一晶片两侧的多个第一透镜元件和该第一间隙元件构成多个透镜组。第一晶片200b可包括一透明材料。第一间隙元件203b可配置为一阵列,位于第一晶片200b的两侧。在本发明其他实施例中,第一透镜元件202b和第一间隙元件203b可分别配置位于第一晶片200b的单一侧。
在本发明其他实施例中,图1b是显示本发明另一实施例的透镜组,上 述透镜组由位于两晶片上的透镜元件构成。如图1b所示,一第二晶片200a,其上具有多个第二透镜元件202a,接合至第一晶片200b上,以使第一晶片200b和第二晶片200a堆叠在一起。然后,于第二晶片200a上形成一第二间隙元件203a,以将第二透镜元件202a彼此隔开。第二晶片200a可包括一透明材料。第二透镜元件202a可配置为一阵列,位于第二晶片200a的上表面上。第二透镜元件202a对齐于第一透镜元件202b。图1c显示由两片晶片和其上透镜元件构成的透镜组的俯视图。在本发明其他实施例中,一或多个其上具有透镜元件的晶片可接合至第二晶片200a或第一晶片200b。以图1a至图1c所示的实施例作为后续说明,然其并非用以限定本发明揭示的实施例。
接着,请参考图2a和图2b,利用一压合工艺,将一干膜层204堆叠于第二间隙元件203a上。在本发明一实施例中,干膜层204完全覆盖由第一晶片200b和第二晶片200a构成的晶片级透镜组。
图3a和图3b显示形成分别贴附透镜组的干膜图案204a的制造工艺步骤。可由感光材料形成干膜层204,因此干膜层204可视为一光致抗蚀剂层。如图3a和3b所示,进行一光刻工艺,以移除部分干膜层204,以图案化干膜层204形成多个干膜图案204a。在本发明一实施例中,光刻工艺可包括对准、曝光和显影干膜层204。之后,可进行一烘烤工艺,于75℃以下的工艺温度完全硬化干膜图案204a。在本发明一实施例中,干膜图案204a分别覆盖每一个透镜组。干膜图案204a对其下的第二透镜元件202a具有保护功能。在本发明一实施例中,于75℃以下的工艺温度对干膜图案204a进行堆叠、曝光和显影等工艺步骤,因此,各自独立的透镜组可分别被一固化的干膜图案204a覆盖,而不会被液态的干膜材料或其他颗粒和杂质污染。
接着,利用一切割工艺,沿第一间隙元件203b和该第二间隙元件203a分离覆盖干膜图案204a的晶片级透镜组。举例来说,可沿如图3b所示的切割道、虚线分离晶片级透镜组。在本发明一实施例中,第一晶片200b和其上的第一透镜元件202b,以及第二晶片200a和其上的第二透镜元件202a分离为各自独立的透镜组。图4是显示一个独立的透镜组。如图4所示的透镜组具有位于第一晶片200b两侧的第一透镜元件202b和位于第二晶片200a两侧的第二透镜元件202a。并且,干膜图案204a面对且位于透镜组的第二透镜元件202a上。
接着,请参考图5,可利用将一图像感测装置芯片210放置且压合至一载板213上的方式进行一固着工艺,图像感测装置芯片210的一底面上具有多个焊球216。在本发明一实施例中,载板213可为一导热胶带,包括一弹性薄膜212和位于其上的胶214,以固定图像感测装置芯片210。在本发明一实施例中,图像感测装置芯片210可包括互补式金属氧化物半导体元件(complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)devices)或电荷耦合元件(charge-coupled devices(CCDs))。
接着,请参考图6,可进行一点胶工艺,于图像感测装置芯片210的一顶面218上涂上一粘着剂220以接合如图4所示的透镜组。在本发明一实施例中,粘着剂220可包括树脂或高分子树脂胶。
接着,请参考图7,可通过将透镜组放置且压合至图像感测装置芯片210中央的方式,将透镜组接合至图像感测装置芯片210的顶面218上。
接着,请参考图8,形成一保护层230,覆盖透镜组。保护层230的形成方式可包括进行例如喷涂工艺的一涂布工艺,以于透镜组和干膜图案204a整体上方涂布一金属材料,以形成一金属层222。在本发明一实施例中,金属层222可包括铝、铜或类似的金属(银、铁涂层)。金属层222可视为一电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)遮蔽物,以对图像感测装置芯片210提供电磁干扰(EMI)遮蔽功能。接着,进行例如喷涂工艺的另一涂布工艺,以涂布一遮光材料覆盖金属层222,以形成一遮光层224。在本发明一实施例中,遮光层224可包括一黑漆以避免内部反射。在本发明一实施例中,包括金属层222和遮光层224的保护层230具有保护透镜组的功能。
接着,请参考图9,可进行一激光切割工艺,以切割部分金属层222、部分遮光层224和干膜图案204a。透镜组上方的残留的干膜图案204a浸泡于含有例如丙酮的有机溶质的一溶剂中。接着,利用振荡方式,于含有例如丙酮的有机溶质的溶剂中移除和剥除干膜图案204a。在此步骤中可同时去除金属层222、遮光层224和干膜图案204a。此外,振荡溶剂有助于第二透镜元件202a上方的干膜图案204a、部分金属层222和部分遮光层224的移除效率。利用含有有机溶质的溶剂移除干膜图案204a之后,透镜组内不会有任何残留物质。
在本发明其他实施例中,可再进行一清洁工艺,以移除于透镜组上方的干膜图案204a、金属层222和遮光层224的残留物质。
如图9所示,金属层222和遮光层224遮蔽除了透镜组的焊球216和孔径之外的相机模块。接着,从图像感测装置芯片210移去如图8所示的载板213。因此,完成本发明一实施例的相机模块的制造方法。
本发明一实施例提供一种相机模块的制造方法。上述相机模块的制造方法利用一干膜层做一保护薄膜,以避免透镜组的孔径于后续工艺期间被例如电磁干扰(EMI)遮蔽材料或遮光材料的涂布材料覆盖。上述干膜层于将透镜组晶片分离为各自独立的透镜组之前,利用晶片级光刻工艺形成。因此,于晶片级工艺时使用干膜层的上述制造方法可有高产率。因为上述干膜层利用晶片级光刻工艺形成,干膜图案可利用晶片级光刻工艺的一对准步骤精确位于透镜组上方。并且,干膜层的尺寸控制能力佳。此外,于形成透镜组期间,不需额外工艺步骤即可轻易移除用于透镜组的干膜图案。
虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定为准。
Claims (10)
1.一种相机模块的制造方法,包括下列步骤:
提供多个透镜组;
于所述多个透镜组上形成一干膜层;
图案化该干膜层,以形成多个干膜图案,分别贴附所述多个透镜组;
分离所述多个透镜组;
将所述多个透镜组分离出来的一透镜组接合至一图像感测装置芯片;以及
移除该透镜组上的该干膜图案。
2.如权利要求1所述的相机模块的制造方法,还包括:
于该干膜图案上形成一金属层;以及
于该金属层上形成一遮光层,以于该透镜组上形成包括该金属层和该遮光层的一保护膜。
3.如权利要求1所述的相机模块的制造方法,其中移除该透镜组上的该干膜图案包括:
利用一激光工艺切割该干膜图案;
利用一有机溶剂浸泡该干膜图案,其中该有机溶剂包括丙酮;以及
振荡该干膜图案。
4.如权利要求1所述的相机模块的制造方法,移除该透镜组上的该干膜图案之后还包括清洁该透镜组,且将所述多个透镜组分离出来的该透镜组接合至该图像感测装置芯片包括于图像感测装置芯片上涂上一粘着剂以接合该透镜组。
5.如权利要求1所述的相机模块的制造方法,其中提供所述多个透镜组包括:
提供一第一晶片,其上具有多个第一透镜元件;
于该第一晶片上形成一第一间隙元件,以将所述多个第一透镜元件彼此隔开。
6.如权利要求5所述的相机模块的制造方法,其中分离所述多个透镜组还包括利用一切割工艺,沿该第一间隙元件分开所述多个透镜组。
7.如权利要求5所述的相机模块的制造方法,其中形成该干膜层包括于该第一间隙元件上堆叠一感光材料层。
8.如权利要求5所述的相机模块的制造方法,还包括:
将一第二晶片接合至该第一晶片,其中该第二晶片具有多个第二透镜元件,对齐于所述多个第一透镜元件,以及一第二间隙元件,以将所述多个第二透镜元件彼此隔开。
9.如权利要求8所述的相机模块的制造方法,其中分离所述多个透镜组还包括利用一切割工艺,沿该第一间隙元件和该第二间隙元件分开所述多个透镜组。
10.如权利要求5所述的相机模块的制造方法,其中图案化该干膜层还包括:
曝光该干膜层;
显影该干膜层以形成所述多个干膜图案;以及
于75℃以下的温度烘烤所述多个干膜图案。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/219,948 US8388793B1 (en) | 2011-08-29 | 2011-08-29 | Method for fabricating camera module |
US13/219,948 | 2011-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102969321A CN102969321A (zh) | 2013-03-13 |
CN102969321B true CN102969321B (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=47741922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110461196.0A Active CN102969321B (zh) | 2011-08-29 | 2011-12-26 | 相机模块的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8388793B1 (zh) |
CN (1) | CN102969321B (zh) |
TW (1) | TWI460485B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9094593B2 (en) * | 2013-07-30 | 2015-07-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules |
US9467606B2 (en) * | 2014-06-10 | 2016-10-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Wafer level stepped sensor holder |
EP3207416B1 (en) * | 2014-10-14 | 2020-02-26 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Optical element stack assemblies |
TWI741988B (zh) | 2015-07-31 | 2021-10-11 | 日商新力股份有限公司 | 堆疊式透鏡結構及其製造方法,以及電子裝置 |
JP6619174B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2019-12-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 製造装置および方法 |
CN108700721B (zh) | 2015-11-12 | 2021-12-31 | 赫普塔冈微光有限公司 | 光学元件堆叠组件 |
WO2017203593A1 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光学ユニットの製造方法、内視鏡用光学ユニット、および内視鏡 |
US10388684B2 (en) | 2016-10-04 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor packages formed using temporary protection layers and related methods |
CN106791340B (zh) * | 2017-03-22 | 2022-12-27 | 蓝思科技股份有限公司 | 一种含保护膜的摄像头组件 |
US11137581B2 (en) * | 2018-09-27 | 2021-10-05 | Himax Technologies Limited | Wafer-level homogeneous bonding optical structure and method to form the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7335870B1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-02-26 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Method for image sensor protection |
CN101714564A (zh) * | 2008-10-02 | 2010-05-26 | 采钰科技股份有限公司 | 图像传感器装置及其密封模块 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3938253B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-06-27 | 日本板硝子株式会社 | 樹脂正立等倍レンズアレイおよびその製造方法 |
US6306694B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device |
JP4562835B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2010-10-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6483101B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Molded image sensor package having lens holder |
US20020020840A1 (en) * | 2000-03-10 | 2002-02-21 | Setsuo Nakajima | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6821810B1 (en) * | 2000-08-07 | 2004-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers |
US6635941B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of semiconductor device with improved reliability |
JP4213897B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2009-01-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロレンズアレイの転写原型の製造方法 |
EP1543564A2 (en) * | 2002-09-17 | 2005-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package |
US7329861B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Integrally packaged imaging module |
WO2005041286A1 (en) * | 2003-10-28 | 2005-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method |
US8049806B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-11-01 | Digitaloptics Corporation East | Thin camera and associated methods |
CN1969539A (zh) * | 2004-05-04 | 2007-05-23 | 德塞拉股份有限公司 | 紧凑透镜塔形组件 |
US20070014018A1 (en) * | 2004-12-30 | 2007-01-18 | Wheatley John A | Internal components of optical device comprising hardcoat |
JP2007129164A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Sharp Corp | 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体 |
TWI267208B (en) * | 2006-01-18 | 2006-11-21 | Visera Technologies Co Ltd | Image sensor module |
WO2008120425A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | マイクロレンズアレイ付き液晶表示パネルおよびその製造方法 |
KR100959922B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2010-05-26 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 및 그 제조방법 |
US7732244B2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-06-08 | Visera Technologies Company Limited | Method for forming light-transmitting regions |
US7741652B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-06-22 | Visera Technologies Company Limited | Alignment device and application thereof |
FR2931587B1 (fr) * | 2008-05-21 | 2011-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un dispositif optique a composants optoelectroniques integres |
US8422138B2 (en) * | 2009-07-02 | 2013-04-16 | Digitaloptics Corporation East | Wafer level optical elements and applications thereof |
CN101990058A (zh) * | 2009-07-30 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 晶圆级相机模组的镀膜方法及晶圆级相机模组 |
US8193599B2 (en) * | 2009-09-02 | 2012-06-05 | Himax Semiconductor, Inc. | Fabricating method and structure of a wafer level module |
US8059341B2 (en) * | 2009-09-23 | 2011-11-15 | Visera Technologies Company Limited | Lens assembly and method for forming the same |
US8796798B2 (en) * | 2010-01-27 | 2014-08-05 | Ricoh Company, Ltd. | Imaging module, fabricating method therefor, and imaging device |
US20110292271A1 (en) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Tzy-Ying Lin | Camera module and fabrication method thereof |
-
2011
- 2011-08-29 US US13/219,948 patent/US8388793B1/en active Active
- 2011-12-02 TW TW100144313A patent/TWI460485B/zh active
- 2011-12-26 CN CN201110461196.0A patent/CN102969321B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7335870B1 (en) * | 2006-10-06 | 2008-02-26 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Method for image sensor protection |
CN101714564A (zh) * | 2008-10-02 | 2010-05-26 | 采钰科技股份有限公司 | 图像传感器装置及其密封模块 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP特开2011-53640A 2011.03.17 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201310106A (zh) | 2013-03-01 |
US20130048208A1 (en) | 2013-02-28 |
US8388793B1 (en) | 2013-03-05 |
CN102969321A (zh) | 2013-03-13 |
TWI460485B (zh) | 2014-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102969321B (zh) | 相机模块的制造方法 | |
TWI323512B (en) | Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements | |
TWI264118B (en) | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronic imagers | |
JP5540120B2 (ja) | スタック型レンズアレイ及びレンズモジュール | |
US7521657B2 (en) | Assembly having wafer with image sensor chips, a photo-sensitive adhesive pattern and plate thereof and method of manufacturing the same | |
JP3675402B2 (ja) | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 | |
TWI475674B (zh) | 照相模組及其製造方法 | |
JP2007027713A5 (zh) | ||
TW200900829A (en) | Method of manufacturing the image capture unit | |
JP2007142207A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN111131663B (zh) | 感光组件及其形成方法、镜头模组、电子设备 | |
TWI577003B (zh) | 用於相機製造之晶圓級接合方法 | |
US10573776B2 (en) | Manufacturing method of image-sensing module | |
US20070292127A1 (en) | Small form factor camera module with lens barrel and image sensor | |
JP2009290033A (ja) | 電子素子ウェハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュール、電子情報機器 | |
US8048768B2 (en) | Joined wafer, fabrication method thereof, and fabrication method of semiconductor devices | |
CA2649157A1 (en) | Method for mounting protective covers on image capture devices and devices manufactured thereby | |
KR101124652B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 모듈 제작 방법 | |
US20220045247A1 (en) | Optoelectronic modules including an optical emitter and optical receiver | |
US8318579B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
CN110969148A (zh) | 一种光学模组及其光学模组的制备方法 | |
CN210804466U (zh) | 一种光学模组 | |
US7964432B2 (en) | Method of manufacturing lenses, in particular for an integrated imager | |
JP2012215655A (ja) | スペーサの製造方法及びレンズモジュールの製造方法 | |
US9269743B2 (en) | Methods of forming imaging device layers using carrier substrates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |