CN102956826A - 聚合物太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种聚合物太阳能电池及其制备方法。一种聚合物太阳能电池，包括依次层叠的阳极基底、空穴缓冲层、活性层及金属阴极，所述聚合物太阳能电池还包括设于所说活性层和金属阴极之间的无机层。上述聚合物太阳能电池包括活性层/无机层结构，能够改善光场在活性层中的分布，从而改变载流子的产生区域，为激子的解离提供了良好的场所，同时也提高了载流子的传输效率，也可以将活性层与阴极的接触界面分开，阻止金属原子向活性层的扩散而破坏了活性层的结构，起到了缓冲层的作用，提高电子在电极处的收集效率。

Description

聚合物太阳能电池及其制备方法
【技术领域】
本发明涉及一种聚合物太阳能电池及其制备方法。
【背景技术】
1982年，Weinberger等研究了聚乙炔的光伏性质，制造出了第一个具有真正意义上的太阳能电池，但是当时的光电转换效率极低(10-3％)。紧接着，Glenis等制作了各种聚噻吩的太阳能电池，当时都面临的问题是极低的开路电压和光电转换效率。直到1986年，C.W.Tang等首次将p型半导体和n型半导体引入到双层结构的器件中，才使得光电流得到了极大程度的提高，从此以该工作为里程碑，有机聚合物太阳能电池蓬勃发展起来。
1992年Sariciftci等发现2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1，4-苯乙(MEH-PPV)与复合体系中存在快速光诱导电子转移现象，引起了人们的极大兴趣，而在1995年，Yu等用MEH-PPV与C60衍生物PCBM混合作为活性层制备了有机聚合物体异质结太阳能电池。器件在20mW/cm2430nm的单色光照射下，能量转换效率为2.9％。这是首个基于聚合物材料与PCBM受体制备的本体异质结太阳能电池，并提出了复合膜中互穿网络结构的概念。至此，本体异质结结构在聚合物太阳能电池中的应用得到了迅速的发展。这种结构也成为目前人们普遍采用的有机聚合物太阳能电池结构。
聚合物太阳能电池的工作原理主要分为四部分：(1)光激发和激子的形成；(2)激子的扩散；(3)激子的分裂；(4)电荷的传输和收集。首先，共轭聚合物在入射光照射下吸收光子，电子从聚合物最高占有轨道(HOMO)跃迁到最低空轨道(LUMO)，形成激子，激子在内建电场的作用下扩散到给体/受体界面处分离成自由移动的电子和空穴，然后电子在受体相中传递并被阴极收集，空穴则通过给体相并被阳极收集，从而产生光电流。这就形成了一个有效的光电转换过程。
研究表明，在活性层中的绝大部分区域是不能产生激子的，这就使得光生载流子的产生效率严重下降。而且，在活性层中激子主要将在靠近ITO/PEDOT电极一侧产生，由于激子扩散长度的有限性，大量的载流子就也将在靠近ITO/PEDOT电极一侧产生。在聚合物中电子的迁移率要远低于空穴的迁移率，加之载流子产生的位置使得电子在薄膜中的传输距离长于空穴的传输距离，因此薄膜中电子向Al电极处的传输是十分困难的。这将导致大量的载流子在传输过程中复合消失，不会对光生电流有任何的贡献，严重的影响了聚合物电池的光电转换效率。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种光电转换效率较高的聚合物太阳能电池及其制备方法。
一种聚合物太阳能电池，包括依次层叠的阳极基底、空穴缓冲层、活性层及金属阴极，所述聚合物太阳能电池还包括设于所说活性层和金属阴极之间的无机层。
在优选的实施例中，所述无机层为氧化锌、硫化锌、二氧化钛、氧化镁或硫化锰。
在优选的实施例中，所述空穴缓冲层为质量比为2∶1～6∶1的PEDOT:PSS。
在优选的实施例中，所述活性层为P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM，其中，P3HT与PCBM的质量比为1∶0.8～1∶1，MDMO-PPV与PCBM或者MEH-PPV与PCBM的质量比为1∶1～1∶4。
在优选的实施例中，所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；所述阴极为铝、银、钙、铜、金或铂。
一种聚合物太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、清洗阳极基底；
步骤二、旋涂空穴缓冲层；
步骤三、旋涂活性层；
步骤四、磁控溅射或电子束蒸镀制备无机层，及
步骤五、蒸镀金属阴极。
在优选的实施例中，步骤一中，先将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，再对所述阳极基底进行氧等离子处理或UV-臭氧处理。
在优选的实施例中，步骤二中，采用质量百分数为1％～5％的PEDOT:PSS水溶液，其中PEDOT与PSS的重量比为2∶1～6∶1，通过旋涂的方式制备在所述阳极基底上，旋涂后在100～200℃下加热15～60min，空穴缓冲层的厚度控制在20～80nm。
在优选的实施例中，步骤三中，采用P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM的有机溶液在惰性气氛下进行旋涂，其中，该有机溶液的溶剂为甲苯，二甲苯，氯苯，氯仿的一种或两种混合溶剂，每种有机溶液中溶质的浓度为8～30mg/ml，最后在50～200℃下退火10～100min，或者在室温下放置24～48h，活性层的厚度控制在80～300nm。
在优选的实施例中，P3HT与PCBM的质量比为1∶0.8～1∶1，MDMO-PPV与PCBM或者MEH-PPV与PCBM的质量比为1∶1～1∶4。
上述聚合物太阳能电池包括活性层/无机层结构，能够改善光场在活性层中的分布，从而改变载流子的产生区域，为激子的解离提供了良好的场所，同时也提高了载流子的传输效率，也可以将活性层与阴极的接触界面分开，阻止金属原子向活性层的扩散而破坏了活性层的结构，起到了缓冲层的作用，提高电子在电极处的收集效率。
【附图说明】
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为一实施方式的聚合物太阳能电池的结构示意图；
图2为一实施例的聚合物太阳能电池的制备方法的流程图；
图3为实施例1的聚合物太阳能电池与传统的聚合物太阳能电池的电流密度与电压关系图。
【具体实施方式】
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
请参阅图1，一实施例的聚合物太阳能电池100包括依次层叠的阳极基底10、空穴缓冲层20、活性层30、无机层40及阴极50。
阳极基底10优选为铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟的氧化锡玻璃(FTO)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。
空穴缓冲层20优选为质量比为2∶1～6∶1的PEDOT:PSS，厚度为20～80nm。更为优选的，PEDOT(聚(3，4-二氧乙基噻吩))与PSS(聚(对苯乙烯磺酸))的质量比为6∶1，厚度为40nm。
活性层30为P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM。其中，P3HT(聚3-己基噻吩)与PCBM(C60富勒烯或其衍生物)的质量比为1∶0.8～1∶1，MDMO-PPV(聚对苯乙烯撑)与PCBM或者MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)对苯乙炔])与PCBM的质量比为1∶1～1∶4。
无机层40优选为氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、二氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)或硫化锰(MnS)。
金属阴极50优选为铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)、铜(Cu)、金(Au)或铂(Pt)。
聚合物太阳能电池具有活性层/无机层结构，其可以改善光场在活性层中的分布，从而改变载流子的产生区域，为激子的解离提供了良好的场所，同时也提高了载流子的传输效率，也可以将活性层与阴极的接触界面分开，阻止金属原子向活性层的扩散而破坏了活性层的结构，起到了缓冲层的作用，提高电子在电极处的收集效率；另外，所用的无机材料的纳米结构也可起到散射作用，对太阳光的入射起到一定的反射效应，提高光的利用率，而且，无机层在沉积过程中可能会与活性层中聚合物分子作用而形成极性键，从而提高器件的开路电压，最终提高器件的光电转换效率。
请参阅图2，一实施方式的聚合物太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤S101、清洗阳极基底。
阳极基底优选为铟锡氧化物玻璃(ITO)、掺氟的氧化锡玻璃(FTO)，掺铝的氧化锌玻璃(AZO)或掺铟的氧化锌玻璃(IZO)。优选的，先将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行合适的处理，例如：氧等离子处理或UV-臭氧处理。其中氧等离子处理时间为5～15min，功率为10～50W；UV-臭氧处理时间为5～20min。
步骤S102、旋涂空穴缓冲层。
优选的，采用质量百分数为1％～5％的PEDOT:PSS水溶液，其中PEDOT与PSS的重量比为2∶1～6∶1，通过旋涂的方式制备在阳极基底上，旋涂后在100～200℃下加热15～60min，厚度控制在20～80nm。优选的，PEDOT与PSS的重量比为6∶1，PEDOT:PSS水溶液的质量百分数为1.3％，处理方法是在200℃下加热30min，厚度为40nm。
步骤S103、旋涂活性层。
优选的，采用P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM的有机溶液进行旋涂，其中，该有机溶液的溶剂为甲苯，二甲苯，氯苯，氯仿的一种或两种混合溶剂。每种有机溶液中溶质的总浓度控制在8～30mg/ml，而P3HT与PCBM的质量比控制在1∶0.8～1∶1的范围。MDMO-PPV与PCBM或者MEH-PPV与PCBM的质量比控制在1∶1～1∶4的范围。然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在50-200℃下退火10-100min，或者在室温下放置24-48h，厚度控制在80-300nm。优选的，采用质量比为1∶0.8，总浓度为12mg/ml的P3HT:PCBM的氯苯溶液，处理方法优选为200℃下退火20min，厚度为120nm。
步骤S104、磁控溅射或电子束蒸镀制备无机层。
优选的，无机层为氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、二氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)或硫化锰(MnS)。无机层的厚度优选为10～100nm。
步骤S105、蒸镀金属阴极。
优选的，金属阴极为铝(Al)、银(Ag)、钙(Ca)、铜(Cu)、金(Au)或铂(Pt)。金属阴极的厚度优选为80～200nm。
由此得到聚合物太阳能电池。
上述聚合物太阳能电池制备方法中，通过制备活性层/无机层结构来制备器件，改变载流子的产生区域，提供良好的解离场所和载流子的传输效率，也阻止金属原子向活性层的扩散而破坏了活性层的结构，同时起到了缓冲层的作用，提高电子在电极处的收集效率；另外，无机材料的纳米结构也可起到散射作用，对太阳光起到反射效应，提高光的利用率，无机层在沉积过程中可能会与活性层中聚合物分子作用而形成极性键，从而提高器件的开路电压。
以下结合具体实施例对聚合物太阳能电池的制备方法进行详细说明。
以下实施例所用到的制备与测试仪器为：高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强＜1×10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号：2602)、用500W氙灯(Osram)与AM 1.5的滤光片组合作为模拟太阳光的白光光源。
实施例1：先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为35W；旋涂空穴缓冲层，然后旋涂活性层，优选质量比为1∶0.8，总浓度为12mg/ml的P3HT:PCBM的氯苯溶液，处理方法优选为200℃下退火20min，厚度为120nm。
然后电子束蒸镀无机层，材料为ZnO，厚度为50nm，接着蒸镀阴极，材料为Al，厚度为150nm。
请参阅表1，表1为实施例1和对比例制备的太阳能电池器件的能量效率测试数据。
表1实施例1和对比例的光电流测试数据
  电流密度(mA cm-2)   电压(V)   效率(％)   填充因子
  实施例1   12.17   0.69   2.98   0.35
  对比例   9.93   0.65   2.30   0.36
由表1可以看出，相较于对比例相比，上述实施例的电流密度、转化效率等参数均有较大幅度的提高。
附图2是实施例1的器件结构：ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/ZnO/Al与传统的器件结构：ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al的电流密度与电压关系。
从图2上可以看到，常用的器件电流密度为9.93mA/cm2，电压为0.65V，而加入无机层之后，器件的电流密度提高到了12.17mA/cm2，电压为0.69V。这说明，加入无机层，提高了载流子的传输效率，并且可能与活性层中聚合物分子作用而形成极性键，从而提高器件的开路电压，最终提高器件的光电转换效率。常用器件的能量转换效率为2.30％，而实施例1的结构能量转换效率为2.98％。
实施例2：先将ITO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为10min，功率为20W；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为3∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为2％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在100℃下加热15min，厚度控制在20nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为MDMO-PPV:PCBM体系，其中，溶液的溶剂为氯仿。每种体系的总浓度控制在8mg/ml，质量比为1∶1的范围，然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在200℃下退火10min，厚度控制在300nm。；然后电子束蒸镀无机层，材料为ZnS，厚度为100nm，接着蒸镀阴极，材料为Ag，厚度为不变。
实施例3：先将FTO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后进行氧等离子处理，处理时间为15min，功率为10W；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为6∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为5％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在200℃下加热60min，厚度控制在80nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为MDMO-PPV:PCBM的体系，其中，溶液的溶剂为甲苯，总浓度控制在30mg/ml，MDMO-PPV:PCBM的质量比控制在1∶4，然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在50℃下退火100min，厚度控制在80nm。；然后电子束蒸镀无机层，材料为TiO2，厚度为20nm，接着蒸镀阴极，材料为Al，厚度为150nm。
实施例4：先将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为5min，功率为40W；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为2∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为1％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在150℃下加热15-60min，厚度控制在60nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为MEH-PPV:PCBM，其中，溶液的溶剂为二甲苯。每种体系的总浓度控制在20mg/ml，MEH-PPV:PCBM的质量比控制在1∶3，然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在100℃下退火50min，厚度控制在120nm。；然后电子束蒸镀无机层，材料为TiO2，厚度为80nm，接着蒸镀电子缓冲层，材料为LiF，厚度为0.7nm，最后蒸镀阴极，材料为Al，厚度为150nm。
实施例5：先将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行UV-臭氧处理，UV-臭氧处理时间为15min；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为4∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为4％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在150℃下加热30min，厚度控制在40nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为P3HT:PCBM，其中，溶液的溶剂为氯仿。每种体系的总浓度控制在10mg/ml，而P3HT:PCBM的质量比控制在1∶0.8。然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在70℃下退火80min，厚度控制在180nm。；然后电子束蒸镀无机层，材料为MgO，厚度不变，接着蒸镀阴极，材料为Cu，厚度为100nm。
实施例6：先将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行UV-臭氧处理，UV-臭氧处理时间为15min；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为2∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为4％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在100℃下加热40min，厚度控制在30nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为P3HT:PCBM，其中，溶液的溶剂为氯苯。每种体系的总浓度控制在15mg/ml，而P3HT:PCBM的质量比控制在1∶1的范围。然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在120℃下退火15min，厚度控制在100nm。；然后磁控溅射无机层，材料为MnS，厚度不变，接着蒸镀阴极，材料为Au，厚度为80nm。
实施例7：先将IZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行UV-臭氧处理，UV-臭氧处理时间为5min；旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为5∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为2％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在100℃下加热20min，厚度控制在60nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为MDMO-PPV:PCBM，其中，溶液的溶剂为氯苯。每种体系的总浓度控制在20mg/ml，MDMO-PPV:PCBM的质量比控制在1∶2的范围，然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在室温下放置48h，厚度控制在180nm。；然后磁控溅射无机层，材料为ZnS，厚度为80nm，接着蒸镀阴极，材料为Ag，厚度不变。
实施例8：先将AZO进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；清洗干净后对导电基底进行氧等离子处理，处理时间为8min，功率为25W；然后旋涂空穴缓冲层，所述的空穴缓冲层采用重量比为2∶1的PEDOT:PSS水溶液，质量分数为5％，通过旋涂的方式制备在导电玻璃上，旋涂后在120℃下加热20min，厚度控制在60nm。然后旋涂活性层，所述的活性层为MEH-PPV:PCBM，其中，溶液的溶剂为氯仿。每种体系的总浓度控制在25mg/ml，而MEH-PPV:PCBM的质量比控制在1∶3的范围，然后在充满惰性气体的手套箱中进行旋涂，最后在室温下放置20h，厚度控制在250nm。；然后电子束蒸镀无机层，材料为MnS，厚度为10nm，接着蒸镀阴极，材料为Pt，厚度为200nm。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种聚合物太阳能电池，包括依次层叠的阳极基底、空穴缓冲层、活性层及金属阴极，其特征在于：所述聚合物太阳能电池还包括设于所说活性层和金属阴极之间的无机层。
2.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述无机层为氧化锌、硫化锌、二氧化钛、氧化镁或硫化锰。
3.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述空穴缓冲层为质量比为2∶1～6∶1的PEDOT:PSS。
4.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述活性层为P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM，其中，P3HT与PCBM的质量比为1∶0.8～1∶1，MDMO-PPV与PCBM或者MEH-PPV与PCBM的质量比为1∶1～1∶4。
5.根据权利要求4所述的聚合物太阳能电池，其特征在于：所述阳极基底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌玻璃或掺铟的氧化锌玻璃；所述阴极为铝、银、钙、铜、金或铂。
6.一种聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、清洗阳极基底；
步骤二、旋涂空穴缓冲层；
步骤三、旋涂活性层；
步骤四、磁控溅射或电子束蒸镀制备无机层，及
步骤五、蒸镀金属阴极。
7.根据权利要求6所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤一中，先将阳极基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，再对所述阳极基底进行氧等离子处理或UV-臭氧处理。
8.根据权利要求6所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤二中，采用质量百分数为1％～5％的PEDOT:PSS水溶液，其中PEDOT与PSS的重量比为2∶1～6∶1，通过旋涂的方式制备在所述阳极基底上，旋涂后在100～200℃下加热15～60min，空穴缓冲层的厚度控制在20～80nm。
9.根据权利要求1所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤三中，采用P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM或者MEH-PPV:PCBM的有机溶液在惰性气氛下进行旋涂，其中，该有机溶液的溶剂为甲苯，二甲苯，氯苯，氯仿的一种或两种混合溶剂，每种有机溶液中溶质的浓度为8～30mg/ml，最后在50～200℃下退火10～100min，或者在室温下放置24～48h，活性层的厚度控制在80～300nm。
10.根据权利要求9所述的聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：P3HT与PCBM的质量比为1∶0.8～1∶1，MDMO-PPV与PCBM或者MEH-PPV与PCBM的质量比为1∶1～1∶4。
CN201110251147.4A 2011-08-29 2011-08-29 聚合物太阳能电池及其制备方法 Active CN102956826B (zh)

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