CN113363279A - 一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 - Google Patents
一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113363279A CN113363279A CN202110681050.0A CN202110681050A CN113363279A CN 113363279 A CN113363279 A CN 113363279A CN 202110681050 A CN202110681050 A CN 202110681050A CN 113363279 A CN113363279 A CN 113363279A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- transport material
- hole transport
- conjugated polymer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 68
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims abstract description 57
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical group [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N iron;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Fe].[Fe] YOBAEOGBNPPUQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising components having an active region that includes an inorganic semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,所述互联层为基于共轭聚合物空穴传输材料的多层平面结构,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层、金属氧化物空穴传输材料层、导电电极层和共轭聚合物电子传输材料层;所述电池从下自上依次为:透明衬底、透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光活性层、上述互联层、有机光活性层、空穴传输层和阳极电极。基于互联层具有高的透过率和准欧姆接触特性,能同时提升器件的短路电流,开路电压和填充因子,这些都有助于提升钙钛矿/有机叠层太阳能电池的能量转化效率。
Description
技术领域
本发明涉及溶液法制备的叠层太阳能电池技术领域,具体涉及一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池。
背景技术
溶液法制备的太阳能电池的能量转化效率早已迈过商业化门槛,为了进一步降低发电成本,需要将吸收互补的两种光活性材料相结合,制备成叠层太阳能电池,以降低透过损失和载流子热化损失,突破单节太阳能电池的Shockley-Queisser理论极限。目前高效率的叠层器件通常使用硅/钙钛矿或铜铟镓硒/钙钛矿结构,该结构中硅和铜铟镓硒的生产过程属于能量密集型,而且原材料较为昂贵。因此使用溶液法制备的钙钛矿和有机太阳能电池在成本上具有天然的优势,且在两者的制备过程中使用的是正交溶剂,不存在后电池的沉积对前电池造成腐蚀,优于全钙钛矿或者全有机叠层太阳能电池。此外,钙钛矿和有机活性层可以通过组分调节或者供受体材料来控制带隙,以使两者的吸收光谱互相匹配,并最大化能量转化效率。溶液法制备的钙钛矿/有机叠层太阳能电池的能量转化效率相对较低,除了受限于有机材料的能量损失外,还受到互联层性质的影响。
因此,在钙钛矿/有机叠层器件中引入透过率高、迁移率匹配以及欧姆接触的互联层,能显著提升光活性层产生载流子数量以及降低复合损失,提高能量转化效率。
无机钙钛矿CsPbI2Br和有机异质结PM6:Y6-BO能分别吸收太阳光中高能和低能光子,可用于制备高效的叠层太阳能电池,类似结构的电池效率已经达到18%。但由于缺少高透过率和低复合损失的互联层,导致其最终的能量转化效率难以突破20%。
发明内容
本发明的第一目的在于克服现有技术的不足,提供了一种高效互联层,本发明选用polyTPD、PBDB-T-Si和D18为高空穴迁移率的共轭聚合物材料,能制备高效率的单结无机CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池,其在单结电池中的欧姆接触特性均有助于得到高效率的钙钛矿/有机叠层太阳能电池,基于这三种空穴传输材料的互联层能有效降低钙钛矿和有机光活性层间的电荷复合,提升载流子利用率。该互联层的四层选用的共轭聚合物空穴传输材料均无需掺杂且具有疏水特性,能减少钙钛矿层受到水分侵蚀的可能性,提升器件的稳定性。
本发明第二目的在于克服现有技术的不足,提供了一种双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,该电池在光谱匹配的无机钙钛矿CsPbI2Br和有机异质结PM6:Y6-BO叠层体系中引入基于共轭聚合物空穴传输材料的互联层,通过维持较高的透过率和降低复合损失,显著提高器件的整体效率,并延长在不同环境下的使用寿命。
为实现上述目的,本发明所设计一种高效互联层,所述互联层为基于共轭聚合物空穴传输材料的多层平面结构,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层、金属氧化物空穴传输材料层、导电电极层和共轭聚合物电子传输材料层。
进一步地,所述互联层的厚度为30~150nm。
再进一步地,所述共轭聚合物空穴传输材料层的厚度为10~50nm,其材料为polyTPD、PBDB-T-Si和D18中任意一种;
所述金属氧化物空穴传输材料层的厚度为5~20nm,其材料为MoO3;
所述电极层的厚度为0.5~8nm,其材料为Ag;
所述共轭聚合物电子传输材料层的厚度为1~8nm,其材料为PFN-Br(三种聚合物空穴传输材料在单结钙钛矿太阳能电池中均具有准欧姆接触特性)。
再进一步地,所述互联层的制备工艺如下:
1)首先将共轭聚合物空穴传输材料于60℃下进行加热溶解;然后经旋涂工艺将共轭聚合物空穴传输材料涂覆形成厚度为5~40nm的共轭聚合物空穴传输材料层;
2)再将MoO3热蒸镀在共轭聚合物空穴传输材料层上,形成厚度为5~20nm的金属氧化物空穴传输材料层;
3)然后将Ag电极热蒸镀金属氧化物空穴传输材料层上,形成厚度为0.5~8nm的导电电极层;
4)最后将PFN-Br溶液旋涂在电极层表面上,形成厚度为1~8nm的共轭聚合物电子传输材料层,即得到互联层。
再进一步地,所述共轭聚合物空穴传输材料层的材料为polyTPD。
上述polyTPD(购买自西安宝莱特公司)、PBDB-T-Si(可由论文EnergyEnviron.Sci.,2018,11,2569中的方法合成)和D18(购买自南京欧纳壹光电公司)。
本发明还提供了一种双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,所述电池为n-i-p型结构,其从下自上依次为:透明衬底、透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光活性层、上述互联层、有机光活性层、空穴传输层和阳极电极;所述互联层为基于共轭聚合物空穴传输材料的多层平面结构,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层、金属氧化物空穴传输材料层、导电电极层和共轭聚合物电子传输材料层。
进一步地,所述互联层的厚度为30~150nm;其中,
所述共轭聚合物空穴传输材料层的厚度为10~50nm,其材料为polyTPD、PBDB-T-Si和D18中任意一种;
所述金属氧化物空穴传输材料层的厚度为5~20nm,其材料为MoO3;
所述电极层的厚度为0.5~8nm,其材料为Ag;
所述共轭聚合物电子传输材料层的厚度为1~8nm,其材料为PFN-Br(三种聚合物空穴传输材料在单结钙钛矿太阳能电池中均具有准欧姆接触特性)。
再进一步地,所述钙钛矿光活性层的材料为无机钙钛矿CsPbI2Br,其厚度为180~350nm,
所述有机光活性层的材料为有机异质结PM6:Y6-BO,其厚度为65~250nm(钙钛矿光活性层和有机光活性层均为溶液法制备)。
再进一步地,所述电子传输层的材料为TiO2、SnO2和ZnO中的任意一种,其厚度为5~50nm;
所述空穴传输层的材料为MoO3,其厚度为5~20nm。
再进一步地,所述阳极电极的材料为Al、Ag、Au和Cu中的任意一种,其厚度为80~100nm;所述透明导电基底的材料为导电玻璃氧化铟锡(ITO),导电玻璃氟掺杂氧化锡(FTO)和导电柔性玻璃中的任意一种。
本发明的有益效果:
(1)PBDB-T-Si和D18吸收光谱范围在650nm以内,polyTPD吸收光谱范围在420nm以内,均为高空穴迁移率的共轭聚合物材料,且在单结钙钛矿电池中具有的准欧姆接触特性,得到互联层,基于得到有助于得到高效率的双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池;
此外,基于polyTPD/MoO3/Ag/PFN-Br的互联层具有高的透过率和准欧姆接触特性,能同时提升器件的短路电流,开路电压和填充因子,这些都有助于提升钙钛矿/有机叠层太阳能电池的能量转化效率。
(2)polyTPD、PBDB-T-Si、D18这三种材料均为长链共轭聚合物,具有疏水特性。相比于传统需要掺杂的小分子空穴传输材料,无掺杂的polyTPD、PBDB-T-Si、D18能更好的抵御水分入侵,提高器件的稳定性,同时由于聚合物本身具有长期稳定的形貌,使得器件能在不同环境下仍有较长的使用寿命。
附图说明
图1为高效互联层的结构示意图;
图2为双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池的结构示意图,放大处为互联层的结构示意图;
图中,透明衬底1、透明导电基底2、电子传输层3、钙钛矿光活性层4、互联层5、共轭聚合物空穴传输材料层5.1、金属氧化物空穴传输材料层5.2、导电电极层5.3、共轭聚合物电子传输材料层5.4、有机光活性层6、空穴传输层7、阳极电极8;
图3为互联层1~3的透过率图;
图4是基于互联层1的电池1的电流-电压曲线;
图5是基于互联层2的电池2的电流-电压曲线;
图6是基于互联层3的电池3的电流-电压曲线;
图7为电池3的运行稳定性的测试图;
图8为电池3的储存稳定性的测试图;
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的详细描述,以便本领域技术人员理解。
实施例1
如图1所述的用于叠层太阳能电池的互联层1,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层5.1、金属氧化物空穴传输材料层5.2、导电电极层5.3和共轭聚合物电子传输材料层5.4;其中,
共轭聚合物空穴传输材料层5.1的厚度为20nm,其材料为D18;
金属氧化物空穴传输材料层5.2的厚度为10nm,其材料为MoO3;
电极层5.3的厚度为2nm,其材料为Ag;
共轭聚合物电子传输材料层5.4的厚度为2nm,其材料为PFN-Br;
上述互联层1的制备工艺如下:
1)首先将D18溶于溶解在氯苯中,以1000rpm的转速在基底上旋涂30s,得到厚度为20nm的共轭聚合物空穴传输材料层5.1,
2)通过金属掩膜版再将MoO3热蒸镀在共轭聚合物空穴传输材料层5.1上,形成厚度为10nm的金属氧化物空穴传输材料层5.2;
3)然后通过金属掩膜版将Ag电极热蒸镀金属氧化物空穴传输材料层5.2上,形成厚度为2nm的导电电极层5.3;
4)最后将PFN-Br溶解在甲醇中,以1000rpm的转速旋涂40s,将PFN-Br溶液涂覆在电极层5.3表面上,形成厚度为2nm的共轭聚合物电子传输材料层5.4,即得到互联层1。
实施例2
互联层2的结构及其制备工艺与实施例1的基本相同,不同之处在于:
互联层2中,共轭聚合物空穴传输材料层5.1的厚度为20nm,其材料为PBDB-T-Si。
实施例3
互联层3的结构及其制备工艺与实施例1的基本相同,不同之处在于:
互联层3中,共轭聚合物空穴传输材料层5.1的厚度为20nm,其材料为polyTPD。
如图3所示:相比于实施例1,2中的互联层,实施例3中的互联层具有更大的透过率,且在叠层器件中也有欧姆接触特性,有利于电池吸收更多的光子,提升器件性能。
实施例4
如图2所述的双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池1~3为n-i-p型结构,其从下自上依次为:透明衬底1、透明导电基底2、电子传输层3、钙钛矿光活性层4、互联层5、有机光活性层6、空穴传输层7和阳极电极8;其中,电池1~3中,互联层5依次对应为互联层1~3;
钙钛矿光活性层的材料为无机钙钛矿CsPbI2Br,其厚度为255nm,
有机光活性层的材料为有机异质结PM6:Y6-BO,其厚度为160nm;
电子传输层的材料为ZnO,其厚度为40nm;
空穴传输层的材料为MoO3,其厚度为10nm。
阳极电极的材料为Al、Ag、Au和Cu中的任意一种,其厚度为100nm;
透明导电基底的材料为导电玻璃氧化铟锡(ITO)。
上述电池1~3制备相同,具体步骤如下:
1)将方阻为15Ω/□的透明导电基底ITO依次在乙醇、异丙醇中超声清洗15min,用氮气枪吹干表面溶剂后置于135℃热台上烘干,随后在紫外-臭氧清洗机中清洗15min以除去表面多余的有机物,提高导电基底的浸润性;
2)在经步骤1)处理后的导电基底上制备电子传输层:将ZnO前驱液以3000rpm的转速旋涂30s,然后在热台上经过150℃退火30min,得到厚度为40nm的电子传输层;
3)用体积比9/1的DMSO/DMF混合溶剂溶解1M的CsBr和PbI2,并将溶液于60℃加热使活性层材料完全溶解。然后将溶液滴加在电子传输层上,先以1500rpm旋涂10s,然后以4500rpm旋涂30s,随后依次将器件置于风扇上吹气60s,50℃热台上退火30s,240℃热台上退火60s,得到厚度为255nm的CsPbI2Br钙钛矿薄膜;
4)将互联层1~3分别沉积在钙钛矿上表面。
5)将溶解在氯仿中19.6mg/mL PM6:Y6-BO(质量比1:1.2)溶液以2500rpm的转速在互联层上旋涂40s,得到厚度为160nm的PM6:Y6-BO有机薄膜。
6)通过金属掩膜版蒸镀MoO3空穴传输层,厚度为10nm。
7)通过金属掩膜版蒸镀Ag为阳极电极,厚度为100nm。
按上述方法制备得到的钙钛矿/有机叠层太阳能电池1~3进行测试,经测试,所得钙钛矿/有机叠层太阳能电池1~3的性能如下。
钙钛矿/有机叠层太阳能电池1的电流-电压曲线如图4,能量转化效率在反扫条件下达到16.6%,其中短路电流为12.8mA/cm2,开路电压1.80V,填充因子71.8%。将电池放置120天后,其光电转化效率衰减小于20%。将电池放置5mW/cm2 365nm的紫外灯下照射200h,或者在65℃热台上加热330h,器件衰减均小于20%。
钙钛矿/有机叠层太阳能电池2的电流-电压曲线如图5,能量转化效率在反扫条件下达到16.9%,其中短路电流为12.6mA/cm2,开路电压1.82V,填充因子73.2%。将电池放置120天后,其光电转化效率衰减小于20%。将电池放置5mW/cm2 365nm的紫外灯下照射200h,或者在65℃热台上加热330h,器件衰减均小于20%。
钙钛矿/有机叠层太阳能电池3的电流-电压曲线如图6,能量转化效率在反扫条件下达到21.1%,稳态输出效率为20.6%(图7),其中短路电流为13.3mA/cm2,开路电压1.96V,填充因子80.8%。将电池放置120天后,其光电转化效率衰减小于8%(图8)。将电池放置5mW/cm2 365nm的紫外灯下照射200h,或者在65℃热台上加热330h,器件衰减均小于8%。
现有使用P3HT/MoOx/Au/ZnO为互联层的钙钛矿/有机叠层太阳能电池,效率为18.04%,电池3具有更高的能量转化效率21.1%,说明该实施例下的互联层具有较高的实际应用潜力。
其它未详细说明的部分均为现有技术。尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述,但它仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例,人们还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例,这些实施例都属于本发明保护范围。
Claims (10)
1.一种高效互联层,其特征在于:所述互联层为基于共轭聚合物空穴传输材料的多层平面结构,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层、金属氧化物空穴传输材料层、导电电极层和共轭聚合物电子传输材料层。
2.根据权利要求1所述高效互联层,其特征在于:所述互联层的厚度为30~150nm。
3.根据权利要求1或2所述高效互联层,其特征在于:所述共轭聚合物空穴传输材料层的厚度为10~50nm,其材料为polyTPD、PBDB-T-Si和D18中任意一种;
所述金属氧化物空穴传输材料层的厚度为5~20nm,其材料为MoO3;
所述电极层的厚度为0.5~8nm,其材料为Ag;
所述共轭聚合物电子传输材料层的厚度为1~8nm,其材料为PFN-Br。
4.根据权利要求1或2所述高效互联层,其特征在于:所述互联层的制备工艺如下:
1)首先将共轭聚合物空穴传输材料于60℃下进行加热溶解;然后经旋涂工艺将共轭聚合物空穴传输材料涂覆形成厚度为5~40nm的共轭聚合物空穴传输材料层;
2)再将MoO3热蒸镀在共轭聚合物空穴传输材料层上,形成厚度为5~20nm的金属氧化物空穴传输材料层;
3)然后将Ag电极热蒸镀金属氧化物空穴传输材料层上,形成厚度为0.5~8nm的导电电极层;
4)最后将PFN-Br溶液旋涂在电极层表面上,形成厚度为1~8nm的共轭聚合物电子传输材料层,即得到互联层。
5.根据权利要求4所述高效互联层,其特征在于:所述共轭聚合物空穴传输材料层的材料为polyTPD。
6.一种双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,所述电池为n-i-p型结构,其从下自上依次为:透明衬底、透明导电基底、电子传输层、钙钛矿光活性层、权利要求1所述的互联层、有机光活性层、空穴传输层和阳极电极;其特征在于:所述互联层为基于共轭聚合物空穴传输材料的多层平面结构,所述互联层为由下至上依次为共轭聚合物空穴传输材料层、金属氧化物空穴传输材料层、导电电极层和共轭聚合物电子传输材料层。
7.根据权利要求6所述双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,其特征在于:所述互联层的厚度为30~150nm;其中,
所述共轭聚合物空穴传输材料层的厚度为10~50nm,其材料为polyTPD、PBDB-T-Si和D18中任意一种;
所述金属氧化物空穴传输材料层的厚度为5~20nm,其材料为MoO3;
所述电极层的厚度为0.5~8nm,其材料为Ag;
所述共轭聚合物电子传输材料层的厚度为1~8nm,其材料为PFN-Br。
8.根据权利要求6所述双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿光活性层的材料为无机钙钛矿CsPbI2Br,其厚度为180~350nm,
所述有机光活性层的材料为有机异质结PM6:Y6-BO,其厚度为65~250nm。
9.根据权利要求6所述双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层的材料为TiO2、SnO2和ZnO中的任意一种,其厚度为5~50nm;
所述空穴传输层的材料为MoO3,其厚度为5~20nm。
10.根据权利要求6所述双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池,其特征在于:所述阳极电极的材料为Al、Ag、Au和Cu中的任意一种,其厚度为80~100nm;所述透明导电基底的材料为导电玻璃氧化铟锡,导电玻璃氟掺杂氧化锡和导电柔性玻璃中的任意一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110681050.0A CN113363279A (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110681050.0A CN113363279A (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113363279A true CN113363279A (zh) | 2021-09-07 |
Family
ID=77535220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110681050.0A Pending CN113363279A (zh) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | 一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113363279A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116669439A (zh) * | 2023-07-31 | 2023-08-29 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置 |
CN117202676A (zh) * | 2023-11-08 | 2023-12-08 | 电子科技大学 | 基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池 |
WO2024021939A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司 | 基于MXene材料互联的两端式叠层太阳能电池及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180174761A1 (en) * | 2015-06-12 | 2018-06-21 | Oxford Photovoltaics Limited | Method of depositing a perovskite material |
CN212695177U (zh) * | 2020-04-28 | 2021-03-12 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种含叠加复合传输层的钙钛矿太阳能电池 |
US20210104685A1 (en) * | 2018-06-19 | 2021-04-08 | Nanjing University Of Posts & Telecommunications | Ternary polymer solar cell |
US20210143351A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-05-13 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Interconnection structures for perovskite tandem solar cells |
CN112909182A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-06-04 | 电子科技大学 | 一种高效率半透明有机太阳能电池及其制备方法 |
-
2021
- 2021-06-18 CN CN202110681050.0A patent/CN113363279A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180174761A1 (en) * | 2015-06-12 | 2018-06-21 | Oxford Photovoltaics Limited | Method of depositing a perovskite material |
US20210143351A1 (en) * | 2018-05-25 | 2021-05-13 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Interconnection structures for perovskite tandem solar cells |
US20210104685A1 (en) * | 2018-06-19 | 2021-04-08 | Nanjing University Of Posts & Telecommunications | Ternary polymer solar cell |
CN212695177U (zh) * | 2020-04-28 | 2021-03-12 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种含叠加复合传输层的钙钛矿太阳能电池 |
CN112909182A (zh) * | 2021-02-20 | 2021-06-04 | 电子科技大学 | 一种高效率半透明有机太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
LANG KUN等: "High Performance Tandem Solar Cells with Inorganic Perovskite and Organic Conjugated Molecules to Realize Complementary Absorption", 《THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024021939A1 (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司 | 基于MXene材料互联的两端式叠层太阳能电池及其制备方法 |
CN116669439A (zh) * | 2023-07-31 | 2023-08-29 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置 |
CN116669439B (zh) * | 2023-07-31 | 2024-04-12 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置 |
CN117202676A (zh) * | 2023-11-08 | 2023-12-08 | 电子科技大学 | 基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池 |
CN117202676B (zh) * | 2023-11-08 | 2024-01-23 | 电子科技大学 | 基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113363279A (zh) | 一种高效互联层及其双结钙钛矿/有机叠层太阳能电池 | |
JP5634530B2 (ja) | 有機太陽電池及びその製造方法 | |
WO2007029750A1 (ja) | 有機薄膜光電変換素子及びその製造方法 | |
CN109802041B (zh) | 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法 | |
CN112018242A (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN106410037A (zh) | 一种基于有机小分子给体材料的双结太阳能电池器件及其制备方法 | |
CN113707809B (zh) | 有机太阳能器件电子传输层组合物及有机太阳能器件和制备方法 | |
CN118019421A (zh) | 反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法以及光伏器件 | |
JP2015532524A (ja) | ポリマー太陽電池及びその製造方法 | |
KR101791801B1 (ko) | 칼코겐원소로 개질된 n형 반도체를 갖는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법 | |
CN111063806B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN102956826B (zh) | 聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
CN111509128A (zh) | 基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
CN116634823A (zh) | 一种制备钝化层的方法及晶硅/钙钛矿叠层太阳能电池 | |
CN112885967B (zh) | 一种基于延迟荧光材料的双层有机太阳能电池及制备方法 | |
CN115172593A (zh) | 一种基于无机/有机双层复合空穴传输材料的有机太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN113611800A (zh) | 基于新型添加剂的全小分子有机太阳能电池及其制备方法 | |
CN111211231A (zh) | 一种基于半透明量子点太阳能电池及其制备方法 | |
CN111446375B (zh) | 苯二酚修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN111628085B (zh) | 一种基于双电子传输层的有机太阳能电池及其制备方法 | |
CN212991123U (zh) | 基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池 | |
CN103137870A (zh) | 聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
CN111092156B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN103137869A (zh) | 聚合物太阳能电池及其制备方法 | |
CN118301951A (zh) | 一种利用乙醇胺碘或二乙醇碘化铵对空穴传输层进行修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210907 |