CN102954398A - 发光模块和具有发光模块的背光单元 - Google Patents

发光模块和具有发光模块的背光单元 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种发光模块和具有发光模块的背光单元。所述发光模块包括：多个发光二极管；和模块基底，该模块基底具有：设置有多个发光二极管的布线部，以及从布线部折起且设置在多个发光二极管下方的热辐射部，其中多个发光二极管包括设置在布线部的第一外区上的第一发光二极管、设置在布线部的第二外区上的第二发光二极管以及设置在布线部的中心区上的第三发光二极管，以及在模块基底的热辐射部中，布线部的中心区与热辐射部的端部之间的宽度比布线部的第一外区与热辐射部的端部之间的宽度宽。

Description

发光模块和具有发光模块的背光单元
技术领域
实施方案涉及发光模块和具有发光模块的背光单元。
背景技术
随着信息处理技术的发展，显示装置如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)以及有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)得到了广泛地使用。显示装置中的LCD需要产生光以显示图像的背光单元。
在发光模块中，多个发光二极管安装在基底上并且通过经由连接器供外部电源来驱动。
发明内容
实施方案提供一种具有新结构的发光模块以及具有该发光模块的背光单元。
实施方案提供一种根据区域的不同而有差别地形成了模块基底的热辐射部的面积的发光二极管模块以及具有该发光模块的背光单元。
实施方案提供一种形成以使得模块基底的热辐射部从安装有发光二极管的布线部折起且热辐射部的面积与重力方向彼此成反比的发光二极管，以及具有该发光二极管模块的背光单元。
实施方案提供一种发光模块，包括：多个发光二极管；以及模块基底，该模块基底具有：设置有多个发光二极管的布线部，以及从布线部折起且设置在多个发光二极管下方的热辐射部，其中多个发光二极管包括设置在布线部的第一外区上的第一发光二极管、设置在布线部的第二外区上的第二发光二极管、以及设置在布线部的中心区上的第三发光二极管，在模块基底的热辐射部中，布线部的中心区与热辐射部的端部之间的宽度比布线部的第一外区与热辐射部的端部之间的宽度宽。
实施方案提供一种发光模块，包括：多个发光二极管；以及模块基底，该模块基底具有：设置有多个发光二极管的布线部，以及从布线部折起且设置在多个发光二极管下面的热辐射部，其中多个发光二极管包括设置在布线部的第一外区上的第一发光二极管、设置在布线部的第二外区上的第二发光二极管、以及设置在布线部的中心区上的第三发光二极管，在模块基底的热辐射部中，布线部的中心区与热辐射部的端部之间的宽度比布线部的第一外区及第二外区与热辐射部的端部之间的宽度宽。
实施方案提供一种背光单元，包括：底盖，该底盖包括有底部、以及从底部折起的第一侧部；导光板，该导光板在底盖上；以及发光模块，该发光模块包括：模块基底，该模块基底包括设置在底盖的第一侧部的内侧上且与导光板的至少一个侧面相对应的布线部、以及从布线部折起且设置在底盖的底部上的热辐射部；以及多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在模块基底的布线部上且与导光板的至少一个侧面相对应，其中多个发光二极管包括设置在布线部的第一外区上的第一发光二极管、设置在布线部的第二外区上的第二发光二极管、以及设置在布线部中心区上的第三发光二极管，并且在模块基底的热辐射部中，布线部的中心区与热辐射部的端部之间的宽度比布线部的第一外区与热辐射部的端部之间的宽度宽。
附图说明
图1是实施方案的显示装置的分解立体图；
图2是图1中的背光单元的部侧视横截面图；
图3示出图2中的发光模块的一个实例；
图4示出图2中的发光模块的另一实例；
图5示出根据第一实施方案的发光模块；
图6示出根据第二实施方案的发光模块；
图7示出根据第三实施方案的发光模块；
图8示出根据第四实施方案的发光模块；
图9示出图1中的发光二极管的一个实例。
具体实施方式
在对实施方案的描述中，在将每个基底、框、片、层或图案等描述为在其“上”或“下”形成的情形中，“上”或“下”还意味着其“直接”或“间接(通过其他部件)”形成到部件。此外，关于每个部件的“上”或“下”的标准将会是基于附图来描述的。在附图中，每个部件的尺寸可以放大以进行描述，但不意味着实际上应用的尺寸。
图1是实施方案中的显示装置的分解立体图。
参照图1，显示装置100包括显示图像的显示面板10以及向显示面板10提供光的背光单元20。
背光单元20包括向显示面板10提供表面光源的导光板70、对泄露光进行反射的反射构件45、在导光板70的边缘区域处提供光的发光模块30、以及形成显示装置100的底部的外观的底盖40。
虽然在附图中未示出，但是显示装置100可以包括在显示面板10的底部支承显示面板10的面板支承体、以及形成显示装置100的边缘且围绕显示面板10的周部的顶盖。
虽然未详细示出，但显示面板10包括例如彼此面对且耦接以保持均匀单元间隙的下基底和上基底，以及插入在这两个基底之间的液晶层(未示出)。下基底形成有多条栅极线以及与多条栅极线相交的多条数据线，并且可以在栅极线与数据线的相交区域中形成薄膜晶体管(TFT)。上基底可以形成有滤色器。显示面板10的结构并不限于此，显示面板10可以具有各种结构。作为另一实例，下基底可以包括薄膜晶体管和滤色器。此外，显示面板10可以根据驱动液晶层的方法由多种类型的结构形成。
虽然未示出，但是显示面板10的边缘可以包括有向栅极线供应扫描信号的栅极驱动印刷电路板(PCB)以及向数据线供应数据信号的数据驱动印刷电路板(PCB)。
显示面板10的上表面和下表面中的至少一个面可以设置有偏振膜(polarization film)(未示出)。显示面板10的下部设置有光学片60，但光学片60也可以包括在背光单元20中并且可以包括至少一个棱镜片或/和扩散片。光学片60可以移除，但不限于此。
入射的光被扩散片均匀扩散，而扩散光可以由棱镜片聚集到显示面板中。此处，棱镜片可以通过水平棱镜片或/和垂直棱镜片、至少一个照明增强片等来选择性地配置。光学片60的种类或数量可以在实施方案的技术范围之内添加或删除，但不限于此。
发光模块30可以设置在底盖40的侧面中的第一侧部42的内侧上。作为另一实例，发光模块30可以设置在底盖40中彼此不同的侧部(例如两侧或者所有侧)上，但不限于此。
发光模块30包括模块基底32、以及布置在模块基底32的一个表面中的多个发光二极管34。
模块基底32可以包括基于树脂的印刷电路板、金属芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB以及FR-4基底。模块基底32的内部可以包括有具有金属层的印刷电路板。
多个发光二极管34以预定的间距沿着导光板70的光进入边缘的方向相对应，并且沿着模块基底32的第一方向X布置。多个发光二极管34中的至少一个发光二极管可以发出例如白色、红色、绿色和蓝色中的至少一种颜色。在实施方案中，可以使用发出具有至少一种颜色的光的发光二极管，或者可以使用发出多种颜色的多个发光二极管的组合。
发光二极管34可以包括使用III-V族化合物半导体的发光芯片、以及保护发光芯片的成型构件。成型构件可以添加有至少一种磷光体，但不限于此。发光芯片可以发出可见波长或者紫外光。
发光二极管34可以设置成至少一行，并且可以以规则的或者不规则的间隔设置。
模块基底32包括布线部32A和热辐射部32B，发光二极管34设置在布线部32A上，热辐射部32B从布线部32A折起并且可以以几乎与布线部32A垂直的角度(例如85°至90°)例如基本正交地设置。模块基底32可以以例如“L”字符的形状形成。热辐射部32B可以不设置有发光二极管34，并且可以由从布线部32A折起的区域形成。热辐射部32B设置在多个发光二极管34的下方，并且延伸超出发光二极管34的厚度。
此处，在模块基底32中，可以将沿着模块基底32的长度方向定义为X轴方向，Z轴方向可以成为热辐射部32B的宽度方向，而Y轴方向可以成为布线部32A的宽度方向。Z轴方向与Y轴方向正交，而Z轴方向和Y轴方向与X轴方向正交。
热辐射部32B示出为在布线部32A的下部方向上的折起结构，但是热辐射部32B可以被弯折成在布线部32A的两个方向(例如顶部方向和下部方向)上彼此面对，但不限于此。
热辐射部32B的宽度可以比布线部32A的宽度宽，可以考虑热辐射效率来控制宽度。布线部32A的厚度可以形成为比热辐射部32B的厚度厚。
模块基底32的布线部32A可以连接到底盖40的第一侧部42以及连接构件50。连接构件50可以包括粘接构件。模块基底32的布线部32A可以用紧固构件而不是连接构件来连接到第一侧部42。
模块基底32的布线部32A可以设置有连接器。连接器可以设置在模块基底32的顶表面和下表面中的至少一个面上，但不限于此。
导光板70的至少一个侧面(即光进入边缘)与设置在模块基底32的布线部32A上的多个发光二极管34相对应。模块基底32的热辐射部32B与导光板70的下表面相对应，并且可以设置成与模块基底32的下部平行。从多个发光二极管34生成的光入射在导光板70的至少一个侧面(即光进入边缘)上。多个发光二极管34可以通过正面发光法(top viewmethod)设置在布线部32A上，但不限于此。
导光板70可以以多边形的形状形成，包括其上生成表面光源的顶表面、与顶表面相反的下表面以及至少四个侧面。导光板70由透明材料形成，并且可以含有例如丙烯酸树脂如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂中的一种。导光板70可以通过挤压成型来形成，但不限于此。
导光板70的顶表面或/和下表面可以形成有反射图案(未示出)。包括预定图案(例如反射图案或/和棱镜图案)的反射图案反射或/和不规则地反射入射光，因此，光可以被规则地辐照通过导光板70的整个表面。导光板70的下表面可以由反射图案形成，顶表面可以由棱镜图案形成。导光板70的内部可以添加有散射剂但不限于此。
反射构件45设置在导光板70的下部下方。在导光板70下方行进的光被反射构件45反射向显示面板的方向。反射构件45的一部分设置在导光板70的入射光部分下方，或者可以设置在多个发光二极管34下方。反射构件45的这部分可以设置在导光板70与热辐射部32B之间。反射构件45可以由例如PET、PC、PVC树脂等形成，但不限于此。反射构件45可以是形成在底盖40的顶表面上的反射层，但不限于此。泄露到导光板70的下表面中的光可以被反射构件45再次入射到导光板70中。由此，改善了背光单元20的光效率，并且可以避免如光特性降低以及生成暗部的问题。
底盖40包括顶部开口的容置部41，容置部41可以容纳有发光模块30、光学片60、导光板70和反射构件45。底盖40可以由具有高热辐射效率的金属选择性地形成，这些金属例如为铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、钛(Ti)、钽(Ta)、铪(Hf)、铌(Nb)以及它们选择性的合金。底盖40可以由树脂材料形成，但不限于此。
底盖40的容置部41可以顺序地堆叠有反射构件45、导光板70和光学片60，并且发光模块30与导光板70处于底盖40的第一侧部42中的一个侧面相对应。
底盖40的底部41A形成有凹陷部41B，并且凹陷部41B与模块基底32的热辐射部32B耦接。凹陷部41B可以形成具有与热辐射部32B的厚度相同的深度以及与热辐射部32B的宽度相同的宽度，但不限于此。
在本实施方案中，凹陷部41B设置在底盖40的底部41A的从第一侧部42折起的部分上，但是可以不形成凹陷部41B。
在设置显示装置100时，可以允许将上行(UP)方向设置成向上。通过这种方向设置，从发光模块30的发光二极管34生成的热沿着UP方向即沿着与重力相反的方向移动。在本实施方案中，发光模块30的热辐射部32B可以通过将沿着显示装置100的设置方向即沿着与重力相反的方向所设置的区域的面积更加扩展而进一步改善热辐射效率。此外，为了根据显示装置100的设置方向以及从多个发光二极管34生成的热的分布来优化热辐射效率，对热辐射部32B的面积和宽度进行了考虑。
参照图2和图3，模块基底32包括金属层131、在金属层131上的绝缘层132、在绝缘层132上的布线层133以及在布线层133上的保护层134。
金属层131含有Al、Cu和Fe中的至少一种，设置在模块基底32的整个下表面上，因此用作为热辐射板。金属层131可以使用具有铜(Cu)材料的板例如用于折起和热辐射效率。金属层131的厚度可以是0.8mm至1.5mm。金属层131的下表面的宽度可以形成为与模块基底32的宽度相同的宽度。金属层131的下表面的面积可以形成为与模块基底32的面积相同的面积。
通过基于第二区域B2和第三区域B3之间的分界线将图3中的平结构折起，金属层131可以包括第一热辐射部131A和第二热辐射部131B。此处，作为保护被折起部分的缓冲区域的第二区域B2可以形成为0.8mm或更大(例如0.8mm至1mm)的范围。第一区域B1变成布线部32A的布线图案区域。
绝缘层132设置在金属层131上，绝缘层132含有预浸渍材料且可以含有例如环氧树脂、酚醛树脂和不饱和聚脂树脂等。绝缘层132的厚度可以是80μm至100μm，并且其宽度可以形成为比金属层131的宽度(或面积)窄。
布线层133包括电路图案，含有Cu、Au、Al和Ag中的至少一种，并且可以使用例如铜(Cu)。布线层133的厚度可以是25μm至70μm，可以形成为比绝缘层132的厚度更薄，但不限于此。
保护层134设置在布线层133上，保护层134包括焊料抗蚀剂，并且焊料抗蚀剂保护除模块基底32的顶表面上的焊盘之外的区域。保护层134的厚度可以是15μm至30μm。模块基底32可以形成有通孔，但不限于此。在另一个实例中，模块基底32可以设置有多个布线层，并且在多个布线层之间还可以进一步设置绝缘层。
发光二极管34安装在模块基底32的布线层133上，并且发光二极管34可以通过布线层133的电路图案而设置成串联结构、并联结构或者混合的串并联结构。
模块基底32包括布线部32A和热辐射部32B，并且布线部32A由配置有金属层/绝缘层/布线层/保护层(131/132/133/134)的堆叠结构形成，并且热辐射部32B由金属层131形成。此处，金属层131包括第一热辐射部131A和第二热辐射部131B，第一热辐射部131A变成布线部32A的底层，而第二热辐射部131B变成热辐射部32B。第二热辐射部131B的宽度可以比第一热辐射部131A宽。第一热辐射部131A和第二热辐射部131B可以形成为具有相同的厚度，但不限于此。
在第二热辐射部131B的顶表面与绝缘层132之间的间隙H1可以形成在0.8mm至1mm的范围内，并且绝缘层132通过这样的间隙H1与第一热辐射部131A和第二热辐射部131B之间的折起部间隔开来，由此改善了如经由绝缘层132生成灰尘或者热辐射效应降低的问题。这减少了绝缘层132在金属层131上的区域中所占据的区域，由此防止在绝缘层132覆盖金属层131时热辐射效应的降低。此外，当绝缘层132设置在折起部上方时，可以防止在折起部中产生裂纹或影响电路图案。
此外，绝缘层132与热辐射部32B和布线部32A之间的折起部间隔开，以使得可以进一步减小布线层133和折起部之间的间隙。这种间隙的减小可以减小发光模块30以及包括发光模块30的背光单元20的厚度。
热辐射部32B的顶表面设置成与底盖40的底面为同一平面、或者可以设置成高于或者低于底盖40的底面，但不限于此。
发光模块30的高度H2即从热辐射部32B的下表面到模块基底32的顶表面的距离可以形成在9mm至13mm的范围内，但不限于此。
粘接构件50设置在底盖40的第一侧部42与模块基底32的布线部32A之间，并且模块基底32的布线部32A通过粘接构件50粘接到底盖40的第一侧部42。形成在底盖40的底部41A中的凹陷部41B可以通过粘接构件51与模块基底32的热辐射部32B粘接。底盖40的底部41A可以不形成有凹陷部41B，但不限于此。
在实施方案中，当从发光二极管34生成热时，一些热通过模块基底32的第一热辐射部131A传导，以进行通过底盖40的第一侧部42进入通路F0中的热辐射，而另外的热被传导到模块基底32的第二热辐射部131B中，以进行通过底盖40的底部41A进入通路F1和通路F2中的热辐射。
图4是发光模块的另一个实例。
在图4的发光模块中，模块基底32的金属层131和绝缘层132可以形成为具有相同的宽度。金属层131的整个顶表面都形成有绝缘层132，并且绝缘层132可以增强金属层131的强度。此外，在制造绝缘层132时，因为没有暴露出金属层的顶表面，所以有下述影响：金属层上不设置分离的掩模层。
图5是示出根据第一实施方案的发光模块的立体图。
在图5中的发光模块30中，在多个发光二极管34中，将与热辐射部32B的第一侧面S1最近的发光二极管定义为第一发光二极管34A，将与在热辐射部32B的第一侧面S1相反面的第二侧面S2最近的发光二极管定义为第二发光二极管34B，可以将设置在第一发光二极管34A与第二发光二极管34B之间中心区上的发光二极管都定义为第三发光二极管34C。此外，第一发光二极管34A设置在布线部32A的第一外区上，第二发光二极管34B设置在布线部32A的第二外区上、而第三发光二极管34C可以设置在布线部32A的中心区上。第一外区和第二外区可以是与布线部32A中彼此相反的侧面相邻的区域。此处，第一发光二极管34A的位置是下方向，而第二发光二极管34B的位置是上方向。此外，发光二极管34之间的间隔T1可以是不同或相同的，但不限于此。多个发光二极管34可以设置在具有同一中心的线上。
与热辐射部32B的与布线部32A的第一外区相邻的第一侧面S1的宽度D1相比，热辐射部32B的第二侧面S2的宽度D2即布线部32A与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔的宽度可以更宽。此外，与热辐射部32B的与第一发光二极管34A的下部相对应的顶表面的宽度D1相比，热辐射部32B的与第二发光二极管34B的下部相对应的顶表面的宽度D2即布线部32A的第二外区与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔可以更宽。此处，宽度D1和宽度D2变成了布线部32A与热辐射部32B的端部即第三侧面S3之间的间隔。热辐射部32B的每个侧面S1和S2的宽度D1和D2都可以是与侧面S1和侧面S2中的每个侧面相邻的顶表面的宽度。
第三侧面S3即热辐射部32B的第一侧面S1和第二侧面S2之间的表面可以形成为对于第一侧面S1或/和第二侧面S2的斜面。第三侧面S3可以由连续表面形成。
在热辐射部32B的顶表面131-1中，第一发光二极管34A与第三侧面S3之间的间隔是最窄的，第二发光二极管34B与第三侧面S3之间的间隔比第一发光二极管34A与第三侧面S3之间的间隔更宽并且在顶表面131-1的区域中是最宽的。
由此，热辐射部32B的面积朝着第二发光二极管34B逐渐宽地设置，以使得热可以集中于第二发光二极管34B和第三发光二极管34C而不是设置在热行进的方向上的第一发光二极管34A，由此通过热辐射部32B的不同面积而在热辐射部32B中具有均匀的热分布。
作为另一个实例，热辐射部32B可以包括不平坦结构。在不平坦结构中，第二发光二极管34B与第三发光二极管34C之间的区域的下部形成有凹部或凸部中的至少一种，由此增加热辐射部32B的面积。不平坦结构可以从布线部32A在热辐射部32B的第三侧面S3上以带状或多边形形状形成，并且可以为一个或多个。
图6是示出根据第二实施方案的发光模块的立体图。
参照图6，发光模块32可以依据热辐射部32B的顶表面131-2的中心区分为下部第一区域A1和上部第二区域A2。下部第一区域A1形成为具有第一宽度D1，而上部第二区域A2可以形成为具有第二宽度D2。
热辐射部32B的侧面S3包括以对于第一侧面S1和第二侧面S2成直角地设置的多个第一表面S32以及设置在多个第一表面S32之间且与第二侧面S2平行的第二表面S34。第一表面S32与第二表面S34之间的角部部可以由曲面形成或者可以以直角折起，但不限于此。
热辐射部32B的作为第二发光二极管34B与第三发光二极管34C之间的区域的第二区域A2以及第二发光二极管34B与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔可以形成为具有第二侧面S2的宽度D2。
热辐射部32B的作为第一发光二极管34A与第三发光二极管34C之间的区域的第一区域A1以及第一发光二极管34A与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔可以形成为具有第一侧面S1的宽度D1。
当从多个发光二极管34生成的热被进一步集中在显示装置的中心区中时，这些结构可以高效地辐射出热。
作为另一个实例，热辐射部32B的第二区域A2可以包括不平坦结构。在不平坦结构中，第二发光二极管34B与第三发光二极管34C之间的区域的下部形成有凹部或凸部中的至少一种部，由此增加了热辐射的面积。不平坦结构可以从布线部32A沿着热辐射部32B的第三侧面S3以带状或多边形形状形成，并且可以为一个或多个。
图7是示出根据第三实施方案的发光模块的立体图。
参照图7，在发光模块32的热辐射部32B中，顶表面131-3的面积和宽度由以阶梯型朝着UP方向按照区域A11至A14逐渐增加的结构形成。此外，区域A11至A14中的每个区域的第三侧面S3可以从第一侧面S1方向朝着第二侧面S2方向逐渐变宽。第三侧面S3可以由不连续的斜侧面形成。在区域A11至A14之间连接第三侧面S3的第三表面S34与第二侧面S2相对应并且可以设置成与第二侧面S2平行设置，但不限于此。
第一区域A11设置在第一发光二极管34A以及与第一发光二极管34A相邻区域的下部上，第四区域A14设置在第二发光二极管34B以及与第二发光二极管34B相邻区域的下部上，而第二区域A12和第三区域A13设置在第三发光二极管34C以及与第三发光二极管34C相邻区域的下部上。
热辐射部32B的顶表面131-3的面积可以具有按照A11、A14、A12和A13的区域中的每个区域而不同的宽度D1、D2、D3和D4。例如，第二区域A12的宽度D3形成为宽于第一区域A11的宽度D1，第三区域A13的宽度D4形成为宽于第二区域A12的宽度D3，第四区域A14的宽度D2是最宽的并且形成为宽于第二区域A12的宽度D3。
在发光模块中，热辐射部32B的面积可以按照区域A11至A14而不同，由此为每个区域A11至A14都提供发光二极管34的热稳定性。在本实施方案中，四个区域被设置为阶梯结构，但是可以以三个或更多来形成所述区域，但不限于此。此外，区域A11至A14中的每个区域的长度都可以是相同的或者彼此不同，例如第四区域A14的长度可以形成为最长的长度。各个区域A11至A14中的至少一个区域可以形成有不平坦结构，但不限于此。
图8是示出根据第四实施方案的发光模块的立体图。
参照图8，发光模块32的热辐射部32B包括具有第一宽度D1的第一区域A21和第五区域A25、在第一区域A21与第五区域A25之间的具有第二宽度D2的第三区域A23、连接第一区域A21和第三区域A23且具有斜面S31的第二区域A22、以及连接第三区域A23和第五区域A25且具有斜面S33的第四区域A24。此处，第一区域A21、第三区域A23和第五区域A25可以是设置了至少两个发光二极管的区域，第二区域A22和第四区域A24即面积小于第三区域A23的面积的区域可以是设置了至少一个发光二极管的区域，但不限于此。
在发光二极管模块32的热辐射部32B的顶表面131-4中，中心区域即第三区域A23的面积和宽度被设置成与其他区域相比是更宽的，而这可以防止从设置在区域A21、A22、A23、A24和A25中的每个区域上的多个发光二极管34所生成的热影响其他区域，例如沿着UP方向上的发光二极管。
此处，设置在发光模块32的中心上的第三发光二极管34C与热辐射部S3的第三侧面S3之间的间隔可以设置成宽于设置在下和上方向上而不是在中心处的第一发光二极管34A和第二发光二极管32B与热辐射部的第三侧面S3之间的间隔。布线部32A的中心与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔可以设置成宽于布线部32A的第一区域和第二区域与热辐射部32B的第三侧面S3之间的间隔。发光模块32使得从与上方向相反的方向朝向上方向升起的热被发光模块32的中心区域热辐射(发光模块32的中心区域即第三区域A23以及与第三区域A23相邻的区域，与第三区域A23相邻的区域即第二区域A22和第四区域A24中的热辐射部32B)，而因此可以对设置在第五区域A25上的第二发光二极管34B进行操作而不受到由从第三区域A23的下部传输的热所引起的干扰。
作为另一实例，热辐射部32B的第三区域A23可以以不平坦结构形成，而不平坦结构可以以带状或多边形形状形成。热辐射部32B的第三区域A23可以以不平坦结构形成，由此以增加热辐射的面积。
图9是示出实施方案的发光器件的实例的侧视横截面图。
参照图9，发光二极管34包括具有第一腔260的本体210、具有第二腔225的第一引线框221、具有第三腔235的第二引线框231、以及发光芯片271和发光芯片272和导线201。
本体210可以由树脂材料如邻苯二甲酰胺(PPA)、硅(Si)、金属材料、光敏玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)和印刷电路板(PCB)中的至少一种制成。优选地，本体210可以由树脂材料如邻苯二甲酰胺(PPA)制成。
根据对发光器件封装的使用和设计，本体210的顶部的形状可以是各种形状，如三角形、矩形和多边形。第一引线框221和第二引线框231设置在本体210下面且可以以直接照明类型安装在基底上。第一引线框221和第二引线框231设置在本体210的侧面上且可以以边缘类型安装在基底上。
本体210的顶部是打开的，且具有形成侧面和底部表面的第一腔260。第一腔260可以包括从本体210的顶部215起的凹杯状结构或凹陷结构，但不限于此。第一腔260的侧面可以与第一腔260的底部垂直或倾斜。第一腔260从顶表面看的形状可以是圆、椭圆、多边形(例如四边形)。第一腔260的角部可以是曲面或平面。
第一引线框221设置在第一腔260的第一区域上，且第一引线框221的一部设置在第一腔260下面。凹的第二腔225被设置成深度低于第一腔260的中心区的底部。第二腔225是从第一引线框221的顶表面到本体210的下表面的凹形状，且包括例如杯状结构或凹陷形状。第二腔225的侧面是倾斜的或者可以是与第二腔225的底部垂直折起的。第二腔225的侧面中彼此面对的两个侧面可以以同一角度或者以彼此不同的角度倾斜。
第二引线框231设置在要与第一腔260的第一区域间隔开的第二区域上，且第二引线框231的一部设置在第一腔260下面。凹的第三腔235形成为深度低于第一腔260的中心区的底部。第三腔235是从第二引线框231的顶表面到本体210的下表面的凹形状，且包括例如杯状结构或凹陷形状。第三腔235的侧面是倾斜的或者可以是与第三腔235的底部垂直折起的。第三腔235的侧面中彼此面对的两个侧面可以以同一角度或者以彼此不同的角度倾斜。
第一引线框221的和第二引线框231的下表面暴露于本体210的下表面，或者可以设置在与本体210的下表面相同的平面上。第一引线框221与第二引线框231之间的间隙219可以设置在中心区上，且间隙219中的至少一部可以与第一引线框221的和第二引线框231的顶表面接触。第一引线框221的和第二引线框231的与间隙219接触的端部可以形成有防湿图案如阶梯结构或/和不平坦的图案，但不限于此。
第一引线框221的第一引线部223设置在本体210的下表面上，且可以在本体210的第一侧面213下面突出。第二引线框231的第二引线部233设置在本体210的下表面上，且可以在本体210的第一侧面对面的第二侧面214下面突出。
第一引线框221和第二引线框231可以含有金属材料例如钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)中的至少一种，可以由单层金属层或者多层金属层形成。第一引线框221的和第二引线框231的厚度可以形成为同一厚度，但不限于此。
第二腔225的和第三腔235的底部形状可以是矩形、正方形、或者具有曲面的圆或椭圆。
除了第一引线框221和第二引线框231之外，本体210还设置有其他金属框来用作为热辐射框或者中间连接端子。第一引线框221和第二引线框231通过间隙219彼此间隔开，且间隙219支承第一引线框221和第二引线框231之间的空间。间隙219的顶表面与第一引线框221和第二引线框231的顶表面相同或者可以突出成高于第一引线框221和第二引线框231的顶表面，但不限于此。
第一发光芯片271设置在第一引线框221的第二腔225上，第二发光芯片272设置在第二引线框231的第三腔235上。发光芯片271和发光芯片272可以在从可见光带到紫外光带的范围中选择性地发射，且可以在例如红光LED芯片、蓝光LED芯片、绿光LED芯片和黄绿光LED芯片中选择。发光芯片271和发光芯片272包括具有III-V族元素的化合物半导体发光器件。
成型构件290设置在本体210的第一腔260、第二腔225和第三腔235之中的至少一个区域中。在一个或多个成型构件290中含有透射树脂层如硅或环氧树脂。使待发出的光的波长变化的磷光体可以包括在成型构件290或者发光芯片271和272中，从发光芯片271和272发出的光中的一些是由磷光体激发的且被发出作为具有不同波长的光。可以在YAG、TAG、硅酸盐、氮化物和基于氧氮化物的材料中选择性地形成磷光体。磷光体可以包括红色磷光体、黄色磷光体和绿色磷光体，但不限于此。成型构件290的表面可以形成为平、凹和凸形状等，但不限于此。
在本体210的顶部上还可以形成透镜，透镜可以包括凹透镜的或/和凸透镜的结构，可以对由发光器件发出的光的光分布进行控制。
第一发光芯片271可以连接到设置在第一腔260的底部上的第一引线框221和第二引线框231，而其连接方法使用导线201、芯片焊接或者倒装焊接类型。第二发光芯片272可以电连接到设置在第一腔260的底部上的第一引线框221和第二引线框231，而其连接方法使用导线201、芯片焊接或者倒装焊接类型。
保护器件可以设置在第一腔260的预定位置中，保护器件可以由晶闸管、齐纳二极管或者瞬态电压抑制器(TVS)实现，齐纳二极管保护发光芯片免受静电放电(ESD)。
实施方案的发光模块可以应用到背光单元如便携式终端和计算机、以及照明系统如照明、交通信号灯、车辆前灯、电子显示装置和街灯，但不限于此。此外直接照明的发光类型可以不设置有导光板，但不限于此。此外，透射材料如透镜或玻璃可以设置在发光模块上，但不限于此。
本发明并不限于上述实施方案和附图，而是由所附的权利要求来限制。此外，尽管以上示出并描述了本发明的优选实施方案，但是本发明并不限于上述具体的实施方案，并且可以在不违背本发明在权利要求中所要求保护的本质的情况下由本领域技术人员以各种方式修改，以使得修改后的实施方案不与本发明的技术思想或观点分离地理解。
本说明书中对“一种实施方案”、“实施方案”、“实例实施方案”等的引用意味着结合实施方案所描述的特定特征、结构或特性包含在本发明的至少一种实施方案中。在本说明书中的各个地方出现这样的措辞未必全都指的是同一实施方案。此外，当结合任何实施方案对特定的特征、结构或特性进行描述时，认为是对结合实施方案中的其他实施方案的这种特征、结构或特性的影响是在本领域技术人员的范围之内的。
尽管已经参照了本发明的多个实例性实施方案对实施方案进行了描述，应该理解的是本领域技术人员可以想出落入本公开内容的原理的精神和范围之内的许多其他的修改和实施方案。具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围之内，主题组合设置的部件部和/或设置的各种变化和修改是可能的。除了部件部和/或设置的变化和修改之外，可替换的使用也会对本领域技术人员来说是明显的。

Claims (17)

1.一种发光模块，包括：
多个发光二极管；和
模块基底，所述模块基底包括：设置有所述多个发光二极管的布线部，和从所述布线部折起且设置在所述多个发光二极管下方的热辐射部，
其中所述多个发光二极管包括：设置在所述布线部的第一外区上的第一发光二极管，设置在所述布线部的第二外区上的第二发光二极管以及设置在所述布线部的中心区上的第三发光二极管，并且
其中在所述模块基底的所述热辐射部中，所述布线部的所述中心区与所述热辐射部的端部之间的宽度比所述布线部的所述第一外区与所述热辐射部的所述端部之间的宽度宽。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其中所述模块基底的所述布线部包括金属层、所述金属层上的绝缘层以及所述绝缘层上的布线层，并且所述热辐射部包括所述金属层。
3.根据权利要求2所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述金属层与0所述绝缘层间隔开。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光模块，其中所述模块基底的所述热辐射部包括第一侧面、与所述第一侧面相反的第二侧面、和作为所述热辐射部的所述端部且设置在所述第一侧面和所述第二侧面之间的第三侧面，并且所述热辐射部的所述第一侧面的宽度比所述布线部的所述中心区与所述第三侧面之间的间隔窄。
5.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述第二侧面的宽度等于或者宽于所述热辐射部的所述第一侧面的宽度。
6.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述布线部的所述第二外区与所述热辐射部的所述第三侧面之间的间隔比所述布线部的所述中心区与所述热辐射部的所述第三侧面之间的间隔宽。
7.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述布线部的所述中心区与所述热辐射部的所述第三侧面之间的间隔比所述布线部的所述第二外区与所述热辐射部的所述第三侧面之间的间隔宽。
8.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述第三侧面形成为相对于所述热辐射部倾斜的表面。
9.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述第三侧面还包括与所述热辐射部的所述第二侧面对应的第四侧面。
10.根据权利要求4所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述第三侧面还包括与所述热辐射部的所述第一侧面或所述第二侧面垂直的第五侧面。
11.根据权利要求8所述的发光模块，其中所述热辐射部的所述第三侧面的所述倾斜的表面与选自所述热辐射部的所述第一侧面和所述第二侧面中的至少一个间隔开。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的发光模块，其中所述布线部的厚度比所述热辐射部的厚度厚。
13.一种背光单元，包括：
底盖，所述底盖包括底部以及从所述底部折起的第一侧部；
在所述底盖上的导光板；和
发光模块，所述发光模块包括：
模块基底，所述模块基底包括设置在所述底盖的所述第一侧部的内侧上且与所述导光板的至少一个侧面对应的布线部和从所述布线部折起且设置在所述底盖的所述底部上的热辐射部；和
多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在所述模块基底的所述布线部上且与所述导光板的至少一个侧面对应，
其中所述多个发光二极管包括：设置在所述布线部的第一外区上的第一发光二极管，设置在所述布线部的第二外区上的第二发光二极管和设置在所述布线部的中心区上的第三发光二极管，并且
其中在所述模块基底的所述热辐射部中，所述布线部的所述中心区与所述热辐射部的端部之间的宽度比所述布线部的所述第一外区与所述热辐射部的所述端部之间的宽度宽。
14.根据权利要求13所述的背光单元，其中在所述热辐射部的各区域中与所述发光模块的所述中心区中的所述第三发光二极管对应的第三区域的面积大于第一区域和第二区域中的至少一个区域的面积，所述第一区域对应于与所述发光模块的第一侧面最接近的所述第一发光二极管，并且所述第二区域对应于与所述第一侧面相反的第二侧面最接近的所述第二发光二极管。
15.根据权利要求13所述的背光单元，其中所述热辐射部的与所述第三发光二极管的下部对应的顶表面的宽度比所述热辐射部的与所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的下部对应的顶表面的宽度宽。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的背光单元，其中所述发光模块的所述第一发光二极管的中心和所述第二发光二极管的中心设置在同一条线上。
17.根据权利要求13至15中任一项所述的背光单元，还包括在所述模块基底与所述底盖的所述侧部和所述底部之间的连接构件。
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