CN102947479A - 涂覆表面的方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及利用分子（5，6）涂覆载体材料（2）的表面（1）的方法，其中来自分子储存器（3，4）的所述分子（5，6）被转化为气体状态并电离，在所述带电分子（5，6）到达所述表面（1）的途中，使其暴露于至少一个场分量与所述带电分子（5，6）定向运动方向垂直的至少一个电场和/或磁场，以便向所述带电分子（5，6）施加力的导向作用，所述导向作用与所述带电分子（5，6）的定向运动方向垂直。电和/或磁聚焦装置（8），例如四极场，作用于所述带电分子（5，6）在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间的定向运动。隔膜装置（12）以这样的方式布置在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间，所述方式使得仅具有指定的质荷比的分子（5，6）通过所述隔膜装置（12）到达表面（1）。借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置（14），防止所述带电分子（5，6）在指定的时间内撞击所述表面（1）。由此促进所述表面的结构化涂覆。

Description

涂覆表面的方法和设备

技术领域

本发明涉及利用分子涂覆载体材料的表面的方法，其中所述来自分子储存器的分子被转变为气态并电离，其中所述带电分子在电场中沿所述表面的方向经历定向运动，并且其中所述分子碰撞所述表面并在那里被吸收。

背景技术

在许多的微技术产品中，使用涂料涂覆载体材料的表面代表了微技术产品制备中重要的方法步骤。取决于各自的要求，特别是涂料和最终产品的要求，从实践中已知多种有利于载体材料的理想涂覆的涂覆法。

如例如对于制造OLED、OFET或有机太阳能电池所必要的，使用有机材料涂覆载体材料，通常在实践中代表了对于成品质量和关于生产成本的关键制造步骤。由于所述涂料分子大小的原因，所述涂料分子的分子量在200-1000g/mol范围内或甚至显著更大的范围内，所以不能使用许多在其它方面常规并合适的涂覆法。另外，在制造OLED中必须考虑的是，为了能够以与其它图素一定的间距来产生显示器的单个像素并且能够随后对它们彼此独立地寻址，向载体材料表面微结构化施加涂层是必要的。这同样适用于其它的有机电子器件，例如对于制造导电带。

在制造OLED中，目前通常是在真空下通过热引发蒸发所述有机涂层材料并且随后将其沉积在待涂覆的表面上，来进行载体材料表面的涂覆。为涂覆单个的像素，这被格栅形状的荫罩覆盖，所述荫罩仅仅使待涂覆的像素处于未覆盖状态，并掩蔽非待涂覆的表面区域。然而，已经发现这种涂覆法在实践中存在相当大的缺点。

为了促进经济上有利的、充分高的涂覆速度，必须在尽可能最高的可能蒸发温度下将所述有机涂层材料转化为气态。然而，高的蒸发温度导致所述载体材料和所述涂覆设备的强的热应力。特别是，经常所使用的荫罩要经受相当大的由于高蒸发温度导致的机械应变，意味着尤其是在大规格荫罩的情况下，基本上不可能可靠地阻止不希望的变形和成像差错。为此，当使用荫罩用于表面涂层的微结构化时，在不产生大的成像差错和足够低废品率的情况下，目前了解了可制造的最大可能规格的上限。

可用于涂层的涂料同样受到限制。目前，对于热蒸镀，可使用分子量最高达约1000g/mol的涂料。如果所述分子量大幅超过该值，则大分子的稳定性通常不足够稳定，意味着所述分子被热断裂并破坏。分解产物的比例随着蒸发温度升高而增加，然后涂料的纯度，并且所述涂层的质量由此下降。

然而，目前使用的涂覆法的主要问题通常是，用于涂覆表面的蒸发的涂料的利用效率低，因为通常仅仅1-10%的蒸发的材料沉积在待涂覆的载体材料表面上。到目前为止，在每一情况下，较大比例的蒸发的涂料沉积在涂覆设备内，特别是在使用的荫罩上，并且导致涂覆设备和荫罩被快速地弄污。涂覆设备和特别是其中实施涂覆法的真空室必须经常清洁，意味着延长设备停机时间是不可避免的。为了保持尽可能低的成像差错，使用的荫罩同样必须经常地更换和清洁所使用的荫罩。

如果连续使用不同的涂料，如对于制造OLED或其它有机电子器件所必需的，如果在用于涂覆所述表面的制造过程期间连续使用这些涂料，则通常会发生不同涂料的交叉污染。为了避免含有来自前述涂覆操作的相同或不同粘性涂料的不希望的污染物，频繁清洗所述涂覆设备，特别是所述荫罩，是必要的。

为增加在表面上沉积的分子的产率，可在所述分子储存器和所述待涂覆表面之间产生电场，通过蒸发从所述分子储存器将分子转化为气态，在蒸发期间或蒸发之后立刻使电离并因此带电的分子沿所述表面方向加速。以这种方法，对于蒸发的、带电的运动分子产生优选的方向，导致在表面上沉积更大比例的分子。

然而，已经发现，过度的磁场强度和随之对带电分子的过度加速可能是不利的，并且可以导致分子太迅速地撞击待涂覆表面，而且接触时所述分子被破坏或破裂为分解产物，并因此降低了涂层的纯度。

发明内容

因此，认为本发明的目的首先是以这样的方法改进提及的类属型涂覆法，以致促进在待涂覆表面上所吸收涂层材料分子的更高产出，更高纯度的涂层和更低的生产成本。本发明另外的目的是改进上述类型的涂覆法，以使所述分子能够以结构化的方式施加到待涂覆的表面上。

根据本发明，在以下方面实现该目的，在移动运动到所述表面的途中，使带电分子暴露于至少一个电场和/或磁场中，所述电场和/或磁场具有至少一个与带电分子的定向运动方向垂直的场分量，以便以垂直于带电分子定向运动方向的方向将力的导向作用施加于所述带电分子上。垂直于带电分子移动运动方向运行的电场或磁场分量施加力的导向作用，其同样与所述分子的移动运动方向垂直。所述分子在它们移动运动到表面的途中，它们的方向会被偏转并受到影响。以这种方法，可以防止可观的或占优势比例的蒸发的分子撞击待涂覆表面外部的涂覆设备，并防止所述表面希望的涂层的损失。

根据本发明观点的实施方式，提出了使电或磁聚焦装置作用于所述带电分子在所述分子储存器和所述表面之间的定向运动。所述使用的聚焦装置可以是例如维纳尔圆柱电极或磁性透镜系统。合适的电或磁或电磁聚焦装置在实践中是完全已知的，并且能够以简单的方式进行改造以适应涂覆法的个别要求。使用合适的聚焦装置能够使所述分子转化为电离的气体状态，以便成束以形成分子离子束，并且以基本上无损的方式导向待涂覆的表面。

根据本发明观点的特别有利的实施方式，提出了在所述分子储存器和所述表面之间以这样的方法布置隔膜装置以致仅具有指定质荷比的分子通过所述隔膜装置到达所述表面。借助于合适的隔膜装置，其有利地布置在所述聚焦装置之后，它能够确保只有旨在用于涂覆的分子才到达所述待涂覆表面，同时通过所述隔膜装置将破裂的分子，例如，在蒸发操作中，或其分解产物或杂质由于不同的质荷比而分离出来，并且防止其到达所述待涂覆表面。实践中已知将适于所述涂覆法的隔膜装置和隔膜装置与置于其前的聚焦装置的组合件例如和质谱相连。

优选提出，至少一个四极场作用于所述带电分子在所述分子储存器和所述表面之间的定向运动。

能够廉价地产生并控制电四极场。作用于所述带电分子的运动的力能可靠地影响所述分子的飞行方向。施加了合适交流电压的电四极场，能够以简单的方式极其精确地进行带电分子的质量分离，以便能够确保用于所述涂覆的涂料分子的高纯度。所述的高纯度不仅导致相应良好的涂层质量，而且例如在OLED情况下导致涂覆表面延长的耐久性和功能性，因为已经知道甚至少量的杂质就对OLED的性能产生显著的不良影响。

同样想得到的是，提供磁性的四极场用于聚焦和使所述带电分子偏转。多个磁性的四极场通常一个接着一个地布置，以便于在各处聚焦并有利地影响所述带电分子的飞行方向。

备选地或另外地，借助于现有技术中已知的用于影响带电粒子方向的其它设备，也可以影响在从所述分子储存器到待涂覆表面途中的带电分子。此处还可以使用适于这种应用的快速离子阱或任何静电或磁偏转系统。对于每一单独的应用，例如取决于所述带电分子离子束的强度、指定的偏转角和与涂覆表面相关的分子量，可选择用于有利地影响包含带电分子的分子离子束方向的方法。

为了能够在微结构化涂覆表面期间避免使用荫罩等，提出了在从分子储存器到表面运动期间，借助于可随时间变化的电场和/或磁场，使所述带电分子偏转。例如，在它们到表面的运动期间，借助于两对偏转电容器，可使带电分子偏转，从而借助于聚焦装置，可将预先产生的分子离子束精确地导向待用所述分子涂覆的表面区域。

以这种方法，可对表面进行结构化涂覆，并且因此同样可涂覆个别的像素。所述个别像素的尺寸和形状和所述像素的排列取决于希望的分辨率、希望的用途和希望的寻址（有源矩阵或无源矩阵）。在有机电致发光器件领域的普通技术人员已知可如何布置用于其应用的像素。

同样，在布朗管的情况下或在示波仪的情况下，可提出使由两对偏转电容器产生的电场基本上彼此垂直并与所述带电分子的定向运动方向垂直。对于OLED表面的这种涂覆，可以例如采取并使用射束偏转装置和从管屏幕已知的控制方法。

为了能够利用所述带电分子互相并行地涂覆彼此界定并彼此不重叠的表面区域，根据本发明观点的实施方式提出，借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置，对于指定的时间，防止所述带电分子撞击所述表面。施加额外的电偏转场或使用旋转的机械膈膜，能够以指定的间隔间断所述带电分子的分子离子束，因此能涂覆单独的表面区域，而不涂覆其它的区域。

使用可随时间变化的电场和/或磁场，借助于这种手段可将以前产生的分子离子束导向表面指定的位置，结合依照要求旋转的或可在电偏转场中连接的膈膜系统，能够以基本上无损的方式从存在的分子储存器微结构化涂覆待涂覆的载体材料表面。因为不必使用荫罩，并且还能够防止气态分子在涂覆设备中或待涂覆表面外部的不希望的沉积，所以能够廉价地并且迅速地形成精确的微结构化的表面涂层。没有必要延长安装、更换或清洁时间，意味着可实现可靠并且精确的，同样结构化的大表面涂覆，以及基本上无差错，或适当校正的成像几何结构。与使用荫罩对比，可在基本上没有成像差错并且没有增加玷污或交叉污染的风险的情况下，制造或涂覆甚至大规格的表面。

为了支持待涂覆的表面的微结构化，提出了如下的方案，即在用所述带电分子开始涂覆之前，给予待涂覆的表面区域与所述带电分子相反的电荷，并且给予非待处理的表面区域与所述带电分子的定性一致的电荷，并因此通常同样为正电荷。由于空间变化的电荷状态，接近所述表面的带电分子被其中已经形成相反表面电荷的区域所吸引，并优选在那里被吸收。相反，所述带电分子被待保持为没有涂料并因此已经给予同种电荷的表面区域的同种表面电荷所排斥，并保持远离它们。

为了防止所述带电分子撞击所述表面时冲击速度过大，并且减少分子撞击所述待涂覆表面时分解或碎裂的风险，提出了如下的方案，即在所述表面前面的区域中形成与所述带电分子运动方向相反的电场，并且在撞击所述表面之前使所述带电分子减速。以这种方法，在对所述待涂覆表面未减速冲击的情况下，通常被破坏和分解为相对小片段的甚至非常大的带电分子也能够用于涂覆所述表面。这例如可通过使待涂覆表面载带同种表面电荷而实现，以使接近的带电分子减速。

在所述带电分子随后减速的情况下，可确保所述分子对待涂覆表面的温和冲击。因此，通过产生合适的加速场，所述分子在其电离之后可依照要求加速进入希望的方向，无需担心其撞击所述表面时的破坏。

因为通过加速场可产生对于分子离子束必要的单个分子的动能，所以当将所述分子转化为气体状态时和在其电离期间，已经没有必要将额外的动力学激发传递给所述分子。因此，可考虑到高离子产率和基本上完全没有破环的电离来选择电离的方法。

合适的特别和缓的并且没有破环的电离方法例如是光电离，其中指定波长的光照射进来并且用于所述分子的电子的激发。由于入射光子的指定波长的原因，优选可精确地选择受激的电子，并以这样的方法规定它们的激发，以使得所述激发能近似等于或略微大于指定类型分子的电离能。在这种情况下，能够实现所述分子储存器中选择类型的分子和缓并且特别高效的电离，并且同时可防止具有不同激发能的外层电子的其它分子被电离。这甚至能够在电离来自所述分子储存器的分子期间实现选择，并利于杂质的明显减少。

使用激光诱导的双光子吸收用于电离所述分子储存器的分子，被认为是特别有利的。特别是与使用有机涂料用于涂覆OLED结合，在双光子吸收的情况下呈现良好的吸收系数，能够有效并和缓地电离所述OLED材料。

所述的光电离或激光诱导的双光子吸收和随后发生的所述涂料的电离能够以间歇的或脉冲的方式进行。以这种方法，可基本上完全依照要求产生用于涂覆的分子离子束或使其间断。与同样能够以简单方式确定的所述分子离子束的横向偏转结合，能够以高度精确的位置分辨方式利用所述带电分子进行涂覆，已经从所述分子储存器解除出来的大量分子在到所述待涂覆表面的途中无需偏转并无需分离出来。因此，来自所述分子储存器的分子的损失极其低。为此，不必担心所述涂覆设备的明显污染，所述明显污染使得必需以短的时间间隔进行复杂的设备清洗。

然而，用于电离所述分子的其它方法和方法步骤同样是想得到的，并且取决于个别的涂料可能是有利的。

其它合适的电离方法是电子轰击电离（EI）、化学电离（CI）、软电离（SI）、场电离（FI）、场解吸（FD）、液体注入场解吸电离法（LIFDI）、快原子轰击（FAB）、电喷雾电离（ESI）、大气压化学电离（APCI）、大气压光电离（APPI）、大气压激光电离（APLI）、基质辅助激光解吸/电离（MALDI）、单光子电离（SPI）、共振增强多光子电离（REMPI）、热电离（TI）、电感耦合等离子体（ICP）和辉光放电电离（GI）。

提出了将来自至少两个不同分子存储器的分子连续地或交替地转变为气态并用于涂覆所述表面。以这种方法，例如，可极其快速地制造能够发不同颜色冷光，其像素每一个由单独的涂料区域组成的OLED。

另外提出，将来自至少两个不同分子存储器的分子同时转变为气态并用于涂覆所述表面。以这种方法，例如，可制造包括含至少两种材料的混合物层的OLED。这例如对于制造现有技术中通常使用的掺杂的发光层，或掺杂的空穴或电子传输层，是重要的。同样可以以这种方法将多于两种的材料例如三、四或五种不同的材料同时施加到所述表面上。因此，例如，可以生产所谓的“混合主体”体系，该体系具有两种或更多种主体材料和一种或多种掺杂剂。

与常规的涂覆法相比较，这种掺杂方法的优势是能够以这种方法更加精确地设置掺杂度。如果仅使用低的掺杂度，并且甚至对所述掺杂度的很小偏差都可对所述电子器件的性能产生重要影响，则该方法是特别重要的。

本发明的涂覆法能够将有机的、有机金属的和无机的材料施加于表面上。所述方法不仅可用于低分子量化合物，而且可用于相对高分子量的化合物，例如，低聚物、树枝状大分子、富勒烯衍生物、石墨烯衍生物等，因为这些化合物同样可通过软电离方法电离而不分解。与常规的从气相涂覆的方法相比较，这是另外的优势，其中在气相涂覆方法中相对高分子量的化合物通常经历热分解。

用于有机电致发光器件的典型分子类别例如是，芳基胺，作为空穴传输材料或单重态发光体，芳族烃，特别是含有蒽、芘、

苯并蒽、菲、苯并菲、芴或螺二芴的那些芳族烃，作为主体材料，缺电子杂芳族化合物，特别是含有苯并咪唑、三嗪或嘧啶的杂芳族化合物，或铝络合物，作为电子传输材料，咔唑衍生物，芳族酮，芳族氧化膦，三嗪或嘧啶衍生物或三亚苯衍生物，作为三重态基质材料，以及铱或铂络合物，作为三重态发光体。

本发明同样涉及利用分子涂覆载体材料表面的设备，其具有用于分子储存的储存设备，具有用于从所述分子储存器蒸发和电离分子的设备，具有用于产生静电加速场的设备，其用于产生带电分子在所述表面的定向运动，并且具有用于载体材料的夹持器，所述载体材料具有待涂覆表面。该类型的涂覆设备在实践中是已知的。

根据本发明提出，所述涂覆设备具有用于产生如下电场和/或磁场的设备，所述电场和/或磁场具有作用于所述带电分子的运动、与所述带电分子运动方向垂直的的场分量。以这种方法，借助于以合适方式产生的电场和/或磁场，来阻止占优势比例的从所述分子储存器蒸发和电离的分子沉积在所述涂覆设备的非计划涂覆的表面上。

优选提出，所述涂覆设备具有至少一个用于产生四极场的设备。这种类型的设备能够简单和廉价地制造，或商业获得并可改造或配置，以便例如借助于磁性的四极场影响所述带电分子束的方向和聚焦，或借助于电四极交变场选择所述带电分子并因此实现所述涂料的清洗。

在有利的方式中，提出所述涂覆设备具有聚焦装置和/或隔膜装置。借助于所述聚焦装置，可产生包含带电分子的分子离子束。特别是与隔膜装置结合，可确保仅具有指定质荷比的分子通过所述隔膜装置到达所述待涂覆表面，能够构造完全均匀的、极其纯的涂层。

为促进表面涂层的微结构化设计，提出所述涂覆设备还具有用于产生电和/或磁偏转场的设备，所述场可随时间变化，用于分子离子束的靶向偏转。与同样配置在所述涂覆设备中并可随时间控制的隔膜装置结合，可实现利用所述涂料涂覆指定的表面区域，同时其它区域保持不含涂料，不被涂覆。

当然，同样可以一个在另一个上地施加多个不同材料的层。同样可以在大面积上并且因此是以非结构化的方式施加单个层，以及以结构化的方式施加其它的层。因此，例如，可以以非结构化的方式在大面积上施加电荷传输层（空穴和电子传输层），并且以结构化的方式施加发光层，因此以促进单个像素的寻址。

所述涂覆设备优选具有光电离设备。所述光电离设备有利地包括至少一种导向所述分子储存器的激光，其能够从所述分子储存器中将带电分子解除出来。或者，所述设备也可以具有另一合适的电离设备。

附图说明

以下更详细地解释描绘在附图中的本发明的示例性实施方式，其中：

图1显示了具有维纳尔圆柱电极以及与所述带电分子飞行方向垂直的大致均匀磁场的涂覆设备的图示描绘，

图2显示了不同设计的涂覆设备的图示描绘，其中借助于电四极场选择所述带电分子，并且随后借助于两对偏转电容器使所述带电分子横向偏转，和

图3显示又一不同设计的涂覆设备的图示描绘，其中借助于激光诱导双光子吸收电离所述分子，并且随后借助于磁性四极场使所述分子发生横向偏转。

具体实施方式

描绘在图1中的用于载体材料2，在描绘的实施例中的OLED，的待涂覆表面1的涂覆设备，具有第一分子储存器3和第二分子储存器4，在所述分子储存器中的每一个中储存有机分子5、6的溶液或浓缩量的有机分子5、6，将利用所述有机分子涂覆所述表面1。借助于合适的蒸发设备7蒸发有机分子5、6并使其电离。当使用相应合适的蒸发设备7时，所述分子5、6的电离可与蒸发同时进行，或者在随后的方法步骤中借助于合适的电离设备进行电离。借助于聚焦装置8，例如借助于维纳尔圆柱电极，所述蒸发的带电分子5、6随后成束以形成分子离子束9（实线）或10（虚线），并沿用于产生电场和/或磁场的设备11的方向加速，所述场具有至少一个作用于所述带电分子5、6的运动、与所述带电分子5、6的运动方向垂直的场分量。

所述设备11例如产生与所述带电分子5、6的运动方向垂直导向的磁场，并且由于施加在所述运动分子5、6上的洛伦兹力而引起所述带电分子5、6作圆周运动。引起的所述圆周运动的半径不仅取决于所述磁场，而且取决于所述带电分子5、6的质荷比和速度。在通过实施例描绘的示例性的实施方式中，所述磁场的场力线垂直地通过所述附图的平面而指向观察者，并且使在所述附图平面内的带正电荷的分子5、6在弧形段上向右偏转大致90°。如果个别分子5、6的分子离子束9、10在所述磁场作用下离开所述设备11，则所述分子离子束9、10已经被导向待涂覆的所述表面1。

在所述设备11之后，以这样的方式布置隔膜装置12以致仅具有相应质荷比的分子5、6能够通过所述隔膜装置12。以这种方法，产生均匀的分子离子束9、10，并且所有的杂质或污染分子被从分子离子束9、10中分离出来。

所述分子离子束9、10随后借助于偏转设备13而经受偏转作用，并且被明确导向所述表面1在每一情况下待涂覆的区域，其中所述偏转可随时间变化。所述偏转设备13可例如由例如在示波器或阴极射线管中已知的两对彼此垂直排列的平行板电容器组成。所述偏转设备13能够引导所述分子离子束9、10以指定的运动模式越过所述表面1以涂覆所述表面。

在图1中通过实施例描绘的示例性实施方式中，在所述偏转设备13和所述待涂覆的表面1之间布置另外的隔膜装置14，借助于该隔膜装置14，所述分子离子束9、10能够以指定的时间间隔被中断，或被允许通过以到达所述表面1。以这种方法，借助于所述分子离子束9、10间歇地撞击所述表面1，利用各自希望的涂料或所述各自的分子5、6可产生单个点15，其中所述点15能够以彼此间隔的方式布置，并且相邻的点15能够从不同的分子5、6连续地制造，以形成可单独寻址的OLED像素。

在图2中同样通过实施例说明并且图解描绘的示例性实施方式中，将在所述分子储存器3中的所述分子5蒸发为气体状态。将激光16的激光光束导入所述分子储存器3中。通过激光16蒸发和电离的分子5，随后借助于聚焦装置8成束以形成分子离子束9，并被引导进入施加交流电压的电四极场设备17中。以合适方式操作的所述四极场设备17，能够非常精确地选择具有指定荷质比的分子5并允许其通过，同时其它的具有不同荷质比的分子被横向分离出来而不能到达待涂覆的表面1。所述分子离子束9随后借助于所述偏转设备13经受可随时间变化的偏转作用，并且被明确导向所述表面1在每一情况下待涂覆的区域。

仅仅为了示例源于单个组件的可能的变体，在图3中通过实施例描绘了又一不同的涂覆设备。单个的分子5从所述分子储存器3中解除出来，并借助于激光16通过双光子吸收而电离。通过适当地选择和指定所述激光光束的波长，旨在用于涂覆的所述分子5可被选择性地激发和电离，而杂质或其它的分子不能被激发或电离。

通过合适的加速设备18从所述分子储存器3中除去电离的分子5，并使其成束以形成分子离子束9。所述分子离子束9被引导进入借助于其产生磁性四极场的设备19中。在所述磁性四极场中，可指定所述分子态离子束9的聚焦和其离开所述设备19时的方向。

本申请主要深入研究用于制造有机电致发光器件的表面涂覆。然而，不需要创造性劳动，所描述的方法同样可用于制造其它电子器件，例如有机薄膜晶体管、有机场效应晶体管或有机太阳能电池的表面涂覆。

Claims (19)

1.利用分子涂覆载体材料的表面的方法，其中来自分子储存器的分子被转变为气态并电离，其中带电分子在电场中经历沿表面方向的定向运动，并且其中所述分子碰撞所述表面并在那里被吸收，其特征在于所述带电分子（5，6）在达到所述表面（1）的途中，被暴露于至少一个电场和/或磁场，所述电场和/或磁场具有至少一个与所述带电分子（5，6）定向运动方向垂直的场分量，以便向所述带电分子（5，6）施加力的导向作用，所述导向作用与所述带电分子（5，6）的定向运动方向垂直。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于电和/或磁聚焦装置（8）作用于所述带电分子（5，6）在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间的定向运动。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于隔膜装置（12）以这样的方式布置在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间，所述方式使得仅具有指定的质荷比的分子（5，6）通过所述隔膜装置（12）到达所述表面（1）。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的方法，其特征在于至少一个四极场（17，19）作用于所述带电分子（5，6）在所述分子储存器（3，4）和所述表面（1）之间的定向运动。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的方法，其特征在于，在从所述分子储存器（3，4）至所述表面（1）运动期间，借助于可随时间变化的电场和/或磁场使所述带电分子（5，6）偏转。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于在运动到所述表面（1）期间借助于两对偏转电容器使所述带电分子（5，6）偏转。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于使通过所述两对偏转电容器产生的电场基本上彼此垂直排列，并与所述带电分子（5，6）的定向运动方向垂直。

8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的方法，其特征在于借助于合适的电场和/或磁场或借助于可随时间变化的隔膜装置（14），防止所述带电分子（5，6）在指定的时间内撞击所述表面（1）。

9.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其特征在于待涂覆的表面积被给予与所述带电分子（5，6）相反的电荷，并且非待处理的表面积被给予同种电荷，之后开始涂覆。

10.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其特征在于在所述表面（1）前面的区域中，产生与所述带电分子（5，6）运动方向相反的电场，并且在撞击所述表面（1）之前使所述带电分子（5，6）减速。

11.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其特征在于通过光电离或激光诱导双光子吸收来电离所述分子储存器（3）的被转变为气态的分子（5）。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于间歇地或以脉冲方式进行所述分子储存器（3）的分子（5）的光电离。

13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的方法，其特征在于来自至少两个不同的分子存储器（3，4）的分子（5，6）被连续地或交替地转化为气体状态，并用于涂覆所述表面（1）。

14.用于利用分子涂覆载体材料表面的设备，其具有用于分子储存的储存设备，具有用于从所述分子储存器蒸发和电离分子的设备，具有用于产生静电加速场的设备，所述静电加速场用于产生所述带电分子在所述表面上定向的运动，并且具有用于载体材料的夹持器，所述载体材料具有待涂覆的表面，其特征在于用于产生电场和/或磁场的设备（11）布置在所述涂覆设备中，所述电场和/或磁场具有作用于所述运动、与所述带电分子（5，6）的运动方向垂直的场分量。

15.根据权利要求14所述的涂覆设备，其特征在于所述涂覆设备具有电和/或磁聚焦装置（8）。

16.根据权利要求14或15所述的涂覆设备，其特征在于所述涂覆设备具有至少一个用于产生四极场（17，19）的设备。

17.根据权利要求14至16中的一项所述的涂覆设备，其特征在于所述涂覆设备具有隔膜装置（12）。

18.根据权利要求14至17中的一项所述的涂覆设备，其特征在于所述涂覆设备具有用于产生电和/或磁偏转场的设备（13），所述场可随时间变化，用于包含带电分子（5，6）的分子离子束（9，10）的靶向偏转。

19.根据权利要求14至18中的一项所述的涂覆设备，其特征在于所述涂覆设备具有光电离设备。

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