CN102947390A - 用于形成构成金属基底基板的树脂层的树脂组合物、金属基底基板以及金属基底基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种树脂组合物，是用于形成金属基底基板中的所述树脂层的树脂组合物，所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在所述金属板与所述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含：（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂、（B）无机填充剂和（C）硅烷偶联剂；将树脂组合物总体中的（C）硅烷偶联剂的含量设为c质量%、将树脂组合物总体中的（B）无机填充剂的含量设为b质量%时，满足5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。

Description

用于形成构成金属基底基板的树脂层的树脂组合物、金属基底基板以及金属基底基板的制造方法
技术领域
本发明涉及用于形成构成金属基底基板的树脂层的树脂组合物、金属基底基板以及金属基底基板的制造方法。
背景技术
近年，安装高发热性电子部件的电路基板要求具有热耗散性。其中，电路基板可使用在金属板上形成有绝缘层和金属箔的金属基底基板。将该金属箔通过蚀刻形成导体电路，从而得到电路基板。
另一方面，对于车载用电子设备而言，迫切期望使其小型化、省空间化，并且将电子设备设置在发动机室内。发动机室内为温度高且温度变化大等严酷的环境，并且需要放热面积大的基板。对于这种用途，放热性更进一步优异的金属基底基板备受关注。
作为这种技术，记载在专利文献1～3中。专利文献1和2中记载了使用含有丙烯酸树脂的树脂层。另外，专利文献3中记载了使用含有有机硅树脂的树脂层。
专利文献1:日本特开平9-8426号公报
专利文献2:日本特开平10-242606号公报
专利文献3:日本特开2005-281509号公报
发明内容
发明人等进行了研究，结果发现在上述现有技术的金属基底基板中，金属板与树脂层的密合性、热循环性以及绝缘电阻性的平衡具有改善的余地。
本发明包含以下内容。
［1］
一种树脂组合物，是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物，所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在上述金属板与上述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含：
（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂，
（B）无机填充剂，和
（C）硅烷偶联剂；
将上述（C）硅烷偶联剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为c质量%，
将上述（B）无机填充剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为b质量%时，满足：
5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。
［2］
如［1］中记载的树脂组合物，上述金属板为铝板。
［3］
如［1］或［2］记载的树脂组合物，上述无机填充剂为氢氧化铝或氧化铝。
［4］
如［1］～［3］中任一项记载的树脂组合物，相对于上述树脂组合物的总计值100质量%，上述苯氧基树脂的含量为10重量%～40重量%。
［5］
如［1］～［4］中任一项记载的树脂组合物，还包含环氧树脂。
［6］
如［5］记载的树脂组合物，上述环氧树脂为（D）双酚A型环氧树脂。
［7］
一种金属基底基板，具备金属板、金属箔、以及配置在上述金属板与上述金属箔之间的树脂层，上述树脂层为［1］～［6］中任一项记载的树脂组合物。
［8］
如［7］记载的金属基底基板，在121℃、湿度100%、96小时的条件下的PCT处理后的绝缘电阻值/PCT处理前的绝缘电阻值为10-3～10-1。
［9］
一种金属基底基板的制造方法，具有以下工序：
准备未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的工序，
在上述未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的至少一面上形成树脂层的工序，和
在上述树脂层上形成金属箔的工序；
上述树脂层包含：
（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂，
（B）无机填充剂，和
（C）硅烷偶联剂；
将上述（C）硅烷偶联剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为c质量%，
将上述（B）无机填充剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为b质量%时，满足：
5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。
［10］
如［9］记载的金属基底基板的制造方法，上述（B）无机填充剂包含平均粒径D50为3μm～5μm的单分散的氧化铝。
发明的效果
根据本发明，可实现金属板与树脂层的密合性、热循环性、以及绝缘电阻性的平衡优异的金属基底基板。
具体实施方式
对本发明的树脂组合物进行说明。
本发明的树脂组合物是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物，上述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在这些金属板与金属箔之间的树脂层。这样的树脂组合物包含：（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂、（B）无机填充剂、以及（C）硅烷偶联剂，并且，满足5×10-2＜c-（b×1/100）＜11而特定。
以下进行详述。
（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂（以下，有时仅称为“（A）苯氧基树脂”）是指（A）在苯氧基树脂的结构中具有二苯基丙烷结构的化合物，只要重均分子量为4.0×104～4.9×104则没有特别限定。
（A）通过在树脂层中包含苯氧基树脂，从而不仅能够提高树脂层与金属板的密合性，而且还能够在冲压时改善流动性，无空隙等地成型。另外，通过分子量为4.0×104～4.9×104，从而得到如下效果。第1，能够低弹性模量化，并且在金属基底基板中使用时应力缓和性也变得优异。例如，利用使用了本发明的树脂组合物而成的金属基底基板，制造安装了电子部件等的半导体装置时，该半导体装置在急剧加热/冷却的环境下，也能够抑制在将金属基底基板与电子部件接合的焊接接合部或其附近产生裂纹等不良。
另外，通过使（A）苯氧基树脂的重均分子量为4.0×104以上，从而能够充分地进行低弹性模量化，并且在半导体装置中使用时，在急剧加热/冷却下，不易在焊接接合部或其附近产生裂纹。这样，能够提高金属基底基板的热循环特性。另外，通过使（A）苯氧基树脂的重均分子量为4.9×104以下，从而能够抑制因粘度上升而冲压时的流动性变差并产生空隙等，提高金属基底基板的绝缘可靠性。这样，能够提高金属基底基板的绝缘特性。
优选（A）苯氧基树脂的含量为树脂组合物总体的10～40重量%（以下，“～”只要没有特别明示就表示包含上限值和下限值）。通过使（A）苯氧基树脂的含量为10重量%以上，从而充分地得到降低弹性模量的效果，在金属基底基板中使用时的应力缓和性优异，即使受到急剧的加热/冷却也能够抑制在焊接或其附近产生裂纹。通过使（A）苯氧基树脂的含量为40重量%以下，从而能够抑制冲压时的流动性变差、空隙等产生，能够提高金属基底基板的绝缘可靠性。
应予说明，树脂组合物总体意味着，例如是使用了溶剂等的清漆时除溶剂之外的固体，液态环氧树脂、偶联剂等液态成分包含在树脂组合物中。
（B）无机填充剂没有特别限定，例如，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅、碳化硅等。
从高热传导性的观点出发，在这些无机填充剂中优选氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅。进一步优选氧化铝。从高热传导性、而且耐热性、绝缘性的角度出发，优选使用氧化铝。另外，从离子性杂质少的角度出发，优选结晶二氧化硅或非晶二氧化硅。能够制造绝缘可靠性优异的金属基底基板。
从在压力锅试验等的水蒸气气氛下绝缘性高，金属、铝线、铝板等的腐蚀少的角度出发，优选结晶二氧化硅或非晶二氧化硅。
另一方面，从阻燃性的观点出发，优选氢氧化铝、氢氧化镁。
此外，从熔融粘度调整、赋予触变性的目的出发，优选氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅。
（B）无机填充剂的含量没有特别限定，优选为树脂组合物总体的40～70重量%。通过使（B）无机填充剂的含量为40重量%以上，从而能够降低热电阻，得到充分的放热性。另一方面，通过使（B）无机填充剂的含量为70重量%以下，从而能够抑制冲压时的流动性变差、产生空隙等。
优选（C）硅烷偶联剂的含量满足下式。即，5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。
上式中，c（质量%）表示相对于树脂组合物的总计量100质量%的（C）硅烷偶联剂的含量，b（质量%）表示相对于树脂组合物的总计量100质量%的（B）无机填充剂的含量。
上式中，［c-（b×1/100）］表示未附着在（B）无机填充剂的表面而存在于树脂组合物中的（C）硅烷偶联剂（即，树脂组合物中游离的（C）硅烷偶联剂）的含量。
以下，对该方面进行说明。
首先，（C）硅烷偶联剂在分子内具有使有机材料与无机材料键合的官能团。介由该（C）硅烷偶联剂使无机材料与有机材料键合。
在本技术领域中，（C）硅烷偶联剂可用于对（B）无机填充剂与树脂组合物进行粘合，并且对（B）无机填充剂的表面进行处理。因此，（C）硅烷偶联剂的处理量（相对于树脂组合物总体的（C）硅烷偶联剂的含量）可根据（B）无机填充剂的含量来决定。
通常，已知相对于（B）无机填充剂的总计量100质量%，（C）硅烷偶联剂的处理量为0.5～1质量%左右。
因此，上式中的（b×1/100）表示相对于（B）无机填充剂的（C）硅烷偶联剂的通常处理量。而且，通过从（C）硅烷偶联剂的总量c中减去（C）硅烷偶联剂的处理量（b×1/100），从而如上所述，能够估算树脂组合物中的游离的（C）硅烷偶联剂的含量［c-（b×1/100）］。
在这样的树脂组合物中游离的（C）硅烷偶联剂未附着于（B）无机填充剂的表面而存在于树脂组合物中。这样的（C）硅烷偶联剂作用于无机材料的金属板上，能够提高树脂层与金属板的密合性。
在本发明中，通过使树脂组合物中的游离的（C）硅烷偶联剂的含量在特定的范围，从而能够实现金属板与树脂层的密合性及热循环特性的平衡。即，作为树脂组合物中的游离的（C）硅烷偶联剂的含量，下限值优选为5×10-2质量%以上，更优选为1×10-1质量%以上，进一步优选为5×10-1质量%以上，上限量没有特别限定，例如，优选为11质量%以下，更优选为10质量%以下，进一步优选为9质量%以下。
通过使树脂组合物中的游离的（C）硅烷偶联剂的含量为下限值以上，从而能够充分发挥由（B）无机填充剂得到的效果，同时能够提高金属板与树脂层的密合性且提高金属基底基板的绝缘性特性。
另外，通过使树脂组合物中的游离的（C）硅烷偶联剂的含量为上限值以下，从而抑制硅烷偶联剂水解而使焊接耐热性降低。
以往，例如，［c-（b×1/100）］为0以下是表示相对于（B）无机填充剂的总计量100质量%，（C）硅烷偶联剂的处理量为1质量%左右的情况，换言之，是表示使用通常处理量的（C）硅烷偶联剂的情况。使用了该种树脂组合物的金属基底基板在金属板与树脂层的密合性的改善方面具有很大余地。
与此相对，在本发明中为［c-（b×1/100）］＞0.05。由此，能够提高金属板与树脂层的密合性且提高金属基底基板的绝缘性特性。
对于树脂组合物，作为改性剂，可以使用环氧树脂。通过添加环氧树脂，从而能够改善树脂组合物的耐湿性、耐热性，特别是吸湿后的耐热性。只要环氧树脂是1分子中具有2个以上的环氧基的环氧树脂就没有特别限定，例如，可举出双酚A系、双酚F系、联苯系、酚醛清漆系、多官能酚系、萘系、脂环式系以及醇系等的缩水甘油醚、缩水甘油胺系以及缩水甘油酯系等，可以使用1种或混合2种以上使用。
这些环氧树脂中，从耐热性、耐湿性、金属粘合性以及冲压成型时的流动性的角度出发，优选双酚A环氧树脂，特别优选常温下为液态的双酚A环氧树脂。常温下为液态的双酚A环氧树脂的冲压成型时的流动性特别优异，并且与双酚A型苯氧基树脂的相溶性优异，树脂组合物不会引起相分离等，因此耐热性优异。
本发明的树脂组合物还可以包含环氧树脂的固化剂。作为固化剂没有特别限定，例如，可举出酸酐、胺化合物以及酚性化合物等。
本发明的树脂组合物可以根据需要使用固化促进剂。固化促进剂没有特别限定，例如，可举出咪唑类及其衍生物、叔胺类以及季铵盐等。
本发明的树脂组合物除上述以外，还可以根据需要并用任意公知的热塑性树脂、弹性体、阻燃剂以及填充剂、色素、紫外线吸收剂等。
接下来，对附有树脂的金属箔进行说明。
使用了上述树脂组合物的附有树脂的金属箔是通过将由树脂组合物构成的树脂层形成在金属箔上而得到的。
首先，为了形成树脂层，使用各种混合机将本发明的树脂组合物在有机溶剂中溶解、混合、搅拌，制作树脂清漆。所述有机溶剂为丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、甲苯、乙酸乙酯、环己烷、庚烷、环己烷环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲亚砜、乙二醇、溶纤剂系、卡必醇系、苯甲醚等，所述各种混合机为以下方式，即，超声波分散方式、高压碰撞式分散方式、高速旋转分散方式、珠磨方式、高速剪切分散方式以及自转公转式分散方式等。
树脂清漆中的树脂组合物的含量没有特别限定，优选为45～85重量%，特别优选为55～75重量%。
接着，使用各种涂装装置将树脂清漆涂装在金属箔上之后将其干燥。或者，利用喷涂装置将树脂清漆喷雾涂装至金属箔之后将其干燥。利用这些方法能够制作附有树脂的金属箔。
涂装装置没有特别限定，例如可使用辊涂机、棒涂机、刮刀涂机、凹版涂机、模涂机、逗号涂机以及帘涂机等。在这些中，优选使用模涂机、刮刀涂机以及逗号涂机的方法。由此，能够高效率地制造无空隙且具有均匀的绝缘层的厚度的附有树脂的金属箔。
优选树脂层的厚度为50μm～250μm的范围。通过使树脂层的厚度为50μm以上，从而能够用绝缘粘合层充分地缓和因在金属基底基板中使用的，例如，铝板等金属板与树脂层的热膨胀率的差引起的热应力的产生。
在这样的金属基底基板上表面安装半导体元件、电阻部件等情况下，能够抑制部件间的形变变大，得到充分的热冲击可靠性。另外，通过使树脂层的厚度为250μm，从而在金属基底基板的表面安装部分的形变量变少，能够得到良好的热冲击可靠性，同时热电阻降低且能够得到充分的放热性。
金属箔没有特别限定，例如可举出铜和铜系合金、铝和铝系合金、银和银系合金、金和金系合金、锌和锌系合金、镍和镍系合金、锡和锡系合金、铁和铁系合金等金属箔。在这些金属箔中，从能够通过蚀刻而将金属箔用作导体电路的角度出发，优选铜箔。另外，从低热膨胀的观点出发，优选铁-镍合金。
应予说明，上述金属箔的制造方法可以是电解法或轧制法的任一种。另外，也可以在金属箔上进行Ni镀覆、Ni-Au镀覆、焊锡镀覆等金属镀覆，但从与绝缘粘合层的粘合性的观点出发，进一步优选利用蚀刻、镀覆等事先对导体电路的与绝缘粘合层相接侧的表面进行粗化处理。
上述金属箔的厚度没有特别限定，优选为0.5μm～105μm，进一步优选为1μm～70μm，特别优选为9μm～35μm。通过使金属箔的厚度为下限值以下，从而抑制针孔的产生，并将金属箔蚀刻来用作导体电路，该情况下能够避免产生电路图案成型时的镀覆偏差、电路断线、蚀刻液或去钻污液等药液的渗入等。另外，通过使金属箔的厚度为上限值以下，从而能够减小金属箔的厚度偏差，抑制金属箔粗化面的表面粗糙度偏差。
另外，作为金属箔，也可以使用附有载体箔的极薄金属箔。附有载体箔的极薄金属箔是指将可剥离的载体箔与极薄金属箔粘合而成的金属箔。通过使用附有载体箔的极薄金属箔，从而能够在绝缘层的两面形成极薄金属箔层，因此例如在利用半添加法等形成电路时，不进行无电解镀而将极薄金属箔电解电镀为直接馈电层，由此在形成电路后能够对极薄铜箔进行闪蚀（フラツシユエツチング）。通过使用附有载体箔的极薄金属箔，即使是厚度为10μm以下的极薄金属箔也能够防止例如在冲压工序中极薄金属箔的操作性的降低、极薄铜箔的裂纹、切断。
接下来，对金属基底基板进行说明。
本发明的金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在这些金属板与金属箔之间的树脂层，该树脂层是由上述树脂组合物构成的树脂层。
这样的金属基底基板，例如可以通过在121℃、湿度100%、96小时的条件下进行PCT处理后的绝缘电阻值/PCT处理前的绝缘电阻值为10-3～10-1而特定。如上所述，树脂组合物具有（A）苯氧基树脂，所以本发明的金属基底基板的绝缘特性优异。
本发明的金属基底基板的制造方法没有特别限定，例如，在金属板的单面或两面上以与上述附有树脂的金属箔的树脂面相接的方式进行层叠，利用冲压等进行加压·加热固化来形成树脂层，由此能够得到金属基底基板。金属基底基板通过对金属箔进行蚀刻，从而能够形成电路，用作电路基板。
形成多层时，在上述金属基底基板上形成电路后，进一步层叠附有树脂的金属箔，通过进行与上述同样的蚀刻来形成电路，从而能够得到多层金属基底基板。应予说明，为了在最外层形成阻焊层，能够通过曝光·显影来安装半导体元件、电子部件，可以使连接用电极部露出。
上述金属板的厚度没有特别限定，优选厚度为0.5～5.0mm。因为热耗散性优异且具有经济性。
作为制作金属基底基板的其它方法，可举出在金属板上涂装上述树脂清漆，然后，层叠金属箔并进行加热·加压的方法。也可以利用与上述同样的蚀刻来形成电路而使用。
应予说明，也可以在上述金属板上涂装上述树脂清漆，使树脂固化后，利用无电解镀和电镀来形成电路。
另外，作为本实施方式的金属基底基板的制造方法，可以具有以下工序：准备未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的工序、在未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的至少一面上形成树脂层的工序、和在该树脂层上形成金属箔的工序。树脂层可以使用上述树脂组合物。
由此，本发明通过充分确保树脂组合物中游离的（C）硅烷偶联剂的含量，进而并用高分子的（A）苯氧基树脂，从而由于能够省略在金属板上处理硅烷偶联剂的工序，所以能够实现工序的简化。
另外，在本实施方式的金属基底基板的制造方法中，优选使用（B）无机填充剂包含平均粒径D50为3μm～5μm的单分散的氧化铝的树脂组合物。由此，能够在产品间抑制树脂组合物中游离的（C）硅烷偶联剂的含量的偏差，抑制产品间的特性偏差。
综上，根据本发明，能够实现与金属基底基板的密合性、热循环性优异的具有充分的绝缘电阻的金属基底基板。
另外，由于本发明的树脂组合物与金属板的密合性优异，因此在长期绝缘可靠性试验中能够显示良好的绝缘电阻且具有绝缘可靠性。
并且，本发明的树脂组合物含有无机填充剂，由此能够将以往以来热耗散性优异、耐电压等电绝缘性优异等方面继续保持，同时改善了应力缓和性。
本发明的树脂组合物、附有树脂的金属箔、以及金属基底基板能够在汽车的发动机室等严酷的环境化下使用的基板中使用，在产业上非常有用。
实施例
以下，基于实施例和比较例详细说明本发明，但本发明不限于这些。
＜实施例A＞
在实施例和比较例中使用的原材料如下所述。
（1）双酚A型苯氧基树脂（三菱化学制，1255，重均分子量4.8×104）
（2）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YP-55U，重均分子量4.2×104）
（3）双酚A型环氧树脂（DIC制，850S，环氧当量190）
（4）双酚A型环氧树脂（三菱化学制，1001，环氧当量475）
（5）双氰胺（Degussa制）
（6）苯酚酚醛清漆树脂（DIC制，TD-2010，羟基当量105）
（7）2-苯基咪唑（四国化成制，2PZ）
（8）γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（Shin-Etsu Silicone制，KBM-403）
（9）氢氧化铝（昭和电工制，HP-360）
（10）氧化铝（电气化学工业制，AS-50）
（11）氮化硼（电气化学工业制，SPG-3）
（12）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YD-020H，重均分子量1.0×104）
（13）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YP-50，重均分子量5.0×104）
（14）有机硅树脂（Momentive Performance制XE14-A0425（A），聚烷基链烯基硅氧烷）
（15）有机硅树脂（Momentive Performance制XE14-A0425（B），聚烷基氢硅氧烷）
（实施例A1）
（1）树脂清漆的制备
将双酚A型苯氧基树脂（三菱化学制，1255，重均分子量4.8×104）22.0重量%、双酚A型环氧树脂（DIC制，850S，环氧当量190）10.0重量%、双酚A型环氧树脂（三菱化学制，1001，环氧当量475）15.0重量份、2-苯基咪唑（四国化成制2PZ）1.0重量份、作为硅烷偶联剂的γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（Shin-Etsu Silicone制KBM-403）2.0重量份、氢氧化铝（昭和电工制，HP-360，粒径3.0μm）50.0重量份溶解·混合在环己酮中，使用高速搅拌装置进行搅拌，得到以固体成分为基准，树脂组合物为70重量%的清漆。
（2）附有树脂的金属箔的制作
作为金属箔，使用厚度70μm的铜箔（Furukawa Circuit Foil制，GTSMP），利用逗号涂机在铜箔的粗化面涂布树脂清漆，在100℃加热干燥3分钟，在150℃加热干燥3分钟，得到树脂厚100μm的附有树脂的铜箔。
（3）金属基底基板的制作
将上述附有树脂的铜箔与作为金属板的2mm厚的铝板粘结，利用真空冲压，在冲压30kg/cm2、80℃、30分钟，200℃、90分钟的条件下进行冲压，得到金属基底基板。
（实施例A2～A11和比较例A1～A6）
根据表1和表2中记载的配合表，制备树脂清漆，除此之外，与实施例A1同样地制备树脂清漆，制作附有树脂的铜箔、金属基底基板。
另外，对由各实施例和比较例得到的金属基底基板进行如下各项评价。将评价结果示于表1和表2。
[表1]
[表2]
Figure BDA00002621917100151
＜实施例B＞
在实施例和比较例中使用的原材料如下所述。
（1）双酚A型苯氧基树脂（三菱化学制，1255，重均分子量4.8×104）
（2）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YP-55U，重均分子量4.2×104）
（3）双酚A型环氧树脂（DIC制，850S，环氧当量190）
（4）双酚F型环氧树脂（DIC制，830S，环氧当量170）
（5）双氰胺（Degussa制）
（6）2-苯基咪唑（四国化成制，2PZ）
（7）γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（Shin-Etsu Silicone制，KBM-403）
（8）氧化铝（日本轻金属制，LS-210，平均粒径3.6μm）
（9）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YD-020H，重均分子量1.0×104）
（10）双酚A型苯氧基树脂（新日铁化学制，YP-50，重均分子量5.0×104）
（实施例B1）
（1）树脂清漆的制备
将双酚A型苯氧基树脂（三菱化学制，1255，重均分子量4.8×104）6.7重量%、双酚A型环氧树脂（DIC制，850S，环氧当量190）8.4重量%、双氰胺（Degussa制）0.4重量%、2-苯基咪唑（四国化成制2PZ）0.1重量%、作为硅烷偶联剂的γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷（Shin-Etsu Silicone制KBM-403）1.0重量%、氧化铝（日本轻金属制，LS-210B，粒径3.6μm）83.4重量%溶解·混合在环己酮中，使用高速搅拌装置进行搅拌，得到以固体成分为基准，树脂组合物为70重量%的清漆。
（2）附有树脂的金属箔的制作
作为金属箔，使用厚度70μm的铜箔（Furukawa Circuit Foil制，GTSMP），利用逗号涂机在铜箔的粗化面涂布树脂清漆，在100℃加热干燥3分钟，在150℃加热干燥3分钟，得到树脂厚100μm的附有树脂的铜箔。
（3）金属基底基板的制作
将上述附有树脂的铜箔与作为金属板的2mm厚的铝板粘结，利用真空冲压，在冲压30kg/cm2、80℃、30分钟，200℃、90分钟的条件下进行冲压，得到金属基底基板。
（实施例B2～B6和比较例B1～B6）
根据表3和表4中记载的配合表，制备树脂清漆，除此之外，与实施例1同样地制备树脂清漆，制作附有树脂的铜箔、金属基底基板。
另外，对由各实施例和比较例而得到的金属基底基板进行如下各项评价。将评价结果示于表3和表4。
[表3]
Figure BDA00002621917100181
[表4]
（评价方法）
对于上述各项评价而言，将评价方法在以下示出。
（1）剥离强度
由在上述实施例和比较例中得到的金属基底基板制作100mm×20mm的试验片，测定在23℃的金属基底基板与树脂层的剥离强度。
应予说明，剥离强度测定根据JIS C 6481进行。
（2）焊接耐热性
将得到的金属基底基板用锯齿磨床（グラインダ一ソ一）切成50mm×50mm后，利用蚀刻来制作仅残留1/4的铜箔而成的试样，根据JIS C6481进行评价。评价在未进行前处理的情况下、未进行前处理的情况下，和进行121℃、100%、（PCT处理）4小时后的情况下，观察在288℃的焊锡槽中浸渍30秒后有无外观异常。
评价基准：无异常
：有膨胀（在整体上有起泡的部分）
（3）绝缘电阻测定
使用绝缘电阻测定仪来测定上述金属基底基板的树脂层的绝缘电阻值。
室温下，在铜箔与铝板之间施加交流电压来进行测定。对以下2种情况进行评价：未进行前处理而测定的情况、以及在121℃、100%、（PCT处理）进行96小时后的测定情况。
（4）热传导率
利用水中置换法测定得到的金属基底基板的密度，并且，利用DSC（差示扫描量热测定）测定比热，进而，利用激光闪光法测定热扩散率。
此外，由下式计算热传导率。
热传导率（W/m·K）＝密度（kg/m3）×比热（kJ/kg·K）×热扩散率（m2/S）×1000
（5）热循环试验
将-40℃、7分钟～＋125℃、7分钟作为1个循环，对得到的金属基底配线基板进行5000次的热循环试验后，用显微镜观察焊接部分有无裂纹。将焊接部分的裂纹产生为10%以上的基板判定为不良，将焊接裂纹的产生低于10%的基板判定为良好。
评价基准：良好
：不良（裂纹产生率10%以上）
结果为实施例A1～A11和B1～B6中得到的金属基底基板的金属板与树脂层的密合性、热循环特性以及绝缘特性的平衡良好。
本申请主张以于2010年6月22日申请的日本专利申请特愿2010-141169号为基础的优先权，并在此引用其全部内容。

Claims (10)

1.一种树脂组合物，其特征在于，是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物，所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在所述金属板与所述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含：
（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂，
（B）无机填充剂，和
（C）硅烷偶联剂；
将所述（C）硅烷偶联剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为c质量%，
将所述（B）无机填充剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为b质量%时，满足：
5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述金属板为铝板。
3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述无机填充剂为氢氧化铝或氧化铝。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于所述树脂组合物的总计值100质量%，所述苯氧基树脂的含量为10～40重量%。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂组合物，其中，还包含环氧树脂。
6.根据权利要求5所述的树脂组合物，其中，所述环氧树脂为（D）双酚A型环氧树脂。
7.一种金属基底基板，其特征在于，具备金属板、金属箔、以及配置在所述金属板与所述金属箔之间的树脂层，所述树脂层为权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物。
8.根据权利要求7所述的金属基底基板，其中，在121℃、湿度100%、96小时的条件下进行的PCT处理后的绝缘电阻值/PCT处理前的绝缘电阻值为10-3～10-1。
9.一种金属基底基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
准备未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的工序，
在所述未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的至少一面上形成树脂层的工序，和
在所述树脂层上形成金属箔的工序；
所述树脂层包含：
（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂，
（B）无机填充剂，和
（C）硅烷偶联剂；
将所述（C）硅烷偶联剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为c质量%，
将所述（B）无机填充剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量%的含量设为b质量%时，满足：
5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。
10.根据权利要求9所述的金属基底基板的制造方法，其中，所述（B）无机填充剂包含平均粒径D50为3μm～5μm的单分散的氧化铝。
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