CN102939566B - 微光刻投射曝光设备的光学系统 - Google Patents
微光刻投射曝光设备的光学系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102939566B CN102939566B CN201180028501.5A CN201180028501A CN102939566B CN 102939566 B CN102939566 B CN 102939566B CN 201180028501 A CN201180028501 A CN 201180028501A CN 102939566 B CN102939566 B CN 102939566B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wave plate
- polarization
- optical
- optical system
- fast axle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
Abstract
本发明涉及一种微光刻投射曝光设备的光学系统,其包含至少一个反射镜装置(200),该反射镜装置具有多个反射镜元件,这些元件可彼此独立地位移以改变由该反射镜装置反射的光的角度分布;以及偏阵影响光学装置(300、800、900),该偏阵影响光学装置包含第一半波板(310、810、910)以及至少一个第二半波板(320、820、920)。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求同时于2010年6月10日申请的德国专利申请DE 102010029905.7和US 61/353,250的优先权。以引用方式将这些申请的内容合并于此。
技术领域
本发明涉及一种微光刻投射曝光设备的光学系统,特别地,本发明涉及在期望的偏振分布的供应方面允许增强的灵活性的微光刻投射曝光设备的光学系统。
背景技术
微光刻用于生产微结构组件,像是例如集成电路或LCDs。微光刻工艺在所谓的投射曝光设备中执行,该投射曝光设备具有照明系统和投射物镜。借由照明系统照明的掩模(=掩模母板)的图像借由投射物镜投射至基板(例如硅晶片)上,该基板涂有感光层(光刻胶)并布置在投射物镜的像平面中,以将掩模结构转移至基板上的光敏涂层上。
在微光刻投射曝光设备的运行中,需要以特定目标的方式设定限定的照明设定,也就是照明系统光瞳平面中的强度分布。为了该目的,除了使用衍射光学元件(所谓的DOEs)以外,已知还可使用反射镜装置,例如从WO2005/026843A2所知。这种反射镜装置包括彼此独立可调的多个微反射镜。
此外,已知多种方式用于以特定目标的方式设定照明系统中的光瞳平面及/或掩模母板中的指定偏振分布,用于优化成像对比度。关于技术发展的水平,请关注例如WO 2005/069081A2、WO 2005/031467A2、US 6191880B1、US 2007/0146676A1、WO 2009/034109A2、WO 2008/019936A2、WO2009/100862A1、DE 102008009601A1以及DE 102004011733A1。
尤其是,已知在照明系统中,以及也在投射物镜中,为了高对比度成像,将设定切向偏振分布。“切向偏振(tangential polarisation)”(或“TE偏振”)的表述用于表示一种偏振分布,其中单独、线性偏振光束的电场强度矢量的振动面(vibration plane)取向为与朝向光学系统轴的半径近似垂直。相反地,“径向偏振(radial polarisation)”(或“TM偏振”)的表述用于表示一种偏振分布,其中单独、线性偏振光束的电场强度矢量的振动面关于光学系统轴近似径向地取向。
发明内容
本发明的目的为提供一种偏振影响光学装置,以及微光刻投射曝光设备的光学系统,其在期望的偏振分布的供应方面允许增强的灵活性。
由依照独立权利要求1的特征的光学系统可达到此目的。
微光刻投射曝光设备的光学系统包含:
-至少一个反射镜装置,其具有多个反射镜元件,该多个反射镜元件可彼此独立地位移,以改变由反射镜装置反射的光的角度分布;以及
-偏振影响光学装置,其包含第一半波板(lambda/2 plate)以及至少一个第二半波板。
特别地,通过使用与反射镜装置结合的至少两个半波板,本发明基于提供至少两个区域的概念,在光的通路上,依赖于光是否通过仅一个半波板、通过两个半波板或未通过半波板,所述至少两个区域联合反射镜装置,产生不同的初始偏阵分布。如此,本发明提供以下可能性:例如当使用两个半波板时,可以产生四种不同偏振状态,其具有可自由选择的光或强度比例。
研究显示,已经能够在四种偏振状态情况下的成像性质方面考虑相当大程度的偏振特性的影响,可由两个半波板的部分重叠来设定四种偏振状态。如果是那样地话,例如通过两个半波板(例如在x和y方向上是可位移的)的相对位移,同时也可改变关于总强度的相对比例(也就是例如80%的x偏振光与20%的y偏振光等等)。
可实现根据本发明而在投射曝光设备中变得可能的不同偏振分布或照明设定的灵活设定,特别是在不需要附加的光学元件的情况下实现,这降低结构复杂度和支出,以及降低例如用于微光刻工艺的成本。此外,也避免了使用附加光学元件所必然有的传输损失。
在实施例中,关于光传播方向,半波板连续布置在光学系统中。
在实施例中,半波板就其关于彼此的相对位置可位移。尤其是,半波板可在光传播方向上有不同程度的重叠。因此,借由至少两个半波板的重叠程度的变化,结合反射镜装置,本发明使得可灵活地设定相互不同的偏振照明设定,而不用因为这些照明设定之间的变更而交换偏振影响光学装置。
半波板就其关于彼此的相对位置的位移能力可包含:至少一个半波板的平移位移及/或至少一个半波板的旋转。在最后提及的情况下,或者仅改变各个快轴的相对位置,根据本发明,此位置也被解释为半波板关于彼此的相对位移。
在实施例中,第一半波板及/或第二半波板在第一位置和第二位置之间是可位移的,该第一位置中,各个半波板完全位于反射镜装置的光学有效区域之外,该第二位置中,各个半波板完全位于反射镜装置的光学有效区域内。这样因此,依赖于期望的偏振分布,各个半波板也可完全移出反射镜布置的光学有效区域,因此整个系统在提供期望的偏振分布方面的灵活性进一步增加。在该方面,使用各个半波板位于反射镜装置的光学有效区域内的标准,来表示一种装置,在光学系统的运行中,在该装置中,反射镜装置也反射通过半波板的所有光线。因此,各个半波板在反射镜装置的光学有效区域之外的布置,表明由反射镜装置反射的光线并不通过各个半波板。
本发明不限于可相对于彼此位移的半波板。如此,如同下文中也会更详细描述的,通过使用反射镜装置的反射镜元件的可位移能力,已经能够利用半波板的静态实施方式来设定不同的偏振照明设定。
特别地,可将根据本发明的装置设定为使得仅第一半波板位于第一非重叠区域内,而仅第二半波板位于第二非重叠区域内。
在实施例中,第一半波板具有双折射的第一快轴,并且第二半波板具有双折射的第二快轴,第一轴与第二轴的取向彼此不同。
在实施例中,第一快轴与第二快轴相对于彼此布置在45°±5°的角度上。
在实施例中,第一快轴相对于入射至装置上的光束的优先偏振方向在22.5°±2°的角度上延伸,并且第二快轴相对于入射至装置上的光束的优先偏振方向在-22.5°±2°的角度上延伸。
在实施例中,仅通过第一半波板的第一线性偏振光束的振动面旋转过第一旋转角度,并且仅通过第二半波板的第二线性偏振光束的振动面旋转过第二旋转角度,第一旋转角度与第二旋转角度不同。
在实施例中,第一旋转角度与第二旋转角度在数量方面相同,而具有相反的符号。
在实施例中,第一半波板与第二半波板在彼此重叠区域内形成90°旋转体(rotator)。
在实施例中,偏振影响光学布置正好具有两个半波板。通过特别简单的结构的实施,其利用如下事实:仅通过两个半波板已经可以在相当大的程度上考虑偏振特性在成像性质方面的影响,这是由于在此可调的四种偏振状态的结果,如上文所述。
在实施例中,偏振影响光学布置具有至少三个并且优选地至少七个半波板。具有至少三个半波板的装置具有以下优点:可免除在相互不同的(尤其是相互垂直的)方向上的,例如在x与y方向上的半波板的位移能力或可调能力,并且已经可用半波板沿着共同方向(例如在x方向上)的位移能力来实现在设定不同偏振分布方面的高水平灵活性。
在实施例中,可以以下方式来调整偏振影响光学装置:在光学系统运行时与反射镜布置结合,偏振影响光学装置将入射至装置上的光束的具有优先偏振方向的线性偏振分布转换成近似切向的偏振分布,该优先偏振方向在光束横截面上是不变的。
在进一步的方面,本发明涉及一种微光刻曝光方法,其中将借由照明系统的光源而产生的光线送至投射曝光设备,用于照明投射物镜的物平面,并且其中借由投射物镜将物平面成像至投射物镜的像平面中,其中在照明系统内使用:
-至少一个反射镜布置,其具有多个反射镜元件,该多个反射镜元件可彼此独立地位移,以改变由反射镜布置反射的光的角度分布;以及
-偏振影响光学布置,其包含第一半波板以及至少一个第二半波板。
在实施例中,通过改变第一半波板与第二半波板的相对位置,调整至少两个相互不同的照明设定。
在实施例中,当调整所述照明设定的至少一个时,将第一半波板与第二半波板布置为使得它们在光传播方向上部分地相互重叠,形成至少一个重叠区域以及至少一个非重叠区域。
在调整至少一个所述照明设定的实施例中,至少部分照明重叠区域与非重叠区域二者。
在实施例中,由反射镜布置的不同反射镜元件反射,并且由于偏振影响布置的动作而具有不同偏振方向的至少两个光束相互重叠。
本发明进一步涉及一种微光刻投射曝光设备以及用于微结构组件的微光刻生产的方法。
在说明书和所附权利要求中将发现本发明的进一步的构造。
附图说明
以下借由实施例,以在附图中示出的示例的方式,更详细地描述本发明,其中:
图1示出了说明根据本发明实施例的、具有偏振影响光学装置的微光刻投射曝光设备的结构的示意图;
图2示出了说明图1的投影曝光设备中呈现的反射镜装置的结构和功能的示意图;
图3a-图3f示出了说明根据本发明特定实施例的偏振影响光学装置的运行模式的示意图;
图4a-图4b示出了说明使用图2的偏振影响光学装置的进一步示例的示意图;
图5a-图5c示出了可根据本发明而设定的进一步的偏振分布的示意图;
图6示出了说明根据本发明进一步实施例的偏振影响光学装置的示意图;以及
图7至图9示出了说明根据本发明进一步实施例的偏振影响光学装置的使用的进一步示例的示意图。
具体实施方式
下面参考图1首先描述了根据本发明的具有光学系统的微光刻投射曝光设备的原理结构。投影曝光设备具有照明系统10和投射物镜20。照明系统10用于使用来自光源单元1的光照明结构承载掩模(掩模母板)30,光源单元例如包含用于193nm的工作波长的ArF准分子激光器(excimer laser)以及产生平行光束的光束成形光学装置。一般而言,优选地将照明系统10和投射物镜20设计用于小于400nm,尤其是小于250nm,进一步特别小于200nm的工作波长。
根据本发明,特别地,照明系统10的组件部分是反射镜装置200,如下文参考图2所更详细描述的。在光传播方向上,布置在反射镜布置200上游的是偏振影响光学布置300,下文参考图3a-图3f更详细地描述了该偏振影响光学装置。如图1中所示,还提供了致动单元305,用于以合适的致动器的方式致动装置300的位移。可将用于装置300的位移的致动器设计为任何形式,例如以皮带驱动器、固态铰链元件、压电致动器、线性驱动器、含或不含传动装置(transmission arrangement)的直流发动机、主轴驱动器(spindledrive)、齿带驱动器、齿轮驱动器或这些已知部件的结合的形式。
照明系统10具有光学单元11,其在示出的示例中还包含偏转反射镜12。在光路上,位于光学单元11在光传播方向上的下游的是混光装置(未显示)和透镜组14,混光装置可例如以本身已知的方式具有适用于实现光混合的微光学元件的装置,透镜组14的下游布置的是具有掩模母板掩蔽系统(reticlemasking system,REMA)的场平面,通过位于光传播方向上下游的REMA物镜15,将该掩模母板掩蔽系统成像至布置在另一场平面内的结构承载掩模(掩模母板)30上,并且因此限定掩模母板上的被照明区域的界限。用投射物镜20将将结构承载掩模30成像至基板40或具有感光层的晶片上。特别地,可将投射物镜20设计用于浸没模式操作。此外,投射物镜可具有大于0.85,尤其是大于1.1的数值孔径(numerical aperture)NA。
优选地,选择半波板310、320的尺寸,使得每一个半波板310、320都可分别“遮住”反射镜装置200,也就是说由反射镜装置200反射的所有光线都通过半波板310、320。此外,优选地,联合设计半波板310、320和反射镜装置200,使得装置300不会遮蔽反射镜装置200,并且因此实现最佳传输。
在图2图解地示出的结构中,反射镜装置200具有多个反射镜元件200a、200b、200c......。反射镜元件200a、200b、200c可彼此独立地位移,以改变由反射镜装置200反射的光的角度分布,其中,如图1所示,可存在致动单元205,用于实施这种位移(例如以合适的致动器的方式)。
为了示出依照本发明在照明系统10中所使用的反射镜装置200的结构和功能,图2以照明系统10的子区域的示例的形式示出了结构,其在激光束210的光路中连续包含偏转反射镜211、折射光学元件(ROE)212、透镜213(仅作为示例显示)、微透镜装置214、根据本发明的反射镜装置200、散射体(diffuser)215、透镜216和光瞳平面PP。反射镜装置200包含多个微反射镜200a、200b、200c......,并且微透镜装置214具有多个微透镜,用于到这些微反射镜上的有目标的聚焦,并且用于减少或避免“死区”的照明。微反射镜200a、200b、200c可分别单独地倾斜,例如在-2°与+2°之间,尤其是在-5°与+5°之间,特别是进一步在-10°与+10°之间的角度范围内。期望的光分布,例如环形照明设定或是偶极设定或四极设定,可通过反射镜装置200中的微反射镜200a、200b、200c......的合适倾斜布置而在光瞳平面PP内产生,只要先前均匀(homogenised)且准直(collimated)的激光分别由微反射镜200a、200b、200c......偏转在期望的方向上,该期望的方向依赖于期望的照明设定。
图3a为显示根据本发明实施例的偏振影响光学装置300的示意图。在实施例中,偏振影响光学装置300包含相互部分重叠的半波板310、320,每一半波板都由适合期望的工作波长的合适双折射透明材料制成,例如氟化镁(MgF2)、蓝宝石(Al2O3)或结晶石英(SiO2)。此外,每一个半波板310、320(本发明并不受限于此)都具有矩形的几何形状,以适合于反射镜装置200的几何形状。
针对包括线偏振光的入射辐射的情形,该线偏振光具有在y方向上延伸的不变的优先偏振方向P,图3a还显示分别在光通过偏振影响光学装置300之后出现的优先偏振方向。在该方面,针对第一非重叠区域“B-1”(也就是仅由第一半波板310遮蔽的区域),针对第二非重叠区域“B-2”(也就是仅由第二半波板320遮蔽的区域),以及针对重叠区域“A”(也就是由第一半波板310和第二半波板320二者遮蔽的区域)而分别产生的优先偏振方向被表示为P′、P″和P″′。
将在上示区域中的各个优先偏振方向的出现图解地显示于图3b-3e中,其中第一半波板310的快轴(在高折射率方向上延伸)的各个位置由虚线“fa-1”表示,而第二半波板320的则由虚线“fa-2”表示。在示出的实施例中,第一半波板310的双折射的快轴“fa-1”相对于入射至装置300上的光束的优先偏振方向P(也就是相对于y方向),在22.5°±2°的角度上延伸,并且第二半波板320的双折射的快轴“fa-2”相对于入射至装置300上的光束的优先偏振方向P,在-22.5°±2°的角度上延伸。
在光通过第一半波板310之后出现的优先偏振方向P′对应于原始(进入)优先偏振方向P关于快轴“fa-1”的镜像(参阅图3b),并且在光通过第二半波板320之后出现的优先偏振方向P″对应于原始(进入)优先偏振方向P关于快轴“fa-2”的镜像(参阅图3c)。因此,分别在光通过非重叠区域“B-1”和“B-2”之后出现的优先偏振方向P′和P″,相对于入射至装置300上的光束的优先偏振方向P在±45°的角度上延伸。
针对入射于装置300上重叠区域“A”内的光束,发自第一半波板310的光束的优先偏振方向P′(参阅图3d)对应于入射至第二半波板320上的光束的进入偏振分布,这样发自重叠区域“A”的光束的优先偏振方向(图3a中标为P″′),相对于入射至装置300上的光束的优先偏振方向P在90°的角度上延伸。
本发明不限于相对彼此可位移的半波板。因此,通过利用反射镜装置的反射镜元件的可位移能力,在半波板的静态实施的情况下,已经能够设定不同的偏振照明设定。例如,通过例如将偏振方向被装置300旋转90°的光成分偏转,并引导这些光成分到光瞳平面上“12”点钟和“6”点钟或“3”点钟和“9”点钟的方向,可在准切向偏振分布(quasi-tangential polarisation)与准径向偏振分布之间转变。
虽然在示出的实施例中,半波板310、320都布置在反射镜装置200关于光传播方向的上游,但是本发明不限于此。因此在进一步实施例中,还可将半波板310、320中的一个布置在反射镜装置关于光传播方向的上游,而将另一个布置在反射镜装置200的下游,或者也可以将半波板310、320都布置在反射镜装置200的下游。最后提到的构造具有以下方面的优点:由装置300设定的(离开)偏阵分布不再被反射镜装置200上的反射改变。
此外,分别选择半波板310、320的方位以及其相对于反射镜装置200的间隔,使得关于偏振状态定义入射于反射镜装置200的单独反射镜上的光成分,这样利用一个限定的偏振状态——而不利用例如二个或更多的相互不同的偏振状态影响在反射镜装置200的各个反射镜的其中一个上反射的光。
图3f中显示的是可用图3a的装置设定的偏振分布的示例。依照图3f产生的偏振分布为具有八个区域的准切向偏振分布350,该八个区域有圆的部分的形状,其中偏振方向在每一情况下都不变地并且至少近似切向地延伸,也就是说与朝向光轴(在z方向上延伸)的半径垂直地延伸。在有圆的部分的形状的各个区域内的偏振分布由以下事实产生:如上所述,偏振方向相对于入射至装置300上的光的偏振方向分别旋转了0°、45°、-45°和90°。偏振分布350使得能够进一步操作例如生产工艺,已经利用OPC工艺(OPC=“光学邻近校正(optical proximity correction)”=“光学近场校正(optical nearfield correction)”)将该生产工艺优化为准切向照明设定,然而在该方面,附加地,也可使用例如具有照明极(illumination poles)旋转45°的准切向偏振分布的照明设定。
参考图4a-4b,描述使用装置300的可能的进一步示例。在此情况下,在图1的结构中,除了装置300以外,在光瞳平面内放置进一步的偏振操纵器400(图4a中的视图仅呈现了偏振操纵器400位于装置300在光传播方向上的下游的图解草图)。该进一步的偏振操纵器400已知来自WO2005/069081A2,并且被图解地示于图4b中。偏振操纵器400由光学活性材料(特别是晶轴沿着光传播方向延伸的结晶石英)制成,并且具有随光传播方向改变的厚度外形。偏振操纵器400在中央区域具有孔405,并且如WO2005/069081A2中所描述,其借由厚度外形以及圆双折射(circularbirefringence),在孔405外面的区域中产生切向偏振分布。
在图4a的示例中,装置300的具有相互重叠关系的两个半波板310和320,仅遮蔽反射镜装置200的相当小的部分(也就是说此外只有反射镜装置200上反射的总光线的一小部分通过半波板310和320)。依照上文参考图3a所描述的原理,针对同时还通过偏振操纵器400的孔405的光成分,涉及准切向偏振。一方面,由对于通过半波板310、320未覆盖的区域以及偏振操纵器400的孔405的光具有y偏振的区域形成该偏振,因为没有半波板310、320布置在光通过装置400之后出现的偏阵分布的区域421和422中,并且因此这里的优先偏振方向对应于原始优先偏振方向(也就是y方向)。此外,借由两个半波板310、320的动作而产生具有x偏振的区域,也就是针对通过由两个半波板310、320覆盖的区域以及偏振操纵器400的孔的光。
将切向偏振分布设定于光瞳平面外面的区域(如此装置300不覆盖反射镜装置200,并且用于通过偏振操纵器400的孔405以外的区域的光)。
图5a-5c显示了可根据本发明设定的偏振分布的进一步示例。依赖于半波板310、320的各自设定,也可灵活地设定这些和其它偏振分布,而不用因为这些照明设定之间变化而调换偏振影响光学装置300。
在如图5a和5b所示的方面,每一个偏振分布都在光瞳平面的中央区域内或对于通过偏振操纵器400的孔405内的区域的光,具有不变的线偏振方向,其中借由反射镜装置200与偏振影响装置300的组合而不同地设定图5a、5b中的偏振方向。在图5c所示的示例中,相互垂直的偏振光成分(含x偏振与y偏振)还可具有相互重叠的关系,以便利用该重叠在中央区域或针对通过偏振操纵器400的孔405中的区域的光产生非偏振光,。
图6显示了两个可旋转半波板610和620的布置的进一步实施例。用于半波板610和620的旋转的致动器可具有任何期望的构造,例如为皮带驱动器、固态铰链元件、压电致动器或这些已知元件的组合形式。
此时存在以下优势:具有任何期望的优先偏振方向的两个偏振状态可借由两个可旋转半波板610和620来设定。在半波板610和620的重叠区域内,存在类似于图3地源于两个半波板610和620的组合动作的进一步的第三偏振状态。
根据进一步实施例,由反射镜反射并且包括由偏振影响装置300的动作所造成的不同偏振方向的光成分也可具有相互重叠关系。这种在图7中图解地示出的实施例基于以下考虑:例如22.5°的合成偏振方向,根据向量加法,是由0°与45°的偏振方向(都相对于示出的坐标系中的x轴)的叠加(示于图7的右下角)产生。对应的叠加也可被连续地影响,或连续改变包括不同偏振方向的光的强度成分,使得最终产生的照明设定在相邻偏振方向之间具有连续的转变。换言之,使用反射镜装置以通过不连续的偏振状态的叠加,来实现(准)连续偏振设定。
关于上述叠加,请注意,在相互增加的垂直偏振光成分的基础上存在非偏振贡献,其导致能够实现的IPS值的减少。在该方面,IPS值用于表示在指定位置上期望的偏振状态的实施程度。在该方面,IPS为“优选状态下的强度(intensity in preferred state)”的缩写,并且IPS值给出了在参考方向上的光强度相对于总强度的能量关系(例如可用理想偏光器来测量,将该理想偏光器的传输方向设定在参考方向上)。在数量方面,从图7开始,就是说在总共八个偏振状态的产生当中,借由偏振影响光学装置与反射镜装置的组合,针对偏振方向0°与22.5°的叠加情况存在大约96%的IPS值。相较之下,从图3开始,就是说在总共四个偏振状态的产生当中,借由偏振影响光学装置与反射镜装置的组合,针对偏振方向0°与45°的叠加情况存在大约85%的IPS值。
根据下文中参考图8和图9描述的进一步实施例,光学系统还可具有多于两个的半波板。一般来说,本发明包含具有任意数量(≥2)的半波板的装置,该半波板具有双折射快轴的任意取向。
参考图8,三个半波板810、820、830的使用,使得可设定四种偏振状态,在各自产生的离开偏振方向方面,这四种偏振状态分别逐步地相异45°。如从图8的右手边可看到的,当由具有各自不同的“关联”偏振状态的两个反射镜分别反射的光成分之间的强度比例按照方位角连续地变化,并且因此偏振方向被旋转时,通过上述叠加可再次实现连续偏振分布。
表1中显示了为图8中的实施例而设定的半波板的取向和各自产生的偏振方向。
表1
参考图9,使用七个半波板910、920、930......,使得可设定八个偏振状态,关于各自产生的离开偏振方向,这八个偏振状态逐步相异22.5°,或者其中从各个半波板发出的光束的偏振方向以22.5°的整数倍的角度延伸。用特定术语来说,在第一半波板910中,快轴关于入射至装置900上的光束的优先偏振方向P,以11.25°的角度延伸,而在第二半波板920中,快轴相对于入射至装置900上的光束的优先偏振方向P,以11.25°±22.5°的角度延伸,并且在第n半波板中,快轴相对于入射至装置900上的光束的优先偏振方向P,以11.25°±(n-1)*22.5°的角度延伸。
换言之,在每一个半波板910、920、930......中,双折射的快轴相对于分别入射至正被讨论的半波板上的光束的优先偏振方向P,分别以11.25°的角度延伸,如此另外的22.5°的每一个旋转角度是关于各自快轴的镜像的结果。
从表2中可看到为图9的实施例而设定的半波板的取向,以及各自实现的偏振方向。
表2
结果,在该情况下,通过上述叠加还可再次实现连续偏振分布,其中,例如与图7中的装置相比较时,可实现相当高的IPS值(示例中IPS值大约为96%),作为正交偏振状态的叠加的结果,可减少非偏振的比例。
概括地说,在半波板的数量为n的情况下,可将每一个半波板的旋转角度选择为360°/(n+1)/2,其中每一个快轴的取向都不同,并且其中第m个半波板的快轴的取向被指定为(m-1)*360°/(n+1)/2+360°/(n+1)/4。然后,第m个半波板下游的偏振旋转为(m)*360°/(n+1)/2。
参考图8和图9所描述的实施例中的半波板就彼此的相对位置可移动地布置,类似于先前描述的实施例。在该方面,参考关于图3等的先前的描述。
即使借由特定实施例已经描述了本发明,许多变形和替代实施例对于本领域技术人员仍将是显而易见的,例如通过单独实施例的特征的组合及/或交换。因此,本领域技术人员将意识到,本发明还包含这种变形和替代实施例,并且本发明的范围仅受限于所附权利要求及其等同的含义。
Claims (25)
1.一种微光刻投射曝光设备的光学系统,其包含:
-至少一个反射镜装置(200),其具有多个反射镜元件,该多个反射镜元件能够彼此独立地位移以改变由所述反射镜装置反射的光的角度分布;以及
-偏振影响光学装置(300、800、900),其包含第一半波板(310、810、910)以及至少一个第二半波板(320、920、930);
其中,所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)关于所述光传播方向连续布置在所述光学系统中。
2.如权利要求1所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)就其相对位置能够相对于彼此位移。
3.如权利要求2所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)就其相对位置关于彼此的位移能力包含:至少一个所述半波板的平移位移和/或至少一个所述半波板的旋转。
4.如权利要求2或3所述的光学系统,其特征在于,能够在相互不同的空间方向上实现所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)就其相对位置关于彼此的位移能力。
5.如权利要求4所述的光学系统,其特征在于,能够在相互垂直的空间方向上实现所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)就其相对位置关于彼此的位移能力。
6.如权利要求2或3所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)相对于彼此是能够位移的,在所述光传播方向上具有可变的重叠程度。
7.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)及/或所述第二半波板(320)在第一位置和第二位置之间是能够位移的,该第一位置中,所述各个半波板完全位于所述反射镜装置(200)的光学有效区域之外,该第二位置中,所述各个半波板完全位于所述反射镜装置(200)的光学有效区域内。
8.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)具有双折射的第一快轴(fa-1),并且所述第二半波板(320)具有双折射的第二快轴(fa-2),其中所述第一快轴(fa-1)与所述第二快轴(fa-2)的取向彼此不同。
9.如权利要求8所述的光学系统,其特征在于,所述第一快轴(fa-1)与所述第二快轴(fa-2)相对于彼此布置在45°±5°的角度上。
10.如权利要求9所述的光学系统,其特征在于,所述第一快轴(fa-1)相对于入射至所述装置(300)上的光束的优先偏振方向,在22.5°±2°的角度上延伸,并且所述第二快轴(fa-2)相对于入射至所述装置(300)上的光束的优先偏振方向,在-22.5°±2°的角度上延伸。
11.如权利要求8所述的光学系统,其特征在于,所述第一快轴(fa-1)相对于入射至所述装置(300)上的光束的优先偏振方向,在22.5°±2°的角度上延伸,并且所述第二快轴(fa-2)相对于入射至所述装置(300)上的光束的优先偏振方向,在-22.5°±2°的角度上延伸。
12.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,第一线性偏振光束的振动面旋转过第一旋转角度,该第一线性偏振光束仅通过所述第一半波板(310),并且第二线性偏振光束的振动面旋转过第二旋转角度,该第二线性偏振光束仅通过所述第二半波板(320),所述第一旋转角度与所述第二旋转角度不同。
13.如权利要求12所述的光学系统,其特征在于,所述第一旋转角度与所述第二旋转角度在数量方面相同,而具有相反的符号。
14.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述第一半波板(310)和所述第二半波板(320)在彼此的重叠区域内形成90°旋转体。
15.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述偏振影响光学装置(300)正好具有两个半波板(310、320)。
16.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述偏振影响光学装置(800、900)具有至少三个半波板(810、820、830;910-970)。
17.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述偏振影响光学装置(800、900)具有至少七个半波板(910-970)。
18.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,所述偏振影响光学装置(300、800、900)以下面的方式是可调的:在所述光学系统运行时与所述反射镜装置(200)结合,该偏振影响光学装置将入射在所述装置上的光束的线偏振分布转换成近似切向的偏振分布,该线偏振分布具有优先偏振方向,该优先偏振方向在所述光束的横截面上是不变的。
19.如权利要求1至3中的一项所述的光学系统,其特征在于,其还具有偏振影响光学元件(400),该偏振影响光学元件由光学活性材料制造并具有变化的厚度外形。
20.一种微光刻投射曝光设备,其包含照明系统和投射物镜,其中所述照明系统(110)及/或所述投射物镜(130)具有如上述权利要求中的一项所述的光学系统。
21.一种微光刻曝光方法,其中,将借由照明系统(10)的光源所产生的光送至投射曝光设备,用于照明投射物镜(20)的物平面,并且其中借由所述投射物镜(20)将所述物平面成像至所述投射物镜(20)的像平面,其中所述照明系统内使用
-至少一个反射镜装置(200),其具有多个反射镜元件,该多个反射镜元件能够彼此独立地位移,以改变由所述反射镜装置反射的光的角度分布;以及
-偏振影响光学装置(300、800、900),其包含第一半波板(310、810、910)以及至少一个第二半波板(320、920、930);
其中,通过改变所述第一半波板(310、810、910)与所述第二半波板(320、920、930)的相对位置,来调整至少两个相互不同的照明设定。
22.如权利要求21所述的方法,其特征在于,当调整至少一个所述照明设定时,布置所述第一半波板(310、810、910)与所述第二半波板(320、920、930),使得它们在所述光传播方向上部分地相互重叠,形成至少一个重叠区域和至少一个非重叠区域。
23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,为了调整至少一个所述照明设定,至少部分照明所述重叠区域和所述非重叠区域。
24.如权利要求21或22所述的方法,其特征在于,由所述反射镜装置(200)的不同反射镜元件反射、并且由于所述偏振影响装置(300)的动作而具有不同偏振方向的至少两个光束部分相互重叠。
25.一种用于微结构组件的微光刻生产的方法,其包含下列步骤:
-提供基板(40),在其上至少部分地施加感光材料的层;
-提供掩模(30),其具有要成像的结构;
-提供如权利要求20所述的微光刻投射曝光设备;以及
-借由所述投射曝光设备,将所述掩模(30)的至少一部分投射到所述层的区域上。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35325010P | 2010-06-10 | 2010-06-10 | |
DE102010029905.7 | 2010-06-10 | ||
DE102010029905A DE102010029905A1 (de) | 2010-06-10 | 2010-06-10 | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US61/353,250 | 2010-06-10 | ||
PCT/EP2011/058040 WO2011154227A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-05-18 | Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102939566A CN102939566A (zh) | 2013-02-20 |
CN102939566B true CN102939566B (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=45020058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201180028501.5A Active CN102939566B (zh) | 2010-06-10 | 2011-05-18 | 微光刻投射曝光设备的光学系统 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9323156B2 (zh) |
EP (1) | EP2580625B1 (zh) |
JP (1) | JP5706519B2 (zh) |
KR (1) | KR101491229B1 (zh) |
CN (1) | CN102939566B (zh) |
DE (1) | DE102010029905A1 (zh) |
TW (1) | TWI483085B (zh) |
WO (1) | WO2011154227A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009045223A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Anordnung in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie |
KR102170875B1 (ko) * | 2011-10-24 | 2020-10-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US9732934B2 (en) * | 2011-10-28 | 2017-08-15 | Nikon Corporation | Illumination device for optimizing polarization in an illumination pupil |
DE102012200371A1 (de) | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102012200368A1 (de) | 2012-01-12 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012203944A1 (de) * | 2012-03-14 | 2013-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Justage eines optischen Systems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012205045A1 (de) | 2012-03-29 | 2013-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012206150B9 (de) | 2012-04-16 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US9480529B2 (en) | 2012-06-22 | 2016-11-01 | S & Y Enterprises Llc | Aesthetic treatment device and method |
DE102012217769A1 (de) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102012223217B9 (de) * | 2012-12-14 | 2014-07-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013201133A1 (de) | 2013-01-24 | 2014-07-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102013202656A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-02-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102014217612A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungoptik für die Projektonslithograpfie |
DE102015209176A1 (de) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102017115262B9 (de) * | 2017-07-07 | 2021-05-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1826616A2 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2009034109A2 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN102200693A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 照射系统和光刻设备 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1340347A (en) * | 1969-12-29 | 1973-12-12 | Nippon Kogaku Kk | Optical system |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
TWI304157B (en) * | 2002-11-27 | 2008-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6975397B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-12-13 | Biotools, Inc. | Polarization state conversion in optically active spectroscopy |
KR101159867B1 (ko) | 2003-09-12 | 2012-06-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템 |
JP2005091539A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録方法および装置 |
DE60321241D1 (de) | 2003-09-26 | 2008-07-03 | Zeiss Carl Smt Ag | Belichtungsverfahren sowie Projektions-Belichtungssystem zur Ausführung des Verfahrens |
TWI360158B (en) * | 2003-10-28 | 2012-03-11 | Nikon Corp | Projection exposure device,exposure method and dev |
US20070019179A1 (en) * | 2004-01-16 | 2007-01-25 | Damian Fiolka | Polarization-modulating optical element |
KR101099913B1 (ko) * | 2004-01-16 | 2011-12-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
DE102004011733A1 (de) | 2004-03-04 | 2005-09-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Transmissionsfiltervorrichtung |
TWI453796B (zh) | 2005-01-21 | 2014-09-21 | 尼康股份有限公司 | 偏光變更單元以及元件製造方法 |
KR101459157B1 (ko) | 2005-10-04 | 2014-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 광학 시스템 내의, 특히 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 내의 편광 분포에 영향을 주기 위한 장치 및 방법 |
JP2007220767A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
DE102006038643B4 (de) | 2006-08-17 | 2009-06-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
DE102007027985A1 (de) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US7872731B2 (en) * | 2007-04-20 | 2011-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
DE102008009601A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren |
NL1036786A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
DE102008040611A1 (de) | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Modifizieren einer Polarisationsverteilung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
TWI434143B (zh) * | 2008-09-22 | 2014-04-11 | Nanya Technology Corp | 微影設備 |
JP5155972B2 (ja) | 2009-09-10 | 2013-03-06 | 日立アプライアンス株式会社 | ドラム式洗濯乾燥機 |
DE102011003035A1 (de) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, sowie optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
NL2007306A (en) * | 2010-09-23 | 2012-03-26 | Asml Netherlands Bv | Source polarization optimization. |
-
2010
- 2010-06-10 DE DE102010029905A patent/DE102010029905A1/de not_active Ceased
-
2011
- 2011-05-18 CN CN201180028501.5A patent/CN102939566B/zh active Active
- 2011-05-18 KR KR1020127032275A patent/KR101491229B1/ko active IP Right Grant
- 2011-05-18 EP EP11723898.0A patent/EP2580625B1/en active Active
- 2011-05-18 WO PCT/EP2011/058040 patent/WO2011154227A1/en active Application Filing
- 2011-05-18 JP JP2013513603A patent/JP5706519B2/ja active Active
- 2011-06-08 TW TW100119953A patent/TWI483085B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-10-26 US US13/661,381 patent/US9323156B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1826616A2 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2009034109A2 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN102200693A (zh) * | 2010-03-22 | 2011-09-28 | Asml荷兰有限公司 | 照射系统和光刻设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5706519B2 (ja) | 2015-04-22 |
TW201214063A (en) | 2012-04-01 |
US9323156B2 (en) | 2016-04-26 |
DE102010029905A1 (de) | 2011-12-15 |
TWI483085B (zh) | 2015-05-01 |
EP2580625A1 (en) | 2013-04-17 |
JP2013533615A (ja) | 2013-08-22 |
KR20130027024A (ko) | 2013-03-14 |
WO2011154227A1 (en) | 2011-12-15 |
CN102939566A (zh) | 2013-02-20 |
EP2580625B1 (en) | 2016-08-03 |
KR101491229B1 (ko) | 2015-02-06 |
US20130050673A1 (en) | 2013-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102939566B (zh) | 微光刻投射曝光设备的光学系统 | |
US9946161B2 (en) | Optical system for a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method | |
EP1720199B1 (en) | Optical system, exposure system, and exposure method | |
JP5529922B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム | |
EP2212729B1 (en) | Polarizer enabling the compensation of time-dependent distribution changes in the illumination | |
US9274435B2 (en) | Illumination system or projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus | |
KR101450362B1 (ko) | 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈 | |
WO2007055120A1 (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
JP2006135324A (ja) | リソグラフィシステムおよびリソグラフィシステムによるリソグラフィ方法 | |
US8351023B2 (en) | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic projection exposure method | |
JP4880915B2 (ja) | マイクロリソグラフィ用投影露光装置の光学システム | |
US8934086B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus and device manufacturing method | |
US20110194093A1 (en) | Polarization-influencing optical arrangement and an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus | |
JP5566501B2 (ja) | 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 | |
WO2014023619A1 (en) | Microlithographic exposure method, and microlithographic projection exposure apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |