CN102931050A - 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 - Google Patents
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- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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Abstract
一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,由三层隔板组成,喷枪上端为进气口,下端为喷口,周围用金属板密闭,等离子体放电电极由射频电极和接地电极组成,喷枪等离子放电对进气均匀性要求严格,本发明设计的喷枪进气方式以降低气流冲击力为前提,使气体均匀进入喷枪放电缝隙,保证放电均匀稳定,其特征在于:进气方式由三层金属板组成,三层隔板不同位置开缝隙,形成缝隙交错间隔的格局,当工作气体进入喷枪后,先通过第一层隔板,第一层隔板两侧开狭缝,气流在第一层隔板的阻挡下,冲击力下降,并从两侧缝隙流出,第二层隔板中间开狭缝,从第一层隔板进入的工作气体被第二层隔板阻挡,形成涡流,冲击力再次下降,气流流速逐渐均匀,第三层隔板与第一层隔板一样,两侧开狭缝,气流被第三层隔板均匀分流到两侧流出进气系统,进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
Description
【技术领域】
本发明涉及到一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,进气方式由三层金属隔板组成,三层隔板错位开缝隙,工作气体通过第一层和第二层隔板后,气体冲击力下降,并且流过第二层隔板后,气体流速分布均匀,第三层隔板将工作气体均匀分流到两侧,使工作气体均匀进入射频电极与接地电极之间的放电区域,稳定放电,这种进气方式主要用于常压等离子体自由基清洗喷枪。
【背景技术】
微电子工业中主要有湿法和真空干法两种清洗硅片的方法,随着微器件特征尺寸的进一步减小,这两种清洗技术面临越来越多的困难。常压等离子体喷枪辉光放电产生等离子体,等离子体中的自由基与硅片或其它被清洗物体表面有机物反应,达到清洗目的,但是进入喷枪的工作气体均匀性直接影响放电效果,冲击力较大的气流通过进气孔直接进入射频电极和接地电极的缝隙时,沿进气孔方向的气流流速较大,引起工作气体在放电狭缝分布不均匀,从而放电不稳定,影响清洗效果,另外,有机材料的隔板易挥发出有机物,会对放电工作气体造成污染。
本发明介绍了一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式。进气结构由三层金属隔板组成,三层隔板错位开缝隙,第一层和第二层隔板的作用是降低气流冲击力,使气流流速逐渐均匀,第三层隔板是将流速较低的工作气体均匀分流,进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
【发明内容】
一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,由三层隔板组成,喷枪上端为进气口,下端为喷口,周围用金属板密闭,等离子体放电电极由射频电极和接地电极组成,喷枪等离子放电对进气均匀性要求严格,本发明设计的喷枪进气方式以降低气流冲击力为前提,使气体均匀进入喷枪放电缝隙,保证放电均匀稳定,其特征在于:进气方式由三层金属板组成,三层隔板不同位置开缝隙,形成缝隙交错间隔的格局,当工作气体进入喷枪后,先通过第一层隔板,第一层隔板两侧开狭缝,气流在第一层隔板的阻挡下,冲击力下降,并从两侧缝隙流出,第二层隔板中间开狭缝,从第一层隔板进入的工作气体被第二层隔板阻挡,形成涡流,冲击力再次下降,气流流速逐渐均匀,第三层隔板与第一层隔板一样,两侧开狭缝,气流被第三层隔板均匀分流到两侧流出进气系统,进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:由三层不同位置开缝隙的金属隔板组成,第一层隔板和第三层隔板两侧各开0.5mm的缝隙,第二层隔板中间开1mm的缝隙,第一层和第二层隔板作用是降低气流冲击力,第三层隔板的作用是均匀分流工作气体。
所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:三层隔板的制作简单,另外由于隔板采用金属材料,不会对放电工作气体造成有机物污染。
本发明常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,经过三个缝隙交错的金属隔板,使工作气体均匀进入射频电极和接地电极之间的放电区域。
本发明主要用于常压等离子体自由基清洗喷枪或其他要求气流均匀的设备中,使放电工作气体均匀,稳定放电状态。
【附图说明】
图1为本发明一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式原理示意图。
请参阅图1,该常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,由三层金属隔板组成。第一层隔板103两侧各开一条0.5mm的缝隙,第二层隔板104中间开1mm的缝隙,第三层隔板105与第一层隔板一样,两侧各开一条0.5mm的缝隙。工作气体通过进气管101进入等离子体自由基清洗喷枪内部,气流在第一层隔板103的阻挡下,冲击力迅速下降,从第一层隔板流出的工作气体被第二层隔板104阻挡,形成涡流,冲击力再次下降,气流流速趋于均匀,气流被第三层隔板105均匀分流到两侧流出进气系统,进入射频电极107与接地电极108之间的放电区域。
上面参考附图结合具体的实施例对本发明进行了描述,然而,需要说明的是,对于本领域的技术人员而言,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对上述实施做出许多改变和修改,这些改变和修改都落在本发明的权利要求限定的范围内。
Claims (3)
1.一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,由三层隔板组成,喷枪上端为进气口,下端为喷口,周围用金属板密闭,等离子体放电电极由射频电极和接地电极组成,喷枪等离子放电对进气均匀性要求严格,本发明设计的喷枪进气方式以降低气流冲击力为前提,使气体均匀进入喷枪放电缝隙,保证放电均匀稳定,其特征在于:进气方式由三层金属板组成,三层隔板不同位置开缝隙,形成缝隙交错间隔的格局,当工作气体进入喷枪后,先通过第一层隔板,第一层隔板两侧开狭缝,气流在第一层隔板的阻挡下,冲击力下降,并从两侧缝隙流出,第二层隔板中间开狭缝,从第一层隔板进入的工作气体被第二层隔板阻挡,形成涡流,冲击力再次下降,气流流速逐渐均匀,第三层隔板与第一层隔板一样,两侧开狭缝,气流被第三层隔板均匀分流到两侧流出进气系统,进入射频电极与接地电极之间的放电区域。
2.如权利1所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:由三层不同位置开缝隙的金属隔板组成,第一层隔板和第三层隔板两侧各开0.5mm的缝隙,第二层隔板中间开1mm的缝隙,第一层和第二层隔板作用是降低气流冲击力,第三层隔板的作用是均匀分流工作气体。
3.如权利1所述的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式,其特征在于:三层隔板的制作简单,另外由于隔板采用金属材料,不会对放电工作气体造成有机物污染。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110228262.XA CN102931050B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110228262.XA CN102931050B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102931050A true CN102931050A (zh) | 2013-02-13 |
CN102931050B CN102931050B (zh) | 2017-10-31 |
Family
ID=47645825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110228262.XA Expired - Fee Related CN102931050B (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种新型的常压等离子体自由基清洗喷枪进气方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102931050B (zh) |
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-
2011
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