CN102918417A - 放射线拍摄装置 - Google Patents
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Abstract
放射线拍摄装置具有2个对放射线图像进行拍摄的放射线检测器(20(20A、20B))。能单独地读出对由放射线检测器(20A、20B)拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息，且包含通过对光进行光接收来产生电荷的有机光电变换材料而构成了构成至少1个放射线检测器(20)的各传感器部(13)。由此，放射线拍摄装置能拍摄多样的放射线图像。
Description
技术领域
本发明涉及放射线拍摄装置。
背景技术
近年，在TFT(薄膜晶体管)有源矩阵基板上配置放射线感应层、能将X射线等放射线直接变换成数字数据的FPD(平板探测器)等放射线检测器正在实用化。使用了该放射线检测器的放射线拍摄装置与现有的使用了X射线薄膜或成像板的放射线拍摄装置相比，具有能即时确认图像、且还能执行连续地进行放射线图像的拍摄的透视拍摄(运动图像拍摄)的优点。
作为这种放射线检测器，提出了各种类型。例如，存在先将放射线以CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)等闪烁器变换成光、再将变换所得到的光由光电二极管等传感器部变换成电荷来进行蓄积的间接变换方式。放射线拍摄装置将放射线检测器中所蓄积的电荷作为电信号进行读出，并在将读出的电信号由放大器放大后由A/D(模拟/数字)变换部变换成数字数据。
作为与这种放射线检测器相关的技术，在日本特开2002-168806号公报中公开了如下技术：按照透过了被摄体的放射线从闪烁器侧入射的方式来配置放射线检测器，将闪烁器的放射线的照射面侧的一部分以由放射线通不过的材料构成的掩模构件来覆盖，并对从以掩模构件所覆盖的区域和未覆盖的区域的光电二极管分别输出的暗电流进行比较，由此来求取放射线检测器的劣化程度。
另外，在日本特开2009-32854号公报中，记载有通过有机光电变换材料来形成了传感器部的放射线检测器。
发明要解决的课题
然而，放射线检测器既可以从设有闪烁器的正面侧被照射放射线(正面照射)，也可以从基板侧(背面侧)被照射放射线(背面照射)。
放射线检测器在被进行了背面照射的情况下，闪烁器处的发光在基板附近产生，因此将得到鲜锐度高的图像。但在放射线透过基板时，在基板会发生放射线的吸收，因此灵敏度会下降。
另一方面，在放射线检测器被进行了正面照射的情况下，没有基板中的放射线的吸收，因此不会发生灵敏度的下降。但闪烁器越厚，闪烁器处的发光离基板越远，因此所得到的图像的鲜锐度变得越低。
发明内容
本发明鉴于上述事实而提出，其目的在于，提供能拍摄多样的放射线图像的放射线摄像装置。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明的第1技术方案具备拍摄部，该拍摄部设置有分别对光具有灵敏度的多个传感器部，并具有至少2个对由在通过被照射放射线来产生光的发光层产生的光表现的放射线图像进行拍摄的拍摄系统，且被设为能单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息，其中，将构成了至少1个拍摄系统的各传感器部构成为包含通过对光进行光接收来产生电荷的有机光电变换材料。
根据本发明的第1技术方案，在拍摄部设有分别对光具有灵敏度的多个传感器部，拍摄部具有至少2个对由在通过被照射放射线来产生光的发光层产生的光表现的放射线图像进行拍摄的拍摄系统。拍摄部被设为能单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息。
而且，拍摄部中，将构成至少1个拍摄系统的各传感器部构成为包含对光进行光接收来产生电荷的有机光电变换材料。
如此，根据本发明的第1技术方案，拍摄部具有至少2个对放射线图像进行拍摄的拍摄系统，并被设为能单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息。将构成至少1个拍摄系统的各传感器部构成为包含通过对光进行光接收来产生电荷的有机光电变换材料。通过由各拍摄系统单独地拍摄放射线图像、或对各拍摄系统所拍摄到的放射线图像进行合成，能拍摄多样的放射线图像。
此外，根据本发明的第2技术方案，可以是，还具备：读出部，其单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息；和图像处理部，其进行对由所述读出部读出的各图像信息进行相加或加权相加的图像处理。
另外，根据本发明的第3技术方案，可以是，所述拍摄部对所述发光层、与形成有所述多个传感器部以及用于读出在该传感器部产生的电荷的多个开关元件的2个基板进行层叠而构成。
另外，根据本发明的第4技术方案，可以是，所述基板由塑料树脂、芳纶、生物纳米纤维、具有可挠性的玻璃基板之中的任一种构成。
另外，根据本发明的第5技术方案，可以是，将所述开关元件设为了在活性层包含非晶质氧化物而构成的薄膜晶体管。
另外，根据本发明的第6技术方案，可以是，所述拍摄部设有2个所述发光层，并设有对光进行遮光的遮光层，且在该遮光层的一面侧以及另一面侧层叠所述发光层与所述基板而构成。
另外，根据本发明的第7技术方案，可以是，2个所述发光层针对放射线的发光特性不同。
另外，根据本发明的第8技术方案，可以是，对2个所述发光层进行了各发光层的厚度、被填充至各发光层且通过被照射放射线来发光的粒子的粒径、该粒子的多层结构、该粒子的填充率、活化剂的掺杂量、各发光层的材料、及各发光层的层结构当中的至少1个的变更、以及用于使所述光向着各发光层的与所述基板为非对置的面反射的反射层的形成之中的任一种。
另外，根据本发明的第9技术方案，可以是，将2个所述发光层中的其中一个设为画质重视的发光特性，另一个设为灵敏度重视的发光特性。
另外，根据本发明的第10技术方案，可以是，2个所述发光层在从一侧被照射了放射线时针对放射线的发光特性大致相同。
另外，根据本发明的第11技术方案，可以是，所述2个基板的读出所蓄积的电荷的信号的读出特性不同。
另外，根据本发明的第12技术方案，可以是，所述放射线拍摄装置具备：拍摄单元，其形成为平板状，并内置所述拍摄部，且在该平板的一面侧、另一面侧中的任一侧均能拍摄基于所照射的放射线的放射线图像；控制单元，其内置有所述读出部以及所述图像处理部；和连结构件，其以所述拍摄单元与所述控制单元并排的展开状态、以及所述拍摄单元与所述控制单元重合地被折叠的收纳状态来可开闭地进行连结。
另外，根据本发明的第13技术方案，可以是，所述放射线拍摄装置具备：拍摄单元，其形成为平板状，并内置所述拍摄部，且在该平板的一面侧、另一面侧中的任一侧均能拍摄基于所照射的放射线的放射线图像；控制单元，其内置有所述读出部以及所述图像处理部；和连结构件，其相对于所述控制单元可翻转地连结所述拍摄单元的一面、另一面。
发明效果
本发明的放射线拍摄装置具有能拍摄多样的放射线图像这样的卓越的效果。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的放射线检测器的3像素部分的概略构成的截面示意图。
图2是概略地表示实施方式所涉及的放射线检测器的1像素部分的信号输出部的构成的截面图。
图3是表示实施方式所涉及的放射线检测器的构成的俯视图。
图4是表示实施方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图5是表示闪烁器的小粒子和大粒子的多层结构的示意图。
图6是表示在闪烁器的与TFT基板为相反侧的面形成了反射层的情况下的构成的截面图。
图7是表示实施方式所涉及的电子盒的构成的立体图。
图8是表示实施方式所涉及的电子盒的构成的截面图。
图9是表示实施方式所涉及的电子盒的电气系统的要部构成的框图。
图10是表示实施方式所涉及的2个放射线检测器、栅极线驱动器以及信号处理部的层叠构成的立体图。
图11是表示实施方式所涉及的图像读出处理程序的处理的流程的流程图。
图12是用于说明放射线X对放射线检测器的正面照射和背面照射的截面图。
图13是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图14是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图15是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图16是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图17是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图18是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图19是表示其他方式所涉及的拍摄部的构成的截面图。
图20是表示其他方式所涉及的2个放射线检测器、栅极线驱动器以及信号处理部的层叠构成的立体图。
图21是表示其他方式所涉及的可开闭的电子盒的构成的立体图。
图22是表示其他方式所涉及的可开闭的电子盒的构成的立体图。
图23是表示其他方式所涉及的可开闭的电子盒的构成的截面图。
图24是表示其他方式所涉及的可翻转的电子盒的构成的立体图。
图25是表示其他方式所涉及的可翻转的电子盒的构成的立体图。
图26是表示其他方式所涉及的可翻转的电子盒的构成的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明用于实施本发明的方式。
首先，先说明本实施方式所涉及的间接变换方式的放射线检测器20的构成。
图1是概略地表示作为本发明的一实施方式的放射线检测器20的3个像素部分的构成的截面示意图。
在该放射线检测器20，在绝缘性的基板1上依次层叠有信号输出部14、传感器部13、以及闪烁器8。由信号输出部14、以及传感器部13构成了像素部。像素部在基板1上排列有多个，按照各像素部中的信号输出部14与传感器部13有重合的方式来构成。
闪烁器8隔着透明绝缘膜7而形成于传感器部13上，是对将从上方(与基板1为相反侧)入射来的放射线变换成光进行发光的荧光体进行成膜而得到的。通过设置这样的闪烁器8，来吸收透过了被摄体的放射线而发光。
优选使由闪烁器8发出的光的波长域位于可见光域(波长360nm～830nm)，为了能由该放射线检测器20进行单色摄像，进一步优选包含绿色的波长域。
作为用于闪烁器8的荧光体，具体而言，在使用X射线作为放射线进行摄像的情况下，优选包含碘化铯(CsI)，特别优选使用X射线照射时的发光光谱位于420nm～700nm的CsI(Tl)(添加了铊的碘化铯)。此外，CsI(Tl)的可见光域中的发光峰值波长是565nm。
传感器部13具有上部电极6、下部电极2、以及配置于该上下的电极间的光电变换膜4。光电变换膜4由对闪烁器8所发出的光进行吸收来产生电荷的有机光电变换材料构成。
上部电极6由于需要使由闪烁器8生成的光入射至光电变换膜4，因此优选以至少相对于闪烁器8的发光波长为透明的导电性材料来构成，具体而言，优选使用针对可见光的透过率高、电阻值小的透明导电性氧化物(TCO；Transparent Conducting Oxide)。此外，尽管还能使用Au等的金属薄膜来作为上部电极6，但若想得到90％以上的透过率，则电阻值容易增大，因此更优选TCO。例如，优选地，能使用ITO、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等，从工艺简易性、低电阻性、透明性的观点出发，最优选ITO。此外，上部电极6既可以设为在全部像素部中公共的一片构成，也可以按每个像素部进行分割。
光电变换膜4包含有机光电变换材料，吸收从闪烁器8发出的光，并产生与吸收的光相应的电荷。若是如此包含有机光电变换材料的光电变换膜4，则在可见域具有尖锐的吸收光谱，基于闪烁器8的发光以外的电磁波几乎不会被光电变换膜4吸收。能有效地抑制因X射线等放射线被光电变换膜4吸收而产生的噪声。
构成光电变换膜4的有机光电变换材料为了效率最好地吸收在闪烁器8发出的光，优选使其吸收峰值波长与闪烁器8的发光峰值波长越接近越好。尽管有机光电变换材料的吸收峰值波长与闪烁器8的发光峰值波长一致是理想情况，但若双方的差小，则也能充分吸收从闪烁器8发出的光。具体而言，优选使有机光电变换材料的吸收峰值波长、与闪烁器8针对放射线的发光峰值波长之差为10nm以内，进一步优选为5nm以内。
作为能满足这样的条件的有机光电变换材料，例如列举喹吖啶酮系有机化合物以及酞菁系有机化合物。例如喹吖啶酮的可见域中的吸收峰值波长是560nm，因此若使用喹吖啶酮作为有机光电变换材料，使用CsI(Tl)作为闪烁器8的材料，则能使上述峰值波长之差为5nm以内，从而能使在光电变换膜4产生的电荷量几乎为最大。
接下来，具体地说明能应用于本实施方式所涉及的放射线检测器20的光电变换膜4。
本发明所涉及的放射线检测器20中的电磁波吸收/光电变换部位能由1对电极2、6、该电极2、6间所夹持的包含有机光电变换膜4的有机层构成。该有机层，更具体而言，能通过吸收电磁波的部位、光电变换部位、电子输送部位、空穴输送部位、电子阻挡部位、空穴阻挡部位、结晶化防止部位、电极、以及层间接触改良部位等的堆叠或者混合来形成。
上述有机层优选含有有机p型化合物或有机n型化合物。
有机p型半导体(化合物)是主要以空穴输送性有机化合物为代表的施主性有机半导体(化合物)，是指具有易于供给电子的性质的有机化合物。进一步详细地说，有机p型半导体(化合物)在使2个有机材料接触来进行使用时是指电离势更小的那个有机化合物。因此，作为施主性有机化合物，只要是具有电子供给性的有机化合物，就能使用任一种有机化合物。
有机n型半导体(化合物)是主要以电子输送性有机化合物为代表的受主性有机半导体(化合物)，是指具有易于接受电子的性质的有机化合物。进一步详细地说，有机n型半导体(化合物)在使2个有机化合物接触来进行使用时是指电子亲和力更大的那个有机化合物。因此，作为受主性有机化合物，只要是具有电子接受性的有机化合物，就能使用任一种有机化合物。
关于能应用为该有机p型半导体以及有机n型半导体的材料、以及光电变换膜4的构成，在日本特开2009-32854号公报中进行了详细的说明，故省略说明。
光电变换膜4的厚度在吸收来自闪烁器8的光这一点上优选为膜厚越大越好，但若考虑对电荷分离不做贡献的比例，则优选为30nm以上300nm以下，进一步优选为50nm以上250nm以下，特别优选为80nm以上200nm以下。
此外，在图1所示的放射线检测器20中，光电变换膜4既可以是在全部像素部中为公共的一片构成，也可以按每个像素部进行分割。
将下部电极2设为按每个像素部进行分割后的薄膜。下部电极2能以透明或不透明的导电性材料来构成，能优选地使用铝、银等。
下部电极2的厚度例如能设为30nm以上300nm以下。
传感器部13通过对上部电极6与下部电极2之间施加给定的偏置电压，能使在光电变换膜4产生的电荷(空穴、电子)之中的一者向着上部电极6移动，另一者向着下部电极2移动。在本实施方式的放射线检测器20中，设与上部电极6连接有布线，并经由该布线对上部电极6施加偏置电压。另外，关于偏置电压，设按照在光电变换膜4产生的电子向上部电极6移动、空穴向下部电极2移动的方式决定了其极性，但该极性也可以相反。
构成各像素部的传感器部13至少包含下部电极2、光电变换膜4、以及上部电极6即可，但为了抑制暗电流的增加，优选设置电子阻挡膜3以及空穴阻挡膜5的至少一种，更优选设置两者。
能将电子阻挡膜3设置于下部电极2与光电变换膜4之间。电子阻挡膜3能抑制在对下部电极2与上部电极6间施加了偏置电压时从下部电极2向光电变换膜4注入电子从而暗电流增加的情形。
电子阻挡膜3能使用电子供给性有机材料。
根据相邻的电极的材料以及相邻的光电变换膜4的材料等来选择实际用于电子阻挡膜3的材料即可。作为用于电子阻挡膜3的材料，优选电子亲和力(Ea)比相邻的电极的材料的功函数(Wf)大1.3eV以上、且具有与相邻的光电变换膜4的材料的电离势(Ip)相等的Ip或者比其小的Ip的材料。关于能应用为该电子供给性有机材料的材料，在日本特开2009-32854号公报中进行了详细的说明，故省略说明。
电子阻挡膜3的厚度为了能不仅使暗电流抑制效果可靠地发挥，而且防止传感器部13的光电变换效率的下降，优选为10nm以上200nm以下，进一步优选为30nm以上150nm以下，特别优选为50nm以上100nm以下。
能将空穴阻挡膜5设置于光电变换膜4与上部电极6之间。空穴阻挡膜5能抑制在对下部电极2与上部电极6间施加了偏置电压时从上部电极6向光电变换膜4注入空穴从而暗电流增加的情形。
空穴阻挡膜5能使用电子接受性有机材料。
空穴阻挡膜5的厚度为了不仅能使暗电流抑制效果可靠地发挥，而且防止传感器部13的光电变换效率的下降，优选为10nm以上200nm以下，进一步优选为30nm以上150nm以下，特别优选为50nm以上100nm以下。
根据相邻的电极的材料以及相邻的光电变换膜4的材料等来选择实际用于空穴阻挡膜5的材料即可。作为用于空穴阻挡膜5的材料，优选电离势(Ip)比相邻的电极的材料的功函数(Wf)大1.3eV以上、且具有与相邻的光电变换膜4的材料的电子亲和力(Ea)相等的Ea或者比其大的Ea的材料。关于能应用为该电子接受性有机材料的材料，在日本特开2009-32854号公报中进行了详细的说明，故省略说明。
此外，在按照光电变换膜4产生的电荷之中空穴向上部电极6移动、电子向下部电极2移动的方式设定偏置电压的情况下，使电子阻挡膜3与空穴阻挡膜5的位置相反即可。另外，也可以不设置电子阻挡膜3和空穴阻挡膜5这两者，只要设置其中一者，就能得到一定程度的暗电流抑制效果。
在各像素部的下部电极2下方的基板1的表面形成有信号输出部14。
图2概略地示出了信号输出部14的构成。
与下部电极2对应地，形成有对移动至下部电极2的电荷进行蓄积的电容器9、以及将电容器9中所蓄积的电荷变换成电信号并输出的电场效应型薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下，有时仅称为薄膜晶体管。)10。形成有电容器9以及薄膜晶体管10的区域俯视下具有与下部电极2重合的部分，通过设为这样的构成，各像素部中的信号输出部14与传感器部13在厚度方向上有重合。此外，为了使放射线检测器20(像素部)的平面面积最小，期望形成有电容器9以及薄膜晶体管10的区域被下部电极2完全覆盖。
电容器9经由贯穿设于基板1与下部电极2之间的绝缘膜11而形成的导电性材料的布线，来与对应的下部电极2电连接。由此，能使由下部电极2捕获的电荷向着电容器9移动。
在薄膜晶体管10上层叠栅极电极15、栅极绝缘膜16、以及活性层(沟道层)17，进而，源极电极18与漏极电极19空出给定的间隔而形成于活性层17上。另外，在放射线检测器20中，活性层17由非晶质氧化物形成。作为构成活性层17的非晶质氧化物，优选包含In、Ga以及Zn之中的至少1个在内的氧化物(例如In-O系)，进一步优选包含In、Ga以及Zn之中的至少2个在内的氧化物(例如In-Zn-O系、In-Ga系、Ga-Zn-O系)，特别优选包含In、Ga以及Zn在内的氧化物。作为In-Ga-Zn-O系非晶质氧化物，优选以结晶状态下的组成为InGaO3(ZnO)m(m为小于6的自然数)所表示的非晶质氧化物，特别地，更优选InGaZnO4。
若设薄膜晶体管10的活性层17以非晶质氧化物来形成，则不吸收X射线等放射线，或者即使吸收也只吸收极其微量，因此能有效地抑制信号输出部14中的噪声的产生。
在此，构成薄膜晶体管10的活性层17的非晶质氧化物、构成光电变换膜4的有机光电变换材料均能实现低温下的成膜。因此，作为基板1，不限于半导体基板、石英基板、以及玻璃基板等耐热性高的基板，还能使用塑料等可挠性基板、芳纶、生物纳米纤维。具体而言，能使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯纤维、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰亚胺、聚环烯、降冰片烯树脂、聚(三氟氯乙烯)等可挠性基板。若使用这样的塑料制的可挠性基板，则还能谋求轻量化，例如对搬运等有利。
另外，在基板1可以设置用于确保绝缘性的绝缘层、用于防止水分或氧的透过的气体阻隔层、用于提高平坦性或与电极等的贴紧性的底涂层等。
芳纶能应用200度以上的高温工艺，因此能使透明电极材料高温硬化从而低电阻化，另外，还能应对包含焊料的回流工序在内的驱动器IC的自动安装。另外，芳纶的热膨胀系数与ITO(铟锡氧化物)或玻璃基板接近，因此制造后的翘曲变形少，难开裂。另外，芳纶与玻璃基板等相比能将基板形成得较薄。此外，可以将超薄型玻璃基板与芳纶进行层叠来形成基板1。
生物纳米纤维是对细菌(醋酸菌，Acetobacter Xylinum)产出的纤维素微纤丝束(细菌纤维素)与透明树脂进行复合而得到的。纤维素微纤丝束具有宽50nm和相对于可见光波长为1/10的尺寸，且高强度、高弹性、低热膨胀。通过在细菌纤维素中使丙烯酸树脂、环氧树脂等透明树脂浸渍/硬化，来得到在含有60-70％的纤维的同时以波长500nm呈约90％的光透过率的生物纳米纤维。生物纳米纤维具有与硅晶体匹敌的低热膨胀系数(3-7ppm)、钢铁般的强度(460MPa)、高弹性(30GPa)，且具挠性，因此与玻璃基板等相比能更薄地形成基板1。
在本实施方式中，在基板1上依次形成信号输出部14、传感器部13、以及透明绝缘膜7，在该基板1上使用光吸收性低的粘接树脂等来粘贴闪烁器8，由此形成了放射线检测器20。以下，将形成至透明绝缘膜7的基板1称为TFT基板30。
在TFT基板30，如图3所示，沿一定方向(图3的行方向)以及相对于一定方向的交叉方向(图3的列方向)二维地设有多个包含上述的传感器部13、电容器9、以及薄膜晶体管10而构成的像素32。
另外，在放射线检测器20，设置有：沿一定方向(行方向)延伸设置的用于使各薄膜晶体管10导通/截止的多条栅极布线34、以及沿交叉方向(列方向)延伸设置的用于经由导通状态的薄膜晶体管10来读出电荷的多条数据布线36。
放射线检测器20为平板状且形成为俯视下外缘具有4边的四边形形状。具体而言形成为矩形形状。
接下来，说明进行放射线图像的拍摄的拍摄部21的构成。
本实施方式所涉及的拍摄部21构成为：具有两个对由所照射的放射线表示的放射线图像进行拍摄的拍摄系统，且能单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息。
具体而言，如图4所示，按照夹持有使放射线透过且对光进行遮蔽的遮光板27而闪烁器8侧对置的方式，配置有2个放射线检测器20(20A、20B)。以下，在对2个放射线检测器20A、20B的闪烁器8、TFT基板30进行区别的情况下，对放射线检测器20A的闪烁器8、TFT基板30赋予标号A，对放射线检测器20B的闪烁器8、TFT基板30赋予标号B来进行说明。
如此，通过在遮光板27的一面依次设置了闪烁器8A和TFT基板30A，从而放射线检测器20A的来自一面侧的放射线的照射成为背面照射。通过在遮光板27的另一面依次设置了闪烁器8B和TFT基板30B，从而放射线检测器20B的来自另一面侧的放射线的照射成为背面照射。另外，通过在2个放射线检测器20A、20B之间设置了遮光板27，从而在闪烁器8A产生的光不透过至闪烁器8B侧，在闪烁器8B产生的光不透过至闪烁器8A侧。
在此，闪烁器8的发光特性也根据厚度而变化，越厚，发光量越多，灵敏度越高，但画质会因光散射等而下降。
另外，例如在通过对被照射GOS等放射线而发光的粒子进行填充来形成闪烁器8的情况下，闪烁器8的粒子的粒径越大，发光量变得越多，灵敏度变得越高，但光散射变得越多，会对相邻的像素造成影响，因此画质下降。
另外，闪烁器8能设为小粒子和大粒子的多层结构。例如，如图5所示，闪烁器8在将照射侧设为小粒子的区域8A且将TFT基板30侧设为大粒子的区域8B时，图像的模糊更少，以小粒子呈放射状发出的光的对角线分量难以到达TFT基板30，从而灵敏度下降。另外，通过改变区域8A与区域8B的比率，使大粒子的层相对于小粒子的层更多，从而闪烁器8的灵敏度变高，但光散射会对相邻的像素造成影响，因此画质下降。
另外，闪烁器8的填充率越高，灵敏度变得越高，但光的散射会变多从而画质下降。在此，填充率是指，闪烁器8的粒子的总体积/闪烁器8的体积×100而得到的值。此外，关于闪烁器8，在处理粉体时若填充率超过80％则制造困难，因此填充率优选为50～80体积％。
另外，闪烁器8的发光特性还根据活化剂的掺杂量而变化，活化剂的掺杂量越多，发光量增加的趋势越明显，但光的散射会变多从而画质下降。
另外，闪烁器8随着对使用的材料进行改变，其针对放射线的发光特性不同。
例如，通过以GOS来形成闪烁器8A、以CsI(Tl)来形成闪烁器8B，从而闪烁器8A成为灵敏度重视，闪烁器8B成为画质重视。
另外，闪烁器8通过设为平板状或柱状分离的层结构，来使针对放射线的发光特性不同。
例如，通过将闪烁器8A设为平板状的层结构，且将闪烁器8B设为柱状分离的层结构，从而闪烁器8A成为灵敏度重视，闪烁器8B成为画质重视。
另外，如图6所示，通过在闪烁器8的与TFT基板30为相反侧的面形成透过X射线、且反射可见光的反射层29，从而能将产生的光更高效地导向TFT基板30，灵敏度得以提高。设置该反射层的方法可以是溅镀法、蒸镀法、涂敷法中的任一种。作为反射层29，优选Au、Ag、Cu、Al、Ni、Ti等，使用的闪烁器8在发光波长区域中的反射高的物质。例如，在闪烁器8为GOS:Tb的情况下，可以是波长400～600nm下反射率高的Ag、Al、Cu等。反射层29的厚度在小于0.01μm时得不到反射率，而在超过3μm时无法靠反射率的提高而得到进一步的效果，因此优选0.01～3μm。
在此，闪烁器8通过组合地进行粒子的粒径、粒子的多层结构、粒子的填充率、活化剂的掺杂量、材料、层结构的变更、以及反射层29的形成，能使特性不同，这是不言自明的。
另外，TFT基板30A、30B通过改变光电变换膜4的材料，或在TFT基板30A与闪烁器8A之间、TFT基板30B与闪烁器8B之间形成滤波器，或者，在TFT基板30A和TFT基板30B改变传感器部13的光接收面积，使光接收面积在灵敏度重视一侧比画质重视一侧更宽，或者，在TFT基板30A和TFT基板30B改变像素间距，使像素间距在画质重视一侧比灵敏度重视一侧更窄，或者，变更TFT基板30A、30B的信号的读出特性，能改变针对TFT基板30A、30B的光的光接收特性。
本实施方式中，通过改变闪烁器8A、8B的厚度、粒子的粒径、粒子的多层结构、粒子的填充率、活化剂的掺杂量、材料、层结构，或者，形成反射层29，或者，在TFT基板30A与闪烁器8之间、TFT基板30B与闪烁器8之间形成滤波器，或者，在TFT基板30A和TFT基板30B改变传感器部13的光接收面积，使光接收面积在灵敏度重视一侧比画质重视一侧更宽，或者，在TFT基板30A和TFT基板30B改变像素间距，使像素间距在画质重视一侧比灵敏度重视一侧更窄，能使放射线检测器20A、20B所拍摄的放射线图像的特性不同。
具体而言，将放射线检测器20A设为了画质重视，将放射线检测器20B设为了灵敏度重视。
接下来，针对内置这样的拍摄部21、拍摄放射线图像的可移动型的放射线拍摄装置(以下，称为电子盒)40的构成来进行说明。
图7示出了电子盒40的构成的立体图，图8示出了电子盒40的截面图。
电子盒40具备由使放射线透过的材料构成的平板状的筐体41，被设为了具有防水性、密闭性的结构。电子盒40在筐体41的内部配设有上述的拍摄部21。筐体41中，与平板状的一面以及另一面的拍摄部21的配设位置对应的区域被设为了在拍摄时被照射放射线的拍摄区域41A、41B。在筐体41的内部，如图8所示，按照夹持遮光板27且使放射线检测器20A成为拍摄区域41A侧的方式内置有拍摄部21，拍摄区域41A被设为了画质重视的拍摄区域，拍摄区域41B被设为了灵敏度重视的拍摄区域。
另外，在筐体41的内部的一端侧，在不与拍摄部21重合的位置(拍摄区域41A的范围外)配置有对后述的盒控制部58或电源部70进行容纳的箱体42。
图9示出了表示本实施方式所涉及的电子盒40的电气系统的要部构成的框图。
在放射线检测器20A、20B，在彼此相邻的2边的一边侧配置有栅极线驱动器52，在另一边侧配置有信号处理部54。以下，在对与2个放射线检测器20A、20B对应地设置的栅极线驱动器52以及信号处理部54进行区别的情况下，对与放射线检测器20A对应的栅极线驱动器52以及信号处理部54赋予标号A，对与放射线检测器20B对应的栅极线驱动器52以及信号处理部54赋予标号B来进行说明。
TFT基板30A的各自的栅极布线34与栅极线驱动器52A连接，TFT基板30A的各自的数据布线36与信号处理部54A连接。TFT基板30B的各自的栅极布线34与栅极线驱动器52B连接，TFT基板30B的各自的数据布线36与信号处理部54B连接。
此外，栅极线驱动器52A、52B或信号处理部54A、54B发热。为此，如图10所示，在对放射线检测器20A、20B进行层叠时，按照使一者相对于另一者旋转180度且栅极线驱动器52A与栅极线驱动器52B以及信号处理部54A与信号处理部54B不重叠的方式来进行配置。如此，优选对彼此的热影响进行抑制。
TFT基板30A、30B的各薄膜晶体管10通过从栅极线驱动器52A、52B经由栅极布线34而被提供的信号，以行为单位被依次导通。由被设为导通状态的薄膜晶体管10读出的电荷作为电信号被数据布线36传输而输入至信号处理部54A、54B。由此，电荷以行为单位被依次读出，能取得二维状的放射线图像。
虽省略图示，但信号处理部54A、54B按各个数据布线36具备对所输入的电信号进行放大的放大电路以及采样保持电路。被各自的数据布线36传输的电信号在放大电路经放大后在采样保持电路被保持。另外，与采样保持电路的输出侧依次连接有：复用器、A/D(模拟/数字)变换器。在各自的采样保持电路中所保持的电信号被依次输入至复用器(串行地)，并由A/D变换器变换成数字的图像数据。
另外，在筐体41的内部，具备：图像存储器56、盒控制部58、无线通信部60。
与信号处理部54A、54B连接有图像存储器56，从信号处理部54A、54B的A/D变换器输出的图像数据被依次存储至图像存储器56。图像存储器56具有能存储给定张数的图像数据的存储容量，在每次进行放射线图像的拍摄时，通过拍摄而得到的图像数据被依次存储至图像存储器56。
图像存储器56与盒控制部58连接。盒控制部58由微型计算机构成，具备：CPU(中央处理装置)58A、包括ROM以及RAM在内的存储器58B、由闪存等构成的非易失性的存储部58C，对电子盒40整体的动作进行控制。
另外，与盒控制部58连接有无线通信部60。无线通信部60与以IEEE(电气电子工程师协会)802.11a/b/g等为代表的无线LAN(局域网)规格对应，对基于无线通信的与外部设备之间的各种信息的传输进行控制。盒控制部58被设为了能经由无线通信部60来与对放射线拍摄整体进行控制的控制台等外部装置进行无线通信，被设为了能与控制台之间进行各种信息的收发。
另外，在电子盒40设有电源部70，上述的各种电路或各元件(作为栅极线驱动器52、信号处理部54、图像存储器56、无线通信部60或盒控制部58而发挥功能的微型计算机)通过从电源部70提供的电力来工作。电源部70为了不损害电子盒40的可移动性，内置有蓄电池(可充电的二次电池)，从充电后的蓄电池向各种电路/元件提供电力。此外，在图9中，省略了对电源部70和各种电路或各元件进行连接的布线。
盒控制部58分别控制栅极线驱动器52A、52B的动作，能分别控制从TFT基板30A、30B读出表示放射线图像的图像信息。
接下来，说明本实施方式所涉及的电子盒40的作用。
本实施方式所涉及的电子盒40在对放射线图像进行拍摄的情况下，能仅以放射线检测器20A、20B之中的任一者进行拍摄，还能以放射线检测器20A、20B的两者进行拍摄。
另外，在以放射线检测器20A、20B均进行拍摄的情况下，能执行将由放射线检测器20A、20B分别拍摄到的放射线图像按每个对应的像素进行加权相加的图像处理来实现能量减影图像的生成。
在电子盒40，设有画质重视的拍摄区域41A和灵敏度重视的拍摄区域41B。通过使电子盒40整体翻转，能以拍摄区域41A或拍摄区域41B来进行放射线图像的拍摄。
另外，电子盒40能实现对由放射线检测器20A、20B分别拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息、以及已生成的能量减影图像的图像信息的各自的保存。
拍摄者在进行放射线图像的拍摄的情况下，按照用途，对控制台指定画质重视、灵敏度重视、以及能量减影图像的任一种来作为拍摄图像。另外，拍摄者在指定了能量减影图像作为拍摄图像的情况下，对控制台指定电子盒40中的生成能量减影图像的图像处理的实施或不实施。进而，拍摄者对控制台指定电子盒40内的对所拍摄的图像信息的保存的实施或不实施。
控制台将所指定的生成拍摄图像、能量减影图像的图像处理的实施或不实施、以及图像信息的保存的实施或不实施作为处理条件而发送给电子盒40。
电子盒40将所发送了的处理条件存储至存储部58C。
在电子盒40设有画质重视的拍摄区域41A和灵敏度重视的拍摄区域41B。，通过使电子盒40整体翻转，能在拍摄区域41A或拍摄区域41B进行放射线图像的拍摄。
电子盒40在进行画质重视以及能量减影图像的拍摄的情况下，使拍摄区域41A在上，而在进行灵敏度重视的拍摄的情况下，使拍摄区域41B在上，如图8所示，与产生放射线的放射线产生装置80空出间隔地进行配置。另外，在拍摄区域上配置患者的拍摄对象部位B。放射线产生装置80射出与预先赋予的拍摄条件等相应的放射线量的放射线。从放射线产生装置80射出的放射线X通过透过拍摄对象部位B，从而在承载了图像信息后被照射至电子盒40。
从放射线产生装置80照射的放射线X在透过了拍摄对象部位B后到达电子盒40。由此，产生在与内置于电子盒40的放射线检测器20的各传感器部13处被照射的放射线X的射线量相应的电荷，并在电容器9中蓄积在传感器部13产生的电荷。
盒控制部58在放射线X的照射结束后，依照存储部58C中所存储的处理条件来进行读出图像的图像读出处理。
图11示出了对由CPU58A执行的图像读出处理程序的处理的流程进行表示的流程图。此外，该程序被预先存储于存储器58的ROM的给定的区域。
在步骤S10中，CPU58A判定被指定为处理条件的拍摄图像是否处于画质重视，在成为了肯定判定的情况下转移至步骤S12，而在成为了否定判定的情况下转移至步骤S14。
在步骤S12中，CPU58A对栅极线驱动器52A进行控制，使ON信号依次逐行地从栅极线驱动器52A输出至处于画质重视的特性的放射线检测器20A的各栅极布线40来进行图像信息的读出。从放射线检测器20A读出的图像信息被存储至图像存储器56。
另一方面，在步骤S14中，CPU58A判定被指定为处理条件的拍摄图像是否处于灵敏度重视，在成为了肯定判定的情况下转移至步骤S16，而在成为了否定判定的情况下转移至步骤S20。
在步骤S16中，CPU58A对栅极线驱动器52B进行控制，使ON信号依次逐行地从栅极线驱动器52B输出至处于灵敏度重视的特性的放射线检测器20B的各栅极布线40来进行图像信息的读出。从放射线检测器20B读出的图像信息被存储至图像存储器56。
在步骤S18中，CPU58A将图像存储器56中所存储的图像信息向控制台进行发送。
由此，由放射线检测器20A以画质重视的特性所拍摄到的放射线图像的图像信息、或由放射线检测器20B以灵敏度重视的特性所拍摄到的放射线图像的图像信息被发送至控制台。
另一方面，在步骤S20中，CPU58A认为被指定为处理条件的拍摄图像是能量减影图像且同时控制栅极线驱动器52A、52B，使ON信号依次逐行输出至放射线检测器20A、20B的各栅极布线40来进行图像信息的读出。从放射线检测器20A、20B读出的图像信息均被存储至图像存储器56。
在步骤S22中，CPU58A判定是否指定了生成能量减影图像的图像处理的实施来作为处理条件，在成为了肯定判定的情况下转移至步骤S24，而在成为了否定判定的情况下转移至步骤S28。
在步骤S24中，CPU58A对图像存储器56中所存储的放射线检测器20A、20B的图像信息，按放射线图像的每个对应的像素进行加权相加来生成能量减影图像。
在接下来的步骤S26中，CPU58A将所生成的能量减影图像的图像信息向控制台进行发送。
另一方面，在步骤S28中，CPU58A将图像存储器56中所存储的放射线检测器20A、20B的图像信息向控制台进行发送。控制台通过对所发送的放射线检测器20A、20B的图像信息按放射线图像的每个对应的像素进行加权相加，能生成能量减影图像。另外，控制台还能得到由放射线检测器20A以画质重视的特性所拍摄到的放射线图像的图像信息和由放射线检测器20B以灵敏度重视的特性所拍摄到的放射线图像的图像信息。
在步骤S30中，CPU58A判定是否指定了图像信息的保存来作为处理条件，在成为了肯定判定的情况下转移至步骤S32，而在成为了否定判定的情况下结束处理。
在步骤S32中，CPU58A与用于识别图像信息的识别信息建立关联地，将在上述步骤S12、步骤S16或步骤S20中所读出的图像信息存储至存储部58C。
在步骤S34中，CPU58A将在上述步骤S32中与图像信息建立了关联的识别信息向控制台进行发送并结束处理。
控制台存储所发送的识别信息，在想要读出电子盒40中所存储的图像信息的情况下，将识别信息向电子盒40进行发送。
电子盒40若接收到从控制台发送的识别信息，则从存储部58C读出该识别信息的图像信息，并向控制台进行发送。
由此，能再次获得在电子盒40中所拍摄到的放射线图像的图像信息。
此外，优选地，电子盒40将在存储部58C中保存图像信息的保存期间例如确定为经过给定期间为止、或到进行下一拍摄为止，并将保存期间向控制台进行通知。
如此，本实施方式所涉及的电子盒40能分别拍摄画质重视的放射线图像、灵敏度重视的放射线图像、能量减影图像，因此能在多种用途下使用。
另外，本实施方式所涉及的电子盒40，如图8所示，按照放射线检测器20A相对于拍摄区域41A成为背面照射、且放射线检测器20B相对于拍摄区域41B成为背面照射的方式而被内置。
在此，放射线检测器20，如图12所示，在从形成了闪烁器8的正面侧被照射了放射线X(正面照射)的情况下，在闪烁器8的上面侧(TFT基板30的相反侧)更强地发光。放射线检测器20在从TFT基板30侧(背面侧)被照射了放射线X(背面照射)的情况下，透过了TFT基板30的放射线X入射至闪烁器8，从而闪烁器8的TFT基板30侧更强地发光。在设于TFT基板30的各传感器部13，通过在闪烁器8产生的光而产生电荷。故而，放射线检测器20在从背面侧被照射放射线X的情况较之于从正面侧被照射放射线X的情况，闪烁器8相对于TFT基板30的发光位置更近，因此通过拍摄而得到的放射线图像的分辨率更高。
另外，本实施方式所涉及的拍摄部21由有机光电变换材料来构成了放射线检测器20A、20B的光电变换膜4，在光电变换膜4处放射线几乎不被吸收。故而，即使在放射线通过背面照射而透过TFT基板30的情况下，放射线检测器20A、20B也能使光电变换膜4对放射线的吸收量少，能抑制对放射线X的灵敏度的下降。尽管在背面照射中，放射线透过TFT基板30而到达闪烁器8，但在如此地由有机光电变换材料构成了TFT基板30的光电变换膜4的情况下，光电变换膜4中的放射线的吸收几乎没有，从而能将放射线的衰减抑制得少，因此适合背面照射。
另外，构成薄膜晶体管10的活性层17的非晶质氧化物或构成光电变换膜4的有机光电变换材料均能进行低温下的成膜。故而，能以放射线的吸收少的塑料树脂、芳纶、生物纳米纤维来形成基板1。如此形成的基板1使放射线的吸收量少，因此即使在放射线通过背面照射而透过TFT基板30的情况下，也能抑制对放射线X的灵敏度的下降。
尽管以上使用实施方式来说明了本发明，但本发明的技术的范围不限于上述实施方式中记载的范围。能在不脱离发明的主旨的范围内对上述实施方式施加多样的变更或改良，施加了该变更或改良后的方式也包含在本发明的技术的范围内。
另外，上述实施方式不是用来限定权利要求(权项)所涉及的发明，另外，实施方式中所说明的特征的组合作为发明的解决手段并非全部都是必须的。在前述的实施方式中含有各个阶段的发明，通过所公开的多个构成要件中的适当的组合，能提取各种发明。即使从实施方式所示的全部构成要件中删除几个构成要件，只要能得到效果，则删除了该几个构成要件后的构成也能作为发明而提取出来。
此外，尽管在上述实施方式中说明了与作为可移动型的放射线拍摄装置的电子盒40相适应的情况，但本发明不限于此，还可以应用于固定型的放射线拍摄装置。
另外，在上述实施方式中说明了通过执行对表示由放射线检测器20A、20B拍摄到的放射线图像的各图像信息按每个对应的像素进行加权相加的图像处理来生成能量减影图像的情况。然而，并不限于此。例如，还可以执行对表示由放射线检测器20A、20B拍摄到的放射线图像的各图像信息按对应的每个像素进行相加的图像处理。通过相加由放射线检测器20A、20B拍摄到的各图像信息，从而图像中所含的噪声量相对地减少，因此画质得以提高。在此情况下，优选地，拍摄部21在从拍摄区域41A侧被照射了放射线时，按照在放射线检测器20A、20B中所拍摄的放射线图像的特性大致相同的方式，调整闪烁器8A、8B的厚度、粒子的粒径、粒子的多层结构、粒子的填充率、活化剂的掺杂量、材料、层结构等。
另外，尽管在上述实施方式中说明了由有机光电变换材料来构成了放射线检测器20A、20B的光电变换膜4的情况，但并不限于此。还可以使一者的放射线检测器20的光电变换膜4或薄膜晶体管10的活性层17由杂质添加无定形硅等杂质添加半导体来构成。例如，如图8所示，在设为了从拍摄区域41A侧照射放射线、且以放射线检测器20A、20B两者进行拍摄的情况下，可以使拍摄时相对于从拍摄区域41A侧照射的放射线而配置于上游侧的放射线检测器20A的光电变换膜4由有机光电变换材料构成，且使相对于该放射线配置于下游侧的放射线检测器20B的光电变换膜4或薄膜晶体管10的活性层17由杂质添加半导体构成。在此情况下，由于在配置于上游侧的放射线检测器20A的光电变换膜4，放射线几乎不被吸收，因此能抑制配置于下游侧的放射线检测器20B针对放射线X的灵敏度的下降。另外，尽管与下游侧相比，上游侧的放射线检测器20A被照射强度更强的放射线，但由于在有机光电变换材料中X射线几乎不被吸收，因此基于X射线的劣化少。特别在背面照射中，尽管强度强的X射线透过TFT基板30，但在由有机光电变换材料来构成了光电变换膜4的情况下，基于X射线引起的劣化少，因此能延长放射线检测器20的寿命。
另外，可以按照TFT基板30成为拍摄区域41A、41B侧的方式在筐体41内粘贴放射线检测器20A、20B。在以刚性高的塑料树脂或芳纶、生物纳米纤维来形成了基板1的情况下，放射线检测器20自身的刚性高，因此能较薄地形成筐体41的拍摄区域41A、41B部分。另外，在以刚性高的塑料树脂或芳纶、生物纳米纤维来形成了基板1的情况下，放射线检测器20自身具有可挠性，因此即使在对拍摄区域41A、41B施加了冲击的情况下，放射线检测器20也难破损。
另外，尽管在上述实施方式中，说明了将放射线检测器20A设为画质重视且将拍摄区域41A设为画质重视下的拍摄区域、将放射线检测器20B设为灵敏度重视且将拍摄区域41B设为了灵敏度重视下的拍摄区域的情况，但不限于此。像上述那样由杂质添加半导体构成了光电变换膜4或薄膜晶体管10的活性层17的放射线检测器20在响应性方面卓越，因此适合运动图像拍摄。故而，例如，可以由有机光电变换材料来构成放射线检测器20A的光电变换膜4且将拍摄区域41A设为静止图像拍摄用的拍摄区域。另外，可以由杂质添加半导体来构成放射线检测器20B的光电变换膜4或薄膜晶体管10的活性层17且将拍摄区域41B设为运动图像拍摄用的拍摄区域。
另外，尽管在上述实施方式中说明了拍摄部21构成为按照夹持遮光板27而闪烁器8侧对置的方式配置了2个放射线检测器20A、20B的情况，但不限于此。例如，如图13所示，可以构成为：在1个闪烁器8的一面配置TFT基板30A，在闪烁器8的另一面配置TFT基板30B。另外，如图14所示，可以构成为：在1个闪烁器8的一面配置TFT基板30A、30B。在此情况下，至少TFT基板30A需要具有光透过性。另外，在放射线检测器20A、20B彼此受另一方的闪烁器8的光的影响少的情况下，如图15所示，可以构成为：不设置遮光板27，按照闪烁器8A、8B彼此相对的方式来配置放射线检测器20A、20B。或者，如图16所示，可以构成为：按照TFT基板30A、30B彼此相对的方式来配置放射线检测器20A、20B。另外，在电子盒40以放射线检测器20A、20B进行拍摄而得到能量减影图像等情况下，如图17所示，可以使放射线检测器20A、20B按照夹持遮光板27而相对于放射线X呈背面照射的方式来进行层叠。或者，如图18所示，可以不设置遮光板27而使放射线检测器20A、20B相对于放射线X呈背面照射的方式来进行层叠。或者，如图19所示，可以使放射线检测器20A、20B按照夹持遮光板27地呈正面照射的方式来进行层叠。
另外，尽管在上述实施方式中，说明了如下构成：如图10所示，在对放射线检测器20A、20B进行层叠时，可以按照使一者相对于另一者旋转180度且栅极线驱动器52A与栅极线驱动器52B、以及信号处理部54A与信号处理部54B不重叠的方式进行配置，但并不限于此。例如，如图20所示，在对放射线检测器20A、20B进行层叠时，可以按照不仅使一者相对于另一者旋转90度还将TFT基板30B的信号处理部54B设置于与TFT基板30A的信号处理部54A为反侧的边、且栅极线驱动器52A与栅极线驱动器52B以及信号处理部54A与信号处理部54B不重叠的方式进行配置。如此，通过使TFT基板30B相对于TFT基板30A旋转90度，TFT基板30A的电荷的读出方向成为A方向，TFT基板30B的电荷的读出方向成为B方向，从而TFT基板30A、30B的电荷的读出方向交叉。此外，因来自放射线检测器20A、20B的读取方向的差异，放射线图像内的患部的被摄体像的朝向会变化。故而，在执行对表示由放射线检测器20A、20B拍摄到的放射线图像的各图像信息按每个对应的像素进行相加或加权相加的图像处理的情况下，盒控制部58例如在执行按照被摄体像的朝向对应于读取方向成为恒定方向的方式使放射线图像旋转的图像处理后，执行相加或加权相加的图像处理即可。
另外，尽管在上述实施方式中设为了能使电子盒40整体翻转来实现以拍摄区域41A和拍摄区域41B的两面所进行的拍摄，但还能例示将图21～图23所示那样的电子盒40设为可开闭的构成、将图24～图26所示的那样的电子盒40的一部分设为可翻转的构成。
图21以及图22示出了表示电子盒40的其他的构成的立体图，图23示出了表示电子盒40的概略构成的截面图。此外，对与上述实施方式的电子盒40对应的部分赋予相同的标号，并对具有相同功能的部分省略说明。
在电子盒40，内置有上述的拍摄部21、栅极线驱动器52A、52B、信号处理部54、54B等。对基于所照射的放射线的放射线图像进行拍摄的平板状的拍摄单元90、与内置有上述的控制部50或电源部70的控制单元92通过铰链94来以可开闭的方式进行连结。
拍摄单元90以及控制单元92通过使一者相对于另一者以铰链94为转动中心进行转动，从而能在拍摄单元90与控制单元92并排的展开状态(图22)、和拍摄单元90与控制单元92重叠地被折叠的收纳状态(图21)之间可开闭。
在拍摄单元90，如图23所示，按照收纳状态下放射线检测器20B成为控制单元92侧、放射线检测器20A成为外侧(控制单元92侧的相反侧)的方式内置有拍摄部21。拍摄单元90在收纳状态下成为外侧的面侧被设为了灵敏度重视的拍摄区域41B，与控制单元92对置的面侧被设为了画质重视的拍摄区域41A。
拍摄部21与控制部50或电源部70由设于铰链94内的连接布线96来进行连接。
如此，电子盒40通过使之开闭来以拍摄区域41A或拍摄区域41B进行拍摄，能简易地进行特性不同的放射线图像的拍摄。
图24以及图25示出了表示实施方式所涉及的电子盒40的其他的构成的立体图，图26示出了表示电子盒40的概略构成的截面图。此外，对与第2实施方式的电子盒40对应的部分赋予相同的标号，并对具有相同功能的部分省略说明。
在电子盒40，内置有上述的拍摄部21、栅极线驱动器52A、52B、信号处理部54、54B。将对基于所照射的放射线的放射线图像进行拍摄的平板状的拍摄单元90、与内置有上述的控制部50或电源部70的控制单元92由旋转轴98可旋转地连结。
另外，在拍摄单元90，与拍摄部21的配设位置对应地，在平板状的一面以及另一面设有拍摄区域41A、41B。
拍摄部21按照放射线检测器20B成为拍摄区域41B侧、放射线检测器20A成为拍摄区域41A的方式被内置。拍摄部21将拍摄区域41B设为了灵敏度重视的拍摄区域，且将拍摄区域41A设为了画质重视的拍摄区域。
拍摄部21与控制部50或电源部70由设于旋转轴98内的连接布线96进行连接。
拍摄单元90以及控制单元92通过由一者相对于另一者旋转，能在拍摄区域41A和操作面板99并排的状态(图24)、与拍摄区域41B和操作面板99并排的状态(图25)之间进行变更。
如此，电子盒40通过使之旋转来以拍摄区域41A或拍摄区域41B进行拍摄，能简易地进行特性不同的放射线图像的拍摄。
日本申请2010-149856的公开通过参照其全部内容而援引至本说明书。
本说明书中所记载的全部的文献、专利申请、以及技术规格通过参照而被援引至本说明书中，通过参照来援引单独的文献、专利申请、以及技术规格与具体且单独地记载其的情况具有相同程度。
Claims (13)
1.一种放射线拍摄装置，具备拍摄部，
该拍摄部设置有分别对光具有灵敏度的多个传感器部，并具有至少2个对由在通过被照射放射线来产生光的发光层产生的光表现的放射线图像进行拍摄的拍摄系统，且被设为能单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息，其中，将构成了至少1个拍摄系统的各传感器部构成为包含通过对光进行光接收来产生电荷的有机光电变换材料。
2.根据权利要求1所述的放射线拍摄装置，其中，
所述放射线拍摄装置还具备：
读出部，其单独地读出对由各拍摄系统拍摄到的放射线图像进行表示的图像信息；和
图像处理部，其进行对由所述读出部读出的各图像信息进行相加或加权相加的图像处理。
3.根据权利要求1或2所述的放射线拍摄装置，其中，
所述拍摄部对所述发光层、与形成有所述多个传感器部以及用于读出在该传感器部产生的电荷的多个开关元件的2个基板进行层叠而构成。
4.根据权利要求3所述的放射线拍摄装置，其中，
所述基板由塑料树脂、芳纶、生物纳米纤维、具有可挠性的玻璃基板之中的任一种构成。
5.根据权利要求3或4所述的放射线拍摄装置，其中，
将所述开关元件设为了在活性层包含非晶质氧化物而构成的薄膜晶体管。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
所述拍摄部设有2个所述发光层，并设有对光进行遮光的遮光层，且在该遮光层的一面侧以及另一面侧层叠所述发光层与所述基板而构成。
7.根据权利要求6所述的放射线拍摄装置，其中，
2个所述发光层针对放射线的发光特性不同。
8.根据权利要求7所述的放射线拍摄装置，其中，
对2个所述发光层进行了各发光层的厚度、被填充至各发光层且通过被照射放射线来发光的粒子的粒径、该粒子的多层结构、该粒子的填充率、活化剂的掺杂量、各发光层的材料、及各发光层的层结构当中的至少1个的变更、以及用于使所述光向着各发光层的与所述基板为非对置的面反射的反射层的形成之中的任一种。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
将2个所述发光层中的其中一个设为画质重视的发光特性，另一个设为灵敏度重视的发光特性。
10.根据权利要求6～8中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
2个所述发光层在从一侧被照射了放射线时针对放射线的发光特性大致相同。
11.根据权利要求3～10中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
所述2个基板的读出所蓄积的电荷的信号的读出特性不同。
12.根据权利要求2～11中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
所述放射线拍摄装置具备：
拍摄单元，其形成为平板状，并内置所述拍摄部，且在该平板的一面侧、另一面侧中的任一面侧均能拍摄基于所照射的放射线的放射线图像；
控制单元，其内置有所述读出部以及所述图像处理部；和
连结构件，其以所述拍摄单元与所述控制单元并排的展开状态、以及所述拍摄单元与所述控制单元重合地被折叠的收纳状态来可开闭地进行连结。
13.根据权利要求2～11中任一项所述的放射线拍摄装置，其中，
所述放射线拍摄装置具备：
拍摄单元，其形成为平板状，并内置所述拍摄部，且在该平板的一面侧、另一面侧中的任一面侧均能拍摄基于所照射的放射线的放射线图像；
控制单元，其内置有所述读出部以及所述图像处理部；和
连结构件，其相对于所述控制单元可翻转地连结所述拍摄单元的一面、另一面。
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