CN102912446A - 正压冷却工艺 - Google Patents

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陈春成
戚建静
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SUZHOU DONGTAI SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
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SUZHOU DONGTAI SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本发明涉及 一种正压冷却工艺，包括停炉 1 小时，向炉体充入氮气，冷却 1 小时；关闭主室球阀、停止主室泵，打开真空过滤罐放气，炉体继续充入氮气，接近大气压时，打开主室球阀，使真空过滤罐进行放气； 4 小时后，关闭氮气，完成冷却。还可以停炉 2 小时，向炉体充入氮气；关闭主室球阀、停止主室泵，打开真空过滤罐放气，炉体继续充入氮气，接近大气压时，打开副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭副室炉筒导泄阀； 6 小时后，关闭氮气，完成冷却。 本发明克服了现有技术中采用真空泵将炉体抽至真空后，对产品进行冷却，减少了设备的使用量；同时，采用氮气进行冷却，降低了气体使用的成本。

Description

正压冷却工艺
技术领域
本发明涉及光伏工艺技术领域，特别是涉及一种正压冷却工艺。
背景技术
在现有技术中，对单晶硅棒进行冷却时，采用如下的冷却方式：如图1所示，炉体1连接真空过滤罐2，真空过滤罐2与真空泵3相连接。在冷却时，向炉体1内不断的冲入氩气，同时，真空泵3正果真空过滤罐2将炉体1内不断的抽至真空，气体从真空泵3排气。
这样的工作方法具有以下缺点：首先，真空泵始终处于工作状态，使设备的折旧率增加，降低设备的使用寿命；其次，使用氩气作为冷却气体，氩气的成本较高，也增加了整体的使用成本。
发明内容
本发明目的是提供一种正压冷却工艺。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：
（1）、停炉1小时，关闭氩气向炉体内充入氮气，冷却1小时；
（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐进行自然放气；
（3）、4小时后，关闭氮气，完成冷却。
优选地，在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。
优选地，在步骤（1）中，氮气打开至最大。
一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：
（1）、停炉2小时，关闭氩气向炉体内充入氮气；
（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开炉体主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭炉体副室炉筒导泄阀；
（3）、6小时后，关闭氮气，完成冷却。
优选地，在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。
优选地，在步骤（1）中，氮气打开至最大。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：本发明克服了现有技术中采用真空泵将炉体抽至真空后，对产品进行冷却，减少了设备的使用量；同时，采用氮气进行冷却，降低了气体使用的成本。
附图说明
附图1为本发明炉体的连接示意图；
附图2为炉体的结构示意图。
其中：1、炉体；2、真空过滤罐；3、真空泵；4、炉体主室；5、炉体副室。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
如图1所示，炉体1连接真空过滤罐2，在本发明中，控制真空过滤罐2的真空泵3不使用。首先，如图2所示，简述下炉体1的结构，其包括炉体主室4和炉体副室5，其分别设置有控制其内部的阀和泵。
实施例一
针对18 ’’ 、20 ’’ 的炉体，采用以下工艺：
加工时，单晶硅棒放置在炉体1内，向炉体1内部不间断的充入氩气，炉体1内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：
首先，停炉1小时，关闭氩气向炉体1内充入氮气，氮气打开至最大，冷却1小时；
对炉体1的副室门的螺丝进行平稳加固，起到防爆目的，后关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体1相连接的真空过滤罐2的阀柱进行放气，使炉体1内的压力达到常压，同时继续向炉体1内充入氮气，使炉体1内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐2进行自然放气；
4小时后，关闭氮气，完成冷却；
关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐2的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体1内抽真空，对其进行热态检漏。
上述冷却过程总共花费共6个小时。
实施例二
针对22 ’’ 的炉体，采用以下工艺：
加工时，单晶硅棒放置在炉体1内，向炉体1内部不间断的充入氩气，炉体1内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行：
首先，停炉2小时，关闭氩气向炉体1内充入氮气，氮气打开至最大；
对炉体1的副室门的螺丝进行平稳加固后关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体1相连接的真空过滤罐2的阀柱进行放气，使炉体1内的压力达到常压，同时继续向炉体1内充入氮气，使炉体1内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开炉体主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭炉体副室炉筒导泄阀；
6小时后，关闭氮气，完成冷却；
最后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐2的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体1内抽真空，对其进行热态检漏。
上述冷却过程总共花费8个小时。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1. 一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，其特征在于：冷却时，按以下步骤进行：
（1）、停炉1小时，关闭氩气向炉体内充入氮气，冷却1小时；
（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐进行自然放气；
（3）、4小时后，关闭氮气，完成冷却。
2. 根据权利要求2所述的正压冷却工艺，其特征在于：在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。
3. 根据权利要求1所述的正压冷却工艺，其特征在于：在步骤（1）中，氮气打开至最大。
4. 一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，其特征在于：冷却时，按以下步骤进行：
（1）、停炉2小时，关闭氩气向炉体内充入氮气；
（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开炉体主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭炉体副室炉筒导泄阀；
（3）、6小时后，关闭氮气，完成冷却。
5. 根据权利要求4所述的正压冷却工艺，其特征在于：在步骤（3）完成后，关闭炉体主室球阀，关闭真空过滤罐的阀柱，再打开炉体主室球阀和炉体主室泵，对炉体内抽真空，对其进行检漏。
6. 根据权利要求4所述的正压冷却工艺，其特征在于：在步骤（1）中，氮气打开至最大。
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