CN102903651A - 温度控制单元和系统、基板载置台、处理装置和处理方法 - Google Patents

温度控制单元和系统、基板载置台、处理装置和处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够使基板的温度快速变化的温度控制单元。与基板（W）接触对该基板（W）的温度进行控制的温度控制单元（15）具备：与基板（W）接触的板状的单元主体（16）、埋设在单元主体（16）内的多个直线状的加热器（17）、和形成于单元主体（16）内并在内部流通规定温度的介质的冷却流路。各加热器（17）彼此平行地配置，冷却流路（18）以经由相邻的两个加热器（17）之间的部分的方式配置。在俯视单元主体（16）时的与一个加热器（17）垂直的方向，各加热器（17）和冷却流路（18）以等间隔交替配置。

Description

温度控制单元和系统、基板载置台、处理装置和处理方法
技术领域
本发明涉及在对基板实施处理温度不同的多种热处理时使用的温度控制单元、基板载置台、基板处理装置、温度控制系统和基板处理方法。
背景技术
在FPD（Flat Panel Display：平板显示器）、太阳电池或MEMS（MicroElectro Mechanical Systems：微电子机械系统）的制造过程中，对基板实施各种热处理，例如成膜处理。在现有技术中，在对基板实施处理温度不同的多种热处理时，每个热处理中不同的基板处理装置对基板实施相应的热处理，近年来，从提高生产率的观点出发，为了提高生产量，需要在一个基板处理装置中实施处理温度不同的多种热处理。
作为这种基板处理装置，已知有如下的基板处理装置，即，在处理室内具备载置基板的基板载置台，该基板载置台具备形成有介质流路的冷却套、和配置在该冷却套之下的加热器（例如，参照专利文献1）。
在专利文献1的基板处理装置中，使加热器放热，使基板载置台的载置面、具体而言，使冷却套的与基板接触的面的温度升高，从而将基板加热，在冷却套的介质流路中流通低温的致冷剂，使上述接触面的温度下降，从而对基板进行冷却。
在先技术文献
专利文献1：日本特公平7－105422号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在专利文献1的基板处理装置中，由于冷却套和加热器分别为不同的部件，所以在冷却套和加热器之间出现物理的边界。例如在利用加热器对基板进行加热时，该边界作为热阻，妨碍来自加热器的热量向冷却套传递，因而存在基板的温度不能快速变化的问题。
本发明的目的在于提供一种能够使基板的温度快速变化的温度控制单元、基板载置台、基板处理装置、温度控制系统和基板处理方法。
用于解决问题的方法
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种温度控制单元，其与基板接触，控制该基板的温度，该温度控制单元的特征在于，包括：与所述基板接触的板状的主体；埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
本发明第二方面的温度控制单元，在第一方面的温度控制单元的基础上，其特征在于：在俯视所述主体时的与一个所述加热器垂直的方向，各所述加热器和所述介质流路以等间隔交替配置。
本发明第三方面的温度控制单元，在第一方面或第二方面的温度控制单元的基础上，其特征在于：在所述主体的与所述基板接触的面的相反一侧的面，还具备以与埋设在所述主体内的各加热器的位置相对应的方式配置的盖，所述盖能够开闭。
本发明第四方面的温度控制单元，在第三方面的温度控制单元的基础上，其特征在于：所述主体具有用于安装所述盖的螺钉用的螺钉孔，所述介质流路在相邻的两个所述加热器之间以避开所述螺钉孔的方式弯曲设置。
本发明第五方面的温度控制单元，在第四方面的温度控制单元的基础上，其特征在于：弯曲设置的所述介质流路中的弯曲部的在俯视所述主体时的曲率半径为40mm以上。
为了实现上述目的，本发明的第六方面提供一种基板载置台，用于载置基板，其特征在于，包括：与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和支承该温度控制单元的基部，所述温度控制单元具备：与所述基板接触的板状的主体；埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
为了实现上述目的，本发明第的七方面提供一种基板处理装置，用于对基板实施处理，其特征在于，包括：收纳所述基板的收纳室；和配置在所述收纳室内，用于载置所述基板的基板载置台，所述基板载置台具备：与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和支承该温度控制单元的基部，所述温度控制单元具备：与所述基板接触的板状的主体；埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
为了实现上述目的，本发明的第八方面提供一种温度控制系统，用于对基板的温度进行控制，其特征在于，包括：温度控制单元，其具备与所述基板接触的板状的主体、埋设在该主体内的多个直线状的加热器和形成于所述主体内并在内部流通规定温度的介质的介质流路，该温度控制单元与所述基板接触，对该基板的温度进行控制；加热器控制单元，其控制所述加热器的发热量；和介质控制单元，其控制在所述介质流路中流通的介质的流量和/或温度，在所述温度控制单元的所述主体中，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
为了实现上述目的，本发明的第九方面提供一种基板控制方法，其使用温度控制单元，所述温度控制单元为与基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元，该温度控制单元具备与所述基板接触的板状的主体、埋设在该主体内的多个直线状的加热器和形成于所述主体内并在内部流通规定温度的介质的介质流路，其中，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置，该基板控制方法的特征在于：在将所述基板向目标冷却温度冷却时，向所述介质流路供给温度低于所述目标冷却温度的介质。
本发明第十方面的基板处理方法，在第九方面的基板处理方法的基础上，其特征在于：在所述温度控制单元的主体的温度达到比所述目标冷却温度只高第一规定温度的第一控制变更温度时，将向所述介质流路供给的介质的温度变更为所述目标冷却温度。
本发明第十一方面的基板处理方法，在第十方面的基板处理方法的基础上，其特征在于：所述第一规定温度为2℃以上且低于20℃。
本发明第十二方面的基板处理方法，在第九～第十一方面中任一项所述的基板处理方法的基础上，其特征在于：在所述温度控制单元的主体的温度达到比所述目标冷却温度只高第二规定温度的第二控制变更温度时，使所述加热器放热，所述第二规定温度低于所述第一规定温度。
本发明第十三方面的基板处理方法，第十二方面的基板处理方法的基础上，其特征在于：其特征在于：所述第二规定温度为1℃以上且低于10℃所述第二规定温度为1℃以上且低于10℃。
本发明第十四方面的基板处理方法，在第九～第十一方面中任一项所述的基板处理方法的基础上，其特征在于：在将所述基板向目标加热温度加热时，使所述加热器放热，向所述介质流路供给温度高于所述目标加热温度的介质。
发明效果
根据本发明，由于在温度控制单元的主体内不仅配置有介质流路，还配置有多个加热器，所以热量由加热器向主体的传输不会受到阻碍，其结果，能够使基板温度快速变化。并且，由于各加热器彼此平行地配置，介质流路以位于相邻的两个加热器之间的方式配置，所以能够提高主体中的加热部位和冷却部位的配置的均衡性，因而能够使与主体接触的基板的温度稳定且均匀地变化。
此外，根据本发明，由于在将基板向目标冷却温度冷却时，向温度控制单元的主体内的介质流路供给温度低于目标冷却温度的介质，因此，能够迅速地进行基板的冷却，因而能够使基板的温度快速变化。
附图说明
图1是概略表示本发明实施方式的基板处理装置的结构的截面图。
图2是表示图1中的温度控制单元的结构的示意图，图2（A）是水平截面图，图2（B）是纵截面图，图2（C）是仰视图。
图3是表示图1中的温度控制单元的变形例的结构的示意图，图3（A）是水平截面图，图3（B）是纵截面图，图3（C）是仰视图。
图4是表示本发明实施方式的基板处理方法中基板的冷却时各部温度的时序图。
图5是表示本发明实施方式的基板处理方法的变形例中基板的冷却时各部温度的时序图。
图6是表示本发明实施方式的基板处理方法中基板的加热时各部温度的时序图。
图7是表示本发明实施方式的基板处理方法的变形例中基板的加热时的各部温度的时序图。
符号说明
A：温度传感器；
10：基板处理装置；
12：基板载置台；
15、27温度控制单元；
16：单元主体；
17：加热器；
18：冷却流路；
19：加热控制器；
21：冷却控制器；
24、25：维护用的盖；
26：螺钉孔。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
首先，说明本发明的实施方式的基板处理装置。
图1是概略表示本实施方式的基板处理装置的结构的截面图。
在图1中，基板处理装置10具备：收纳基板的收纳室11，配置在该收纳室11内的下部、用于载置基板W的基板载置台12、和在收纳室11内的上部与基板载置台12相对配置的喷淋头状的气体供给部13。对收纳于收纳室11中的基板W实施成膜处理。
基板载置台12控制所载置的基板W的温度，气体供给部13向收纳室11内供给处理气体。在基板处理装置10中，气体供给部13供给成膜用的处理气体，并且基板载置台12将基板W加热至规定的高温，由此对该基板W实施成膜处理。
基板载置台12具备：从收纳室11的下方立起设置的基部14、和支承在该基部14的上端的温度控制单元15。温度控制单元15具备：与基板W接触的板状的单元主体16、埋设在内部的加热器17、和在同一内部形成的冷却流路18（介质流路）、和在同一内部埋设的温度传感器A。单元主体16由高热性高的材料构成，例如由铝构成，加热器17经由配线20与外部的加热控制器19（加热器控制单元）连接，通过从该加热控制器19供给电力而放热。冷却流路18经由配管22与外部的冷却控制器21（介质控制单元）连接，在冷却流路18的内部流通着从冷却控制器21循环供给的介质，例如GALDEN（注册商标）。
通过加热器17放热，使单元主体16的温度升高，将与该单元主体16接触的基板W加热，冷却流路18的内部流通着低温的介质（致冷剂），从而使得单元主体16的温度下降，将与该单元主体16接触的基板W冷却。加热控制器19、冷却控制器21和温度传感器A与装置控制器23连接，装置控制器23对加热控制器19和冷却控制器21进行控制，使得埋设在单元主体16内的温度传感器A的温度进入规定的范围。具体而言，加热控制器19从装置控制器23接收信号，根据该信号，控制向加热器17的供给的电力的供给量和供给时间，冷却控制器21也从装置控制器23接收信号，根据该信号，控制向冷却流路18供给的介质的温度、供给量和供给时间。
图2是表示图1的温度控制单元的结构的示意图，图2（A）是水平截面图，图2（B）是纵截面图，图2（C）是仰视图。
在图2中，在温度控制单元15的单元主体16的内部埋设有温度传感器A，并且，6个直线状的加热器17彼此平行地配置。埋设温度传感器A位置，在截面视图中优选接近与基板W的接触面16a（参照图2（B））的位置、在仰视图中优选中央部（参照图2（C）参照），但没有特别限定。各加热器17通过连接三个加热器17的两个电线20被分成俯视时呈E字状的两组。各组E字的开放端彼此相对，以一组中相邻的两个加热器17之间存在另一组的一个加热器17的方式配置。
并且，在单元主体16的内部形成有一条冷却流路18。冷却流路18在俯视时，在相邻的两个加热器17之间以距两加热器17等距离的方式经由两加热器17之间，并且，在各加热器17的端部以拥有屈曲部的方式配置。并且，在单元主体16中，各加热器17和冷却流路18俯视时在与一个加热器17垂直的方向D上等间隔地交替配置（图2（A））。
在单元主体16的与基板W的接触面16a相反一侧的背面16b，以与埋设在单元主体16的各加热器17的组相对应的方式设置有呈E字状的天线维护用的盖24、25。单元主体16具有用于将维护用的盖24和25安装在该单元主体16上的安装螺钉用的螺钉孔26。另外，在本实施方式中，如图2（A）所示，对一个加热器17设置有两个螺钉孔26，但是螺钉孔26的数目没有特别限定。
在温度控制单元15中，在温度传感器A出现故障时或者某个加热器17断线时，通过取出单元主体16，并卸下安装螺钉，将背面的维护用的盖24或25打开，可以更换发生故障的温度传感器A或断线的加热器17。
根据图2的温度控制单元15，由于不仅在单元主体16内配置有冷却流路18，还配置有多个加热器17，所以不存在将加热器17和冷却流路18作为分别的单元设置的情况下出现的加热器17和冷却流路18之间的边界部，没有由于该边界部而产生的热阻，所以不会妨碍来自加热器17的热量向单元主体16的传递。并且，由于在单元主体16内埋设有温度传感器A，所以能够以良好的精度测定单元主体16的温度。其结果，能够使基板W的温度快速变化。
此外，在温度控制单元15中，各加热器17彼此平行地配置，冷却流路18以经由相邻的两个加热器17之间的部分的方式配置，并且关于单元主体16的俯视时与一个加热器17垂直的方向D，各加热器17和冷却流路18等间隔的交替配置，因而能够提高单元主体16中的加热部位和冷却部位的配置的均衡性。其结果，能够使与单元主体16接触的板W的温度稳定且均匀地变化。
此外，通过将监控单元主体16的温度的温度传感器A埋设在尽可能接近与基板W的接触面16a的位置，能够缩小基板W与通过温度传感器A测定的单元主体16之间的温度梯度，因而能够以良好的精度控制基板W的温度。
并且，温度控制单元15在单元主体16的背面16b还具备与各加热器17的位置对应地配置的能够开闭的维护用的盖24、25，所以即使温度传感器A或加热器17破损，也能够更换该加热器17，因此，能够降低温度控制单元15的运行成本。并且，由于维护用的盖24、25不是配置在单元主体16的接触面16a，而是配置在背面16b，所以在维护用的盖24、25与单元主体16之间的边界产生热阻，不会妨碍通过加热器17对基板W进行的加热和通过在冷却流路18的内部流通的致冷剂对基板W进行的冷却，因此，能够使基板W的温度快速变化。
其中，在本实施方式中，以加热器17为彼此平行的直线状的加热器进行了说明，但是也可以配合进行热交换的区域的形状，以距彼此之间的距离一定的方式配置同形状的曲线状的加热器。在这种情况下，作为曲线状的加热器，例如可以为由圆弧状的曲线或抛物线状的曲线构成的加热器，还可以为指向一个方向并且弯曲设置的曲线状的加热器。在为弯曲设置的加热器的情况下，相邻的加热器彼此之间可以为镜面对称的形状，也可以为平行移动的形状。
并且，在本实施方式中，以冷却流路18为由一条流路构成的一系统的流路进行了说明，但是也可以构成为由两条或以上的流路构成的多系统的流路。在一条流路中在上游与下游之间容易产生温度差，但如果由多个流路构成，一系统的流路变短，所以能够缩小上游与下游之间的温度差，能够缓解在单元主体16中面内热交換的不均衡。
图3是表示图1的温度控制单元的变形例的结构的示意图，图3（A）是水平截面图，图3（B）是纵截面图，图3（C）是仰视图。本变形例中，加热器的数量和冷却器的形状与图2的温度控制单元15不同。
为了确保各螺钉孔26的功能，例如发挥缔结力和对于缔结力的耐性，需要将各螺钉孔26离开加热器17和冷却流路18一定距离以上配置。其结果，加热器17和冷却流路18的配置位置受到螺钉孔26的配置位置的制约。具体而言，在图2的温度控制单元15中，由于加热器17和冷却流路18形成为直线状，所以若考虑各螺钉孔26的配置位置，不能使各加热器17和冷却流路18接近某一固定值以上，能够配置的加热器17的数量受到限制，并且，介质流路18也不能较细地弯曲，所以可能导致单元主体16的面内的温度分布不均匀。相对于此，在图3的温度控制单元27中，冷却流路18在相邻的两个加热器17之间以避开安装螺钉用的螺钉孔26的方式弯曲设置。由此，如果在冷却流賂18的各曲部18a的内侧配置各螺钉孔26，从各螺钉孔26至冷却流路18能够确保一定距离，并且能够使与该曲部18a相邻的曲部18b接近加热器17。由此，能够使各加热器17和冷却流路18比图2的温度控制单元15中的加热器17和冷却流路18更接近。其结果，能够在单元主体16中配置更多的加热器17，并且能够使冷却流路18更细地弯曲，所以能够提高单元主体16的面内的温度均匀性。例如，在图3的温度控制单元27中，能够配置八个加热器17。
此外，在温度控制单元27中，弯曲设置的冷却流路18的在俯视单元主体16时的曲率半径设定为40mm以上。由此，冷却流路18的传导能力不会极度降低，所以不会出现在冷却流路18内流通的介质的压力损失，能够防止介质供给效率降低。
另外，在本变形例中使冷却流路18弯曲设置以避开螺钉孔26，但是也可以不使冷却流路18弯曲设置，而使加热器17弯曲设置以避开螺钉孔26。
接着，对本发明实施方式的基板处理方法进行说明。本实施方式的基板处理方法，在具备温度控制单元15的基板处理装置10中由装置控制器23执行。另外，在本实施方式的基板处理方法中，以单元主体16的温度代替基板W的温度，由加热器17和冷却流路18控制单元主体16的温度。
图4是表示本实施方式的基板处理方法中基板的冷却时各部温度的时序图。
在图4中，例如在250℃的基板W至目标冷却温度、例如到120℃的冷却开始时，加热控制器19停止向加热器17供给电力，冷却控制器21使向冷却流路18供给的介质的温度降低到作为比目标冷却温度低的温度的冷却用温度，例如80℃。然后，当单元主体16被冷却用温度的介质冷却达到比目标冷却温度只高2℃以上且低于20℃的规定温度（第一规定温度）的温度（第一控制变更温度）、例如130℃时，冷却控制器21将向冷却流路18供给的介质的温度变为目标冷却温度，使降温速度降低，缓和单元主体16的降温程度。
根据本实施方式的基板处理方法，在将基板W冷却到目标冷却温度时，向冷却流路18供给温度低于目标冷却温度（冷却用温度）的介质，所以能够迅速地进行基板W的冷却，因此，能够使基板W的温度快速变化。并且，在本实施方式的基板处理方法中，在单元主体16的温度达到比目标冷却温度高的第一控制变更温度时，将向冷却流路18供给的介质的温度变更为目标冷却温度，所以单元主体16不会被过度冷却，因而能够防止单元主体16的温度低于目标冷却温度。
在上述本实施方式的基板处理方法中，在向加热器17的电力供给停止时，之后不再开始电力的供给，但是也可以有意图地再开始电力的供给。
图5是表示本实施方式的基板处理方法的变形例中基板的冷却时的各部温度的时序图。
在图5中，基板W的冷却开始时，加热控制器19停止向加热器17供给电力，冷却控制器21使向冷却流路18供给的介质的温度降低到冷却用温度，单元主体16被冷却，到达第一控制变更温度时，冷却控制器21向向冷却流路18供给的介质的温度变更为目标冷却温度。
之后，当单元主体16进一步被冷却，达到比目标冷却温度只高1℃以上且低于10℃的规定温度（第二规定温度）的温度（第二控制变更温度），例如达到125℃时，加热控制器19再开始向加热器17供给电力。由此，在将介质的温度变更为目标冷却温度后，即使单元主体16的降温速度不像期待的那样下降，通过加热单元主体16，也能够缓和单元主体16的降温速度，因此，能够可靠地防止单元主体16的温度低于目标冷却温度。
此外，在本实施方式的基板处理方法中，在基板W的加热时，也可以变更向冷却流路18供给的介质的温度。
图6是表示本实施方式的基板处理方法中基板的加热时各部温度的时序图。
在图6中，在例如60℃的基板W至目标加热温度、例如250℃的加热开始时，加热控制器19开始向加热器17供给电力，冷却控制器21使向冷却流路18供给的介质的温度升高到作为比目标加热温度高的温度的加热用温度，例如280℃。之后，单元主体16被加热，当到达比目标加热温度只低2℃以上且低于20℃的规定温度的温度（第三控制变更温度）、例如240℃时，冷却控制器21将向冷却流路18供给的介质的温度变更为目标加热温度。
在上述基板处理方法中，在将基板W加热到目标加热温度时，向冷却流路18供给温度高于目标加热温度（加热用温度）的介质，所以能够迅速地进行基板W的加热，因而能够使基板W的温度快速变化。
此外，在上述基板处理方法中，当单元主体16的温度到达比目标加热温度低的第三控制变更温度时，将向冷却流路18供给的介质的温度变更为目标加热温度，因而单元主体16不会被过度加热，因此，能够防止单元主体16的温度高于目标加热温度。
在上述基板处理方法中，在向加热器17的电力的供给开始时，之后，电力的供给不停止，但是也可以有意图地停止电力的供给。
图7是表示本实施方式的基板处理方法的变形例中基板的加热时的各部温度的时序图。
在图7中，在基板W的加热开始时，加热控制器19开始向加热器17供给电力，冷却控制器21使向冷却流路18供给的介质的温度升高至加热用温度，单元主体16被加热，当到达第三控制变更温度时，冷却控制器21将向冷却流路18供给的介质的温度变更为目标加热温度。
之后，单元主体16进一步被加热，当到达比目标加热温度只低1℃以上且低于10℃的规定温度的温度（第四控制变更温度）、例如245℃时，加热控制器19停止向加热器17供给电力。由此，将介质的温度变更为目标加热温度后，即使单元主体16的升温速度不像期待的那样下降，通过停止加热器17的放热，向单元主体16的热量的供给量急剧减少，也能够缓和单元主体16的升温速度，因此，能够可靠地防止单元主体16的温度高于目标加热温度。
另外，实施本实施方式的基板处理方法的基板处理装置10的基板载置台12中的温度控制单元15，如上所述，在单元主体16内不仅配置有冷却流路18，还配置有多个加热器17和温度传感器A，单元主体16的温度通过利用温度传感器A监控在冷却流路18的内部流通的介质的温度和加热器17的温度，能够以良好的精度实现图6和图7所示的并用利用加热器17进行的加热和利用冷却流路18进行的加热的基板处理方法。
上述本实施方式的基板处理方法适用于在处理温度不同的多个成膜处理之间调节基板W的温度，但是实施该基板处理方法时的收纳室11内的压力没有特别限定，可以为大气压或真空的任一种。
此外，对以上述本实施方式进行成膜处理的情况进行了说明，但是作为能够适用本发明的处理，只要是需要迅速的温度变化的处理即可，不限于上述成膜处理。
并且，上述本实施方式的基板处理方法由装置控制器23执行，但是，也可以利用经由网络与基板处理装置10连接的外部的服务器（未图示）控制加热控制器19和冷却控制器21的动作来执行。
并且，向冷却流路18供给的介质不限于GALDEN，例如也可以使用作为油类介质的硅油。
以上，使用上述实施方式对本发明进行了说明，但是本发明不限定于上述实施方式。
本发明的目的也可以通过向计算机等供给存储有实施上述实施方式的功能的软件的程序的存储介质，计算机的CPU读取并执行存储在存储介质中的程序而实现。
在这种情况下，从存储介质读取的程序本身实现上述实施方式的功能。程序和存储有该程序的存储介质构成本发明。
此外，作为用于供给程序的存储介质，例如可以为RAM、NV－RAM、floppy disk（注册商标）、硬盘、磁光盘、CD-ROM、CD-R、CD－RW、DVD（DVD－ROM、DVD－RAM、DVD－RW、DVD+RW）等光盘、磁带、非易失性存储卡、其他的ROM等能够存储上述程序的介质。或者，上述程序也可以从与互联网、商用网络或局域网等连接的未图示的其他计算机或数据库等下载，再供给到计算机。
并且，不仅包括通过执行计算机的CPU读取的程序实现上述实施方式的功能的情况，还包括基于该程序的指示，在CPU上运行的OS（操作系统）等进行实际处理的一部分或全部，通过该处理，实现上述实施方式的功能的情况。
并且还包括由存储介质读取的程序被写入插入计算机的功能扩展板或与计算机连接的功能扩展单元所具备的存储器中之后，基于该程序的指示，该能够扩展板或功能扩展单元所具备的CPU等进行实际处理的一部分或全部，通过该处理实现上述实施方式的功能的情况。
上述程序的形态可以由目的码、通过转换机执行的程序、向OS供给的脚本数据等形态构成。

Claims (14)

1.一种温度控制单元，其与基板接触，控制该基板的温度，该温度控制单元的特征在于，包括：
与所述基板接触的板状的主体；
埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和
形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，
各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
2.如权利要求1所述的温度控制单元，其特征在于：
在俯视所述主体时的与一个所述加热器垂直的方向，各所述加热器和所述介质流路以等间隔交替配置。
3.如权利要求1或2所述的温度控制单元，其特征在于：
在所述主体的与所述基板接触的面的相反一侧的面，还具备以与埋设在所述主体内的各加热器的位置相对应的方式配置的盖，
所述盖能够开闭。
4.如权利要求3所述的温度控制单元，其特征在于：
所述主体具有用于安装所述盖的螺钉用的螺钉孔，所述介质流路在相邻的两个所述加热器之间以避开所述螺钉孔的方式弯曲设置。
5.如权利要求4所述的温度控制单元，其特征在于：
弯曲设置的所述介质流路中的弯曲部的在俯视所述主体时的曲率半径为40mm以上。
6.一种基板载置台，用于载置基板，其特征在于，包括：
与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和
支承该温度控制单元的基部，
所述温度控制单元具备：
与所述基板接触的板状的主体；
埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和
形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，
各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
7.一种基板处理装置，用于对基板实施处理，其特征在于，包括：
收纳所述基板的收纳室；和
配置在所述收纳室内，用于载置所述基板的基板载置台，
所述基板载置台具备：与所述基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元；和支承该温度控制单元的基部，
所述温度控制单元具备：
与所述基板接触的板状的主体；
埋设在该主体内的多个直线状的加热器；和
形成于所述主体内，在内部流通规定温度的介质的介质流路，
各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
8.一种温度控制系统，用于对基板的温度进行控制，其特征在于，包括：
温度控制单元，其具备与所述基板接触的板状的主体、埋设在该主体内的多个直线状的加热器和形成于所述主体内并在内部流通规定温度的介质的介质流路，该温度控制单元与所述基板接触，对该基板的温度进行控制；
加热器控制单元，其控制所述加热器的发热量；和
介质控制单元，其控制在所述介质流路中流通的介质的流量和/或温度，
在所述温度控制单元的所述主体中，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置。
9.一种基板控制方法，其使用温度控制单元，所述温度控制单元为与基板接触对该基板的温度进行控制的温度控制单元，该温度控制单元具备与所述基板接触的板状的主体、埋设在该主体内的多个直线状的加热器和形成于所述主体内并在内部流通规定温度的介质的介质流路，其中，各所述加热器彼此平行地配置，所述介质流路以经由相邻的两个所述加热器之间的部分的方式配置，该基板控制方法的特征在于：
在将所述基板向目标冷却温度冷却时，向所述介质流路供给温度低于所述目标冷却温度的介质。
10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述温度控制单元的主体的温度达到比所述目标冷却温度只高第一规定温度的第一控制变更温度时，将向所述介质流路供给的介质的温度变更为所述目标冷却温度。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于：
所述第一规定温度为2℃以上且低于20℃。
12.如权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述温度控制单元的主体的温度达到比所述目标冷却温度只高第二规定温度的第二控制变更温度时，使所述加热器放热，
所述第二规定温度低于所述第一规定温度。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于：
所述第二规定温度为1℃以上且低于10℃。
14.如权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
在将所述基板向目标加热温度加热时，使所述加热器放热，向所述介质流路供给温度高于所述目标加热温度的介质。
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