KR20130012553A - 온도 제어 유닛, 기판 탑재대, 기판 처리 장치, 온도 제어 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

온도 제어 유닛, 기판 탑재대, 기판 처리 장치, 온도 제어 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있는 온도 제어 유닛을 제공한다.
기판(W)과 접촉하여 상기 기판(W)의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛(15)은, 기판(W)과 접촉하는 판 형상의 유닛 본체(16)와, 상기 유닛 본체(16) 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터(17)와, 유닛 본체(16) 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 칠러 유로를 구비하고, 각 히터(17)는 서로 평행하게 배치되며, 칠러 유로(18)는 인접하는 2개의 히터(17) 사이의 부분을 경유하도록 배치되고, 유닛 본체(16)를 평면으로 봤을 때의 하나의 히터(17)에 수직 방향에 대해, 각 히터(17) 및 칠러 유로(18)는 교대로 등간격으로 배치된다.

Description

온도 제어 유닛, 기판 탑재대, 기판 처리 장치, 온도 제어 시스템 및 기판 처리 방법{TEMPERATURE CONTROL UNIT, SUBSTRATE MOUNTING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, TEMPERATURE CONTROL SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판에, 처리 온도가 다른 복수의 열 처리를 실시할 때에 이용되는 온도 제어 유닛, 기판 탑재대, 기판 처리 장치, 온도 제어 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
FPD(Flat Panel Display), 태양 전지 또는 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)의 제조 과정에서, 기판에 각종 열 처리, 예컨대 성막 처리가 실시된다. 종래, 기판에, 처리 온도가 다른 복수의 열 처리를 실시하는 경우, 열 처리마다 다른 기판 처리 장치가, 기판에, 해당하는 열 처리를 실시했지만, 최근, 생산성 향상의 관점에서 스루풋을 향상시키기 위해서, 하나의 기판 처리 장치에서 처리 온도가 다른 복수의 열 처리를 실시하는 것이 요구되고 있다.
이러한 기판 처리 장치로서, 처리실 내에서 기판을 탑재하는 기판 탑재대를 구비하고, 상기 기판 탑재대는, 매체 유로가 형성된 냉각 자켓과, 상기 냉각 자켓 아래에 배치된 히터를 가진 기판 처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 히터를 발열시켜서, 기판 탑재대에 있어서의 탑재면, 구체적으로는 냉각 자켓에 있어서의 기판과의 접촉면의 온도를 상승시킴으로써 기판을 가열하고, 냉각 자켓의 매체 유로에 저온의 냉매를 흘려서 상기 접촉면의 온도를 하강시킴으로써 기판을 냉각한다.
일본 특허 공고 평 7-105422호 공보
그러나, 특허문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 냉각 자켓과 히터가 개별적인 것으로서 나누어져 있기 때문에, 냉각 자켓과 히터 사이에 물리적인 경계가 발생한다. 상기 경계는, 예컨대 히터에 의해서 기판을 가열할 때, 열 저항으로서 히터로부터의 열이 냉각 자켓으로 전달되는 것을 저해하기 때문에, 기판의 온도가 빠르게 변화하지 않는다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 기판의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있는 온도 제어 유닛, 기판 탑재대, 기판 처리 장치, 온도 제어 시스템 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 온도 제어 유닛은, 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛으로서, 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 구비하고, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 온도 제어 유닛은 청구항 1에 기재된 온도 제어 유닛에 있어서, 상기 본체를 평면으로 봤을 때의 하나의 상기 히터에 수직 방향에 대해, 각 상기 히터 및 상기 매체 유로는 교대로 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 온도 제어 유닛은 청구항 1 또는 2에 기재된 온도 제어 유닛에 있어서, 상기 본체에 있어서의 상기 기판과의 접촉면과는 반대측의 면에서, 상기 본체 내에 매설된 각 히터의 위치에 대응하도록 배치된 덮개를 더 구비하고, 상기 덮개는 개폐 가능한 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 온도 제어 유닛은 청구항 3에 기재된 온도 제어 유닛에 있어서, 상기 본체는 상기 덮개를 부착하기 위한 나사용의 나사 구멍을 갖고, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터의 사이에서 상기 나사 구멍을 피하도록 지그재그 형상인 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 온도 제어 유닛은 청구항 4에 기재된 온도 제어 유닛에 있어서, 상기 지그재그 형상인 매체 유로에 있어서의 구부림부의, 상기 본체를 평면으로 봤을 때의 곡율은 반경 40mm 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 6에 기재된 기판 탑재대는 기판을 탑재하는 기판 탑재대로서, 상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과, 상기 온도 제어 유닛을 지지하는 기부(基部)를 구비하고, 상기 온도 제어 유닛은, 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 갖고, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 7에 기재된 기판 처리 장치는 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판을 수용하는 수용실과, 상기 수용실 내에 배치되며 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대를 구비하고, 상기 기판 탑재대는, 상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과, 상기 온도 제어 유닛을 지지하는 기부를 갖고, 상기 온도 제어 유닛은 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 갖고, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 8에 기재된 온도 제어 시스템은 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로서, 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 갖고, 상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과, 상기 히터의 발열량을 제어하는 히터 제어 유닛과, 상기 매체 유로를 흐르는 매체의 유량이나 온도를 제어하는 매체 제어 유닛을 구비하고, 상기 온도 제어 유닛의 상기 본체에 있어서, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되고, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 9에 기재된 기판 처리 방법은 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛으로, 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 구비하고, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터의 사이에 위치하도록 배치되는 온도 제어 유닛을 이용하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판을 목표 냉각 온도까지 냉각할 때, 상기 매체 유로에 상기 목표 냉각 온도보다 낮은 온도의 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
청구항 10에 기재된 기판 처리 방법은, 청구항 9에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 온도 제어 유닛의 본체의 온도가, 상기 목표 냉각 온도보다 제 1 소정 온도만큼 높은 제 1 제어 변경 온도에 도달했을 때, 상기 매체 유로로 공급되는 매체의 온도를 상기 목표 냉각 온도로 변경하는 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 기재된 기판 처리 방법은, 청구항 10에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제 1 소정 온도는 2℃ 이상 또한 20℃ 미만인 것을 특징으로 한다.
청구항 12에 기재된 기판 처리 방법은 청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 온도 제어 유닛의 본체의 온도가, 상기 목표 냉각 온도보다 제 2 소정 온도만큼 높은 제 2 제어 변경 온도에 도달했을 때, 상기 히터를 발열시키고, 상기 제 2 소정 온도는 상기 제 1 소정 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다.
청구항 13에 기재된 기판 처리 방법은 청구항 12에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 제 2 소정 온도는 1℃ 이상 또한 10℃ 미만인 것을 특징으로 한다.
청구항 14에 기재된 기판 처리 방법은 청구항 9 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 목표 가열 온도까지 가열할 때, 상기 히터를 발열시킴과 아울러, 상기 매체 유로에 상기 목표 가열 온도보다 높은 온도의 매체를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 온도 제어 유닛의 본체 내에, 매체 유로뿐만 아니라 복수의 히터가 배치되기 때문에, 히터로부터의 열이 본체에 전달되는 것이 저해받는 일이 없다. 그 결과, 기판의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있다. 또한, 각 히터는 서로 평행하게 배치되고, 매체 유로는 인접하는 2개의 히터 사이에 위치하도록 배치되기 때문에, 본체에 있어서의 가열 개소 및 냉각 개소의 배치의 밸런스를 향상시킬 수 있고, 따라서 본체와 접촉하는 기판의 온도를 안정되고 또한 균일하게 변화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판을 목표 냉각 온도까지 냉각할 때, 온도 제어 유닛의 본체 내의 매체 유로에 목표 냉각 온도보다 낮은 온도의 매체를 공급하기 때문에, 기판의 냉각을 신속하게 행할 수 있으며, 따라서 기판의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도,
도 2는 도 1에 있어서의 온도 제어 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로, 도 2(a)는 수평 단면도이고, 도 2(b)는 세로 단면도이며, 도 2(c)는 저면도,
도 3은 도 1에 있어서의 온도 제어 유닛의 변형예의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로, 도면 3(a)은 수평 단면도이고, 도 3(b)는 세로 단면도이며, 도 3(c)는 저면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의 기판의 냉각시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 변형예에 있어서의 기판의 냉각시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의 기판의 가열시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도,
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 변형예에 있어서의 기판의 가열시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
우선, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해서 설명한다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는, 기판을 수용하는 수용실(11)과, 상기 수용실(11) 내의 하부에 배치되며 기판(W)을 탑재하는 기판 탑재대(12)와, 수용실(11) 내의 상부에서 기판 탑재대(12)와 대향하도록 배치된, 샤워 헤드 형상의 가스 공급부(13)를 구비하여, 수용실(11)에 수용된 기판(W)에 성막 처리를 실시한다.
기판 탑재대(12)는 탑재된 기판(W)의 온도를 제어하고, 가스 공급부(13)는 수용실(11) 내에 처리 가스를 공급한다. 기판 처리 장치(10)에서는, 가스 공급부(13)가 성막용 처리 가스를 공급함과 아울러, 기판 탑재대(12)가 기판(W)을 소정의 고온까지 가열함으로써 상기 기판(W)에 성막 처리를 실시한다.
기판 탑재대(12)는, 수용실(11)의 아래 쪽으로부터 세워 마련된 기부(14)와, 상기 기부(14)가 상단(上端)에서 지지하는 온도 제어 유닛(15)을 갖는다. 온도 제어 유닛(15)은 기판(W)에 접촉하는 판 형상의 유닛 본체(16)와, 내부에 매설된 히터(17)와, 같은 내부에 형성된 칠러(chiller) 유로(18)(매체 유로)와, 같은 내부에 매설된 온도 센서(A)를 갖는다. 유닛 본체(16)는 전열성이 높은 재료, 예컨대 알루미늄으로 이루어지고, 히터(17)는 외부의 히터 컨트롤러(19)(히터 제어 유닛)와 배선(20)을 통해서 접속되며, 상기 히터 컨트롤러(19)로부터 전력을 공급받아서 발열한다. 칠러 유로(18)는 외부의 칠러 컨트롤러(21)(매체 제어 유닛)와 배관(22)을 통해서 접속되며, 칠러 유로(18)의 내부에는, 칠러 컨트롤러(21)로부터 순환 공급된 매체, 예컨대 갈덴(등록상표)이 흐른다.
히터(17)는 발열함으로써 유닛 본체(16)의 온도를 상승시켜서 상기 유닛 본체(16)에 접촉하고 있는 기판(W)을 가열하고, 칠러 유로(18)는 그 내부에 저온의 매체(냉매)가 흐름으로써 유닛 본체(16)의 온도를 하강시켜서, 상기 유닛 본체(16)에 접촉하고 있는 기판(W)을 냉각시킨다. 히터 컨트롤러(19), 칠러 컨트롤러(21) 및 온도 센서(A)는 장치 컨트롤러(23)와 접속되고, 장치 컨트롤러(23)는, 유닛 본체(16)에 매설된 온도 센서(A)의 온도가 소정의 범위에 들어가도록, 히터 컨트롤러(19) 및 칠러 컨트롤러(21)를 제어한다. 구체적으로는, 히터 컨트롤러(19)는 장치 컨트롤러(23)로부터 신호를 수신하고, 상기 신호에 따라서 히터(17)에 공급하는 전력의 공급량이나 공급 타이밍을 제어하며, 칠러 컨트롤러(21)도 장치 컨트롤러(23)로부터 신호를 수신하고, 상기 신호에 따라서 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도, 공급량이나 공급 타이밍을 제어한다.
도 2는, 도 1에 있어서의 온도 제어 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로, 도 2(a)는 수평 단면도이고, 도 2(b)는 세로 단면도이며, 도 2(c)는 저면도이다.
도 2에 있어서, 온도 제어 유닛(15)의 유닛 본체(16)의 내부에는 온도 센서(A)가 매설되고, 또한 6개의 직선 형상의 히터(17)가 서로 평행하게 배치된다. 온도 센서(A)가 매설되는 위치는, 단면으로 봤을 때, 기판(W)과의 접촉면(16a)에 가까운 개소가 바람직하고(도 2(b) 참조), 저면으로 봤을 때, 중앙부가 바람직하지만(도 2(c) 참조), 특별히 한정되는 것은 아니다. 각 히터(17)는, 각각 3개의 히터(17)를 접속하는 2개의 전선(20)에 의해서, 평면으로 봤을 때 E자 형상인 2개의 세트로 나누어지고 있다. 각 세트는 E자 형상의 개방단끼리가 대향하며, 한쪽 세트에서 인접하는 2개의 히터(17)의 사이에 다른 세트의 하나의 히터(17)가 개재되도록 배치된다.
또한, 유닛 본체(16)의 내부에는 1개의 칠러 유로(18)가 형성되어 있다. 칠러 유로(18)는 평면으로 봤을 때, 인접하는 2개의 히터(17) 사이에서 양 히터(17)로부터 등거리에 위치하도록 양 히터(17) 사이의 부분을 경유하고, 또한 각 히터(17)의 단부(端部)에서 굴곡부를 갖도록 배치된다. 또한, 유닛 본체(16)에서는, 각 히터(17) 및 칠러 유로(18)는, 평면으로 봤을 때 하나의 히터(17)에 수직인 방향 D에 대해 교대로 등간격으로 배치된다(도 2(a)).
유닛 본체(16)에 있어서의 기판(W)과의 접촉면(16a)과는 반대측의 이면(16b)에는, 유닛 본체(16)에 매설된 각 히터(17)의 세트에 대응하도록 E자 형상의 유지 보수용 덮개(24, 25)가 마련된다. 유닛 본체(16)는 유지 보수용 덮개(24, 25)를 상기 유닛 본체(16)에 부착하기 위한 부착 나사용의 나사 구멍(26)을 갖는다. 한편, 본 실시예에서는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 하나의 히터(17)에 대해 2개의 나사 구멍(26)이 마련되지만, 나사 구멍(26)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
온도 제어 유닛(15)에서는, 온도 센서(A)가 고장났을 때, 또는 어떤 히터(17)가 단선되었을 때, 유닛 본체(16)를 떼어 내고, 또한 부착 나사를 제거함으로써 이면의 유지 보수용 덮개(24 또는 25)를 열고, 고장난 온도 센서(A) 또는 단선된 히터(17)를 교체한다.
도 2의 온도 제어 유닛(15)에 의하면, 유닛 본체(16) 내에 칠러 유로(18)뿐만 아니라 복수의 히터(17)가 배치되기 때문에, 히터(17)와 칠러 유로(18)를 별개의 유닛으로서 마련한 경우에 발생하는, 히터(17) 및 칠러 유로(18) 사이의 경계부가 존재하지 않아서, 상기 경계부에 의한 열 저항이 없기 때문에, 히터(17)로부터의 열이 유닛 본체(16)에 전달되는 것이 저해받는 일이 없다. 또한, 유닛 본체(16) 내에 온도 센서(A)가 매설되어 있기 때문에, 유닛 본체(16)의 온도를 정밀도 좋게 측정할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있다.
또한, 온도 제어 유닛(15)에서는, 각 히터(17)는 서로 평행하게 배치되고, 칠러 유로(18)는 인접하는 2개의 히터(17) 사이의 부분을 경유하도록 배치되며, 또한 유닛 본체(16)을 평면으로 봤을 때 하나의 히터(17)에 수직인 방향 D에 대해, 각 히터(17) 및 칠러 유로(18)가 교대로 등간격으로 배치되어 있기 때문에, 유닛 본체(16)에 있어서의 가열 개소 및 냉각 개소의 배치의 밸런스를 향상시킬 수 있다. 그 결과, 유닛 본체(16)와 접촉하는 기판(W)의 온도를 안정되고 또한 균일하게 변화시킬 수 있다.
또한, 유닛 본체(16)의 온도를 감시하는 온도 센서(A)를 기판(W)과의 접촉면(16a)에 가능한 한 가까운 위치에 매설함으로써 기판(W)과, 온도 센서(A)에 의해서 측정된 유닛 본체(16) 사이의 온도 구배를 작게 할 수 있기 때문에, 기판(W)의 온도를 정밀도 좋게 제어할 수 있다.
또한, 온도 제어 유닛(15)은 유닛 본체(16)의 이면(16b)에서, 각 히터(17)의 위치에 대응하여 배치된 개폐 가능한 유지 보수용 덮개(24, 25)를 더 구비하고 있기 때문에, 온도 센서(A) 또는 히터(17)가 파손되어도 상기 히터(17)를 교환할 수 있고, 따라서 온도 제어 유닛(15)의 러닝 코스트를 저감할 수 있다. 또한, 유지 보수용 덮개(24, 25)가 유닛 본체(16)의 접촉면(16a)이 아닌 이면(16b)에 배치되어 있기 때문에, 유지 보수용 덮개(24, 25)와 유닛 본체(16) 사이의 경계가 열 저항이 되어, 히터(17)에 의한 기판(W)의 가열이나 칠러 유로(18)의 내부에 흐르는 냉매에 의한 기판(W)의 냉각을 저해하는 일이 없으며, 따라서 기판(W)의 온도를 보다 빠르게 변화시킬 수 있다.
아울러, 본 실시예에 있어서는, 히터(17)가 서로 평행한 직선 형상의 히터로서 설명되었지만, 열 교환을 행하는 영역의 형상에 맞춰서, 같은 형상의 곡선 형상의 히터를 서로로부터의 거리가 일정하게 되도록 배치해도 된다. 이 경우, 곡선 형상의 히터에서는, 예컨대, 원호 형상의 곡선이나, 포물선 형상의 곡선으로 구성되는 히터여도 되고, 또한 한 방향을 향해서 지그재그 형상인 곡선 형상의 히터여도 된다. 지그재그 형상의 히터의 경우, 인접하는 히터가 서로 경면 대칭이 되는 형상이어도 되고, 평행 이동하는 형상이어도 된다.
나아가, 본 실시예에 있어서는, 칠러 유로(18)는 하나의 유로로 이루어지는 1 계통의 유로로서 설명했지만, 2개 또는 그 이상의 유로로 이루어지는 복수 계통의 유로로 구성해도 된다. 하나의 유로에서는 상류와 하류 사이에 온도차가 생기기 쉽지만, 복수의 유로로 구성하면, 1 계통의 유로가 짧아지기 때문에, 상류와 하류 사이의 온도차를 줄일 수 있어, 유닛 본체(16)에 있어서의 면 내에서의 열 교환의 불균일을 완화시킬 수 있다.
도 3은 도 1에 있어서의 온도 제어 유닛의 변형예의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로, 도 3(a)는 수평 단면도이고, 도 3(b)는 세로 단면도이며, 도 3(c)는 저면도이다. 본 변형예는, 히터의 수나 칠러 유로의 형상이 도 2의 온도 제어 유닛(15)과 다르다.
그런데, 각 나사 구멍(26)의 기능, 예컨대, 체결력의 발휘나 체결력에 대한 내성을 확보하기 위해서, 각 나사 구멍(26)을 히터(17)나 칠러 유로(18)로부터 일정한 거리 이상 이격해서 배치할 필요가 있다. 그 결과, 히터(17)나 칠러 유로(18)의 배치 장소는 나사 구멍(26)의 배치 장소에 좌우된다. 구체적으로 도 2의 온도 제어 유닛(15)에서는, 히터(17)나 칠러 유로(18)가 직선 형상으로 형성되기 때문에, 각 나사 구멍(26)의 배치 장소를 고려하면, 각 히터(17) 및 칠러 유로(18)를 어느 일정 이상 근접시킬 수 없어서, 배치할 수 있는 히터(17)의 수가 제한되고, 또한 매체 유로(18)도 미세하게 굴곡시킬 수 없어서, 유닛 본체(16)에 있어서의 면 내의 온도 분포가 불균일하게 될 우려가 있다. 이에 반해서, 도 3의 온도 제어 유닛(27)에서는, 인접하는 2개의 히터(17)의 사이에서 부착 나사용의 나사 구멍(26)을 피해서 칠러 유로(18)가 지그재그 형상으로 되어 있다. 이로써, 칠러 유로(18)에서의 각 구부림부(18a)의 안쪽에 각 나사 구멍(26)을 배치하면, 각 나사 구멍(26)으로부터 칠러 유로(18)까지 일정한 거리를 확보할 수 있음과 아울러, 상기 구부림부(18a)와 인접하는 구부림부(18b)를 히터(17)에 근접시킬 수 있다. 이로써, 각 히터(17) 및 칠러 유로(18)를, 도 2의 온도 제어 유닛(15)에 있어서의 히터(17) 및 칠러 유로(18)보다 근접시킬 수 있다. 그 결과, 유닛 본체(16)에서 보다 많은 히터(17)를 배치하고, 나아가 칠러 유로(18)를 더 미세하게 굴곡시킬 수 있기 때문에, 유닛 본체(16)에 있어서의 면 내의 온도 균일성을 향상시킬 수 있다. 예컨대, 도 3의 온도 제어 유닛(27)에서는, 8개의 히터(17)를 배치할 수 있다.
또한, 온도 제어 유닛(27)에서는, 지그재그 형상의 칠러 유로(18)의, 유닛 본체(16)를 평면으로 봤을 때의 곡율이 반경 40mm 이상으로 설정된다. 이로써, 칠러 유로(18)의 컨덕턴스가 극단적으로 저하되는 일이 없기 때문에, 칠러 유로(18) 내를 흐르는 매체의 압력 손실이 생기는 일이 없어서, 매체의 공급 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
아울러, 본 변형예에 있어서는 칠러 유로(18)를 지그재그 형상으로 하여 나사 구멍(26)을 회피시켰지만, 칠러 유로(18)가 아닌 히터(17)를 지그재그 형상으로 하여 나사 구멍(26)을 회피해도 된다.
다음으로 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 온도 제어 유닛(15)을 구비한 기판 처리 장치(10)에 있어서 장치 컨트롤러(23)가 실행한다. 아울러, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는, 유닛 본체(16)의 온도가 기판(W)의 온도를 대용하는 것으로 하여, 히터(17)나 칠러 유로(18)에 의해서 유닛 본체(16)의 온도를 제어한다.
도 4는, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의 기판의 냉각시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도이다.
도 4에 있어서, 예컨대 250℃의 기판(W)의 목표 냉각 온도, 예컨대 120℃까지의 냉각이 개시되면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력의 공급을 정지하고, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 냉각 온도보다 낮은 온도인 냉각용 온도, 예컨대 80℃까지 저하시킨다. 그 후, 유닛 본체(16)가 냉각용 온도의 매체에 의해서 냉각되어, 목표 냉각 온도보다 2℃ 이상 또한 20℃ 미만의 소정의 온도(제 1 소정 온도)만큼 높은 온도(제 1 제어 변경 온도), 예컨대 130℃에 도달하면, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 냉각 온도로 변경하여, 온도 낮춤 속도를 저하시켜 유닛 본체(16)의 온도 낮춤 정도를 완화시킨다.
본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판(W)을 목표 냉각 온도까지 냉각할 때, 칠러 유로(18)에 목표 냉각 온도보다 낮은 온도(냉각용 온도)의 매체를 공급하기 때문에, 기판(W)의 냉각을 신속하게 행할 수 있고, 따라서 기판(W)의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는, 유닛 본체(16)의 온도가, 목표 냉각 온도보다 높은 제 1 제어 변경 온도에 도달했을 때, 칠러 유로(18)에 공급되는 매체의 온도를 목표 냉각 온도로 변경하기 때문에, 유닛 본체(16)가 과잉으로 냉각되는 일이 없으며, 따라서 유닛 본체(16)의 온도가 목표 냉각 온도를 하회하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는, 히터(17)에의 전력 공급이 정지되면, 그 후, 전력의 공급은 재개되지 않지만, 전력의 공급을 의도적으로 재개시켜도 된다.
도 5는, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법의 변형예에 있어서의 기판의 냉각시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도이다.
도 5에 있어서, 기판(W)의 냉각이 시작되면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력 공급을 정지하고, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 냉각용 온도까지 저하시켜서, 유닛 본체(16)가 냉각되어 제 1 제어 변경 온도에 도달하면, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 냉각 온도로 변경한다.
그 후, 유닛 본체(16)가 더 냉각되어 목표 냉각 온도보다 1℃ 이상 또한 10℃ 미만의 소정의 온도(제 2 소정 온도)만큼 높은 온도(제 2 제어 변경 온도), 예컨대 125℃에 도달하면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력의 공급을 재개한다. 이로써, 매체의 온도를 목표 냉각 온도로 변경한 후에, 유닛 본체(16)의 온도낮춤 속도가 기대한 만큼 내려가지 않아도, 유닛 본체(16)를 가열함으로써 유닛 본체(16)의 온도 낮춤 속도를 완화할 수 있고, 따라서 유닛 본체(16)의 온도가 목표 냉각 온도를 하회하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에서는 기판(W)을 가열할 때에도 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 변경시켜도 된다.
도 6은 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의 기판의 가열시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도이다.
도 6에 있어서, 예컨대, 60℃의 기판(W)의 목표 가열 온도, 예컨대, 250℃까지의 가열이 시작되면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력 공급을 개시하고, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 가열 온도보다 높은 온도인 가열용 온도, 예컨대 280℃까지 상승시킨다. 그 후, 유닛 본체(16)가 가열되어 목표 가열 온도보다 2℃ 이상 또한 20℃ 미만의 소정의 온도만큼 낮은 온도(제 3 제어 변경 온도), 예컨대 240℃에 도달하면, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 가열 온도로 변경한다.
상술한 기판 처리 방법에서는, 기판(W)을 목표 가열 온도까지 가열할 때, 칠러 유로(18)에 목표 가열 온도보다 높은 온도(가열용 온도)의 매체를 공급하기 때문에, 기판(W)의 가열을 신속하게 행할 수 있고, 따라서 기판(W)의 온도를 빠르게 변화시킬 수 있다.
또한, 상술한 기판 처리 방법에서는, 유닛 본체(16)의 온도가, 목표 가열 온도보다 낮은 제 3 제어 변경 온도에 도달했을 때, 칠러 유로(18)에 공급되는 매체의 온도를 목표 가열 온도로 변경하기 때문에, 유닛 본체(16)가 과잉으로 가열되는 일이 없으며, 따라서 유닛 본체(16)의 온도가 목표 가열 온도를 상회하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 기판 처리 방법에서는, 히터(17)에의 전력 공급이 개시되면, 그 후 전력 공급은 정지되지 않지만, 의도적으로 전력 공급을 정지시켜도 된다.
도 7은 본 실시예에 따른 기판 처리 방법의 변형예에 있어서의 기판의 가열시의 각 부 온도를 나타내는 시퀀스도이다.
도 7에 있어서, 기판(W)의 가열이 개시되면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력 공급을 개시하고, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 가열용 온도까지 상승시켜서, 유닛 본체(16)가 가열되어 제 3 제어 변경 온도에 도달하면, 칠러 컨트롤러(21)는 칠러 유로(18)에 공급하는 매체의 온도를 목표 가열 온도로 변경한다.
그 후, 유닛 본체(16)가 더 가열되어 목표 가열 온도보다 1℃ 이상 또한 10℃ 미만의 소정의 온도만큼 낮은 온도(제 4 제어 변경 온도), 예컨대 245℃에 도달하면, 히터 컨트롤러(19)는 히터(17)에의 전력 공급을 정지한다. 이로써, 매체의 온도를 목표 가열 온도로 변경한 후에, 유닛 본체(16)의 승온 속도가 기대한 만큼 내려가지 않아도, 히터(17)의 발열을 정지하여 유닛 본체(16)에의 열의 공급량을 급격히 줄임으로써 유닛 본체(16)의 승온 속도를 완화할 수 있으며, 따라서 유닛 본체(16)의 온도가 목표 가열 온도를 상회하는 것을 확실하게 방지할 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법이 실행되는 기판 처리 장치(10)의 기판 탑재대(12)에 있어서의 온도 제어 유닛(15)은 상술한 바와 같이, 유닛 본체(16) 내에 칠러 유로(18)뿐만 아니라 복수의 히터(17) 및 온도 센서(A)가 배치되어, 유닛 본체(16)의 온도는 온도 센서(A)에 의해서 칠러 유로(18)의 내부에 흐르는 매체의 온도나 히터(17)의 온도를 감시함으로써 도 6이나 도 7에 나타낸 바와 같은, 히터(17)에 의한 가열과 칠러 유로(18)에 의한 가열을 병용하는 기판 처리 방법을 정밀도 좋게 실행할 수 있다.
상술한 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 처리 온도가 다른 복수의 성막 처리 사이에서의 기판(W)의 온도 조정에 적절하게 사용되지만, 상기 기판 처리 방법을 실행할 때의 수용실(11) 내의 압력은 특별히 한정되지 않고, 대기압 내지 진공 중 어느 것이어도 된다.
또한, 상술한 본 실시예에서는 성막 처리를 행하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명을 적용할 수 있는 처리로서는 신속한 온도 변화를 필요로 하는 처리이면 되고, 상술한 성막 처리로는 한정되지 않는다.
또한, 상술한 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 장치 컨트롤러(23)가 실행했지만, 기판 처리 장치(10)와 네트워크를 통해서 접속된 외부의 서버(도시 생략)가 히터 컨트롤러(19)나 칠러 컨트롤러(21)의 동작을 제어함으로써 실행해도 된다.
아울러, 칠러 유로(18)에 공급되는 매체는, 갈덴으로 한정되지 않고, 예컨대, 오일계의 매체인 실리콘 오일을 이용할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해서 상기 실시예를 이용해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 목적은 상술한 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기록한 기억 매체를, 컴퓨터 등에 공급하고, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램을 판독해서 실행하는 것에 의해서도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 자체가 상술한 실시예의 기능을 실현하게 되고, 프로그램 및 이 프로그램을 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예컨대, RAM, NV-RAM, 플로피(등록상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 비휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의, 상기 프로그램을 기억할 수 있는 것이면 된다. 혹은, 상기 프로그램은 인터넷, 상용 네트워크, 또는 LAN 등에 접속되는 도시 생략한 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드해서 컴퓨터에 공급되어도 된다.
또한, 컴퓨터의 CPU가 판독한 프로그램을 실행함으로써 상기 실시예의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 이 프로그램의 지시에 기초해서, CPU 상에서 가동되고 있는 OS(operating system) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 이 처리에 의해서 상술한 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독한 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비된 메모리에 기입된 후, 이 프로그램의 지시에 기초해서, 이 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비된 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 이 처리에 의해서 상술한 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프레터에 의해 실행되는 프로그램, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 된다.
A : 온도 센서 10 : 기판 처리 장치
12 : 기판 탑재대 15, 27 : 온도 제어 유닛
16 : 유닛 본체 17 : 히터
18 : 칠러 유로 19 : 히터 컨트롤러
21 : 칠러 컨트롤러 24, 25 : 유지 보수용 덮개
26 : 나사 구멍

Claims (14)

  1. 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛으로서,
    상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와,
    상기 본체에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와,
    상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로
    를 구비하고,
    각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며,
    상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것
    을 특징으로 하는 온도 제어 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체를 평면으로 봤을 때의 하나의 상기 히터에 수직 방향에 대해, 각 상기 히터 및 상기 매체 유로는 교대로 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 유닛.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 본체에 있어서의 상기 기판과의 접촉면과는 반대측의 면에서, 상기 본체 내에 매설된 각 히터의 위치에 대응하도록 배치된 덮개를 더 구비하고,
    상기 덮개는 개폐 가능한 것
    을 특징으로 하는 온도 제어 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 본체는 상기 덮개를 부착하기 위한 나사용의 나사 구멍을 갖고,
    상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이에서 상기 나사 구멍을 피하도록 지그재그 형상인 것
    을 특징으로 하는 온도 제어 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 지그재그 형상인 매체 유로의 구부림부의, 상기 본체를 평면으로 봤을 때의 곡율은 반경 40mm 이상인 것을 특징으로 하는 온도 제어 유닛.
  6. 기판을 탑재하는 기판 탑재대로서,
    상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과,
    상기 온도 제어 유닛을 지지하는 기부(基部)
    를 구비하고,
    상기 온도 제어 유닛은
    상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와,
    상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와,
    상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로
    를 갖고,
    각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며,
    상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 탑재대.
  7. 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판을 수용하는 수용실과,
    상기 수용실 내에 배치되며 상기 기판을 탑재하는 기판 탑재대
    를 구비하고,
    상기 기판 탑재대는,
    상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과,
    상기 온도 제어 유닛을 지지하는 기부
    를 갖고,
    상기 온도 제어 유닛은
    상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와,
    상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와,
    상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로
    를 갖고,
    각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며,
    상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 시스템으로서,
    상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 갖고, 상기 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛과,
    상기 히터의 발열량을 제어하는 히터 제어 유닛과,
    상기 매체 유로를 흐르는 매체의 유량이나 온도를 제어하는 매체 제어 유닛
    을 구비하며,
    상기 온도 제어 유닛의 상기 본체에 있어서, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되고, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 것
    을 특징으로 하는 온도 제어 시스템.
  9. 기판과 접촉하여 상기 기판의 온도를 제어하는 온도 제어 유닛으로, 상기 기판과 접촉하는 판 형상의 본체와, 상기 본체 내에 매설된 복수의 직선 형상의 히터와, 상기 본체 내에 형성되며, 그 내부에 소정의 온도의 매체가 흐르는 매체 유로를 구비하고, 각 상기 히터는 서로 평행하게 배치되며, 상기 매체 유로는 인접하는 2개의 상기 히터 사이의 부분을 경유하도록 배치되는 온도 제어 유닛을 이용하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판을 목표 냉각 온도까지 냉각할 때, 상기 매체 유로에 상기 목표 냉각 온도보다 낮다 온도의 매체를 공급하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 온도 제어 유닛의 본체의 온도가, 상기 목표 냉각 온도보다 제 1 소정 온도만큼 높은 제 1 제어 변경 온도에 도달했을 때, 상기 매체 유로에 공급되는 매체의 온도를 상기 목표 냉각 온도로 변경하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 소정 온도는 2℃ 이상 또한 20℃ 미만인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 온도 제어 유닛의 본체의 온도가, 상기 목표 냉각 온도보다 제 2 소정 온도만큼 높은 제 2 제어 변경 온도에 도달했을 때, 상기 히터를 발열시키고,
    상기 제 2 소정 온도는 상기 제 1 소정 온도보다 낮은 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 소정 온도는 1℃ 이상 또한 10℃ 미만인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 목표 가열 온도까지 가열할 때, 상기 히터를 발열시킴과 아울러, 상기 매체 유로에 상기 목표 가열 온도보다 높은 온도의 매체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6404101B2 (ja) * 2013-12-05 2018-10-10 Ckd株式会社 配管継手、流体供給制御装置、及び配管接続構造
JP2016168780A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 富士フイルム株式会社 液体供給装置及び画像形成装置
JP6525751B2 (ja) 2015-06-11 2019-06-05 東京エレクトロン株式会社 温度制御方法及びプラズマ処理装置
US10648080B2 (en) * 2016-05-06 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Full-area counter-flow heat exchange substrate support
KR101958636B1 (ko) 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법
JP2023161767A (ja) * 2022-04-26 2023-11-08 Ckd株式会社 温度調整用流量制御ユニットおよび半導体製造装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3188363B2 (ja) * 1994-01-21 2001-07-16 エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法
JP3527382B2 (ja) * 1997-03-13 2004-05-17 三菱電機株式会社 均熱装置
JPH11173774A (ja) * 1997-12-05 1999-07-02 Komatsu Ltd プレート形ヒートパイプ及びこれを用いた温度制御装置
JP3129417B2 (ja) * 1999-03-11 2001-01-29 三菱重工業株式会社 加熱冷却装置及び電気特性評価装置
JP2000269189A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Sony Corp プラズマエッチング法
JP2001209056A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Shinetsu Engineering Kk 液晶パネル製造装置
JP2001318720A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Komatsu Ltd 温度制御方法及び装置
JP4153781B2 (ja) * 2002-01-31 2008-09-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および基板処理装置
JP4625394B2 (ja) * 2005-10-04 2011-02-02 三菱重工業株式会社 製膜装置、製膜方法
JP4625783B2 (ja) 2006-04-03 2011-02-02 株式会社フューチャービジョン 基板ステージ及び基板処理装置
US20080035306A1 (en) * 2006-08-08 2008-02-14 White John M Heating and cooling of substrate support
KR100875388B1 (ko) * 2006-12-07 2008-12-23 에이비엠 주식회사 티에프티-엘씨디, 반도체 및 오엘이디 제조설비용핫플레이트의 제조방법
JP4988459B2 (ja) * 2007-07-04 2012-08-01 エスペック株式会社 試験用恒温装置及び半導体ウエハの性能試験装置

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