一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线
本申请要求于2012年5月4日提交中国专利局、申请号为2012101370933、发明名称为“一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及制冷电机线圈制造领域,特别涉及一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线。
背景技术
目前,电机定子线圈用导线大多遵循《GB/T 7672-玻璃丝包绕组线》的标准。其中,双玻璃丝包聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线主要用于高压电机定子绕组线圈的制作。该线具有耐高温、耐高压的特点,其耐热等级为F和H级,耐压标准大于或等于2.5KV。
由于薄膜绝缘层的机械强度较差,在绕制线圈绕组时,易损坏薄膜层,从而影响电磁线的绝缘性能。为了克服这一缺点,采取了在薄膜层外再绕包一层玻璃丝用于保护薄膜层,以提高电磁线的机械性能,同时也提高了电磁线的抗潮湿性能和耐热性能,并大大提高了对电机绕组工艺的适应范围。
常规玻璃丝包线采用含石蜡浸润剂的无碱玻璃丝,在压缩机的冷冻剂介质中,石蜡润滑剂会析出,造成制冷系统毛细管堵塞,损坏压缩机的运行,对耐冷冻剂性能造成影响。
综上所述,如何解决玻璃丝包容易造成毛细管路的堵塞问题,成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题为提供一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线,使用该方法制造出的玻璃丝包铜扁线能够实现解决在压缩机的冷冻剂介质中玻璃丝包铜扁线容易造成毛细管路的堵塞问题的目的。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种玻璃丝包铜扁线的制造方法,包括:
步骤1、对铜扁线进行聚酰亚胺薄膜绕包热封处理;
步骤2、对所述铜扁线进行无碱无石蜡玻璃丝缠绕;
步骤3、对缠绕玻璃丝后的所述铜扁线进行耐冷冻剂玻璃丝包线浸渍绝缘漆浸渍并烘烤固化处理。
优选地,所述步骤1之前还包括对所述铜扁线的预处理,所述预处理包括:
步骤a、对所述铜扁线进行拉制、退火处理
步骤b、对所述铜扁线进行校直处理;
步骤c、对所述铜扁线进行清洗处理。
优选地,所述步骤1与所述步骤2之间还包括:
步骤11、对所述铜扁线进行薄膜绕包热封处理;
步骤12、对薄膜绕包热封处理后的所述铜扁线进行热压处理。
优选地,所述步骤3的具体操作为:在所述铜扁线进行无碱无石蜡玻璃丝缠绕的过程中,在每缠绕一层所述无碱无石蜡玻璃丝的操作后,就对所述铜扁线进行浸渍漆处理,然后进行烘烤固化处理。
优选地,所述步骤3对缠绕玻璃丝后的所述铜扁线进行浸渍漆处理所使用的漆为耐冷冻剂玻璃丝包线绝缘树脂浸渍漆,所述绝缘树脂漆的组分为:95至105质量份的不饱和环氧酯、17至23质量份的酚醛树脂、17至23质量份的丙烯酸酯、0.2至0.4质量份的过氧化二异丙苯、0.08至0.12质量份的环烷酸钴、0.04至0.06质量份的对苯醌。
本发明还提供了一种玻璃丝包铜扁线,包括铜扁线,所述铜扁线的外侧缠绕有无碱无石蜡玻璃丝。
优选地,所述铜扁线的外侧表面绕包有聚酰亚胺薄膜。
优选地,所述无碱无石蜡玻璃丝构成玻璃丝层,所述玻璃丝层的外侧浸渍有绝缘树脂漆层。
本发明提供了一种玻璃丝包铜扁线的制造方法,用于制造一种铜扁线,包括:步骤S1包膜热封处理,对铜扁线进行聚酰亚胺薄膜绕包热封处理,步骤1的目的在于提高铜扁线绕组的耐电压击穿性能;步骤S2缠绕玻璃丝,对铜扁线进行无碱无石蜡玻璃丝缠绕,由于步骤S1中铜扁线表面绕包有聚酰亚胺薄膜从而构成薄膜绝缘层,薄膜绝缘层的机械强度较差,在绕制线圈绕组时,易损坏薄膜层,因此采取了在薄膜绝缘层外再绕包一层玻璃丝用于保护薄膜绝缘层,以提高电磁线的机械性能,同时也提高了电磁线的抗潮湿性能和耐热性能,并大大提高了对电机绕组工艺的适应范围;步骤S3浸渍漆处理,对缠绕玻璃丝后的铜扁线进行浸渍漆处理,从而进一步提高铜扁线的绝缘性能。
在本发明提供的玻璃丝包铜扁线的制造方法中,对铜扁线进行缠绕的玻璃丝采用无碱无石蜡玻璃丝,由于玻璃丝不经过石蜡的浸润处理(现有技术中采用的玻璃丝处理方法),从而能够避免由于在使用过程,石蜡渗出而堵塞冷却系统的情况发生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明一种实施例中玻璃丝包铜扁线的制造方法的流程图;
图2为本发明一种实施例中玻璃丝包铜扁线的结构示意图;
图2中部件名称与附图标记的对应关系为:
铜扁线1;聚酰亚胺薄膜2;无碱无石蜡玻璃丝3;绝缘树脂漆层4。
具体实施方式
本发明的核心为提供一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线,使用该方法制造出的玻璃丝包铜扁线由于使用无碱无石蜡玻璃丝对铜扁线进行缠绕包覆,因此实现了解决现有技术中玻璃丝容易造成毛细管路的堵塞问题的目的。
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
请参考图1,图1为本发明一种实施例中玻璃丝包铜扁线的制造方法的流程图。
本发明提供了一种玻璃丝包铜扁线的制造方法,用于制造一种铜扁线,使其能够实现解决围绕于铜扁线1外围的玻璃丝容易造成毛细管路的堵塞问题。为了实现解决该问题的目的,本发明提出了如下技术方案。包括:步骤S 1包膜热封处理,对铜扁线1进行聚酰亚胺薄膜2的绕包热封处理,步骤1的目的在于提高铜扁线绕组的耐电压击穿性能;步骤S2缠绕玻璃丝,对铜扁线1进行无碱无石蜡玻璃丝缠绕,由于步骤S 1中铜扁线1表面绕包有聚酰亚胺薄膜2从而构成薄膜绝缘层,薄膜绝缘层的机械强度较差,在绕制线圈绕组时,易损坏薄膜层,因此采取了在薄膜绝缘层外再绕包一层无碱无石蜡玻璃丝3用于保护薄膜绝缘层,以提高电磁线的机械性能,同时也提高了电磁线的抗潮湿性能和耐热性能,并大大提高了对电机绕组工艺的适应范围;步骤S3浸渍漆处理,对缠绕无碱无石蜡玻璃丝3后的铜扁线1进行浸渍漆处理,从而进一步提高铜扁线1的绝缘性能。
在本发明提供的玻璃丝包铜扁线的制造方法中,对铜扁线1进行缠绕的玻璃丝采用无碱无石蜡玻璃丝3,由于玻璃丝不经过石蜡的浸润处理(石蜡的浸润处理是现有技术中采用的玻璃丝处理方法),从而能够避免在使用过程中,石蜡渗出而堵塞冷却系统的情况发生。
一般情况下,为了便于铜扁线1进行包膜热封处理,本发明在步骤S 1之前还对铜扁线1进行了预处理操作。具体地,预处理包括:步骤a拉制退火处理,对铜扁线拉制成设计规格,并退火软化;步骤b校直处理,对铜扁线1进行校直处理,使其最大程度地保持直线状态;步骤c清洗处理,对铜扁线1进行清洗处理,保证铜扁线1的表面洁净。在步骤c中,对铜扁线1进行清洗处理后,还能够提高步骤S1中涂覆的聚酰亚胺薄膜2与铜扁线1之间的粘连性,降低了聚酰亚胺薄膜2的脱落情况的发生概率。
具体地,在步骤S 1与步骤S2之间还包括:
步骤S11热封处理,对铜扁线1进行热封处理;
步骤S12热压处理,对热封处理后的铜扁线1进行热压处理。
步骤S11的目的在于将步骤S1中铜扁线1表面绕包的聚酰亚胺薄膜2进行加热,使得聚酰亚胺薄膜2中的粘连剂融化,如此设置能够保证呈液态的粘连剂充分分布于铜扁线1上以及相邻的铜扁线1之间。步骤S12是在进行热封处理后等热封温度降低时,粘连剂凝固,经过热压,薄膜与铜线之间、薄膜与薄膜的边缘之间就能牢牢地粘在一起。
步骤S3浸渍漆处理,对缠绕玻璃丝后的铜扁线1进行浸渍漆处理,其目的在于进一步提高铜扁线1的绝缘性能。在本实施例中,步骤S3的具体操作过程为:在铜扁线1进行无碱无石蜡玻璃丝3缠绕的过程中,在每缠绕一层无碱无石蜡玻璃丝3的操作后,就进行一次对铜扁线1的浸渍漆处理。浸渍漆处理的目的在于提高铜扁线1的绝缘性,因此,作为更优选的实施方式之一,本发明还可以在铜扁线1进行了聚酰亚胺薄膜2绕包处理之后就进行第一次浸渍漆处理,然后再进行无碱无石蜡玻璃丝3的缠绕操作。
具体地,步骤S3中对缠绕玻璃丝后的铜扁线1进行浸渍漆处理所使用的漆为耐冷冻剂玻璃丝包线绝缘树脂浸渍漆,绝缘漆的组分为:95至105质量份的不饱和环氧酯、17至23质量份的酚醛树脂、17至23质量份的丙烯酸酯、0.2至0.4质量份的过氧化二异丙苯、0.08至0.12质量份的环烷酸钴、0.04至0.06质量份的对苯醌。
经过发明人长期的实验测得,当采用:100质量份的不饱和环氧酯、20质量份的酚醛树脂、20质量份的丙烯酸酯、0.3质量份的过氧化二异丙苯、0.1质量份的环烷酸钴、0.5质量份的对苯醌进行均匀搅拌后的绝缘漆性能最为稳定。
请参考图2,图2为本发明一种实施例中玻璃丝包铜扁线的结构示意图。
本发明还提供了一种玻璃丝包铜扁线,包括铜扁线1,铜扁线1的外侧缠绕有无碱无石蜡玻璃丝3。本发明所提供的玻璃丝包铜扁线可以通过本发明提供的玻璃丝包铜扁线的制造方法进行制造,由于对铜扁线1进行缠绕的玻璃丝为无碱无石蜡玻璃丝3,因此,在使用本发明所提供的铜扁线1制造的绕组能够避免在使用过程中出现的石蜡对系统的堵塞问题。
具体地,铜扁线1的外侧表面涂覆有聚酰亚胺薄膜2,聚酰亚胺薄膜2能够提高铜扁线1的抗电击穿性能。
具体地,铜扁线1的外侧缠绕的无碱无石蜡玻璃丝3构成玻璃丝层,为了进一步提高铜扁线1的绝缘性能,在本实施例中,玻璃丝层的外侧涂覆有绝缘树脂漆层4。
以上对本发明所提供的一种玻璃丝包铜扁线的制造方法以及一种玻璃丝包铜扁线进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。