CN102899041A - 一种Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种锶硅酸盐氮化物LED荧光粉及其制备方法,包括:根据LED荧光粉的化学通式:W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w,其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2,0.02≤W≤0.2;分别称取氧化钨、氧化钼、二氧化硅和氧化铕;将原料混合均匀,放入通有还原气氛的高温炉内烧结;缓慢降温;取出后的荧光粉破碎过筛;洗涤,烘干,即得到化学式为W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w的荧光粉。该荧光粉化学稳定性好,单一组分演色指数高;作为纯相单一化合物在蓝光LED激发下即可封装成演色指数75以上的照明器件,该荧光粉在高温下抗老化能力极强,可有效提升LED寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管LED器件荧光粉的制备方法,特别是一种Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉及其制备方法。
背景技术
发光二极管(LED)是绿色环保型的半导体光源,具有低能耗、长寿命,体积小,结构稳固,方向性好、响应快,无辐射等优点。但作为室内照明的LED荧光粉色温较高,一般高于6000K,与室内需求的4000K—5000K相比不是很舒适。尤其现有荧光粉封装的LED产品演色指数较低,Ra<65。虽然多种类荧光粉混合后封装样色指数Ra可以高于75,但光通量很低。同时,LED芯片工作时核心温度高达180℃,不同体系混合的LED荧光粉混合后会在短时间内衰变,损害LED期间使用寿命,甚至造成死灯等现象。
使用Eu2+共激发的W4+xMo1+ySi3+zO12荧光粉(其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2),可以比较好的解决高光通量与高演色指数不能同时得到的问题。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种化学稳定性好,单一组分演色指数高的一种Eu2+共激发的W4+xMo1+ySi3+zO12荧光粉(其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2)。
本发明的目的之二是提供一种上述荧光粉的制备方法。
本发明的目的是通过下述技术方案来实现的。
一种Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉,该荧光粉通过Eu2+作为激活剂参杂激发,荧光粉的化学通式为W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w,其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2,0.02≤W≤0.2。
相应地,本发明还给出了该Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,包括下述步骤:
1)根据LED荧光粉的化学通式:W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w,其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2,0.02≤W≤0.2;按照摩尔比分别称取氧化钨、氧化钼、二氧化硅和氧化铕;
2)将以上原料混合均匀后,放入通有还原气氛的高温炉内烧结;
3)在还烧结状态相同的原气氛保护下,缓慢降温;
4)取出后的荧光粉破碎,通过100-200目标准分样筛;
5)在浓硝酸中洗涤,烘干,即得到化学式为W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w的荧光粉。
本发明方法进一步的特征在于:
所述还原气氛为氢气、一氧化碳气、氮气氢气混合气、氨气或者氢气与一氧化碳混合气。
所述烧结温度为1500-1800℃,烧结时间为5-10小时。
所述经过10-15小时缓慢降温至160-200℃。
所述烘干温度为120-150℃。
本发明的Eu2+共激发的W4+xMo1+ySi3+zO12荧光粉(其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2)可在单一组分下将LED演色指数提升至75以上,该荧光粉在高温下抗老化能力极强,可有效提升LED寿命。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明做进一步详细说明。
实施例1:
W4MoSi3O12:Eu2+ 0.1荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅180.27g,氧化铕35.19g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi3O12:0.1Eu2+ 0.1的荧光粉。
该荧光粉在455-460nm波段的蓝光LED芯片激发下可以发射550-620nm波段的发射峰。
实施例2:
W5MoSi3O12:0.1Eu2+ 0.15荧光粉制备方法:称取氧化钨2078.4g,氧化钼239.88g,二氧化硅180.27g,氧化铕53.68g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有一氧化碳还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1500℃至少保温10小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W5MoSi3O12:0.1Eu2+ 0.15的荧光粉。
实施例3:
W4Mo2Si3O12:0.1Eu2+ 0.2荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼479.76g,二氧化硅180.27g,氧化铕70.38g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氮气氢气混合的还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1700℃至少保温8小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4Mo2Si3O12:0.1Eu2+ 0.2的荧光粉。
实施例4:
W4MoSi4O12:0.1Eu2+ 0.1荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅240.36g,氧化铕35.19g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气,还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi4O12:0.1Eu2+ 0.1的荧光粉。
实施例5:
W4MoSi3.2O12:0.1Eu2+ 0.05荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅192.23g,氧化铕17.60g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氨气还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1800℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi3.2O12:0.1Eu2+ 0.05的荧光粉。
实施例6:
W4MoSi3O12:0.05Eu2+ 0.1荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅180.27g,氧化铕35.19g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气与一氧化碳按照体积比1:1的比例混合的还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi3O12:0.05Eu2+ 0.1的荧光粉。
实施例7:
W6MoSi3O12:0.1Eu2+ 0.1荧光粉制备方法:称取氧化钨2494.08g,氧化钼239.88g,二氧化硅180.27g,氧化铕35.19g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温6小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W6MoSi3O12:0.1Eu2+ 0.1的荧光粉。
实施例8:
W4MoSi5O12:0.1Eu2+ 0.1荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅300.45g,氧化铕35.19g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1550℃至少保温6小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi5O12:0.1Eu2+ 0.1的荧光粉。
实施例9:
W4MoSi3O12:Eu2+ 0.02荧光粉制备方法:称取氧化钨1662.72g,氧化钼239.88g,二氧化硅180.27g,氧化铈13.768g,氧化铕70.38g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氮气氢气按照体积比为1:1.5的比例混合的还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W4MoSi3O12:Eu2+ 0.02的荧光粉。
实施例10:
W7Mo2Si5O12:0.15Eu2+ 0.12荧光粉制备方法:称取氧化钨2916.76g,氧化钼479.76g,二氧化硅300.45g,氧化铕42.23g。将以上原料混合均匀后装入刚玉材质的坩埚内。放入通有氢气还原气氛的高温炉内烧结。烧结工艺要求在1600℃至少保温5小时。在还烧结状态相同的原气氛保护下,经过30小时缓慢降温至200℃以下。取出后的荧光粉破碎,通过100目标准分样筛。后在浓硝酸(Ph<1)中洗涤。然后在150℃以下烘干,即得到化学式为W7Mo2Si5O12:0.15Eu2+ 0.12的荧光粉。该荧光粉在460nm蓝光LED芯片激发的发射光谱。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变形,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围因由权利要求限定。
Claims (6)
1.一种Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉,其特征在于,该荧光粉通过Eu2+作为激活剂参杂激发,荧光粉的化学通式为W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w,其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2,0.02≤W≤0.2。
2.一种Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:
1)根据LED荧光粉的化学通式:W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w,其中0≤x≤3,0≤y≤1,0≤z≤2,0.02≤W≤0.2;按照摩尔比分别称取氧化钨、氧化钼、二氧化硅和氧化铕;
2)将以上原料混合均匀后,放入通有还原气氛的高温炉内烧结;
3)在还烧结状态相同的原气氛保护下,缓慢降温;
4)取出后的荧光粉破碎,通过100-200目标准分样筛;
5)在浓硝酸中洗涤,烘干,即得到化学式为W4+xMo1+ySi3+zO12:Eu2+ w的荧光粉。
3.根据权利要求2所述的Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,其特征在于,所述还原气氛为氢气、一氧化碳气、氮气氢气混合气、氨气或者氢气与一氧化碳混合气。
4.根据权利要求2所述的Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,其特征在于,所述烧结温度为1500-1800℃,烧结时间为5-10小时。
5.根据权利要求2所述的Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,其特征在于,所述经过10-15小时缓慢降温至160-200℃。
6.根据权利要求2所述的Eu激发的钨钼酸盐LED荧光粉的制备方法,其特征在于,所述烘干温度为120-150℃。
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