CN102898139A - 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法 - Google Patents

一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102898139A
CN102898139A CN2012104157864A CN201210415786A CN102898139A CN 102898139 A CN102898139 A CN 102898139A CN 2012104157864 A CN2012104157864 A CN 2012104157864A CN 201210415786 A CN201210415786 A CN 201210415786A CN 102898139 A CN102898139 A CN 102898139A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
powder
composite ceramics
sic
mixed powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012104157864A
Other languages
English (en)
Inventor
陈大弟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NANJING DADI REFRIGERATION FOOD CO Ltd
Original Assignee
NANJING DADI REFRIGERATION FOOD CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NANJING DADI REFRIGERATION FOOD CO Ltd filed Critical NANJING DADI REFRIGERATION FOOD CO Ltd
Priority to CN2012104157864A priority Critical patent/CN102898139A/zh
Publication of CN102898139A publication Critical patent/CN102898139A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：a、以SiC粉末为主料，添加10～15%的Si粉、2.2～2.7%的Al2O3、0.6～0.8%的Fe2O3、2.5～3.0%的Y2O3和0.5～1.2%的CeO2；b、将步骤a得到的混合粉末在球磨机中湿辊4～6h，烘干造粒，并干压成型；c、在1500～1600℃下氮化烧结，得到Si3N4/SiC复合陶瓷。本方法制得的复合陶瓷材料维氏硬度可达2.185GPa；150℃下热抗弯强度可达420MPa，而断裂韧性达12MPa·m1/2；且表面耐腐蚀性得到提高。

Description

一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法
  
技术领域
本发明属于无机功能材料领域，尤其涉及SiC复合陶瓷的制备。 
背景技术
Si3N4与SiC结合的复合陶瓷材料具有高温抗温强度，断裂韧性和抗氧化性，被广泛应用于电子、建筑和冶金等行业。目前在烧结制备过程中，通常会筛选添加合适的烧结助剂提高材料的各种性能，如氧化铝等能提高材料的维氏硬度，但容易在材料表面富集使得材料容易被氧化腐蚀，降低其材料表面精度。 
发明内容
发明目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供了一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法。 
技术方案：为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：a、以SiC粉末为主料，添加10～15%的Si粉、2.2～2.7%的Al2O3、0.6～0.8%的Fe2O3、2.5～3.0%的Y2O3和0.5～1.2%的CeO2；b、将步骤a得到的混合粉末在球磨机中湿辊4～6h，烘干造粒，并干压成型；c、在1500～1600℃下氮化烧结，得到Si3N4/SiC复合陶瓷。 
作为优选，步骤b中对混合粉末湿辊后烘干得到的粉末颗粒大小为600～1000目。 
有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下优点：本方法制得的复合陶瓷材料维氏硬度可达2.185GPa；150℃下热抗弯强度可达420MPa，而断裂韧性达12MPa·m1/2；且表面耐腐蚀性得到提高。 
具体实施方式
下面对本发明作更进一步的说明。 
一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法，主要是以SiC粉末为主料，添加14%的Si粉、2.5%的Al2O3、0.68%的Fe2O3、2.6%的Y2O3和0.8%的CeO2，然后在球磨机中湿辊5h，烘干得到800目的粉末，然后经过造粒干压成型后，在1580℃下氮化烧结得到Si3N4/SiC复合陶瓷。 
上述方法制备的复合陶瓷经过测试：其维氏硬度可达2.185GPa；150℃下热抗弯强度可达420MPa，而断裂韧性达12MPa·m1/2。通过电镜扫描和XRD测试，材料表面铝富集较少，可以降低因为金属铝被氧化腐蚀影响其表面外观。 

Claims (2)

1.一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
a、以SiC粉末为主料，添加10～15%的Si粉、2.2～2.7%的Al2O3、0.6～0.8%的Fe2O3、2.5～3.0%的Y2O3和0.5～1.2%的CeO2；
b、将步骤a得到的混合粉末在球磨机中湿辊4～6h，烘干造粒，并干压成型；
c、在1500～1600℃下氮化烧结，得到Si3N4/SiC复合陶瓷。
2.根据权利要求1所述高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤b中对混合粉末湿辊后烘干得到的粉末颗粒大小为600～1000目。
CN2012104157864A 2012-10-26 2012-10-26 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法 Pending CN102898139A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012104157864A CN102898139A (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012104157864A CN102898139A (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102898139A true CN102898139A (zh) 2013-01-30

Family

ID=47570666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012104157864A Pending CN102898139A (zh) 2012-10-26 2012-10-26 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102898139A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103641484A (zh) * 2013-12-16 2014-03-19 武汉科技大学 利用生物质电厂灰制备Si3N4/SiC复合陶瓷粉末的方法
CN103896593A (zh) * 2014-03-05 2014-07-02 武汉科技大学 一种氮化硅结合碳化硅复相耐高温材料及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101759435A (zh) * 2009-03-09 2010-06-30 宁波大学 一种基于新型纳米四组份烧结助剂的碳化硅陶瓷

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101759435A (zh) * 2009-03-09 2010-06-30 宁波大学 一种基于新型纳米四组份烧结助剂的碳化硅陶瓷

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周曦亚等: "反应烧结形成氮化硅/碳化硅材料", 《中国陶瓷工业》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103641484A (zh) * 2013-12-16 2014-03-19 武汉科技大学 利用生物质电厂灰制备Si3N4/SiC复合陶瓷粉末的方法
CN103896593A (zh) * 2014-03-05 2014-07-02 武汉科技大学 一种氮化硅结合碳化硅复相耐高温材料及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104446544B (zh) 底吹炉风口区耐火砖的生产方法
CN104909765A (zh) 一种低成本、快速制备高性能Si3N4陶瓷球的方法
CN102898139A (zh) 一种高强度Si3N4/SiC复合陶瓷的制备方法
CN107216132A (zh) 一种RH精炼炉用MgO‑MA不烧砖及其制备方法
CN103664218B (zh) 一种高韧高强远红外陶瓷及其制备方法
CN103848639A (zh) 一种氮化硅增韧陶瓷
CN106316404B (zh) 一种立方氮化硼陶瓷材料及其制备方法
CN103011826B (zh) 一种h-BN/ZrB2可加工陶瓷的制备方法
CN102432317A (zh) 一种微晶氧化铝耐磨陶瓷及其制备方法
CN103664167B (zh) 一种片状AlON/四方相ZrO2复合材料的制备方法
CN101768004B (zh) 低气孔原位黄刚玉砖及其制备方法
CN110483062A (zh) 一种高性能氮化硅陶瓷及其制备方法和应用
CN103664187B (zh) 一种片状AlON/WB2复合材料的制备方法
CN103664177B (zh) 一种片状AlON/NbC复合材料的制备方法
CN103641479B (zh) 一种片状AlON/WC复合材料的制备方法
CN102964126B (zh) 一种h-BN/VB2可加工陶瓷的制备方法
CN103664175B (zh) 一种片状AlON/TaC复合材料的制备方法
CN103030398A (zh) 一种氮化硅陶瓷的制备方法
CN102976761A (zh) 一种h-BN/ZrC可加工陶瓷的制备方法
CN103011821A (zh) 一种h-BN/TiC可加工陶瓷的制备方法
CN107602104A (zh) 一种高致密度石英陶瓷材料及其制备方法
CN103664166A (zh) 一种片状AlON/立方相ZrO2复合材料的制备方法
CN103664185B (zh) 一种片状AlON/TaB2复合材料的制备方法
CN103664181B (zh) 一种片状AlON/NbB2复合材料的制备方法
CN103664186B (zh) 一种片状AlON/VB2复合材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130130