CN102893506B - Boost级联升压电路 - Google Patents

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Abstract

一种Boost级联升压电路，包括第一级Boost升压电路、第二级Boost升压电路、输出端（Vout）和稳压滤波电容（C）。第一级Boost升压电路包括输入端（Vin）、PWM发生器、第一电感器（L1）和第一开关管（Q1）。第二级Boost升压电路包括第二电感器(L2)和第二开关管（Q2）。PWM发生器控制两个开关管（Q1，Q2）同时导通或关断，当两个开关管（Q1，Q2）导通时，输入端（Vin）电源通过两条路径（22，24）分别对两个电感器（L1，L2）充电；当两个开关管（Q1，Q2）关断时，两个电感器（L1，L2）释放能量。两个开关管（Q1，Q2）共同承担输出端（Vout）的电压。本电路解决了公知Boost电路的单一开关管耐压不足以及占空比受限的问题。

Description

Boost级联升压电路
技术领域
本发明是有关于一种Boost级联升压电路。
背景技术
在DC-DC的电路中，Boost升压电路和Buck降压电路应用在多个领域，一种公知的Boost升压电路如图1所示，其包括一输入端Vin、一电感器L、一二极管D、一开关管Q、一稳压滤波电容C、一脉冲宽度调制(PWM)发生器(图未示)及一输出端Vout。上述PWM发生器输出的PWM信号在一周期T中具有高电平期间Ton及低电平期间Toff，其中高电平期间Ton占周期T的比例称为占空比D（D＝Ton/T）。
上述Boost升压电路100的工作原理如下：当PWM信号为高电平期间Ton时，开关管Q导通、二极管D截止，此时电源通过路径14对电感器L充电储能；当PWM信号为低电平期间Toff时，开关管Q截止，二极管D导通，此时电感器L通过路径12释放能量。假设此时的电感器L产生的感应电动势为VL，则Vout=Vin+VL，从而达到升压的效果。而VL与Vin以及占空比D相关，通过能量守恒定律，以电感电流连续模式（CCM模式）来考量，最终可以推导出Vout=Vin/（1-D）。
然而，要通过公知的Boost升压电路100升到更高的电压时，开关管Q要能够承受Vout的电压，因此就会面临到开关管Q的耐压限制问题。此外，由上述公式可知，要升到更高电压时，占空比D需要增大（即延长高电平期间Ton）。然而，当，高电平期间Ton接近周期T时，开关管Q可能无法在这么短的时间关断，因此产生了占空比D不能太接近1的限制，而导致公知的Boost升压电路不能达到预期的效果。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种Boost级联升压电路，其通过串联若干个电感器及配合的开关管，解决了上述场开关管耐压不足以及占空比D限制的问题。
为达上述的目的，本发明采取以下技术方案。一种Boost级联升压电路，其包括一第一级Boost升压电路、一输出端和一稳压滤波电容，上述稳压滤波电容一端接地，另一端连接至所述输出端，所述第一级Boost升压电路包括一输入端、一PWM发生器、一第一电感器、一第一二极管和一第一开关管，所述第一电感器一端连接所述输入端，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一开关管的控制端连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管的阳极，其特征在于：上述Boost级联升压电路进一步包括一第二级Boost升压电路，所述第二级Boost升压电路包括一第二电感器、一第二开关管、一第一串联二极管和一第一并联二极管，上述第二电感器一端连接所述第一二极管的阴极，另一端连接所述第一串联二极管的阳极，所述第一串联二极管的阴极连接所述输出端，所述第二开关管的控制端连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至所述第一开关管的第二导通端，第二开关管的第二导通端连接至所述第一串联二极管的阳极，所述第一并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接所述第一二极管的阴极。
优选地，所述PWM发生器控制所述两个开关管同时导通或同时关断。
优选地，所述两个开关管都是场效应晶体管。
优选地，所述两个开关管都是N型场效应晶体管。
优选地，所述场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应管。
优选地，所述各級开关管之控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
一种Boost级联升压电路，其包括一第一级Boost升压电路、一输出端和一稳压滤波电容，上述稳压滤波电容一端接地，另一端连接至所述输出端，所述第一级Boost升压电路包括一输入端、一PWM发生器、一第一电感器和一第一开关管，其特征在于：上述Boost级联升压电路进一步包括一第二级Boost升压电路，所述第二级Boost升压电路包括一第二电感器和一第二开关管，所述PWM发生器控制所述第一开关管及第二开关管同时导通或同时关断，当两个开关管导通时，输入端电源通过两条路径分别对两个电感器充电储能；当两个开关管关断时，输入端电源经由第一电感器、第二电感器连接到输出端，两个电感器释放能量；上述两个开关管共同承担输出端的电压。
一种Boost级联升压电路，其包括一第一级Boost升压电路、一输出端和一稳压滤波电容，上述稳压滤波电容一端接地，另一端连接至所述输出端，所述第一级Boost升压电路包括一输入端、一PWM发生器、一第一电感器和一第一开关管，其特征在于：上述Boost级联升压电路进一步包括一第二级Boost升压电路，所述第二级Boost升压电路包括一第二电感器和一第二开关管，所述PWM发生器控制所述第一开关管及第二开关管同时导通或同时关断，当两个开关管导通时，输入端电源经由第一电感器和第一开关管接地，也经由第二电感器、第二开关管和第一开关管接地；当两个开关管关断时，输入端电源依序经由第一电感器、第二电感器连接到输出端。
优选地，所述第一开关管及第二开关管都是场效应晶体管。
优选地，所述第一开关管及第二开关管都是N型场效应晶体管。
优选地，所述Boost级联升压电路进一步包括一第三级Boost升压电路，所述第三级Boost升压电路包括一第三电感器和一第三开关管，所述PWM发生器控制所述三个开关管同时导通或同时关断，当三个开关管导通时，输入端电源经由第一电感器和第一开关管接地，也经由第二电感器、第二开关管和第一开关管接地，还经由第三电感器、第三开关管、第二开关管和第一开关管接地；当两个开关管关断时，输入端电源依序经由第一电感器、第二电感器、第三电感器连接到输出端。
优选地，所述第一级Boost升压电路进一步包括一第一二极管，所述第一电感器一端连接输入端，另一端连接第一二极管的阳极，所述第一开关管的控制端连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管的阳极，上述第二级Boost升压电路进一步包括一第一串联二极管和一第一并联二极管，上述第二电感器一端连接所述第一二极管的阴极，另一端连接所述第一串联二极管的阳极，所述第二开关管的控制端连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至所述第一开关管的第二导通端，第二开关管的第二导通端连接至所述第一串联二极管的阳极，所述第一并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接所述第一二极管的阴极，上述第三级Boost升压电路进一步包括一第二串联二极管和一第二并联二极管，所述第三电感器的一端连接第一串联二极管的阴极，另一端连接第二串联二极管的阳极，所述第二串联二极管的阴极连接所述输出端，所述第三开关管的控制端电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至第二开关管的第二导通端，第三开关管的第二导通端连接至所述第二串联二极管的阳极，所述第二并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接所述第一串联二极管的阴极。
优选地，所述三个开关管都是场效应晶体管。
优选地，所述三个开关管都是N型场效应晶体管。
优选地，所述三个开关管的控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
优选地，所述第一级Boost升压电路进一步包括一第一二极管，所述第一电感器一端连接输入端，另一端连接第一二极管的阳极，所述第一开关管的控制端连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管的阳极，上述Boost级联升压电路进一步包括一第三级Boost升压电路，……，一第N级Boost升压电路，N为大于3的正整数，除了第一级Boost升压电路以外，其它各级Boost升压电路都包括一电感器、一并联二极管、一串联二极管以及一开关管，所述电感器的一端连接上一级的串联二极管的阴极，另一端连接本级串联二极管的阳极，所述并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接上一级的串联二极管的阴极，所述开关管的控制端电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至上一级的开关管的第二导通端，本级开关管的第二导通端连接至本级串联二极管的阳极，第N级Boost升压电路的串联二极管的阴极连接到输出端。
优选地，所述PWM发生器控制每个开关管同时导通或同时关断。
优选地，所述每个开关管都是N型场效应晶体管。
优选地，所述每个开关管的控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
相较于现有技术，本发明Boost级联升压电路一步包括第二级、第三级、或第N级Boost升压电路，通过多个开关管的导通与关断来实现多个电感器的充电储能与释放能量，并利用多个开关管共同承担输出端的电压，解决了单一开关管耐压以及占空比D限制的问题，因此可选用一般规格的开关管来达到高电压输出的要求。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，幷配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为公知的Boost升压电路图。
图2为本发明Boost级联升压电路的第一实施方式的电路图。
图3为本发明Boost级联升压电路的第二实施方式的电路图。
图4为本发明Boost级联升压电路的第三实施方式的电路图。
具体实施方式
请参照图2，是本发明Boost级联升压电路的第一实施方式的电路图，所述Boost级联升压电路200包括一第一级Boost升压电路、一第二级Boost升压电路、一稳压滤波电容C和一输出端Vout。上述稳压滤波电容C一端接地，另一端连接至输出端Vout。所述第一级Boost升压电路包括一输入端Vin、一第一电感器L1、一第一二极管D1、一第一开关管Q1和一PWM发生器(图未示)。所述第一电感器L1的一端连接所述输入端Vin，另一端连接所述第一二极管D1的阳极。所述第一开关管Q1的控制端G1连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管D1的阳极。
所述PWM发生器输出的信号在周期T中具有高电平期间Ton及低电平期间Toff，其中高电平期间Ton占周期T的比例称为占空比D。
所述第二级Boost升压电路包括一第二电感器L2、一第一并联二极管Dp1、一第一串联二极管Ds1及一第二开关管Q2。所述第二电感器L2一端连接所述第一二极管D1的阴极，另一端连接所述第一串联二极管Ds1的阳极。所述第一串联二极管Ds1的阴极连接输出端Vout。所述第一并联二极管Dp1的阳极连接所述输入端Vin，阴极连接所述第一二极管D1的阴极。所述第二开关管Q2的控制端G2连接至所述PWM发生器，第一导通端202连接至所述第一开关管Q1的第二导通端，第二开关管Q2的第二导通端204连接至所述第一串联二极管Ds1的阳极。
具体而言,所述第一开关管Q1及第二开关管Q2是N型场效应晶体管(field effect transistor,FET)，更优选的为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。进一步地说，所述两个开关管Q1、Q2的控制端G1、G2为栅极，第一导通端为源极、第二导通端为漏极。
所述PWM发生器控制所述第一开关管Q1及第二开关管Q2同时导通或同时关断。所述Boost双级联升压电路的工作原理如下：所述PWM信号为高电平Ton时，所述第一开关管Q1及第二开关管Q2导通，所述第一并联二极管Dp1导通，且所述第一二极管D1及第一串联二极管Ds1截止。此时电源通过路径22对所述第一电感器L1充电储能、电源通过路径24对所述第二电感器L2充电储能。
所述PWM信号为低电平Toff时，所述第一开关管Q1及第二开关管Q2关断，所述第一二极管D1及第一串联二极管Ds1为导通，且所述第一并联二极管Dp1截止。此时所述第一电感器L1及第二电感器L2通过路径26释放能量。设此时的第一电感器L1和第二电感器L2产生的感应电动势为VL1和VL2，则Vout=Vin+VL1+VL2。
相较于现有技术，第一开关管Q1承受的电压为Vin+VL1，第二开关管Q2承受的电压为电感器L2两端的电压值VL2。这样在升高压时，第一开关管Q1和第二开关管Q2共同承担输出端Vout的电压，解决了单一开关管耐压以及占空比D限制的问题，可选用一般规格的开关管来达到高电压输出的要求。
参照图3，是本发明Boost级联升压电路的第二实施方式的电路图。除了上述具有二级的Boost级联升压电路200之外，本发明还提供了一种具有三级的Boost级联升压电路300。所述Boost级联升压电路300除了包括上述第一级Boost级联升压电路、稳压滤波电容C和输出端Vout外，还进一步包括一第二级Boost级联升压电路和一第三级Boost升压电路。所述第二级Boost级联升压电路包括一第二电感器L2、一第一并联二极管Dp1、一第一串联二极管Ds2及一第二开关管Q2。所述第三级Boost升压电路包括一第三电感器L3、一第二并联二极管Dp2、一第二串联二极管Ds2及一第三开关管Q3。
上述第二电感器L2一端连接所述第一二极管D1的阴极，另一端连接所述第一串联二极管Ds1的阳极。所述第一并联二极管Dp1的阳极连接所述输入端Vin，阴极连接所述第一二极管D1的阴极。所述第二开关管Q2的控制端G2连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至所述第一开关管Q1的第二导通端，第二开关管Q2的第二导通端连接至所述第一串联二极管Ds1的阳极。
所述第三电感器L3的一端连接到第一串联二极管Ds1的阴极，另一端连接第二串联二极管Ds2的阳极。所述第二串联二极管Ds2的阴极连接输出端Vout。所述第二并联二极管Dp2的阳极连接所述输入端Vin，阴极连接所述第一串联二极管Ds1的阴极。所述第三开关管Q3的控制端G3电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至第二开关管Q2的漏极，第三开关管Q3的第二导通端连接至所述第二串联二极管Ds2的阳极。
同样地，所述PWM发生器控制所述第一开关管Q1、第二开关管Q2及第三开关管Q3同时导通或同时关断。上述Boost三级联升压电路的工作原理如下：当所述PWM发生器信号为高电平Ton时，所述第一开关管Q1、第二开关管Q2及第三开关管Q3为导通，所述第一并联二极管Dp1及第二并联二极管Dp2导通，且所述第一二极管D1、第一串联二极管Ds1及第二串联二极管Ds2截止。此时电源通过路径32对所述第一电感器L1充电储能；电源通过路径34对所述第二电感器L2充电储能；电源通过路径36对所述第三电感器L3充电储能。
当所述PWM发生器信号为低电平Toff时，所述第一开关管Q1、第二开关管Q2及第三开关管Q3关断，所述第一二极管D1、第一串联二极管Ds1及第二串联二极管Ds2为导通，且所述第一并联二极管Dp1及第二并联二极管Dp2截止。此时所述第一电感器L1、第二电感器L2及第三电感器L3通过路径38释放能量。设此时的第一电感器L1、第二电感器L2和第三电感器L3产生的感应电动势为VL1、VL2和VL3，则Vout=Vin+VL1+VL2+VL3。此时，第一开关管Q1承受的电压为Vin+VL1，第二开关管Q2承受的电压为电感器L2两端的电压值VL2，第三开关管Q2承受的电压为电感器L3两端的电压值VL3。这样在升高压时，第一、第二、第三开关管Q1、Q2、Q3共同承担输出端Vout的电压。
参照图4，是本发明Boost级联升压电路的第三实施方式的电路图。同样地，所述Boost级联升压电路400可依上述方式类推，其除了包括上述第一、第二、第三级的Boost级联升压电路、稳压滤波电容C和输出端Vout之外，还进一步包括一第四级升压电路(图未示)、一第五级升压电路(图未示)、……、一第N-1级升压电路、一第N级升压电路。其中，N为大于三的正整数，各级联升压电路都包括一电感器、一并联二极管、一串联二极管以及一开关管。
所述电感器一端连接上一级的串联二极管的阴极，另一端连接本级串联二极管的阳极，所述并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接上一级的串联二极管的阴极，所述开关管的控制端电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至上一级的开关管的第二导通端，本级开关管的第二导通端连接至本级串联二极管的阳极，第N级Boost升压电路的串联二极管的阴极连接到输出端。
举最后一级升压电路，即第N级联升压电路为例，第N级联升压电路包括一电感器LN、一并联二极管DpN-1、一串联二极管DsN-1以及一开关管QN。
所述电感器LN的一端连接第N-1级的串联二极管DsN-2的阴极，另一端连接本级串联二极管DsN-1的阳极。所述并联二极管DpN-1的阳极连接所述输入端Vin，阴极连接第N-1级的串联二极管DsN-2的阴极。所述开关管QN的控制端GN电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至第N-1级的开关管QN-1的第二导通端，开关管QN的第二导通端连接至本级串联二极管DsN-1的阳极。第N级Boost级联升压电路的串联二极管DsN-1的阴极连接到输出端Vout。
参考前述工作原理，可推得Vout=Vin+VL1+VL2+…+VLn。此时，除了第一开关管Q1承受的电压为Vin+VL1外，其它每个开关管Q2、Q3、……QN的承受的电压只为相应电感器L2、L3、……LN两端的电压值VL2、VL3、……VLN。这样在升高压时，不会有任何一颗开关管承担输出端Vout全部的电压，升高压不会受到开关管（如MOSFET）耐压的限制。另外，在相同的占空比D的情况下，输出端Vout可以升到很高的电压，也就不需要将占空比D开到很大。
虽然本发明已用优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的为准。

Claims (14)

1.一种Boost级联升压电路，其包括一第一级Boost升压电路、一输出端和一稳压滤波电容，上述稳压滤波电容一端接地，另一端连接至所述输出端，所述第一级Boost升压电路包括一输入端、一PWM发生器、一第一电感器、一第一二极管和一第一开关管，所述第一电感器一端连接所述输入端，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一开关管的控制端连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管的阳极，其特征在于：上述Boost级联升压电路进一步包括一第二级Boost升压电路，所述第二级Boost升压电路包括一第二电感器、一第二开关管、一第一串联二极管和一第一并联二极管，上述第二电感器一端连接所述第一二极管的阴极，另一端连接所述第一串联二极管的阳极，所述第一串联二极管的阴极连接所述输出端，所述第二开关管的控制端连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至所述第一开关管的第二导通端，第二开关管的第二导通端连接至所述第一串联二极管的阳极，所述第一并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接所述第一二极管的阴极。
2.根据权利要求1所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述PWM发生器控制所述两个开关管同时导通或同时关断。
3.根据权利要求2所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述两个开关管都是场效应晶体管。
4.根据权利要求3所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述两个开关管都是N型场效应晶体管。
5.根据权利要求3所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应管。
6.根据权利要求3所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述各级开关管之控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
7.根据权利要求1所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述Boost级联升压电路进一步包括一第三级Boost升压电路，所述第三级Boost升压电路包括一第三电感器、一第二并联二极管、一第二串联二极管及一第三开关管，所述第一串联二极管的阴极依序经由所述第三电感器、第二串联二极管的阳极和阴极连接所述输出端，所述第二并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接所述第一串联二极管的阴极，所述第三开关管的控制端电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至第二开关管的第二导通端，第三开关管的第二导通端连接至所述第二串联二极管的阳极。
8.根据权利要求7所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述三个开关管都是场效应晶体管。
9.根据权利要求8所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述三个开关管都是N型场效应晶体管。
10.根据权利要求8所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述三个开关管的控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
11.一种Boost级联升压电路，其包括一第一级Boost升压电路、一输出端和一稳压滤波电容，上述稳压滤波电容一端接地，另一端连接至所述输出端，所述第一级Boost升压电路包括一输入端、一PWM发生器、一第一电感器、一第一二极管和一第一开关管，所述第一电感器一端连接所述输入端，另一端连接所述第一二极管的阳极，所述第一开关管的控制端连接至PWM发生器，第一导通端接地，第二导通端连接至上述第一二极管的阳极，其特征在于：上述Boost级联升压电路进一步包括一第二级Boost升压电路、一第三级Boost升压电路，……，一第N级Boost升压电路，N为大于3的正整数，除了第一级Boost升压电路以外，其它各级Boost升压电路都包括一电感器、一并联二极管、一串联二极管以及一开关管，所述电感器的一端连接上一级的串联二极管的阴极，另一端连接本级串联二极管的阳极，所述并联二极管的阳极连接所述输入端，阴极连接上一级的串联二极管的阴极，所述开关管的控制端电性连接至所述PWM发生器，第一导通端连接至上一级的开关管的第二导通端，本级开关管的第二导通端连接至本级串联二极管的阳极，第N级Boost升压电路的串联二极管的阴极连接到所述输出端。
12.根据权利要求11所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述PWM发生器控制每个开关管同时导通或同时关断。
13.根据权利要求11所述的Boost级联升压电路，其特征在于：所述每个开关管都是N型场效应晶体管。
14.根据权利要求13所述的Boost级联升压电路，其特征在于，所述每个开关管的控制端为栅极，第一导通端为源极，第二导通端为漏极。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103066850B (zh) * 2012-12-20 2016-04-27 深圳市华星光电技术有限公司 隔离式升压电路、背光模块及液晶显示装置
CN110620502B (zh) * 2019-09-29 2021-10-01 哈尔滨理工大学 一种电动汽车大功率充电装置用dc/dc变换器
CN116317609B (zh) * 2023-05-23 2023-09-29 深圳市恒运昌真空技术有限公司 Dc-dc变换电路及装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200976546Y (zh) * 2006-11-24 2007-11-14 北京新雷能有限责任公司 串联组合的两级boost电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3148171B2 (ja) * 1998-01-12 2001-03-19 株式会社日本プロテクター スイッチングレギュレータ
JP3699082B2 (ja) * 2002-12-16 2005-09-28 エヌイーシーコンピュータテクノ株式会社 スイッチング電源回路
JP2004254476A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Ebara Corp 発電装置
GB2420666B (en) * 2003-08-08 2007-01-03 Astec Int Ltd A circuit for maintaining hold-up time while reducing bulk capacitor size and improving efficiency in a power supply
JP2005137142A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 昇圧コンバータ及びそれを含むモータ駆動回路
JP4714250B2 (ja) * 2008-09-10 2011-06-29 株式会社日立製作所 Ｄｃ−ｄｃコンバータ
CN101951147A (zh) * 2010-08-18 2011-01-19 杭州奥能电源设备有限公司 一种有源交错并联零电压软开关电路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN200976546Y (zh) * 2006-11-24 2007-11-14 北京新雷能有限责任公司 串联组合的两级boost电路

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-254476A 2004.09.09 *
JP特开2005-137142A 2005.05.26 *
朱学斌.基于VISSIM的双Boost变换器建模和仿真研究.《鲁东大学学报(自然科学版)》.2010,第26卷(第3期), *

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