CN102890553A - 内存及具有该内存的内存供电系统 - Google Patents

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Abstract

一种内存，具有一额定电压及一额定功率，该内存用于安装至一内存插槽，该内存插槽包括一第一接地针脚、一第一电源针脚，该第一接地针脚及该第一电源针脚用于电连接至一供电电源，该供电电源用于提供一第一直流电压。该内存包括一第二接地针脚、一第二电源针脚及一降压调节器。该第二接地针脚用于电连接至该第一接地针脚，该第二电源针脚用于电连接至该第一电源针脚，该降压调节器的输出功率对应于该额定功率，该降压调节器电连接至该第二电源针脚用于将该第一直流电压转换为该额定电压。该降压调节器仅对应一内存，即该降压调节器在满载条件下工作，由此提高该降压调节器的电能转换效率。本发明还提供一具有该内存的内存供电系统。

Description

内存及具有该内存的内存供电系统
技术领域
本发明涉及一种内存及具有该内存的内存供电系统。
背景技术
电脑主板通常包括一个用于转换电压的降压调节器(voltage regulator down, VRD)。外部电源经该降压调节器后再分别给内存供电。电脑主板设计时，一般会将降压调节器的输出功率设计为等于或略大于内存数量最多时的工作功率之和，以满足供电需求。目前，电脑主板上的内存的数目越来越多，因此，降压调节器的输出功率也越来越高。然而，一般的，若降压调节器的负载越小(指加载的内存数目小于甚至远小于设计时设定的最大数目)，电源转换效率越低，负载越大(如加载的内存数目接近或等于设计时设定的最大数目)，电源转换效率越高。这样，当较少数目的内存安装在电脑主板上时，降压调节器的转换效率就变得比较差，即浪费了较多的能源。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种提高内存电源能效的内存及内存供电系统。
一种内存，具有一额定电压及一额定功率，所述内存用于安装至一个内存插槽，所述内存插槽包括一个第一接地针脚、一个第一电源针脚，所述第一接地针脚及所述第一电源针脚用于电连接至一个供电电源，所述供电电源用于提供一个第一直流电压。所述内存包括一个第二接地针脚、一个第二电源针脚及一个降压调节器。所述第二接地针脚用于电连接至所述第一接地针脚，所述第二电源针脚用于电连接至所述第一电源针脚，所述降压调节器的输出功率对应于所述额定功率，所述降压调节器电连接至所述第二电源针脚用于将所述第一直流电压转换为第二直流电压，所述第二直流电压等于所述额定电压。
一种内存供电系统，包括一个供电电源、多个内存插槽、至少一个内存。所述供电电源电连接至所述多个内存插槽并用于分别向所述多个内存插槽分别供电提供一个第一直流电压。每个内存具有一额定电压及一额定功率，所述内存用于安装至一个内存插槽，所述内存插槽包括一个第一接地针脚、一个第一电源针脚，所述第一接地针脚及所述第一电源针脚用于电连接至一个供电电源，所述供电电源用于提供一个第一直流电压。所述内存包括一个第二接地针脚、一个第二电源针脚及一个降压调节器。所述第二接地针脚用于电连接至所述第一接地针脚，所述第二电源针脚用于电连接至所述第一电源针脚，所述降压调节器的输出功率对应于所述额定功率，所述降压调节器电连接至所述第二电源针脚用于将所述第一直流电压转换为第二直流电压，所述第二直流电压等于所述额定电压。
相对于现有技术，由于对于每个降压调节器来说，其负载仅对应一个内存。即，当每个内存装入对应一个内存插槽内时，每个降压调节器均在满载条件下工作，由此提高每个降压调节器的电能转换效率。
附图说明
图1是本发明较佳实施方式的内存供电系统的电路图。
图2是图1的内存供电系统的工作原理图。
主要元件符号说明
内存供电系统 100
供电电源 10
内存插槽 20
第一接地针脚 201
第一电源针脚 202
基板管理控制器 30
内存 40
第二接地针脚 401
第二电源针脚 402
降压调节器 403
存储模块 404
上拉电阻 50
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1及图2，为本发明实施方式提供的一种内存供电系统100，包括一个供电电源10、多个内存插槽20(插槽1、插槽2、插槽3 …插槽N)、一个基板管理控制器30(baseboard management controller, BMC)、数量与所述多个内存插槽20对应的内存40及数量与所述多个内存插槽20对应的上拉电阻50。
所述供电电源10用于给所述各个内存插槽20提供一个第一直流电压。本实施方式中，所述第一直流电压为12伏特的直流电压。
每个内存插槽20用于对应装入一个内存40。所述每个内存插槽20包括一个第一接地针脚201及一个第一电源针脚202。每个第一接地针脚201通过对应一个上拉电阻50连接至所述供电电源10。所述每个第一接地针脚201还电连接至所述基板管理控制器30的输入端。所述每个第一接地针脚201用于输出一个安装信号。当对应一个内存插槽20没有装入对应一个内存40时，所述安装信号为高电平，所述基板管理控制器30接收所述高电平。当对应一个内存插槽20安装对应一个内存40时，所述安装信号为低电平，所述基板管理控制器30接收所述低电平。每个第一电源针脚202电连接至所述供电电源10。
所述基板管理控制器30的输入端连接至每个第一接地针脚201，所述基板管理控制器30的输出端电连接至每个第一电源针脚202。所述基板管理控制器30用于根据所述安装信号来判断对应的内存插槽20内是否装入一个内存40，并用于获取装入对应内存插槽20内的内存40的功率信息。可以理解的是，在其他实施方式中，所述基板管理控制器30也可使用一集成有所述基板管理控制器30的南桥芯片替代。
每个内存40具有一个额定电压及一个额定功率。本实施方式中，所述额定电压为1.5伏特，所述额定功率为10瓦。所述每个内存40包括一个第二接地针脚401、一个第二电源针脚402、一个降压调节器403及一个存储模块404。每个第二接地针脚401与一个第一接地针脚201对应。每个第二电源针脚402与一个第一电源针脚202对应。每个降压调节器403电连接至所述每个第二电源针脚402。所述每个降压调节器403用于将所述供电电源10提供的所述第一直流电压转换第二直流电压并输出所述第二直流电压。本实施方式中，所述第二直流电压等于所述额定电压，即所述第二直流电压为1.5伏特。每个存储模块404电连接至所述每个降压调节器403并接收所述第二直流电压。所述每个存储模块404用于存储数据。本实施方式中，所述多个内存40为双列直插内存(dual in-line memory module, DIMM)。
当一个内存40装入至一个内存插槽20时，每个第二接地针脚401电连接至对应一个第一接地针脚201，每个第二电源针脚402电连接至对应一个第一电源针脚202。所述每个第一接地针脚201脚输出一个低电平的安装信号至所述基板管理控制器30。所述基板管理控制器30得到所述低电平的安装信号并通过基本输入输出系统(base input/output system, BIOS)获取装入对应内存插槽20内的内存的功率信息。所述基板管理控制器30根据所述功率信息向对应的降压调节器403发出控制信号，所述对应的降压调节器403根据所述控制信号将所述第一直流电压转换为所述第二直流电压并输出给对应一个存储模块404。
相对于现有技术，由于对于每个降压调节器403来说，其负载仅对应一个内存40。即，当每个内存40装入对应一个内存插槽20内时，每个降压调节器403均在满载条件下工作，由此提高每个降压调节器403的电能转换效率。
可以理解的时，所述多个内存40的额定功率可以不相同，所述多个内存40内的对应的降压调节器403的输出功率可以根据对应的额定功率进行设计，如此，增加了各个降压调节器403输出功率的设计灵活性。
可以理解的是，当每个内存插槽20不装入对应的内存40时，所述供电电源10提供的所述第一直流电压将不会被转换，如此可以节省电能。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种内存，具有一额定电压及一额定功率，所述内存用于安装至一个内存插槽，所述内存插槽包括一个第一接地针脚、一个第一电源针脚，所述第一电源针脚及所述第一接地针脚用于电连接至一个供电电源，所述供电电源用于提供一个第一直流电压；所述内存包括一个第二接地针脚、一个第二电源针脚及一个降压调节器；所述第二接地针脚用于电连接至所述第一接地针脚，所述第二电源针脚用于电连接至所述第一电源针脚，所述降压调节器的输出功率对应于所述额定功率，所述降压调节器电连接至所述第二电源针脚用于将所述第一直流电压转换第二直流电压，所述第二直流电压等于所述额定电压。
2.如权利要求1所述的内存，基特征在于：所述内存还包括一个电连接至所述降压调节器的存储模块，所述存储模块接收所述第二直流电压并用于存储数据。
3.如权利要求2所述的内存，基特征在于：所述第一直流电压为12伏特，所述第二直流电压为1.5伏特。
4.一种内存供电系统，包括一个供电电源、多个内存插槽、至少一个内存；所述供电电源电连接至所述多个内存插槽并用于分别向所述多个内存插槽分别供电提供一个第一直流电压；每个内存具有一额定电压及一额定功率，所述内存用于安装至一个内存插槽，所述内存插槽包括一个第一接地针脚、一个第一电源针脚，所述第一接地针脚及所述第一电源针脚用于电连接至一个供电电源，所述供电电源用于提供一个第一直流电压；所述内存包括一个第二接地针脚、一个第二电源针脚及一个降压调节器；所述第二接地针脚用于电连接至所述第一接地针脚，所述第二电源针脚用于电连接至所述第一电源针脚，所述降压调节器的输出功率对应于所述额定功率，所述降压调节器电连接至所述第二电源针脚用于将所述第一直流电压转换第二直流电压，所述第二直流电压等于所述额定电压。
5.如权利要求4所述的内存供电系统，基特征在于：所述内存供电系统还包括数量与所述内存插槽对应的上拉电阻，每个第一接地针脚通过对应的一个上拉电阻连接至一电压源，所述每个接地针脚用于输出一个安装信号；当对应一个内存插槽没有装入对应一个内存时，所述安装信号为高电平；当对应一个内存插槽安装对应一个内存时，所述安装信号为低电平。
6.如权利要求5所述的内存供电系统，基特征在于：所述内存供电系统还包括一个基板管理控制器，所述每个第一接地针脚还电连接至所述基板管理控制器的输入端，所述基板管理控制器用于接收所述安装信号，并根据安装信号判断是否有内存插入对应的内存插槽内。
7.如权利要求4所述的内存供电系统，基特征在于：所述内存还包括一个电连接至所述降压调节器的存储模块，所述存储模块接收所述第二直流电压并用于存储数据。
8.如权利要求4所述的内存供电系统，基特征在于：所述第一直流电压为12伏特，所述第二直流电压为1.5伏特。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106095037A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 联发科技股份有限公司 处理设备以及相关控制方法
CN106251904A (zh) * 2016-07-26 2016-12-21 深圳市智微智能科技开发有限公司 内存电压调节方法及电路
CN106776405A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 英业达科技有限公司 输入/输出端口切换方法及其电子装置及系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103105916A (zh) * 2011-11-11 2013-05-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电源转接板及具有该电源转接板的内存供电系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060174140A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Harris Shaun L Voltage distribution system and method for a memory assembly
CN101030092A (zh) * 2006-03-03 2007-09-05 友懋国际科技股份有限公司 可独立供应电源的内存模块结构
CN101655731A (zh) * 2008-08-22 2010-02-24 联想(北京)有限公司 一种开关电源、计算机主板及计算机
CN101770275A (zh) * 2008-12-27 2010-07-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内存电源效能提升的方法
WO2011014158A1 (en) * 2009-07-27 2011-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for power-efficient and non-signal-degrading voltage regulation in memory subsystems

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100505697B1 (ko) * 2003-07-23 2005-08-02 삼성전자주식회사 메모리 카드 및 ｕｓｂ 연결을 위한 커넥터 및 연결 시스템
US7492605B2 (en) * 2006-06-22 2009-02-17 Intel Corporation Power plane to reduce voltage difference between connector power pins
US8164935B2 (en) * 2008-12-05 2012-04-24 OC2 Technology Group, Inc. Memory modules and methods for modifying memory subsystem performance

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060174140A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Harris Shaun L Voltage distribution system and method for a memory assembly
CN101030092A (zh) * 2006-03-03 2007-09-05 友懋国际科技股份有限公司 可独立供应电源的内存模块结构
CN101655731A (zh) * 2008-08-22 2010-02-24 联想(北京)有限公司 一种开关电源、计算机主板及计算机
CN101770275A (zh) * 2008-12-27 2010-07-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内存电源效能提升的方法
WO2011014158A1 (en) * 2009-07-27 2011-02-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for power-efficient and non-signal-degrading voltage regulation in memory subsystems

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106095037A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 联发科技股份有限公司 处理设备以及相关控制方法
CN106095037B (zh) * 2015-04-30 2019-01-01 联发科技股份有限公司 处理设备以及相关控制方法
CN106776405A (zh) * 2015-11-20 2017-05-31 英业达科技有限公司 输入/输出端口切换方法及其电子装置及系统
CN106251904A (zh) * 2016-07-26 2016-12-21 深圳市智微智能科技开发有限公司 内存电压调节方法及电路

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